論文 - 中塚 理
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Characterization of Local Strain around Through-Silicon Via Interconnects by using X-ray Microdiffraction 査読有り
O. Nakatsuka, H. Kitada, Y. S. Kim, Y. Mizushima, T. Nakamura, T. Ohba, and S. Zaima
pn. J. Appl. Phys. 50 巻 頁: 05ED03 2011年5月
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Formation of Palladium Silicide Thin Layers on Si(110) Substrates 査読有り
R. Suryana, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 50 巻 頁: 05EA09 2011年5月
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Molecular beam deposition of Al2O3 on p-Ge(001)/Ge0.95Sn0.05 heterostructure and impact of a Ge-cap interfacial layer 査読有り
C. Merckling, X. Sun, Y. Shimura, A. Franquet, B. Vincent, S. Takeuchi, W. Vandervorst, O. Nakatsuka, S. Zaima, R. Loo, and M. Caymax
Appl. Phys. Lett. 98 巻 頁: 192110 2011年5月
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Characterization of GeSn materials for future Ge pMOSFETs source/drain stressors 査読有り
B. Vincent, Y. Shimura, S. Takeuchi, T. Nishimura, G. Eneman, A. Firrincieli, J. Demeulemeester, A. Vantomme, T. Clarysse, O. Nakatsuka, S. Zaima, J. Dekoster, M. Caymax, and R. Loo
,Microelectron. Eng. 88 巻 ( 4 ) 頁: 342-346 2011年4月
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Analysis of Local Leakage Current of Pr Oxide Thin Films with Conductive Atomic Force Microscopy 査読有り
M. Adachi, M. Sakashita, H. Kondo, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 50 巻 頁: 04DA08 2011年4月
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Effect of Pr Valence State on Interfacial Structure and Electrical Properties of Pr-oxide/PrON/Ge Gate Stack Structure 査読有り
K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, H. Kondo, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 50 巻 頁: 04DA17 2011年4月
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Pr酸化膜/Si構造へのAl導入による界面反応抑制効果
古田和也, 竹内和歌奈, 加藤公彦, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第16回研究会 頁: 51-54 2011年1月
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電流検出型原子間力顕微鏡を 用いた欠陥に起因するPr酸化膜のリーク電流機構の解明
足立正樹, 加藤雄三, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第16回研究会 頁: 123-126 2011年1月
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Pr酸化膜/PrON/Ge構造におけるPrの化学結合状態が電気的特性に及ぼす影響
加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第16回研究会 頁: 99-102 2011年1月
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Al2O3界 面層およびラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造および電気的特性の制御
加藤公彦, 京極真也, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”(第16回研究会 頁: 55-58 2011年1月
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GeSn Technology: Impact of Sn on Ge CMOS Applications 招待有り 査読有り
S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, J. Demeulemeester, K. Temst, A. Vantomme, M. Caymax, and R. Loo
ECS Trans. 41 巻 ( 7 ) 頁: 231-238 2011年
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Low temperature growth of Ge1-xSnx buffer layers for tensile-strained Ge layers 査読有り
Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima
Thin Solid Films 518 巻 ( 6 ) 頁: S2-S5 2010年
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Formation of Palladium Silicide on Heavily Doped Si(001) Substrates Using Ti Intermediate Layer 査読有り
R. Suruyana, O. Nakatsuka, S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 49 巻 頁: 05FA09 (5 pages) 2010年
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Mobility Behavior of Ge1-xSnx Layers Grown on Silicon-on-Insulator Substrates 査読有り
O. Nakatsuka, N. Tsutsui, Y. Shimura, S. Takeuchi, A. Sakai, S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 49 巻 頁: 04DA10 (4 pages) 2010年
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Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing 査読有り
T. Kato, Y. Nakamura, J. Kikkawa, A. Sakai, E. Toyoda, K. Izunome, O. Nakatsuka, S. Zaima, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata
Thin Solid Films 518 巻 ( 6 ) 頁: S147-W150 2010年
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Novel Method to Introduce Uniaxial Tensile Strain in Ge by Microfabrication of Ge/Si1-xGex Structures on Si(001) Substrates 査読有り
T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, M. Ogawa, and S. Zaima
Solid-State Electronics 53 巻 ( 11 ) 頁: 1198-1201 2009年11月
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Microstructures in directly bonded Si substrates 査読有り
Y. Ohara, T. Ueda, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, H. Tajiri, O. Sakata, S. Kimura, T. Sakata, H. Mori
Solid-State Electronics 53 巻 ( 8 ) 頁: 837-840 2009年8月
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Control of Sn Precipitation and Strain Relaxation in Compositionally Step-Graded Ge1-xSnx Buffer Layers for Tensile-Strained Ge Layers 査読有り
Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 48 48 巻 頁: 04C130 2009年4月
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Characterization and Analyses of Interface Structures in Directly Bonded Si(011)/Si(001) Substrates 査読有り
E. Toyoda, A. Sakai, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, K. Omote, O. Nakatsuka, S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 48 巻 頁: 021208 2009年2月
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Mechanical Properties and Chemical Reactions at the Directly Bonded Si-Si Interface 査読有り
E. Toyoda, A. Sakai, T. Senda, H. Isogai, K. Izunome, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaim
Jpn. J. Appl. Phys. 48 巻 頁: 011202-1-5 2009年1月