研究者詳細 - 原田　俊太

論文 - 原田　俊太

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Low-dislocation-density 4H-SiC crystal growth utilizing dislocation conversion during solution method 査読有り

Yamamoto Yuji, Harada Shunta, Seki Kazuaki, Horio Atsushi, Mitsuhashi Takato, Koike Daiki, Tagawa Miho, Ujihara Toru

APPLIED PHYSICS EXPRESS 7 巻 ( 6 ) 頁： 065501 2014年6月

Solubility measurement of a metastable achiral crystal of sodium chlorate in solution growth

Niinomi Hiromasa, Horio Atsushi, Harada Shunta, Ujihara Toru, Miura Hitoshi, Kimura Yuki, Tsukamoto Katsuo

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 394 巻頁： 106 - 111 2014年5月

Nitrogen doping of 4H-SiC by the top-seeded solution growth technique using Si-Ti solvent

Kusunoki Kazuhiko, Kamei Kazuhito, Seki Kazuaki, Harada Shunta, Ujihara Toru

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 392 巻頁： 60 - 65 2014年4月

Increase in the Growth Rate by Rotating the Seed Crystal at High Speed during the Solution Growth of SiC 査読有り

T. Umezaki, D. Koike, A. Horio, S. Harada, and T. Ujihara

Materials Science Forum 778-780 巻頁： 63-66 2014年1月

Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion Behavior during Solution Growth of 4H-SiC Using Al-Si Solvent 査読有り

S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, M. Tagawa, and T. Ujihara

Materials Science Forum 778-780 巻頁： 67-70 2014年1月

"Direct measurement of conduction miniband structure in superlattice by visible-light photoemission spectroscopy"

F. Ichihashi, D. Shimura, K. Nishitani, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, H. Katsuno, M. Tagawa, T.Ujihara

Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2014 IEEE 40th , 8-13 June 2014 頁： 2882-2885 2014年

Different behavior of threading edge dislocation conversion during the solution growth of 4H-SiC depending on the Burgers vector 査読有り

S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, M. Tagawa, T. Ujihara

Acta Materialia 81 巻頁： pp. 284-290 2014年

Direct Measurement of Conduction Miniband Structure in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy

Ichihashi Fumiaki, Shimura Daiki, Nishitani Kenji, Kawaguchi Takahiko, Kuwahara Makoto, Ito Takahiro, Harada Shunta, Katsuno Hiroyasu, Tagawa Miho, Ujihara Tofu

2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC) 頁： 2882 - 2885 2014年

Direct measurement of conduction miniband structure in superlattice by visible-light photoemission spectroscopy

Ichihashi F.

2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2014 頁： 2882 - 2885 2014年

SiC結晶成長における多形制御 : 速度論的多形制御法の提案(3C-SiC溶液成長を例に)(<特集>準安定相の形成と結晶成長)

関和明, 原田俊太, 宇治原徹

日本結晶成長学会誌 40 巻 ( 4 ) 頁： 253 - 260 2014年

掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：日本結晶成長学会

Silicon carbide forms polytypes due to different stacking arrangements of Si and C. For the use of semiconductor materials, it is necessary to fabricate a single polytype material. In this paper, firstly, determination factors of polytypes are introduced from both experimental and theoretical viewpoints, and the difficulty of the polytype control based on thermal stability is shown. Next, the actual control techniques in sublimation growth method and CVD method are shown to be based on the concept that the polytype sequence of seed crystal continues to the grown crystal. Finally, we propose the kinetic polytype control method based on the growth speed difference among polytypes in SiC solution growth.

DOI： 10.19009/jjacg.40.4_253

Achiral Metastable Crystals of Sodium Chlorate Forming Prior to Chiral Crystals in Solution Growth

Niinomi Hiromasa, Yamazaki Tomoya, Harada Shunta, Ujihara Toru, Miura Hitoshi, Kimura Yuki, Kuribayashi Takahiro, Uwaha Makio, Tsukamoto Katsuo

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 13 巻 ( 12 ) 頁： 5188 - 5192 2013年12月

SiC 結晶成長における多形制御～速度論的多形制御法の提案（3C-SiC 溶液成長を例に）～

関和明、原田俊太、宇治原　徹

日本結晶成長学会誌, 40 巻 ( 4 ) 頁： 253 2013年12月

SiC 結晶成長における多形制御～速度論的多形制御法の提案（3C-SiC 溶液成長を例に）～

関和明, 原田俊太, 宇治原徹

日本結晶成長学会誌, 40 巻 ( 4 ) 頁： 253 2013年12月

Direct Growth of AlN Single Crystal on Sapphire by Solution Growth Method

Matsubara Hiroaki, Mizuno Kohei, Takeuchi Yukihisa, Harada Shunta, Kitou Yasuo, Okuno Eiichi, Ujihara Toru

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 頁： 08JE17 2013年8月

Influence of Solution Flow on Step Bunching in Solution Growth of SiC Crystals

Zhu Can, Harada Shunta, Seki Kazuaki, Zhang Huayu, Niinomi Hiromasa, Tagawa Miho, Ujihara Toni

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 13 巻 ( 8 ) 頁： 3691 - 3696 2013年8月

Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC 査読有り

Harada S., Yamamoto Y., Seki K., Horio A., Mitsuhashi T., Tagawa M., Ujihara T.

APL MATERIALS 1 巻 ( 2 ) 頁： 022109 2013年8月

超高品質SiC溶液成長

宇治原徹, 原田俊太, 山本祐治, 関和明

應用物理 82 巻 ( 4 ) 頁： 326 - 329 2013年4月

掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

<p>パワーデバイス用材料として現在盛んに研究開発が行われているSiCにおいては，基板結晶の高品質化が極めて重要である．溶液成長法はそれを実現する手法として注目を集めつつある．我々はSiC溶液成長過程において，結晶に含まれる貫通転位が基底面内の転位やフランク型欠陥へ頻繁に変換することを見いだし，さらにこの現象を利用して多くの貫通転位を結晶外部に放出させることで，高品質結晶が実現されることを示してきた．最近では，ほかのグループから結晶成長速度の向上や結晶口径の拡大に関する報告もなされている．本格的な高品質バルク結晶成長技術として確立されるまで，あと少しのところにきている．</p>

DOI： 10.11470/oubutsu.82.4_326

超高品質SiC溶液成長招待有り査読有り

宇治原徹、原田俊太、山本祐治、関和明

応用物理 82 巻頁： 326-329 2013年4月

SiC溶液成長の最近の展開

原田俊太、山本祐治、関和明、宇治原　徹

日本結晶成長学会誌, 40 巻頁： 25 2013年4月

SiC溶液成長の最近の展開

原田俊太, 山本祐治, 関和明, 宇治原徹

日本結晶成長学会誌, 40 巻頁： 25 2013年4月

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