論文 - 宇佐美　徳隆

Modification of local structures in multicrystals revealed by spatially resolved x-ray rocking curve analysis

N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara and K. Nakajima

Journal of Applied Physics   102 巻 ( 10 )   2007年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.2816207

High-quality polycrystalline silicon films with minority carrier lifetimes over 5 mu s formed by flash lamp annealing of precursor amorphous silicon films prepared by catalytic chemical vapor deposition

K. Ohdaira, S. Nishizaki, Y. Endo, T. Fujiwara, N. Usami, K. Nakajima and H. Matsumura

Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers   46 巻 ( 11 ) 頁： 7198-7203   2007年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Silicon-based light emitters fabricated by embedding Ge self-assembled quantum dots in microdisks

J. S. Xia, K. Nemoto, Y. Ikegami, Y. Shiraki and N. Usami

Applied Physics Letters   91 巻 ( 1 )   2007年7月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.2754356

SiGe double barrier resonant tunneling diodes on bulk SiGe substrates with high peak-to-valley current ratio

S. Tsujino, N. Usami, A. Weber, G. Mussler, V. Shushunova, D. Grutzmacher, Y. Azuma and K. Nakajima

Applied Physics Letters   91 巻   2007年7月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.2756363

Formation mechanism of parallel twins related to Si-facetted dendrite growth

K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami, G. Sazaki, Y. Nose and K. Nakajima

Scripta Materialia   57 巻 ( 2 ) 頁： 81-84   2007年7月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Application of Czochralski-grown SiGe bulk crystal as a substrate for luminescent strained quantum wells

N. Usami, R. Nihei, I. Yonenaga, Y. Nose and K. Nakajima

Applied Physics Letters   90 巻 ( 18 )   2007年4月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.2735286

Improvement in the conversion efficiency of single-junction SiGe solar cells by intentional introduction of the compositional distribution

M. Tayanagi, N. Usami, W. Pan, K. Ohdaira, K. Fujiwara, Y. Nose and K. Nakajima

Journal of Applied Physics   101 巻 ( 5 )   2007年3月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.2709575

Influence of structural imperfection of Sigma 5 grain boundaries in bulk multicrystalline Si on their electrical activities

K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Nose and K. Nakajima

Journal of Applied Physics   101 巻 ( 6 )   2007年3月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.2710348

Step-induced anisotropic growth of pentacene thin film crystals on a hydrogen-terminated Si(111) surface

S. Nishikata, G. Sazaki, T. Takeuchi, N. Usami, S. Suto and K. Nakajima

Crystal Growth & Design   7 巻 ( 2 ) 頁： 439-444   2007年2月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Modification of local structure and its influence on electrical activity of near (310) Sigma 5 grain boundary in bulk silicon

K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Nose, T. Sugawara, T. Shishido and K. Nakajima

Materials Transactions   48 巻 ( 2 ) 頁： 143-147   2007年2月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Effect of the compositional distribution on the photovoltaic power conversion of SiGe solar cells

N. Usami, W. Pan, K. Fujiwara, M. Tayanagi, K. Ohdaira and K. Nakajima

Solar Energy Materials and Solar Cells   91 巻   頁： 123-128   2007年1月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Control of strain status in SiGe thin film by epitaxial growth on Si with buried porous layer

N. Usami, K. Kutsukake, N. Kazuo, S. Amtablian, A. Fave and M. Lemiti

Applied Physics Letters   90 巻 ( 3 )   2007年1月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.2433025

Fabrication of Ge channels with extremely high compressive strain and their magnetotransport properties

K. Sawano, Y. Kunishi, K. Toyama, T. Okamoto, N. Usami, K. Nakagawa and Y. Shiraki

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   301 巻   頁： 339-342   2007年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Growth temperature dependence of lattice structures of SiGe/graded buffer structures grown on Si(110) substrates by gas-source MBE

K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami and K. Nakajima

J. Cryst. Growth   301 巻   頁： 343-348   2007年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Annihilation of acceptor-hydrogen pairs in Si crystals due to electron irradiation

M. Suezawa, K. Koilma, A. Kasuya, I. Yonenaga and N. Usami

Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers   45 巻 ( 12 ) 頁： 9162-9166   2006年12月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Strong resonant luminescence from Ge quantum dots in photonic crystal microcavity at room temperature

J. S. Xia, Y. Ikegami, Y. Shiraki, N. Usami and Y. Nakata

Applied Physics Letters   89 巻 ( 20 )   2006年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.2386915

Magnetotransport properties of Ge channels with extremely high compressive strain

K. Sawano, Y. Kunishi, Y. Shiraki, K. Toyama, T. Okamoto, N. Usami and K. Nakagawa

Applied Physics Letters   89 巻 ( 16 )   2006年10月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.2354467

Growth of structure-controlled polycrystalline silicon ingots for solar cells by casting

K. Fujiwara, W. Pan, N. Usami, K. Sawada, M. Tokairin, Y. Nose, A. Nomura, T. Shishido and K. Nakajima

Acta Materialia   54 巻 ( 12 ) 頁： 3191-3197   2006年7月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

High sensitive imaging of atomic arrangement of Ge clusters buried in a Si crystal by X-ray fluorescence holography

S. Kusano, S. Nakatani, K. Sumitani, T. Takahashi, Y. Yoda, N. Usami and Y. Shiraki

Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers   45 巻 ( 6A ) 頁： 5248-5253   2006年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Suppression of structural imperfection in strained Si by utilizing SiGe bulk substrate

N. Usami, Y. Nose, K. Fujiwara and K. Nakajima

Applied Physics Letters   88 巻   2006年5月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.2735286