論文 - 宇佐美　徳隆

Effect of Ge/Al thickness on Al-induced crystallization of amorphous Ge layers on glass substrates

K.Nakazawa, K.Toko, N.Saitoh, N.Yoshizawa, N.Usami, T.Suemasu

physica status solidi ©   10 巻   頁： 1781-1784   2013年12月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Epitaxial growth of BaSi₂ films with large grains using vicinal Si(111) substrates

M.Baba, K.O.Hara, K.Toko, N.Saito, N.Yoshizawa, N.Usami, T.Suemasu

physica status solidi ©   10 巻   頁： 1756-1768   2013年12月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Investigation of the tunneling properties and surface morphologies of BaSi₂/Si tunnel junctions for BaSi₂ solar cell applications

W.Du, M.Baba, R.Takabe, N.Zhang, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu

physica status solidi ©   10 巻   頁： 1765-1768   2013年12月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Fabrication of BaSi₂ films on (111)-oriented Si layers formed by inverted Al-induced crystallization method on glass structure

R.Numata, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu

physica status solidi ©   10 巻   頁： 1769-1772   2013年12月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Fabrication and characterizations of phosphorus-doped n-type BaSi₂ epitaxial films grown by molecular beam epitaxy

R.Takabe, M.Baba, K.Nakamura, W.Du, M.A.Khan, S.Koike, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, T.Suemasu

physica status solidi ©   10 巻   頁： 1753-1755   2013年12月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Mechanism of strain relaxation in BaSi₂ epitaxial films on Si(111) substrates during post-growth annealing and application for film exfoliation

K.O.Hara, N.Usami, K.Nakamura, R.Takabe, M.Baba, K.Toko, T.Suemasu

physica status solidi ©   10 巻   頁： 1677-1680   2013年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Determination of Bulk Minority-Carrier Lifetime in BaSi₂ Earth-Abundant-Absorber Films by Utilizing a Drastic Enhancement of Carrier Lifetime by Post-Growth Annealing

K.O.Hara, N.Usami, K.Nakamura, R.Takabe, M.Baba, K.Toko, T.Suemasu

Applied Physics Express   6 巻   頁： 112302   2013年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Determination of Bulk Minority-Carrier Lifetime in BaSi₂ Earth-Abundant Absorber Films by Utilizing a Drastic Enhancement of Carrier Lifetime by Post-Growth Annealing

K.O.Hara, N.Usami, K.Nakamura, R.Takabe, M.Baba, K.Toko, T.Suemasu

Applied Physics Express   6 巻 ( 11 ) 頁： 112302   2013年10月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/apex.6.112302

Theory of open-circuit voltage and the driving force of charge separation in pn-junction solar cells

K.O.Hara, N.Usami

Journal of Applied Physics   114 巻   頁： 153101   2013年10月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Evaluation of potential variations around grain boundaries in BaSi₂ epitaxial films by Kelvin probe force microscopy

M.Baba, S.Tsurekawa, K.Watanabe, W.Du, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, T.Sekiguchi, T.Suemasu

Applied Physics Letters   103 巻   頁： 142113   2013年9月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Investigation of the open-circuit voltage in solar cells doped with quantum dots

T.Tayagaki, Y.Hoshi, N.Usami

Scientific Reports   3 巻   頁： 2703   2013年9月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1038/srep02703

Control of Grain Boundary Propagation in Mono-Like Si: Utilization of Functional Grain Boundaries

K.Kutsukake, N.Usami, Y.Ohno, Y.Tokumoto, I.Yonenaga

Applied Physics Express   6 巻   頁： 025505   2013年9月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Effect of atomic-hydrogen irradiation on reduction of residual carrier concentration in β-FeSi₂ films grown on Si substrates by atomic-hydrogen-assisted molecular beam epitaxy

Y.Funase, M.Suzuno, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, N.Saito, N.Yoshizawa, T.Suemasu

Journal of Crystal Growth   378 巻   頁： 365-367   2013年9月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Enhancement of light emission from Ge quantum dots by photonic crystal nanocavities at room-temperature

XJ.Xu, N.Usami, T.Maruizumi, Y.Shiraki

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   378 巻   頁： 636-639   2013年9月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2012.11.002

On the origin of the uniaxial strain induced in Si/Ge heterostructures with selective ion implantation technique

K.Sawano, Y.Hoshi, S.Nagakura, K.Arimoto, K.Nakagawa, N.Usami, Y.Shiraki

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   378 巻   頁： 251-253   2013年9月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.100

Molecular beam epitaxy of boron doped p-type BaSi₂ epitaxial films on Si(111) substrates for thin-film solar cells

M.A.Khan, K.O.Hara, K.Nakamura, W.J.Du, M.Baba, K.Toh, M.Suzuno, K.Toko, N.Usami, T.Suemasu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   378 巻   頁： 201-204   2013年9月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.153

Large photoresponsivity in semiconducting BaSi₂ epitaxial films grown on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy

S.Koike, K.Toh, M.Baba, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, N.Saito, N.Yoshizawa, T.Suemasu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   378 巻   頁： 198-200   2013年9月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.052

Gas-source MBE growth of strain-relaxed Si₁-xCx on Si(100) substrates

K.Arimoto, S.Sakai, H.Furukawa, J.Yamanaka, K.Nakagawa, N.Usami, Y.Hoshi, K.Sawano, Y.Shiraki

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   378 巻   頁： 212-217   2013年9月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.152

Formation of large-grain-sized BaSi₂ epitaxial layers grown on Si(111) by molecular beam epitaxy

M.Baba, K.Toh, K.Toko, K.O.Hara, N.Usami, N.Saito, N.Yoshizawa, T.Suemasu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   378 巻   頁： 193-197   2013年9月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.176

Large-Grained Polycrystalline (111) Ge Films on Insulators by Thickness-Controlled Al-Induced Crystallization

K. Nakazawa, K. Toko, N. Saitoh, N.Usami and T. Suemasu

Ecs Journal of Solid State Science and Technology   2 巻 ( 11 ) 頁： Q195-Q199   2013年8月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1149/2.007311jss