講演・口頭発表等 - 黒澤 昌志
-
Low temperature crystallization of group-IV semiconductors induced by eutectic metals (Al, Sn) 国際会議
M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima
6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
-
Sn誘起横方向成長法によるGe1-xSnx/SiO2構造の低温形成
黒澤昌志,田岡紀之,坂下満男,中塚理,宮尾正信,財満鎭明
第12回 日本表面科学会中部支部 学術講演会
-
次世代フレキシブルデバイス実現に向けた絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長
黒澤昌志,田岡紀之,坂下満男,中塚理,宮尾正信,財満鎭明
2012年応用物理学会結晶工学分科会 第1回結晶工学未来塾
-
Formation of large-grain Ge(111) films on insulator by gold-induced layer-exchange crystallization at low temperature 国際会議
J.-H. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh
222th Electrochemical Society (ECS) Meeting
-
Formation of Graded SiGe on Insulator by Segregation-Controlled Rapid-Melting- Growth 国際会議
R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
222th Electrochemical Society (ECS) Meeting
-
Formation of Large Grain SiGe on Insulator by Si Segregation in Seedless-Rapid-Melting Process 国際会議
R. Kato, M. Kurosawa, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
222th Electrochemical Society (ECS) Meeting
-
Hybrid-Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si Platform by SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting Growth --- A Road to Artificial Crystal --- 国際会議
M. Miyao, M. Kurosawa, K. Toko, and T. Sadoh
222th Electrochemical Society (ECS) Meeting
-
Laterally Graded SiGe-on-Insulator with Universal Si Profile by Cooling-Rate-Controlled Rapid-Melting-Growth 国際会議
R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, M. Miyao
International Conference on Solid State Devices and Materials 2012 (SSDM2012)
-
Temperature dependent Al-induced crystallization of amorphous Ge thin films on glass substrates 国際会議
K. Toko, M. Kurosawa, N. Fukata, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, M. Miyao, and T. Suemasu
International Conference on Solid State Devices and Materials 2012 (SSDM2012)
-
High Mobility Poly-GeSn Layer Formed by Low Temperature Solid Phase Crystallization 国際会議
W. Takeuchi,N. Taoka, M. Kurosawa, M. Fukutome, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima
International Conference on Solid State Devices and Materials 2012 (SSDM2012)
-
Si Segregation Behavior in Giant SiGe Stripes on Insulator during Rapid-Melting-Growth 国際会議
R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
IUMRS Intarnational Conference on Electronic Materials (IUMRS-CEM2012)
-
Stripe-Length Dependent Laterally Graded SiGe Profiles by Rapid-Melting-Growth 国際会議
R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
E-MRS 2012 Fall Meeting
-
Defect Free Multi-Structures of [SiGe/Insulator]2 on Si (100) platform 国際会議
Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao
E-MRS 2012 Fall Meeting
-
Al誘起成長法によるGe薄膜/ガラスの(111)面方位制御
都甲薫,黒澤昌志,深田直樹,齋藤徳之,吉澤徳子,宇佐美徳隆,宮尾正信,末益崇
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
-
Sn触媒を用いた非晶質Ge薄膜/絶縁膜の低温成長
黒澤昌志,田岡紀之,坂下満男,中塚理,宮尾正信,財満鎭明
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
-
低温固相結晶化による高移動度poly-GeSn層の形成
竹内和歌奈,田岡紀之,黒澤昌志,福留誉司,坂下満男,中塚理,財満鎭明
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
-
大粒径SiGe結晶/絶縁膜のシードレス溶融成長
加藤立奨,黒澤昌志,松村亮,東條友樹,佐道泰造,宮尾正信
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
-
SiGe溶融成長によるSGOI構造の濃度制御 -Si濃度分布に与える冷却速度効果-
松村亮,東條友樹,横山裕之,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
-
(111)-Oriented Large-Grain Ge on Insulator by Gold-Induced Crystallization Combined with Interfacial Layer Insertion 国際会議
J.-H. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh
International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays 2012 (AM-FPD'12)
-
Multi-Layered SiGe-on-Insulator Structures by Rapid-Melting-Growth 国際会議
Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao
2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)