論文 - 中塚 理
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Impact of Pt incorporation on thermal stability of NiGe layers on Ge(001) substrates
O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
Extended Abstracts of the 7th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2007 頁: 87-88 2007年
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Electrical properties of epitaxial NiSi2/Si contacts with extremely flat interface formed in Ni/Ti/Si(0 0 1) system 査読有り
O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
Microelectron. Eng. 83 巻 ( 11-12 ) 頁: 2272-2276 2006年11月
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Ni-Silicide/Si and SiGe(C) Contact Technology for ULSI Applications 招待有り
O. Nakastuka, S. Zaima, A. Sakai, and M. Ogawa
Proceedings of the 14th annual IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors 頁: 31-37 2006年10月
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Control of misfit dislocations in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI substrates 査読有り
N. Taoka, A. Sakai, S. Mochizuki, O. Nakatsuka, M. Ogawa and S. Zaima
Thin Solid Films 508 巻 ( 1-2 ) 頁: 147-151 2006年6月
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*Local strain in SiGe/Si heterostructures analyzed by X-ray microdiffraction 査読有り
S. Mochizuki, A. Sakai, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Takeda, S. Kimura, M. Ogawa, and S. Zaima
Thin Solid Films 508 巻 ( 1-2 ) 頁: 128-131 2006年6月
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Initial Growth Process of TiN Films in Ultrahigh-Vacuum Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition 査読有り
Y. Okuda, S. Naito, O. Nakatsuka, H. Kondo, T. Okuhara, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda
Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻 ( 1A ) 頁: 49-53 2006年1月
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Dislocation morphology and crystalline mosaicity in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI
A. Sakai, N. Taoka, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 126 巻 ( 9 ) 頁: 1083-1087 2006年
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Ni silicide and germanide technology for contacts and metal gates in MOSFET applications
S. Zaima, O. Nakatsuka, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa
ICSICT-2006: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings 頁: 322-325 2006年
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Scanning tunneling microscopy study on the reaction of oxygen with clean Ge(001) surfaces
A. Sakai, Y. Wakazono, O. Nakatsuka, S. Zaima, M. Ogawa
ECS Transactions 2 巻 ( 7 ) 頁: 1197-1203 2006年
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Thermal stability and electrical properties of Ni-silicide on C-incorporated Si 査読有り
O. Nakatsuka, K. Okubo, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima, J. Murota, and Y. Yasuda
Proc. of Advanced Metallization Conference 2004 (AMC2004) 頁: 293-298 2005年10月
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*Low Temperature Formation of Epitaxial NiSi2 Layers with Solid-Phase Reaction in Ni/Ti/Si(001) Systems 査読有り
O. Nakatsuka, K. Okubo, Y. Tsuchiya, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda
Jpn. J. Appl. Phys. 44 巻 ( 5A ) 頁: 2945-2947 2005年
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SiGeバッファ層の歪緩和および転位構造制御 査読有り
田岡紀之, 酒井朗, 望月省吾, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
日本結晶成長学会誌 32 巻 頁: 89-98 2005年
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Analysis of microstructures in SiGe buffer layers on silicon-on-insulator substrates 査読有り
N. Taoka, A. Sakai, S. Mochizuki, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, T. Tezuka, N. Sugiyama, and S. Takagi
Jpn. J. Appl. Phys. 44 巻 ( 10 ) 頁: 7356-7363 2005年
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*Improvement in NiSi/Si contact properties with C-implantation 査読有り
O. Nakatsuka, K. Okubo, A. Sakai, M. Ogawa, Y. Yasuda, and S. Zaima
Microelectronic Engineering 82 巻 ( 3-4 ) 頁: 479-484 2005年
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Pure-edge dislocation network for strain-relaxed SiGe/Si(001) systems 査読有り
A. Sakai, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima, and Yukio Yasuda
Appl. Phys. Lett. 86 巻 頁: 221916-221918 2005年
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Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition 査読有り
S. Takeuchi, O. Nakatsuka, Y. Wakazono, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda
Materials Science in Semiconductor Processing 8 巻 ( 1-3 ) 頁: 5-9 2005年
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Growth and characterization of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates with pure-edge misfit dislocations 査読有り
N. Taoka, A. Sakai, T. Egawa, O. Nakatsuka, S. Zaima, and Y. Yasuda
Materials Science in Semiconductor Processing 8 巻 ( 1-3 ) 頁: 131-135 2005年
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Influence of structural variation of Ni silicide thin films on electrical property for contact materials 査読有り
K. Okubo, Y. Tsuchiya, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda
Jpn. J. Appl. Phys. 43 巻 ( 4B ) 頁: 1896-1900 2004年
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Si及びSi1-x-yGexCy上のNiシリサイド形成 招待有り
中塚理, 酒井朗, 財満鎭明
電気学会研究会資料 電子材料研究会 EFM-04 巻 ( 41-48 ) 頁: 25-30 2004年
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Influence of C incorporation on the initial growth of epitaxial NiSi2 on Si(100) 査読有り
E. Okada, O. Nakatsuka, S. Oida, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda
Appl. Surf. Sci. 237 巻 ( 1-4 ) 頁: 150-155 2004年