講演・口頭発表等 - 本田 善央
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加工Si 基板上(1-101)及び(11-22)GaN へのInGaN ヘテロ成長 国際会議
本田善央
特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア －材料潜在能力の極限発現－」公開シンポジウム 2008年8月1日
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発光ダイオード 国際会議
本田善央
応用物理学会 赤﨑・天野記念LEDスクール 2015年9月20日
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Semi-polar GaN growth on patterned (001)Si substrate by MOVPE
Y. Honda, M. Kushimoto, H. Amano
2015 MRS Spring Meeting & Exhibit 2015年4月8日
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Ⅲ族窒化物半導体の結晶成長技術とデバイス応用 国際会議
本田善央, 久志本真希, 光成正, 山下康平, 山口雅史, 天野浩
第18回VBLシンポジウム 2014年11月17日
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Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE
Y. honda, M. Okano, Y. Nishimura, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE 2004年7月19日
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The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE
Y. honda, M. Torikai, T. Nakamura, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, N. Sawaki
The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 2003年5月25日
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Surface morphology of (1-101) GaN/AlGaN/GaN heterostructure grown on (001)Si substrate by MOVPE 国際会議
Y. Honda, T. Hikosaka, E. H.Kim, M. Yamaguchi, N. Sawaki
第24 回電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS-24) 2005年7月4日
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Si基板上半極性面GaN上光デバイスとInGaN結晶成長のその場観察
本田善央, 田村彰, 宇佐美茂佳, 久志本真希, 光成正, 山口雅史, 天野浩
第5回フォトニックデバイス・応用技術研究会 2015年3月4日
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Series Resistance of s-Si/AlGaN/GaN Structure Grown by MOVPE
Y. honda, S. Kato, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Series Resistance of s-Si/AlGaN/GaN Structure Grown by MOVPE 2006年10月22日