講演・口頭発表等 - 久志本　真希

Advancements in AlGaN-Based Laser Diodes on AlN Substrates 招待有り 国際会議

M. Kushimoto, Z. Zhang, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI) 

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開催年月日： 2024年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Heterojunction contact layer UV LED with MgZnO:Ga as p-side contact layer 国際会議

M. Kushimoto, T. Tanaka, Y. Honda, and H. Amano

LEDIA2024 

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開催年月日： 2024年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

深紫外 AlGaN 系発光デバイスの技術進展: UVC-LD，深紫外 LED コンタクト層開発 招待有り

久志本 真希 , 本田 善央 , 天野 浩

第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月24日 

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン  

分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証

隈部 岳瑠, 吉川 陽, 川崎 晟也, 久志本 真希, 本田 善央, 新井 学, 須田 淳, 天野 浩

第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月23日 

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン  

[第45回優秀論文賞受賞記念講演] 単結晶AlN基板を用いた深紫外波長域レーザーダイオード 招待有り

張 梓懿

第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月23日 

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン  

Demonstration of AlN-based Vertical p-n Diodes with Dopant-Free Distributed-Polarization Doping 国際会議

T. Kumabe, A. Yoshikawa, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Arai, J. Suda, and H. Amano

69th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)  2023年12月12日 

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Development of Room Temperature Continuous-Wave Deep Ultraviolet Laser Diodes 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Leo J Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

30th International Display Workshops (IDW '23)  2023年12月7日 

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

深紫外線レーザーダイオードにおける室温連続発振の実現 招待有り

張 梓懿, 久志本 真希, 吉川 陽, 笹岡 千秋, 天野 浩

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）  2023年12月5日 

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：ウインクあいち  

Study on degradation of deep ultraviolet laser diode 国際会議

Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Akira Yoshikawa, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月16日 

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Demonstration of continuous wave lasing of deep UV Laser diodes on Single-crystal AlN substrate 国際会議

Yoshio Honda, Yuta Furusawa, Ryoko Tsukamoto, Yoshiki Saito, Koji Okuno, Kengo Nagata, Shinya Boyama, Atsushi Miyazaki, Maki Kushimoto, and Hiroshi Amano

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月13日 

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Demonstration of UV-C LEDs utilizing p-GaN/MgZnO:Ga hetero-tunnel junction 国際会議

Tatsuhiro Tanaka, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月17日 

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Recent Progress of Deep Ultraviolet Laser Diodes on AlN substrate 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Leo J Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月14日 

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Recent developments in high efficiency for deep UV LEDs 招待有り 国際会議

Yoshiki Saito, Kengo Nagata, Atsushi Miyazaki, Shinya Boyama, Koji Okuno, Masaki Oya, Keita Kataoka, Tetsuo Narita, Kayo Horibuchi, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Hisanori Ishiguro, Tetsuya Takeuchi, Kohei Shima, Shigefusa F Chichibu

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月17日 

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Realization of AlN electron blocking layer with abrupt interface and its subsequent improvement in UV-C light-emitting device characteristics 国際会議

Akira Yoshikawa, Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Koji Aoto, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月13日 

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Demonstration of continuous wave lasing of deep UV Laser diodes on Single-crystal AlN substrate 招待有り 国際会議

Z. Zhang, M.Kushimoto, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2023)  2023年6月8日 

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開催年月日： 2023年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

CW operation of UV-C laser diodes 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto

The 6th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD Ⅵ)  2023年6月6日 

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開催年月日： 2023年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（基調）  

Breakthrough technologies to realize room-temperature continuous-wave deep-ultraviolet laser diodes 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto

SKM DPG conference  2023年3月29日 

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

[第1回ダイバーシティ＆インクルージョン賞 女性研究者研究奨励賞 受賞記念講演] 未踏波長帯域深紫外レーザーダイオード 招待有り

久志本真希

第70回　応用物理学会　春季学術講演会  2023年3月16日 

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：上智大学四谷キャンパス/オンライン  

Current-injected continuous-wave AlGaN-based UVC laser diodes 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

