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MOVPE選択成長法によるSi(001)7度オフ基板上への(1-101)面GaNの成長
本田善央，亀代典史，山口雅史，澤木宣彦
第48回応用物理学関係連合講演会
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Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE International conference
Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE
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Selective area growth and epitaxial lateral over growth of GaN on (111)Si by MOVPE International conference
The 10th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
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MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御
本田善央，大竹洋一，川口靖利，山口雅史，澤木宣彦
信学会電子デバイス(ED)研究会
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MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長(2)
本田善央，川口靖利，平松和政，澤木宣彦
第46回応用物理学関係連合講演会
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MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長
本田善央，川口靖利，平松和政，澤木宣彦
第59回応用物理学会学術講演会
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Photocurrent and Photoluminescence measurements for InGaN Based LED Invited
Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
LEDIA'17 2017.4.19
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選択MOVPE法による(111)Si基板上へのAlN/GaNピラミッド構造の作製 International conference
本田善央, 鳥飼正幸, 山口雅史, 澤木宣彦
第50回応用物理学関係連合講演会 2003.3.27
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Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE
Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE 2000.9.24
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Selective area growth and epitaxial lateral over growth of GaN on (111)Si by MOVPE
The 10th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2000.6.5
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Pressurized MOVPE of high-In-content InGaN
A.Tamura, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda, H. Amano
ICMOVPE-17(Tue-Oral-1-1 ) 2014.7.13
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Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate
Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 2005.12.5
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MOVPE選択成長法によるSi(001)7度オフ基板上への(1-101)面GaNの成長 International conference
本田善央, 亀代典史, 山口雅史, 澤木宣彦
第48回応用物理学関係連合講演会 2001.3.28
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MOVPE選択成長法によるGaN微細構造の作製と評価 International conference
本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦
第 9 回VBLシンポジウム 2005.10.24
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MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御 International conference
本田善央, 大竹洋一, 川口靖利, 山口雅史, 澤木宣彦
信学会電子デバイス(ED)研究会 2000.2.9
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MOVPE選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaNの作製 International conference
本田善央, 黒岩洋佑, 山口雅史, 澤木宣彦
第48回応用物理学関係連合講演会 2001.3.28
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MOVPE法によるInGaN加圧成長とLAS法によるその場観察 International conference
本田善央, 田村彰, 山本哲也, 久志本真希, 天野浩
日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2015年春季講演会 2015.5.7
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MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長(2) International conference
本田善央, 川口靖利, 平松和政, 澤木宣彦
第46回応用物理学関係連合講演会 1999.3.28
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MOVPE法による(111)Si基板上へのGaN選択成長 International conference
本田善央, 川口靖利, 平松和政, 澤木宣彦
第59回応用物理学会学術講演会 1998.9.15
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MOVPE成長したGaN/AlN/Siの電流電圧特性(Ⅱ) International conference
近藤広幸, 加藤智志, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦
第52回応用物理学関係連合講演会 2005.3.29