講演・口頭発表等 - 久志本 真希
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Growth optimization of green InGaN multi-quantum well 国際会議
"T.Mitsunari1, A. Tamura1, S. Usami1, M. Kushimoto1, K. Yamashita1, Y. Honda1, Y. Lacroix3, and H. Amano1,2
Conference on LED and Its Industrial Application '14
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Light Emission Polarization Properties of (1-101) InGaN/GaN MQWs with Cavity Structure on Patterned Si Substrate 国際会議
M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)
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Optical properties of semipolar (1-101) InGaN/GaN multiple quantum well with cavity structure on patterned Si substrae 国際会議
M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
The 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics, and Nanostructures(EDISON18)
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Optical polarization properties in semipolar (1-101) InGaN/GaN multiple quantum well on a patterned Si Substrate 国際会議
M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
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Fabrication of InGaN/GaN multiple quantum wells on (1-101) GaN 国際会議
T. Tanikawa, T. Sano, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
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Reduction of dislocations and residual stress in GaN grown on patterned Si substrate 国際会議
T. Tanikawa, T. Mitsunari, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki
11th Akasaki Research Center Symposium
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AlN基板上UV-C LDのプロセス起因劣化 招待有り
笹岡千秋、久志本真希、張梓懿、天野浩
日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145 委員会 第172 回研究会 2021年10月1日
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単結晶AlN基板上AlGaNを用いた270nm帯CW半導体レーザー 招待有り
久志本 真希
光電相互変換第125委員会 5月26日研究会 2023年5月26日
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世界最短波長深紫外半導体レーザー 招待有り
久志本 真希
TRiSTAR第1期奥村フェロー主催研究セミナー 2023年5月12日
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第3回 光材料・応用技術研究会 招待有り
久志本 真希
第3回 光材料・応用技術研究会 2023年11月10日