研究者詳細 - 本田　善央

講演・口頭発表等 - 本田　善央

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Photocurrent and Photoluminescence measurements for InGaN Based LED 招待有り国際会議

Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

LEDIA'17

In-situ monitoring of Laser absorption and scattering method during InGaN growth by MOVPE 招待有り国際会議

Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silocon Material

In-situ monitoring of InGaN growth by Laser absorption and scattering method 招待有り国際会議

Yoshio Honda , Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

SPIE

世界を照らす青色LED

本田善央

第20回東海地区分析研究会講演会

発光ダイオード

本田善央

応用物理学会赤﨑・天野記念LEDスクール

InGaN growth mechanism evaluation by In-situ monitoring based on LAS 国際会議

Yoshio Honda,Akira Tamura,Tetsuya Yamamoto, Maki Kushimoto,Hiroshi Amano

2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop

InGaN 系光デバイスの成長と特性評価

本田善央，田村彰，山本哲也，李　昇我, 久志本真希，天野浩

STR 結晶成長結晶成長とデバイス解析

世界を照らす青色発光ダイオード

本田善央

第58回名大カフェ

InGaN成長中の光散乱を用いたin situ観察と成長機構

本田善央，田村彰，山本哲也，久志本真希，天野浩

第23回シンポジウム「窒化物半導体の成長技術とメカニズム理解

MOVPE法によるInGaN加圧成長とLAS法によるその場観察

本田善央，田村彰，山本哲也，久志本真希，天野浩

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2015年春季講演会

Semi-polar GaN growth on patterned (001)Si substrate by MOVPE 国際会議

Y. Honda, M. Kushimoto, and H. Amano

2015 MRS Spring Meeting & Exhibit

Si基板上半極性面GaN上光デバイスとInGaN結晶成長のその場観察国際会議

本田善央，田村彰，宇佐美茂佳，久志本真希，光成正，山口雅史，天野浩

第5回フォトニックデバイス・応用技術研究会

In-situ monitoring of InGaN MOVPE-growth by Laser Absorption and Scattering method 国際会議

Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, AkiraTamura, Tadashi Mitsunari and Hiroshi Amano

GaN基板上GaN系パワーデバイス開発

○本田　善央，出来　真斗，天野浩

JST懇話会

Ⅲ族窒化物半導体の結晶成長技術とデバイス応用

本田善央，久志本真希，光成正，山下康平，山口雅史，天野浩

第18回VBLシンポジウム

Pressurized MOVPE of high-In-content InGaN 国際会議

A.Tamura, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda and H. Amano

ICMOVPE-17(Tue-Oral-1-1 )

High pressure InGaN growth on Sapphire substrate by MOVPE 国際会議

Yoshio Honda, Tomohiro Doi, Masahito Yamaguchi and Hiroshi Amano

2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium J(18p-M6-1)

加圧MOVPEによるInGaN結晶成長

坂倉誠也、土井友博、谷川智之、本田善央、山口雅史、天野浩

第59回応用物理学関係連合講演会

加工Si基板上への非極性GaN選択成長

本田善央，谷川智之，村瀬輔，光成正，山下康平，山口雅史

第2回窒化物半導体結晶成長講演会

半極性，非極性GaN/Si基板の開発

本田善央，澤木宣彦

第6回窒化物半導体研究会

Si基板上半極性面GaNへのInGaNヘテロ成長

本田善央

第１回窒化物半導体結晶成長講演会

(110)Si 基板を用いた無極性(11-20)GaN の結晶成長

本田善央

特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」公開シンポジウム

加工Si 基板上(1-101)及び(11-22)GaN へのInGaN ヘテロ成長

本田善央

特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」公開シンポジウム

Series Resistance of s-Si/AlGaN/GaN Structure Grown by MOVPE 国際会議

Series Resistance of s-Si/AlGaN/GaN Structure Grown by MOVPE

MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GaN microcrystal co-doped with Zn and Si 国際会議

MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GaN microcrystal co-doped with Zn and Si

GaN micro-structure on Si substrate 国際会議

GaN micro-structure on Si substrate

Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 国際会議

Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate

MOVPE選択成長法によるGaN微細構造の作製と評価

本田善央，山口雅史，澤木宣彦

第 9 回VBLシンポジウム

Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si 国際会議

Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si

Surface morphology of (1-101) GaN/AlGaN/GaN heterostructure grown on (001)Si substrate by MOVPE

Y. Honda, T. Hikosaka, E. H.Kim, M. Yamaguchi and N. Sawaki

第24 回電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS-24)

MOVPE成長したGaN/AlN/Siの電流電圧特性(Ⅱ)

