研究者詳細 - 原田　俊太

論文 - 原田　俊太

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Electron spectroscopy of conduction electrons excited by visible light utilizing NEA surface 査読有り

Ichihashi F.

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference 頁： 288 - 291 2013年

2SBA-03 DNAセルフアセンブリによるナノ粒子超構造制御(2SBA 反応場デザインによる生命現象の再構成-創って知る生物物理-,シンポジウム,日本生物物理学会第51回年会(2013年度))

田川美穂, 磯貝卓巳, 赤田英里, 原田俊太, 宇治原徹, ヤンガーケビン, ガングオレグ

生物物理 53 巻 ( 1 ) 頁： S92 2013年

Polytype-selective growth of SiC by supersaturation control in solution growth

Seki Kazuaki, Alexander, Kozawa Shigeta, Harada Shunta, Ujihara Toru, Takeda Yoshikazu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 360 巻 ( 1 ) 頁： 176 - 180 2012年12月

High-Efficiency Conversion of Threading Screw Dislocations in 4H-SiC by Solution Growth

Yamamoto Yuji, Harada Shunta, Seki Kazuaki

Applied physics express 5 巻 ( 11 ) 頁： "115501 - 1"-"115501-3" 2012年11月

High-Efficiency Conversion of Threading Screw Dislocations in 4H-SiC by Solution Growth 査読有り

Yamamoto Yuji, Harada Shunta, Seki Kazuaki, Horio Atsushi, Mitsuhashi Takato, Ujihara Toru

APPLIED PHYSICS EXPRESS 5 巻 ( 11 ) 頁： 115501 2012年11月

Polytype Transformation by Replication of Stacking Faults Formed by Two-Dimensional Nucleation on Spiral Steps during SiC Solution Growth 査読有り

Harada Shunta, Alexander, Seki Kazuaki, Yamamoto Yuji, Zhu Can, Yamamoto Yuta, Arai Shigeo, Yamasaki Jun, Tanaka Nobuo, Ujihara Toru

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 12 巻 ( 6 ) 頁： 3209 - 3214 2012年6月

Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth 査読有り

Y. Yamamoto, K. Seki, S. Kozawa, Alexander, S. Harada, T. Ujihara

Materials Science Forum 717-720 巻頁： 53-56 2012年5月

Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation during SiC Solution Growth

T. Ujihara, S. Kozawa, K. Seki, Alexander, Y. Yamamoto, S. Harada

Materials Science Forum 717-720 巻頁： 351-354 2012年5月

Anisotropy of Lattice Thermal Conduction in TiO2-x with High Density of Planar Defects by Atomistic Simulations

Y. Miyauchi, M. Tada, M. Yoshiya, S. Harada, K. Tanaka, H. Yasuda, H. Inui

AMTC Letters 3 巻頁： 242-243 2012年5月

Anisotropy of Lattice Thermal Conduction in TiO2-x with High Density of Planar Defects by Atomistic Simulations

Y. Miyauchi, M. Tada, M. Yoshiya, S. Harada, K. Tanaka, H. Yasuda, H. Inui

AMTC Letters 3 巻頁： 242-243 2012年5月

CT-2-2 高品質SiC溶液成長(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)

宇治原徹, 原田俊太, 関和明, 山本祐治

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2012 巻 ( 2 ) 頁： "SS - 19"-"SS-21" 2012年3月

CT-2-2 高品質SiC溶液成長(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)

宇治原徹, 原田俊太, 関和明, 山本祐治

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2012 巻 ( 2 ) 頁： "SS - 19"-"SS-21" 2012年3月

Direct Observation of Vacancies and Local Thermal Vibration in Thermoelectric Rhenium Silicide 査読有り

Harada, S; Tanaka, K; Kishida, K; Okamoto, NL; Endo, N; Okunishi, E; Inui, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS 5 巻 ( 3 ) 頁： 035203 2012年3月

Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation during SiC Solution Growth

Ujihara Toru, Kozawa Shigeta, Seki Kazuaki, Alexander, Yamamoto Yuji, Harada Shunta

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2 717-720 巻頁： 351 - + 2012年

Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth 査読有り

Yamamoto Yuji, Seki Kazuaki, Kozawa Shigeta, Alexander, Harada Shunta, Ujihara Toru

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2 717-720 巻頁： 53 - 56 2012年

Acoustic Design Shape and Topology Sensitivity Formulations Based on Adjoint Method and BEM

Matsumoto, T; Yamada, T; Takahashi, T; Zheng, CJ; Harada, S

CMES-COMPUTER MODELING IN ENGINEERING & SCIENCES 78 巻 ( 2 ) 頁： 77 - 94 2011年8月

Crystal structure refinement of ReSi1.75 with an ordered arrangement of silicon vacancies 査読有り

Shunta Harada, Hiroaki Hoshikawa, Kosuke Kuwabara, Katsushi Tanaka, Eiji Okunishi, Haruyuki Inui

