論文 - 宇佐美　徳隆

Formation of metastable cubic phase in SnS thin films fabricated by thermal evaporation

K. O. Hara, S. Suzuki, N. Usami

Thin Solid Films   ( 639 ) 頁： 7-11   2017年8月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Effects of surface morphology randomness on optical properties of Si-based photonic nanostructures

Kurokawa Yasuyoshi, Aonuma Osamu, Tayagaki Takeshi, Takahashi Isao, Usami Noritaka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 8 )   2017年8月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/JJAP.56.08MA02

Web of Science

Effect of Surface Morphology Randomness on Optical Properties of Si-based Photonic Nanostructures 査読有り

Y. Kurokawa, O. Aonuma, T. Tayagaki ,I. Takahashi, and N. Usami

Jpn. J. Appl. Phys.   ( 56 ) 頁： 08MA02   2017年7月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Effect of ALD-Al₂O₃ Passivated Silicon Quantum Dot Superlattices on p/i/n⁺ Solar Cells

M. M. Rahman, Yi-Chia Tsai, Ming-Yi Lee, A. Higo, Yiming Li, Y. Hoshi, N. Usami, and S. Samukawa

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   64 巻   頁： 7   2017年7月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Effect of ALD-Al2O3 Passivated Silicon Quantum Dot Superlattices on p/i/n(+) Solar Cells

Rahman Mohammad Maksudur, Tsai Yi-Chia, Lee Ming-Yi, Higo Akio, Li Yiming, Hoshi Yusuke, Usami Noritaka, Samukawa Seiji

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   64 巻 ( 7 ) 頁： 2886-2892   2017年7月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/TED.2017.2704294

Web of Science

On the growth mechanism of multicrystalline silicon ingots with small grains fabricated using single-layer silicon beads

Muramatsu Tetsurou, Takahashi Isao, Babu G. Anandha, Usami Noritaka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 7 )   2017年7月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/JJAP.56.075502

Web of Science

Effects of grain boundary structure controlled by artificially designed seeds on dislocation generation 査読有り 国際誌

Iwata Taisho, Takahashi Isao, Usami Noritaka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 7 )   2017年7月

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担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/JJAP.56.075501

Web of Science

Impact of anodic aluminum oxide fabrication and post-deposition anneal on the effective carrier lifetime of vertical silicon nanowires

Van Hoang Nguyen, Sichanugrist Porponth, Kato Shinya, Usami Noritaka

SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS   166 巻   頁： 39 - 44   2017年7月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.solmat.2017.03.013

Web of Science

Fabrication of BaSi₂ thin films capped with amorphous Si using a single evaporation source

K. O. Hara, C. T. Trinh. Y. Kurokawa; K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, and N. Usami

Thin Solid Films   ( 646 ) 頁： 546-551   2017年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Boron-doped p-BaSi₂/n-Si solar cells formed on textured n-Si(001) with a pyramid structure consisting of {111} facets

T. Deng, K. Gotoh, R. Takabe, Z. Xu, S. Yachi, Y. Yamashita, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu

Journal of Crystal Growth   ( 475 ) 頁： 186-191   2017年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Study on ion implantation conditions in fabricating compressively strained Si/relaxed Si₁-_xC_x heterostructures using the defect control by ion implantation technique

Y. Arisawa, K. Sawano, and N. Usami

Journal of Crystal Growth   468 巻   頁： 601-604   2017年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Controlling impurity distributions in crystalline Si for solar cells by using artificial designed defects

Hayama Yusuke, Takahashi Isao, Usami Noritaka

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 610 - 613   2017年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.092

Web of Science

Towards optimized nucleation control in multicrystalline silicon ingot for solar cells

G.A.Babu, I.Takahashi, T.Muramatsu, and N.Usami

Journal of Crystal Growth   468 巻   頁： 620-624   2017年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Hole mobility in strained Si/SiGe/vicinal Si(110) grown by gas source MBE

K.Arimoto, S.Yagi, J.Yamanaka, K.O.Hara, K.Sawano, N.Usami, and K.Nakagawa

Journal of Crystal Growth   468 巻   頁： 625-629   2017年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Controlling Impurity Distribution in Quasi-mono Crystalline Si Ingot by Seed Manipulation for Artificially Controlled Defect Technique

Y. Hayama, I. Takahashi, and N. Usami

Energy Procedia   127 巻   頁： 610-613   2017年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Hole mobility in strained Si/SiGe/vicinal Si(110) grown by gas source MBE

Arimoto Keisuke, Yagi Sosuke, Yamanaka Junji, Hara Kosuke O., Sawano Kentarou, Usami Noritaka, Nakagawa Kiyokazu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 625 - 629   2017年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.076

Web of Science

Study on ion implantation conditions in fabricating compressively strained Si/relaxed Si1-xCx heterostructures using the defect control by ion implantation technique

Arisawa You, Sawano Kentarou, Usami Noritaka

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 601 - 604   2017年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.065

Web of Science

Towards optimized nucleation control in multicrystalline silicon ingot for solar cells

Babu G. Anandha, Takahashi Isao, Muramatsu Tetsurou, Usami Noritaka

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 620 - 624   2017年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.066

Web of Science

On the growth mechanism of multicrystalline silicon ingots with small grains by using single layer silicon beads

T. Muramatsu, I. Takahashi, G. Anandha babu, and N. Usami

Japanese Journal of Applied Physics   ( 56 ) 頁： 075502   2017年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Effects of grain boundary structure controlled by artificially designed seeds on dislocation generation

T. Iwata, I. Takahashi, and N. Usami

Japanese Journal of Applied Physics   ( 56 ) 頁： 075501   2017年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）