講演・口頭発表等 - 本田 善央
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MOVPE選択成長法によるSi(001)7度オフ基板上への(1-101)面GaNの成長
本田善央，亀代典史，山口雅史，澤木宣彦
第48回応用物理学関係連合講演会
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Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE 国際会議
Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE
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Selective area growth and epitaxial lateral over growth of GaN on (111)Si by MOVPE 国際会議
The 10th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
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MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御
本田善央，大竹洋一，川口靖利，山口雅史，澤木宣彦
信学会電子デバイス(ED)研究会
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MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長(2)
本田善央，川口靖利，平松和政，澤木宣彦
第46回応用物理学関係連合講演会
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MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長
本田善央，川口靖利，平松和政，澤木宣彦
第59回応用物理学会学術講演会
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Photocurrent and Photoluminescence measurements for InGaN Based LED 招待有り
Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
LEDIA'17 2017年4月19日
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選択MOVPE法による(111)Si基板上へのAlN/GaNピラミッド構造の作製 国際会議
本田善央, 鳥飼正幸, 山口雅史, 澤木宣彦
第50回応用物理学関係連合講演会 2003年3月27日
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Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE
Y. honda, Y. Kawaguchi, T. Kato, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE 2000年9月24日
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Selective area growth and epitaxial lateral over growth of GaN on (111)Si by MOVPE
Y. honda, Y. Kawaguchi, Y. Ohtake, M. Yamaguchi, N. Sawaki
The 10th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2000年6月5日
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Pressurized MOVPE of high-In-content InGaN
A.Tamura, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda, H. Amano
ICMOVPE-17(Tue-Oral-1-1 ) 2014年7月13日
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Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate
Y. honda, E. H. Kim, T. Hikosaka, T. Narita, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 2005年12月5日
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MOVPE選択成長法によるSi(001)7度オフ基板上への(1-101)面GaNの成長 国際会議
本田善央, 亀代典史, 山口雅史, 澤木宣彦
第48回応用物理学関係連合講演会 2001年3月28日
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MOVPE選択成長法によるGaN微細構造の作製と評価 国際会議
本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦
第 9 回VBLシンポジウム 2005年10月24日
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MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御 国際会議
本田善央, 大竹洋一, 川口靖利, 山口雅史, 澤木宣彦
信学会電子デバイス(ED)研究会 2000年2月9日
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MOVPE選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaNの作製 国際会議
本田善央, 黒岩洋佑, 山口雅史, 澤木宣彦
第48回応用物理学関係連合講演会 2001年3月28日
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MOVPE法によるInGaN加圧成長とLAS法によるその場観察 国際会議
本田善央, 田村彰, 山本哲也, 久志本真希, 天野浩
日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2015年春季講演会 2015年5月7日
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MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長(2) 国際会議
本田善央, 川口靖利, 平松和政, 澤木宣彦
第46回応用物理学関係連合講演会 1999年3月28日
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MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長 国際会議
本田善央, 川口靖利, 平松和政, 澤木宣彦
第59回応用物理学会学術講演会 1998年9月15日
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MOVPE成長したGaN/AlN/Siの電流電圧特性(Ⅱ) 国際会議
近藤広幸, 加藤智志, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦
第52回応用物理学関係連合講演会 2005年3月29日