SPIE Photonics West　2023  2023年2月1日 

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開催年月日： 2023年1月 - 2023年2月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

AlN基板を用いた深紫外半導体レーザー 招待有り

久志本真希

2022年度　結晶・評価WG研究会(第２回) /第45回CIRFEセミナー  2022年12月20日 

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

開催地：名古屋大学　研究共同館Ⅱ ２Fホール　/オンライン  

Realization of continuous-wave lasing of AlGaN-based UVC laser diode 招待有り 国際会議

Ziyi Zhang，Maki Kushimoto

The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS2022）  2022年11月17日 

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Sputtered polycrystalline MgZnO/Al reflective electrodes for AlGaN-based homojunction tunnel junction deep-ultraviolet LEDs 国際会議

Tatsuhiro Tanaka, Taichi Matsubara, Kengo Nagata, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022)  2022年10月24日 

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Shortest wavelength AlGaN based semiconductor lasers 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto

40th SPP Physics Conference  2022年10月20日 

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Fabrication of GaN/AlN Resonant tunneling diodes by MOVPE 国際会議

D. Iwata, T. Kumabe, H. Watanabe, M. Kushimoto, M. Deki, S. Nitta, A. Tanaka, Y. Honda, H. Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2022)  2022年10月12日 

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Continuous-wave lasing of AlGaN-based UVC laser diode by current injection 国際会議

Z. Zhang, M. Kushimoto, A. Yoshikawa, K. Aoto, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2022)  2022年10月12日 

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Analysis of the cause of threshold rise of UV-C LD on AlN substrate 国際会議

M.Kushimoto, Z. Zhang, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2022)  2022年10月12日 

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

深紫外レーザーダイオードの連続波発振 招待有り

久志本 真希, 張 梓懿, 吉川 陽, 青戸 孝至, 本田 善央, ショーワルター レオ, 笹岡 千秋, 天野 浩

第83回　応用物理学会　秋季学術講演会  2022年9月22日 

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：東北大学 川ノ内キャンパス（オンライン）  

異なるキャリア濃度を有するn型GaNに対する多光子励起 PECエッチングの調査

丹羽 ののか，川崎 晟也, 隈部 岳瑠, 渡邉 浩崇, 古澤 優太, 田中 敦之, 出来 真斗, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

第83回　応用物理学会　秋季学術講演会  2022年9月23日 

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東北大学 川ノ内キャンパス（オンライン）  

Toward AlGaN-based deep-ultraviolet LDs - Demonstration of the shortest wavelength LD and realization of CW operation 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto

The 20th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy(ICMOVPE XX)  2022年7月14日 

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開催年月日： 2022年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Approaches to low threshold current density in deep UV laser diodes on AlN substrate 招待有り 国際会議

M. Kushimoto, Z. Zhang, L. J. Schowalter, Y. Honda, C. Sasaoka, and H. Amano

Compound Semiconductor Week 2022(CSW2022)  2022年6月1日 

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開催年月日： 2022年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

High-efficiency AlGaN homojunction tunnel-junction deep-UV LEDs 招待有り 国際会議

Kengo Nagata, Taichi Matsubara, Satoshi Anada, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Kazuo Yamamoto, Tsukasa Hirasama, and Hiroshi Amano

5th International Workshop on UV Materials and Devices(IWUMD 2022)  2022年5月26日 

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開催年月日： 2022年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Reduction of Threshold Current Density in UV-C LDs Fabricated on AlN Substrates 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

2022 MRS Spring Meeting  2022年5月23日 

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開催年月日： 2022年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Development of reflective electrodes for deep-ultraviolet LEDs using polycrystalline MgZnO structural films 国際会議

Maki Kushimoto, Taichi Matsubara, Kengo Nagata, Tatsuhiro Tanaka, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)  2022年4月22日 

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開催年月日： 2022年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Potential distribution analysis of AlGaN homojunction tunnel-junction by electron holography 国際会議