近藤広幸，加藤智志，本田善央，山口雅史，澤木宣彦

第52回応用物理学関係連合講演会

Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE 国際会議

Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE

MOVPE 法による Si 基板上への GaN/AlN ピラミッド構造の作製

本田善央，中村剛，山口雅史，澤木宣彦

信学会電子デバイス(ED)研究会

Defects in III-nitrides grown on patterned Si substrate 国際会議

Defects in III-nitrides grown on patterned Si substrate

The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 国際会議

The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE

選択MOVPE法による(111)Si基板上へのAlN/GaNピラミッド構造の作製

本田善央，鳥飼正幸，山口雅史，澤木宣彦

第50回応用物理学関係連合講演会

HVPE growth of GaN on a GaN templated (111) Si substrate 国際会議

HVPE growth of GaN on a GaN templated (111) Si substrate

Growth of a GaN crystal free from cracks on a (111)Si substrate by selective MOVPE 国際会議

Growth of a GaN crystal free from cracks on a (111)Si substrate by selective MOVPE

Growth of (1-101)GaN on a 7 degree off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE 国際会議

Growth of (1-101)GaN on a 7 degree off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE

MOVPE選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaNの作製

本田善央，黒岩洋佑，山口雅史，澤木宣彦

第48回応用物理学関係連合講演会

MOVPE選択成長法によるSi(001)7度オフ基板上への(1-101)面GaNの成長

本田善央，亀代典史，山口雅史，澤木宣彦

第48回応用物理学関係連合講演会

Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE 国際会議

Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE

Selective area growth and epitaxial lateral over growth of GaN on (111)Si by MOVPE 国際会議

The 10th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御

本田善央，大竹洋一，川口靖利，山口雅史，澤木宣彦

信学会電子デバイス(ED)研究会

MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長(2)

本田善央，川口靖利，平松和政，澤木宣彦

第46回応用物理学関係連合講演会

MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長

本田善央，川口靖利，平松和政，澤木宣彦

第59回応用物理学会学術講演会

Photocurrent and Photoluminescence measurements for InGaN Based LED 招待有り

Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

LEDIA'17 2017年4月19日

選択MOVPE法による(111)Si基板上へのAlN/GaNピラミッド構造の作製国際会議

本田善央, 鳥飼正幸, 山口雅史, 澤木宣彦

第50回応用物理学関係連合講演会 2003年3月27日

The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE

Y. honda, M. Torikai, T. Nakamura, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, N. Sawaki

The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 2003年5月25日

Surface morphology of (1-101) GaN/AlGaN/GaN heterostructure grown on (001)Si substrate by MOVPE 国際会議

Y. Honda, T. Hikosaka, E. H.Kim, M. Yamaguchi, N. Sawaki

第24 回電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS-24) 2005年7月4日

Si基板上半極性面GaN上光デバイスとInGaN結晶成長のその場観察

本田善央, 田村彰, 宇佐美茂佳, 久志本真希, 光成正, 山口雅史, 天野浩

第5回フォトニックデバイス・応用技術研究会 2015年3月4日

Series Resistance of s-Si/AlGaN/GaN Structure Grown by MOVPE

Y. honda, S. Kato, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Series Resistance of s-Si/AlGaN/GaN Structure Grown by MOVPE 2006年10月22日

Semi-polar GaN growth on patterned (001)Si substrate by MOVPE

Y. Honda, M. Kushimoto, H. Amano

2015 MRS Spring Meeting & Exhibit 2015年4月8日

Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE

Y. honda, Y. Kawaguchi, T. Kato, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE 2000年9月24日

Selective area growth and epitaxial lateral over growth of GaN on (111)Si by MOVPE

