Presentations -
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窒化物系半導体の最近の動向と課題
天野 浩
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＜デバイスの立場から＞ 窒化物半導体光・電子デバイス 極限機能創出のための結晶成長の技術課題
天野 浩
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High temperature growth of AlN and AlGaN for UV/DUV devices
The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
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LEDの各種基板への作製の取り組みとその比較・評価
天野 浩
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Key issues for achieving high-efficiency nonpolar nitride-based light emitting diodes
CDL 2007
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Present and future prospects of nitride-based UV emitters<BR>
APOC2006
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窒化物半導体を用いた短波長発光デバイス
天野 浩、クリシュナン・バラクリシュナン，岩谷素顕，上山 智，赤﨑 勇，丸山久明、野呂匡志，高木俊, 坂東 章
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青色半導体レーザが出来るまで徹底解説
天野 浩
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High temperature growth of AlN and AlGaN by metalorganic vapor phase epitaxy
ISGN-1
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Education and Research at Meijo Nano-factory
MRS Spring 2006
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青・紫外ＬＥＤのため結晶成長技術と光取り出し効率の向上・高出力化手法 ナイトライド系半導体レーザの基礎と発光ダイオードの光取り出し効率の向上手法
天野 浩
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非シリコン半導体の現状と展望、Ⅲ族窒化物半導体光・電子デバイスの展望
天野 浩
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ナノナイトライド構造の作製とデバイス応用
天野 浩
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III族窒化物半導体デバイスの展望
天野 浩
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High-temperature MOVPE growth of AlN and AlGaN for UV/DUV optoelectronics
5th Akasaki Research Center Symposium
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MOVPE法による厚膜GaNおよびAlN成長
天野 浩、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
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LD への展開 －紫外用光源はナイトライドで置き換えられるか－
天野 浩、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
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ELO of AlGaN for Fabrication of UV/deep UV Devices
H. Amano, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki,
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日本におけるナイトライドLED開発の歴史と今後の展望
天野 浩
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ナイトライド系LED性能の現状 ～光取り出し効率と温度依存性～
天野 浩