Kengo Nagata, Satoshi Anada, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Kazuo Yamamoto, Tsukasa Hirayama, and Hiroshi Amano

9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)  2022年4月22日 

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開催年月日： 2022年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Development of high efficiency AlGaN tunnel junction deep-UV LEDs 招待有り 国際会議

Kengo Nagata, Taichi Matsubara, Maki Kushimoto, Yoshiki Saito, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, and Hiroshi Amano

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Sciense(ISPlasma2022 / IC-PLANTS2022)  2022年3月10日 

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開催年月日： 2022年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

MOVPE法を用いたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの作製

岩田大暉, 隈部岳瑠, 渡邉 浩崇, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年2月22日 

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開催年月日： 2022年2月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：青山学院大学/オンライン  

多光子励起OBICを用いたGaN縦型p-nダイオード駆動中におけるキャリア濃度分布測定手法の提案

八木誠，川崎晟也，隈部岳瑠，安藤悠人，田中敦之，出来真斗，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年2月23日 

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開催年月日： 2022年2月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：青山学院大学/オンライン  

Emission uniformity of UVC laser diodes on AlN substrates 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

SPIE Photonics West 2022   2022年2月21日 

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開催年月日： 2022年1月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

AlN基板上UV-C レーザーダイオード

久志本 真希、張 梓懿、本田 善央、レオ ショーワルター、笹岡 千秋、天野 浩

一般社団法人レーザー学会学術講演会第42回年次大会  2022年1月14日 

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開催年月日： 2022年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン開催  

UV-C LDs fabricated on AlN Substrates 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity  2022年1月12日 

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開催年月日： 2022年1月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

最短波長UVC-LD の実現とその周辺技術 招待有り

久志本 真希，張 梓懿，本田 善央，レオ ショーワルター，笹岡 千秋，天野 浩

一般社団法人ワイドギャップ半導体学会第4回研究会  2021年12月10日 

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開催年月日： 2021年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：オンライン開催  

Sputtered polycrystalline MgZnO as transparent electrode in AlGaN-based homojunction tunnel junction deep-ultraviolet light-emitting diode for significant emission enhancement 国際会議

Taichi Matsubara, Kengo Nagata, Maki Kushimoto1, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021(ICMaSS2021)  2021年11月6日 

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開催年月日： 2021年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Reduction of operating voltage of AlGaN homo junction tunnel junction deep UV light emitting diode by controlling impurity concentrations 国際会議

Kengo Nagata, Hiroaki Makino, Hiroshi Miwa, Shinichi Matsui, Shinya Boyama, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Hiroshi Amano

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021(ICMaSS2021)  2021年11月6日 

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開催年月日： 2021年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Reducing the Threshold Current Density of Deep UV LDs on AlN Substrate 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Yoshio Honda, Leo Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

The IEEE Photonics Conference (IPC 2021)  2021年10月20日 

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開催年月日： 2021年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

電子線ホログラフィーを用いたAlGaNホモ接合トンネルジャンクションの電位分布解析

永田 賢吾, 穴田 智史, 齋藤 義樹, 久志本 真希, 本田 善央, 竹内 哲也, 天野 浩, 山本 和生, 平山 司

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン開催  

深紫外LEDの発光出力向上に向けた多結晶スパッタリングMgZnO透明電極

松原 太一, 永田 賢吾, 久志本 真希, 本田 善央, 天野 浩

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン開催  

AlGaNホモ接合 トンネルジャンクション深紫外 LED の低電圧駆動 （2）

永田 賢吾, 三輪 浩士, 松井 慎一, 坊山 晋也, 齋藤 義樹, 久志本 真希, 本田 善央, 竹内 哲也, 天野 浩

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン開催  

Development of UV-C laser diode on AlN substrate using distributed polarization doped p-side cladding layer 招待有り 国際会議

Chiaki Sasaoka, Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Leo J. Schowalter, and Hiroshi Amano

Lester Eastman Conference on High Performance Devices ( LEC 2021)  2021年8月4日 

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開催年月日： 2021年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Deep UV Laser Diode with Compositionally Graded AlGaN p-cladding Layer 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano

CLEO 2021  2021年5月12日 

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開催年月日： 2021年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

UV-C laser diode with distributed polarization doped p-cladding layer 招待有り 国際共著 国際会議

M. Kushimoto, Z. Zhang, T. Sakai, N. Sugiyama, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

2021 MRS Spring Meeting  2021年4月18日 

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開催年月日： 2021年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Development of polarization doped UVC LDs on AlN substrates 招待有り 国際共著 国際会議

M. Kushimoto, Z. Zhang, T. Sakai, N. Sugiyama, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

CSW-2021  2021年5月13日 

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開催年月日： 2021年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

AlGaNホモ接合トンネルジャンクション深紫外LEDの低電圧駆動

永田 賢吾, 牧野 浩明, 三輪 浩士, 松井 慎一, 坊山 晋也, 齋藤 義樹, 久志本 真希, 本田 善央, 竹内 哲也, 天野 浩

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日 

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開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン開催   国名：日本国  

高温スパッタリングにより成膜したMgZnO透明電極材料の電気的及び光学的特性

松原 太一 , 久志本 真希 , 渡邉 浩崇, 古澤 優太, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日 

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開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン開催   国名：日本国  

Development of UV-C laser diodes on AlN substrate 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano

SPIE PHOTONICS WEST  2021年3月6日 

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開催年月日： 2021年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Electrical and Optical Characteristics of Al-doped MgZnO Deposited by RF Magnetron Cosputtering 国際会議

Taichi Matsubara, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  2021年3月1日 

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開催年月日： 2021年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Electrically injected AlGaN based deep-ultraviolet laser diodes 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

IPC 2020  2020年9月28日 

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開催年月日： 2020年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：カナダ  

GaN-on-GaN Vertical Nanowire Power Schottky Barrier Diode Fabricated by Top-down Approach 国際会議

Yaqiang Liao, Tao Chen, Jia Wang, Yuto Ando, Xu Yang, Hirotaka Watanabe, Jun Hirotani, Maki Kushimoto, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kevin J. Chen, and Hiroshi Amano

ISPSD 2020  2020年9月17日 

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：オーストリア共和国  

Demonstration of a deep-ultraviolet laser diode on single crystal AlN substrate operating under current injection at room temperature 招待有り

Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Naoharu Sugiyama, Leo.J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：オンライン開催   国名：日本国  

AlGaN 系深紫外光デバイスの開発 -レーザーダイオードと透明導電膜 - 招待有り

久志本 真希, 出来 真斗, 本田 善央, 天野 浩

第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月10日 

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：オンライン開催   国名：日本国  

次世代深紫外光源に向けた透明導電膜と UV−C LD 招待有り

久志本 真希

第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会  2020年7月31日 

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開催年月日： 2020年7月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：オンライン開催   国名：日本国  

272 nm deep-ultraviolet laser diode fabricated on high-quality AlN substrate 招待有り 国際会議

C. Sasaoka, Z. Zhang, M. Kushimoto, T. Sakai, N. Sugiyama, L. J. Schowalter, and H. Amano

ALPS 2020  2020年4月22日 

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開催年月日： 2020年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

表面積制御によるマイクロプレート型多色発光LEDの同時成長

蔡　文トウ, 久志本 真希, 出来 真斗，田中 敦之，新田 州吾，本田 善央，天野 浩

第67回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学四谷キャンパス   国名：日本国  

ALD 法によりDBR を形成されたAlGaN UVC LD の室温パルス発振

酒井 忠慶, 久志本 真希, 張 梓懿, 杉山 直治, 本田 善央, 笹岡 千秋, 天野 浩

第67回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学四谷キャンパス   国名：日本国  

GaN 縦型p-n ダイオードにおける2 光子吸収光電流の測定

川崎晟也，安藤悠人，田中敦之，塚越真悠子，谷川智之，出来真斗，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩

第67回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学四谷キャンパス   国名：日本国  

p-GaN エピ層中に Si イオン注入により形成した n-GaN の電気特性評価

三浦史也、安藤 悠人，高橋 昌大，出来 真斗, 田中 敦之，渡邉 浩崇，久志本 真希，新田 州吾，本田 善央，天野 浩

先進パワー半導体分科会第6回講演会 

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開催年月日： 2019年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：広島国際会議場   国名：日本国  

ゲート電極形成プロセスがAl2O3/GaN界面およびチャネル特性に与える影響

安藤悠人、中村徹、出来真斗、田岡紀之、田中敦之、渡邉浩崇、久志本真希、新田州吾、本田善央、山田永、清水三聡、天野浩

先進パワー半導体分科会第6回講演会 

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開催年月日： 2019年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：広島国際会議場   国名：日本国  

Crystal structure of MgZnO deposited by RF sputtering 国際会議

Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019) 

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開催年月日： 2019年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Okinawa, Japan   国名：日本国  

Photoelectrochemical Etching for GaN MEMS

Takehiro Yamada, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

EMS-38 

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開催年月日： 2019年10月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：THE KASHIHARA(奈良県橿原市）   国名：日本国  

Effect of interface state density on channel mobility in GaN lateral MISFET 国際会議

Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hisashi Yamada, Mitsuaki Shimizu, and Hiroshi Amano

SemiconNano 2019 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Kobe, Japan   国名：日本国  

GaN横型MISFETにおけるチャネル移動度に対する界面準位密度の影響2

安藤 悠人,中村 徹, 出来 真斗, 田岡 紀之1, 田中 敦之, 渡邉 浩崇 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 山田 永, 清水 三聡, 天野 浩

応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：北海道大学   国名：日本国  

GaNパワーデバイスの実用化に向けた準備状況について

田中敦之、安藤悠人、高橋昌大、三浦史也、川崎晟也、渡邉浩崇、久志本真希、出来真斗、新田州吾、本田善央、天野浩

応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：北海道大学   国名：日本国  

GaNへの高温Mg/Fイオン共注入によるグリーンルミネッセンスの抑制

高橋 昌大，田中 敦之，安藤 悠人，渡邉 浩崇，出来 真斗，久志本 真希，新田 州吾，本田 善央，Kevin J. Chen，天野 浩

応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：北海道大学   国名：日本国  

エッチング法を用いたAlGaN UV-C レーザーの光共振器作製

酒井 忠慶, 久志本 真希, 本田 善央, 天野 浩

応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：北海道大学   国名：日本国  

Effects of annealing process on electrical conductivity of MgZnO 国際会議

Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

The international workshop on UV materials and devices (IWUMD-2019) 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：St. Petersburg, Russia  

High-Resolution Observation of In-Plane Carrier Concentration Nonuniformity in Vertical GaN p-n Diode Using Franz-Keldysh Effect and Avalanche Multiplication 国際会議

Seiya Kawasaki, Hayata Fukushima, Shigeyosihi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

Effect of Post-metallization Annealing on Interface Properties of Al2O4/GaN Fabricated on c- and m-plane Free-standing GaN Substrates 国際会議

Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

Effect of Post-metallization Annealing on Interface Properties of Al2O3/GaN Fabricated on c- and m-plane Free-standing GaN Substrates 国際会議

Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

Interface properties of lateral MISFETs fabricated on m- and c-plane 国際会議

Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 

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開催年月日： 2019年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Washington DC, USA   国名：アメリカ合衆国  

Fabrication of GaN-on-GaN Vertical Nanowire Schottky Barrier Diode by Top-down Approach 国際会議

Yaqiang Liao, Jia Wang, Yuto Ando, Xu Yang, Jun Hirotani, Maki Kushimoto, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kevin J. Chen, and Hiroshi Amano

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 

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開催年月日： 2019年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Washington DC, USA   国名：アメリカ合衆国  

Suppression of green luminescence by co-implantation of Mg/F ions into GaN at high temperature 国際会議

M. Takahashi, A. Tanaka, S. Usami, Y. Ando, H. Watanabe, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 

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開催年月日： 2019年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Washington DC, USA   国名：アメリカ合衆国  

