講演・口頭発表等 - 黒澤 昌志
-
Mobility Behavior of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Grown on Insulators 国際会議
T. Ohmura, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
15th IUMRS-International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2014)
-
Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減
鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 中塚理, 黒澤昌志, 加藤公彦, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
-
絶縁膜上における IV 族半導体の低温形成 〜低融点 Sn の活用〜
黒澤昌志, 田岡紀之, 池上浩, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
-
Epitaxial Growth and Crystalline Properties of Ge1-x-ySixSny Layers on Ge(001) Substrates 国際会議
T. Asano, T. Terashima, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)
-
Ultralow-Temperature Catalyst-Induced-Crystallization of SiGe on Plastic for Flexible Electronics 国際会議
T. Sadoh, J.-H. Park, M. Kurosawa, and M. Miyao
International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)
-
Low temperature growth of SiSn polycrystals with high Sn contents on insulating layers 国際会議
M. Kurosawa, M. Kato, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)
-
Impact of Sn Incorporation on Low Temperature Growth of Polycrystalline-Si1-xGex Layers on Insulators 国際会議
T. Yamaha, T. Ohmura, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)
-
Crystal Growth of Sn-related Group-IV Alloy Thin Films for Advanced Si Nanoelectronics 国際会議
S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Kurosawa, T. Asano, T. Yamaha, and W. Takeuchi
International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)
-
Growth and Crystalline Properties of Ge1-x-ySnxCy Ternary Alloy Thin Films on Ge(001) Substrate 国際会議
K. Terasawa, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka,O. Nakatsuka, E. Kamiyama, R. Matsutani, R. Suwa, K. Kashima, K. Izunome, K. Sueoka, and S. Zaima
International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)
-
Formation and Electrical Properties of Metal/Ge1-xSnx Contacts 国際会議
O. Nakatsuka, T. Nishimura, A. Suzuki, K. Kato, D. Yunsheng, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima
14th International Workshop on Junction Technology
-
水中レーザ結晶化によるpoly-GeSnの大粒径成長とデバイス応用
黒澤昌志, 池上浩, 鎌田善己, 田岡紀之, 中塚理, 手塚勉, 財満鎭明
第61回応用物理学会春季学術講演会
-
X線マイクロ回折法による埋め込みGe1-xSnx/Ge微細構造内部の局所歪評価
池進一, 守山佳彦, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 今井康彦, 木村滋 , 手塚勉, 財満鎭明
第61回応用物理学会春季学術講演会
-
液相SnへのGe優先溶融を利用したSiGeSn薄膜の極低温エピタキシャル成長
加藤元太, 黒澤昌志, 山羽隆, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第61回応用物理学会春季学術講演会
-
Si添加によるSnドット化抑制と層交換成長への応用
黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第61回応用物理学会春季学術講演会
-
固相エピタキシー法により形成したGe1-x-ySnxCy三元混晶薄膜の結晶構造
小田裕貴, 山羽隆, 寺澤謙吾, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第61回応用物理学会春季学術講演会
-
高C組成Ge1-x-ySnxCy薄膜の結晶成長および結晶性評価
山羽隆, 寺澤謙吾, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第61回応用物理学会春季学術講演会
-
Substrate Orientation Dependence of Crystalline Structures of Epitaxial GeSn Layers 国際会議
T. Asano, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
7th International WorkShop on New Group IVSemiconductor Nanoelectronics
-
Sn-assisted low temperature crystallization of polycrystalline Ge1-xSnx thin-films on insulating surfaces 国際会議
M. Kurosawa, T. Yamaha, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, H. Ikenoue, and S. Zaima
7th International WorkShop on New Group IVSemiconductor Nanoelectronics
-
Si(110)上Ge1-xSnxエピタキシャル薄膜の成長機構および転位構造
木戸脇翔平,浅野孝典, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理,財満鎭明
第13回 日本表面科学会中部支部 学術講演会
-
低温固相成長GeへのSn導入による正孔移動度の向上
竹内和歌奈, 田岡紀之, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
第13回 日本表面科学会中部支部 学術講演会