講演・口頭発表等 - 黒澤 昌志
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界面酸化膜挿入型 Au 誘起層交換成長法による大粒径 Ge(111)/絶縁膜の低温成長 -界面酸化膜厚依存性-
鈴木恒晴, パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 宮尾正信, 佐道泰造
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
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絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 〜Si偏析効果による大粒径化〜
加藤立奨,黒澤昌志,横山裕之,佐道泰造,宮尾正信
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
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Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)結晶/絶縁膜の形成: 界面酸化膜挿入効果
パク・ジョンヒョク,鈴木恒晴,黒澤昌志,宮尾正信,佐道泰造
2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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SiGeミキシング誘起溶融法における成長流の可視化 -SiGe偏析の活用-
東條友樹,松村亮,横山裕之,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信
2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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溶融 SiGe成長による濃度傾斜型SGOI構造の形成 ―成長速度と偏析現象―
松村亮,東條友樹,横山裕之,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信
2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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レーザーアニール法によるGOI(Ge on Insulator)構造の形成
横山裕之,東條友樹,黒澤昌志,佐道泰造,部家彰,松尾直人,宮尾正信
2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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溶融成長法による面方位ハイブリッドGOI構造の創製 〜Si基板上へのGe(100), (110), (111)混載〜
黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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溶融横方向成長による傾斜構造GeSn/絶縁膜の形成
黒澤昌志, 東條友樹, 松村亮, 宮尾正信
2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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溶融GOIの成長フロント衝突領域におけるコヒーレント格子整合
佐道泰造, 黒澤昌志, 加藤立奨, 東條友樹, 大田康晴, 都甲薫, 宮尾正信
2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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全率固溶型SiGe混晶におけるシードレス溶融成長
加藤立奨,黒澤昌志,横山裕之,佐道泰造,宮尾正信
2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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溶融成長法によるSGOI(SiGe on Insulator)多段構造の形成 -Ge/SiO2/SiGe/SiN/Si(100)構造-
東條友樹,横山裕之,松村亮,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信
2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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Orientation-controlled SiGe on insulator for system on panel 国際会議
M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
International Thin-Film Transistor Conference 2012 (ITC'12)
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界面変調型Au誘起層交換法による大粒径Ge結晶/絶縁膜の方位制御成長
鈴木恒晴, パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 宮尾正信, 佐道泰造
平成23年度 応用物理学会九州支部学術講演会
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Catalytic-growth of Si-based thin-films for advanced semiconductor devices 国際会議
M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
Taiwan Association for Coatings and Thin Films Technology 2011 (TACT2011)
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Orientation-Controlled Large-Grain Ge on Insulator by Au-Induced Layer-Exchange crystallization with Al2O3 Interfacial Layers 国際会議
T. Suzuki, J.-H. Park, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh
15th International Conference on Thin Films (ICTF-15)
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Hybrid-Formation of (100), (110), and (111) Ge-on-Insulator Structures on (100) Si Platform 国際会議
M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
International Conference on Solid State Devices and Materials 2011 (SSDM2011)
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溶融SiGeの偏析成長による濃度傾斜型SGOI構造の形成
松村亮,東條友樹,横山裕之,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信
2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会
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溶融GOI層の非直線成長とひずみ発生
加藤立奨,黒澤昌志,横山裕之,東條友樹,佐道泰造,宮尾正信
2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会
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SiGeミキシング誘起溶融成長法による網目状GOI層のコヒーレント成長
東條友樹,横山裕之,加藤立奨,黒澤昌志,都甲薫,佐道泰造,宮尾正信
2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会
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Low temperature (~250oC) Layer Exchange Crystallization of Si1-xGex (x=0-1) on insulator for Advanced Flexible Devices 国際会議
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)