論文 - 中塚 理
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Formation of high-quality Ge1-xSnx layer on Ge(110) substrate with strain-induced confinement of stacking faults at Ge1-xSnx/Ge interfaces 査読有り
T. Asano, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima
Appl. Phys. Express 7 巻 ( 6 ) 頁: 061301 (3 pages) 2014年5月
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Interaction of Sn atoms with defects introduced by ion implantation in Ge substrate 査読有り
N. Taoka, M. Fukudome, W. Takeuchi, T. Arahira, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
J. Appl. Phys. 115 巻 頁: 173102 (7 pages). 2014年5月
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Impacts of AlGeO formation by post thermal oxidation of Al2O3/Ge structure on interfacial properties 査読有り
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 557 巻 頁: 282–287 2014年4月
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Epitaxial formation and electrical properties of Ni germanide/Ge(110) contacts 査読有り
Y. S. Deng, O. Nakatsuka, J. Yokoi, N. Taoka, and S. Zaima
Thin Solid Films 557 巻 頁: 84-89 2014年4月
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Characterization of Crystalline Structures of SiGe Substrate Formed by Traveling Liquidus-Zone Method for Devices with Ge/SiGe 査読有り
T. Yamaha, O. Nakatsuka, N. Taoka, K. Kinoshita, S. Yoda, and S. Zaima
Thin Solid Films 557 巻 頁: 129-134 2014年4月
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Influence of Ge Substrate Orientation on Crystalline Structures of Ge1-xSnx Epitaxial Layers 査読有り
T. Asano, S. Kidowaki, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 557 巻 頁: 159–163 2014年4月
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Formation and characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge microstructures 査読有り
S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 557 巻 頁: 164–168 2014年4月
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Analysis for positions of Sn atoms in epitaxial Ge1-xSnx film in low temperature depositions 査読有り
E. Kamiyama, K. Sueoka, O. Nakatsuka, N. Taoka, and S. Zaima, K. Izunome, K. Kashima
Thin Solid Films 557 巻 頁: 173–176 2014年4月
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Importance of Control of Oxidant Partial Pressure on Structural and Electrical Properties of Pr-oxide Films 査読有り
K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 557 巻 頁: 276–281 2014年4月
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Stabilized formation of tetragonal ZrO2 thin film with high permittivity 査読有り
K. Kato, T. Saito, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 557 巻 頁: 192–196 2014年4月
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Formation and crystalline structure of Ni silicides on Si(110) substrate 査読有り
O. Nakatsuka, M. Hasegawa, K. Kato, N. Taoka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 ( 5S2 ) 頁: 05GA12 (5 pages) 2014年4月
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Observation of lattice spacing fluctuation and strain undulation around through-Si vias in wafer-on-wafer structures using X-ray microbeam diffraction 査読有り
N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Mizushima, H. Kitada, Y. S. Kim, T. Nakamura, T. Ohba, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 ( 5S2 ) 頁: 05GE03 (6 pages) 2014年4月
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Effect of thermal cleaning on formation of epitaxial Ni germanide layer on Ge(110) substrate 査読有り
Y. Deng, O. Nakatsuka, N. Taoka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 ( 5S2 ) 頁: 05GA06 (6 pages) 2014年4月
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Reduction of Schottky barrier height for n-type Ge contact by using Sn electrode 査読有り
A. Suzuki, S. Asaba, J. Yokoi, K. Kato, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 ( 4S ) 頁: 04EA06 (6 pages) 2014年3月
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Large grain growth of Ge-rich Ge1-x Snx (x~0.02) on insulating surfaces using pulsed laser annealing in flowing water 査読有り
M. Kurosawa, N. Taoka, H. Ikenoue, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 104 巻 頁: 061901 (3 pages) 2014年2月
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Defects Induced by Reactive Ion Etching in Ge Substrate 査読有り
Kusumandari, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima
Advanced Materials Research 896 巻 頁: 241-244 2014年2月
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Al2O3/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の電気特性
田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第19回研究会) 頁: 205-208 2014年1月
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低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理,財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第19回研究会) 頁: 13-16 2014年1月
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固溶限を超えるSn組成を有するGe1-xSnx層中におけるSn原子の熱安定性
加藤公彦, 浅野孝典, 田岡紀之, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第19回研究会) 頁: 37-40 2014年1月
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MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いた Al2O3/GeOx/Ge 構造の電気的特性および構造評価
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第19回研究会) 頁: 131-134 2014年1月