Y. honda, Y. Kawaguchi, Y. Ohtake, M. Yamaguchi, N. Sawaki

The 10th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2000年6月5日

Pressurized MOVPE of high-In-content InGaN

A.Tamura, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda, H. Amano

ICMOVPE-17(Tue-Oral-1-1 ) 2014年7月13日

Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate

Y. honda, E. H. Kim, T. Hikosaka, T. Narita, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 2005年12月5日

MOVPE選択成長法によるSi(001)7度オフ基板上への(1-101)面GaNの成長国際会議

本田善央, 亀代典史, 山口雅史, 澤木宣彦

第48回応用物理学関係連合講演会 2001年3月28日

MOVPE選択成長法によるGaN微細構造の作製と評価国際会議

本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

第 9 回VBLシンポジウム 2005年10月24日

MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御国際会議

本田善央, 大竹洋一, 川口靖利, 山口雅史, 澤木宣彦

信学会電子デバイス(ED)研究会 2000年2月9日

MOVPE選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaNの作製国際会議

本田善央, 黒岩洋佑, 山口雅史, 澤木宣彦

第48回応用物理学関係連合講演会 2001年3月28日

MOVPE法によるInGaN加圧成長とLAS法によるその場観察国際会議

本田善央, 田村彰, 山本哲也, 久志本真希, 天野浩

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2015年春季講演会 2015年5月7日

MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長(2) 国際会議

本田善央, 川口靖利, 平松和政, 澤木宣彦

第46回応用物理学関係連合講演会 1999年3月28日

MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長国際会議

本田善央, 川口靖利, 平松和政, 澤木宣彦

第59回応用物理学会学術講演会 1998年9月15日

MOVPE成長したGaN/AlN/Siの電流電圧特性(Ⅱ) 国際会議

近藤広幸, 加藤智志, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

第52回応用物理学関係連合講演会 2005年3月29日

MOVPE 法による Si 基板上への GaN/AlN ピラミッド構造の作製国際会議

本田善央, 中村剛, 山口雅史, 澤木宣彦

信学会電子デバイス(ED)研究会 2004年5月13日

MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GaN microcrystal co-doped with Zn and Si

Y. honda, Y. Yanase, M. Tsuji, M. Yamaguchi, N. Sawaki

MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GaN microcrystal co-doped with Zn and Si 2006年1月4日

InGaN成長中の光散乱を用いたin situ観察と成長機構国際会議

本田善央, 田村彰, 山本哲也, 久志本真希, 天野浩

第23回シンポジウム「窒化物半導体の成長技術とメカニズム理解 2015年5月22日

InGaN 系光デバイスの成長と特性評価国際会議

本田善央, 田村彰, 山本哲也, 李昇我, 久志本真希, 天野浩

STR 結晶成長結晶成長とデバイス解析 2015年6月26日

InGaN growth mechanism evaluation by In-situ monitoring based on LAS

Yoshio Honda, Akira Tamura, Tetsuya Yamamoto, Maki Kushimoto, Hiroshi Amano

2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop 2015年7月13日

In-situ monitoring of Laser absorption and scattering method during InGaN growth by MOVPE 招待有り

Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silocon Material 2016年11月21日

In-situ monitoring of InGaN MOVPE-growth by Laser Absorption and Scattering method

Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, AkiraTamura, Tadashi Mitsunari, Hiroshi Amano

The 1st International Workshop on Quantum Nanostructure; Physics and Solar Cell Applications and Special Meeting of Samukawa-Project in CREST 2015年2月20日

In-situ monitoring of InGaN growth by Laser absorption and scattering method 招待有り

Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

SPIE 2016年2月16日

HVPE growth of GaN on a GaN templated (111) Si substrate

Y. honda, T. Ishikawa, Y. Nishimura, M. Yamaguchi, N. Sawaki

HVPE growth of GaN on a GaN templated (111) Si substrate 2002年7月22日

High pressure InGaN growth on Sapphire substrate by MOVPE

Yoshio Honda, Tomohiro Doi, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano

2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium J(18p-M6-1) 2013年9月16日

Growth of a GaN crystal free from cracks on a (111)Si substrate by selective MOVPE

Y. honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Growth of a GaN crystal free from cracks on a (111)Si substrate by selective MOVPE 2001年7月30日

Growth of (1-101)GaN on a 7 degree off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE

Y. honda, N. Kameshiro, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Growth of (1-101)GaN on a 7 degree off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE 2001年7月30日

GaN基板上GaN系パワーデバイス開発国際会議

本田善央, 出来真斗, 天野浩

JST懇話会 2014年12月17日

GaN micro-structure on Si substrate

Y. honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

GaN micro-structure on Si substrate 2005年12月15日

Defects in III-nitrides grown on patterned Si substrate

Y. honda, S. Tanaka, N. Sawaki

Defects in III-nitrides grown on patterned Si substrate 2004年3月5日

Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si

Y. honda, Y. Yanase, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si 2005年8月28日

(110)Si 基板を用いた無極性(11-20)GaN の結晶成長国際会議

本田善央

特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」公開シンポジウム 2008年8月1日

世界を照らす青色LED 国際会議

本田善央

第20回東海地区分析研究会講演会 2015年10月16日

世界を照らす青色発光ダイオード国際会議

本田善央

第58回名大カフェ 2015年6月24日

加圧MOVPEによるInGaN結晶成長国際会議

坂倉誠也, 土井友博, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

第59回応用物理学関係連合講演会 2012年3月15日

加工Si 基板上(1-101)及び(11-22)GaN へのInGaN ヘテロ成長国際会議

本田善央

特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」公開シンポジウム 2008年8月1日

発光ダイオード国際会議

本田善央

応用物理学会赤﨑・天野記念LEDスクール 2015年9月20日

Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE

Y. honda, M. Okano, Y. Nishimura, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE 2004年7月19日

Ⅲ族窒化物半導体の結晶成長技術とデバイス応用国際会議

本田善央, 久志本真希, 光成正, 山下康平, 山口雅史, 天野浩

第18回VBLシンポジウム 2014年11月17日

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