Presentations -
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Recent development and future prospects of the fabrication of GaInN-based solar cells
ISCS2010
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Atomic layer epitaxy of GaInN and AlGaN by high pressure MOVPE International conference
APS Spring Meeting,
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How can we improve performance of nitride-based devices using plasma technology ?
IC-PLANTS 2010
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New MOVPE system for next generation AlGaInN growth International conference
The 4th International Conference on LED and Solid State Lighting (LED 2010)
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窒化物半導体応用の波長範囲の拡大
天野 浩
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光デバイス II (9) 紫外発光デバイス
天野 浩
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Past, present and future prospects of group III nitride based light emitting devices
ICMAP 2009
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Revolutions in Solid State Lighting Technology
International Workshop on EEWS
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GaN基板ウエハ実現の鍵を握る結晶育成・加工技術 ～その現状と課題、及び将来展望～
天野 浩
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Growth and Conductivity Control of High-Quality GaInN for the Realization of High Efficiency Photovoltaic Devices
POEM2009
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世界を変えるGaN発光デバイス ～低炭素社会実現の救世主となるために～
天野 浩
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Growth and conductivity control of high quality AlGaN and its application to high performance ultraviolet laser diodes
SIMC-XV
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持続可能な社会システム構築のための窒化物半導体の役割
天野 浩
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窒化物半導体LEDのエピタキシャル成長とLED高効率化の最新動向
天野 浩
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窒化物半導体LED開発の歴史、現状と今後の展望 および微細構造観察・元素分析への期待
天野 浩
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Challenge for short wavelength semiconductor UV laser diodes
SPIE Photonics West
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窒化物半導体の結晶成長とデバイス応用に関する研究
天野 浩
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光デバイス II (9) 紫外発光デバイス
天野 浩
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GaNのLDへの応用
天野 浩
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窒化物半導体の新しい応用を目指して
天野 浩