Presentations -
-
加工Si 基板上(1-101)及び(11-22)GaN へのInGaN ヘテロ成長 International conference
本田善央
特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア －材料潜在能力の極限発現－」公開シンポジウム 2008.8.1
-
発光ダイオード International conference
本田善央
応用物理学会 赤﨑・天野記念LEDスクール 2015.9.20
-
Semi-polar GaN growth on patterned (001)Si substrate by MOVPE
Y. Honda, M. Kushimoto, H. Amano
2015 MRS Spring Meeting & Exhibit 2015.4.8
-
Ⅲ族窒化物半導体の結晶成長技術とデバイス応用 International conference
本田善央, 久志本真希, 光成正, 山下康平, 山口雅史, 天野浩
第18回VBLシンポジウム 2014.11.17
-
Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE
Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE 2004.7.19
-
The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE
The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 2003.5.25
-
Surface morphology of (1-101) GaN/AlGaN/GaN heterostructure grown on (001)Si substrate by MOVPE International conference
Y. Honda, T. Hikosaka, E. H.Kim, M. Yamaguchi, N. Sawaki
第24 回電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS-24) 2005.7.4
-
Si基板上半極性面GaN上光デバイスとInGaN結晶成長のその場観察
本田善央, 田村彰, 宇佐美茂佳, 久志本真希, 光成正, 山口雅史, 天野浩
第5回フォトニックデバイス・応用技術研究会 2015.3.4
-
Series Resistance of s-Si/AlGaN/GaN Structure Grown by MOVPE
Series Resistance of s-Si/AlGaN/GaN Structure Grown by MOVPE 2006.10.22