論文 - 中塚 理
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Low thermal budget n-type doping into Ge(001) surface using ultraviolet laser irradiation in phosphoric acid solution 査読有り
K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 108 巻 頁: 052104 (4 pages) 2016年2月
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Defect and dislocation structures in low-temperature-grown Ge and Ge1-xSnxepitaxial layers on Si(110) substrates 査読有り
S. Kidowaki, T. Asano, Y. Shimura, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 598 巻 頁: 72-81 2016年1月
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Characterization of crystallinity of Ge1-xSnx epitaxial layers grown using metal-organic chemical vapor deposition 査読有り
Y. Inuzuka, S. Ike, T. Asano, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 602 巻 頁: 7-12 2016年
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Characterization of Shallow- and Deep-Level Defects of Undoped Ge1-xSnx Epitaxial Layers by Electrical Measurements 査読有り
W. Takeuchi, T. Asano, Y. Inuzuka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
ECS J. Solid State Sci. Tech. 5 巻 ( 4 ) 頁: P3082-P3086 2015年12月
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Mobility Behavior of Si1-x-yGexSny Polycrystals Grown on Insulators 査読有り
T. Ohmura, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Trans. MRS-J 40 巻 ( 4 ) 頁: 351-354 2015年12月
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Reduction of Schottky barrier height at metal/n-Ge interface by introducing an ultra-high Sn content Ge1-xSnx interlayer 査読有り
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 107 巻 頁: 212103 (5 pages) 2015年11月
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Atom probe tomography study on Ge1-x-ySnxCy hetero-epitaxial film on Ge substrates 査読有り
E. Kamiyama, K. Sueoka, K. Terasawa, T. Yamaha, O. Nakatsuka, S. Zaima, K. Izunome, K. Kashima, and H. Uchida
Thin Solid Films 592 巻 ( A ) 頁: 54-58 2015年10月
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Characterization of crystallinity of Ge1-xSnx epitaxial layers grown using metal-organic chemical vapor deposition 査読有り
Y. Inuzuka, S. Ikea, T. Asanoa, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 頁: in press 2015年10月
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Challenges of Energy Band Engineering with New Sn-Related Group IV Semiconductor Materials for Future Integrated Circuits 招待有り 査読有り
S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita
ECS Trans. 69 巻 ( 10 ) 頁: 89-98 2015年10月
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Oxygen and germanium migration at low temperature influenced by the thermodynamic nature of the materials used in germanium metal-insulator-semiconductor structures 査読有り
K. Kato, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 107 巻 頁: 102102 (5 pages) 2015年9月
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Effect of Sn on crystallinity and electronic property of low temperature grown polycrystalline-Si1-x-yGexSny layers on SiO2 査読有り
T. Yamaha, M. Kurosawa, T. Ohmura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid State Electronics 110 巻 頁: 54-58 2015年8月
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Epitaxial formation of Ni germanide on Ge(001) substrate by reactive deposition 査読有り
Y. Deng, O. Nakatsuka, A. Suzuki, M. Sakashita, and S. Zaima
Solid State Electronics 110 巻 頁: 44-48 2015年8月
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Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1-x-ySixSny on Ge(001) substrates 査読有り
T. Asano, T. Terashima, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid State Electronics 110 巻 頁: 49-53 2015年8月
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Growth of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layer on Si(001) substrate and characterization of its crystalline property 査読有り
T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 54 巻 ( 8S1 ) 頁: 08KA11 2015年7月
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High-mobility tin-doped polycrystalline germanium layers formed on insulating substrates by low-temperature solid-phase crystallization 査読有り
W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 107 巻 頁: 022103 (4 pages) 2015年7月
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Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果
浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 115 巻 ( 108 ) 頁: 63-68 2015年6月
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Epitaxial Ge1-xSnx layers grown by metal-organic chemical vapor deposition using Tertiary-butyl-germane and Tri-butyl-vinyl-tin 査読有り
Y. Inuzuka, S. Ike, T. Asano, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
ECS Solid State Lett. 4 巻 ( 8 ) 頁: P1-P3 2015年6月
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SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 招待有り
竹内和歌奈, 山本建策, 坂下満男, 金村髙司, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 115 巻 ( 108 ) 頁: 27-30 2015年6月
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金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御
鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 115 巻 ( 108 ) 頁: 57-61 2015年6月
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Characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge fine structures by synchrotron X-ray microdiffraction 査読有り
S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 106 巻 頁: 182104 (5 pages) 2015年5月