PHILOSOPHICAL MAGAZINE 91 巻 ( 23 ) 頁： 3108 - 3127 2011年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：TAYLOR & FRANCIS LTD

The crystal structure and microstructure of ReSi1.75 were investigated by synchrotron X-ray diffraction combined with scanning transmission electron microscopy. ReSi1.75 contains an ordered arrangement of vacancies in Si sites in the underlying tetragonal C11(b) lattice of the MoSi2-type and the crystal structure is monoclinic with the space group Cm. Atomic positions of Si atoms near vacancies are considerably displaced from the corresponding positions in the parent C11(b) structure, and they exhibit anomalously large local thermal vibration accompanied by large values of atomic displacement parameter. There are four differently-oriented domains with two of them being related to each other by the 90 degrees rotation about the c-axis of the underlying C11(b) lattice and the other two being their respective twins. The habit planes for domain boundaries observed experimentally are consistent with those predicted with ferroelastic theory.

DOI： 10.1080/14786435.2011.570278

Web of Science

Scopus

Direct observation of an ordered arrangement of vacancies and large local thermal vibration in rhenium silicide by Cs-corrected STEM 査読有り

Shunta Harada', Katsushi Tanaka, Kyosuke Kishida, Norihiko L. Okamoto', Noriaki Endo, Eiji Okunishi, Haruyuki Inui

Materials Research Society Symposium Proceedings 1295 巻頁： 397 - 402 2011年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

The crystal structure of thermoelectric rhenium silicide with an ordered arrangement of vacancies is investigated by utilizing spherical aberration (Cs) corrected scanning transmission electron microscopy (STEM) combined with synchrotron X-ray diffraction and conventional transmission electron microscopy. By STEM Cs corrected imaging, we can clearly observe Si vacancies in rhenium silicide, which is impossible without Cs correction. In addition, significantly reduced contrast levels are noted in STEM images for particular Si sites near vacancies. From the STEM image simulation, the reduced contrast levels are concluded to be due to anomalously large local thermal vibration of these Si atoms. The crystal structure of rhenium silicide can be successfully refined by the synchrotron X-ray diffraction starting with the deduced structure model from the STEM images and the occurrence of large local thermal vibration can be qualitatively confirmed. Furthermore, we confirm the validity of the refined crystal structure of rhenium silicide by comparing experimental images with simulated image generating with the refined crystal structure parameters. © 2011 Materials Research Society.

DOI： 10.1557/opl.2011.43

Scopus

Al融液窒化法における高密度AlN形成メカニズム

水野恒平, 松原弘明, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和

日本セラミックス協会年会・秋季シンポジウム講演予稿集 2011 巻 ( 0 ) 頁： 761 - 761 2011年

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：公益社団法人日本セラミックス協会

AlNは高熱伝導絶縁体で、パワーデバイス用放熱基板として期待されている。我々は、焼結法に代わる手法として、Al融液と窒素からAlNを成長する融液窒化法に着目し、これまでに、Mg蒸気と窒素ガスを同時に外部から供給する手法で、完全にAl融液をAlNへと変換させることに成功している。しかし、得られたAlNには高密度な部分とポーラス部分が混在していた。そこで、高密度AlNの形成メカニズムを解明するために、原料をAl板に変更し、Mg蒸気の供給時間を制御して実験を行った。窒化は原料表面のみで生じており、Mg蒸気が融液表面の酸化膜と反応して、酸化膜が破れ、そこからAl融液が酸化膜上にしみ出し、しみ出した融液と窒素が反応し、AlNを生成するというメカニズムが示唆された。

DOI： 10.14853/pcersj.2011F.0.761.0

CiNii Research

シア構造内包magneli相TiO<sub>2-x</sub>の原子レベル熱伝導機構解析

吉矢真人, 宮内洋平, 多田昌浩, 原田俊太, 田中克志, 安田秀幸, 乾晴行

日本セラミックス協会年会・秋季シンポジウム講演予稿集 2011 巻 ( 0 ) 頁： 759 - 759 2011年

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：公益社団法人日本セラミックス協会

熱電材料としても注目される、ナノメートルオーダーの面間隔のシア構造を内包するTiO<sub>2-x</sub>の熱伝導機構の解析を摂動分子動力学法により行った。得られた熱伝導度は大きな方位依存性を示し、シア面垂直方向についてはシア面間隔の減少と共に熱伝導度減少が見られたが、面間隔が数Åの範囲では、シア面平行方向の熱伝導度の面間隔依存性は非常に小さなものでありほぼ一定であった。また直感に反して、シア面に垂直方向の熱伝導度がシア面平行方向の熱伝導度よりも低いことがわかった。これはシア面に沿った原子の配位環境の乱れに起因するものであると考えられる。

DOI： 10.14853/pcersj.2011F.0.759.0

CiNii Research

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論文 - 原田 俊太

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