GaN 基板上横型MIS FET における移動度の面方位依存性

安藤 悠人, 中村 徹, 出来 真斗, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

第11回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

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開催年月日： 2019年6月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：広島大学　 東広島キャンパス 学士会館レセプションホール   国名：日本国  

Two-dimensional h-BN multilayer grown on AlN by metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議

Xu Yang, Shugo Nitta, Markus Pristovsek, Yuhuai Liu, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

The 4th International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2DC4) 

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開催年月日： 2019年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Hangzhou, China   国名：中華人民共和国  

Mg composition control of co-sputtered MgZnO thin films toward the application of deep-UV transparent electrode 国際会議

Tadayoshi Sakai, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications 

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開催年月日： 2019年4月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Yokohama, Japan   国名：日本国  

RFスパッタ法を用いたMgZnOの熱処理効果

久志本真希，酒井 忠慶、出来 真斗、本田 善央、天野 浩

第66回　応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京工業大学大岡山キャンパス   国名：日本国  

飛行時間型質量分析法を用いたトリメチルアルミニウムとアンモニアの気相反応分析

大山　武浩、叶　正、久志本　真希、新田　州吾、本田　善央、天野　浩大山　武浩、叶　正、久志本　真希、新田　州吾、本田　善央、天野　浩

第66回　応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京工業大学大岡山キャンパス   国名：日本国  

深紫外透明電極応用に向けたMgZnO 薄膜の吸収端制御

酒井 忠慶, 久志本 真希, 出来 真斗, 本田 善央, 天野 浩

第66回　応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京工業大学大岡山キャンパス   国名：日本国  

Optical properties of AlGaN based UVC laser structures on annealed AlN template 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Yang Xu, Yuhuai Liu, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

The international workshop on UV materials and devices (IWUMD-2018) 

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開催年月日： 2018年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：Kunming City, Yunnan, China   国名：日本国  

RF スパッタ法を用いた紫外透過 MgZnO 透明導電膜の作製 招待有り

久志本真希，酒井忠慶、古澤優太、出来真斗、本田善央、天野浩

日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第110回研究会・特別公開シンポジウム 

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：東京大学   国名：日本国  

深紫外透明電極応用に向けたMgZnO薄膜の組成制御

酒井忠慶、久志本真希、出来真斗、本田善央, 天野浩

日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第110回研究会・特別公開シンポジウム 

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：東京大学   国名：日本国  

GaN中転位の三次元観察と転位がパワーデバイスに与える影響 招待有り

田中敦之, 宇佐美茂佳, 安藤悠人,　永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

第65回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：早稲田大学, 東京   国名：日本国  

GaN表面への酸化プロセスがALD-Al2O3/GaN界面の電気特性に与える影響 招待有り

出来真斗、曾根和詩、永松謙太郎、田中敦之、久志本真希、新田州吾、本田善央、天野浩

第65回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：早稲田大学, 東京   国名：日本国  

Mesa depth dependence of breakdown voltage of GaN pn diode 国際会議

Hayata Fukushima, Yuto Ando, Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

ISPlasma2018 

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

Comparison of In incorporation in axial InGaN quantum wells on GaN and InGaN nanorods grown by lasma assisted molecular beam epitaxy 国際会議

Tasuya Hattori,Maki Kushimoto,Shugo Nitta,Yoshio Honda,Hiroshi Amano

ISPlasma2018 

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

Development of Sustainable Smart Society by Transformative Electronics 招待有り 国際会議

M. Ogura, Y. Ando, S. Usami, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek, H. Kawai, S. Yagi, H. Amano

2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2017) 

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開催年月日： 2017年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地： Las Vegas, Nevada, USA   国名：アメリカ合衆国  

-c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究

河野　司, 久志本真希, 永松謙太郎, 新田州吾, 本田善央, 天野　浩

電子情報通信学会 電子デバイス研究会 

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開催年月日： 2017年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋工業大学   国名：日本国  

In situ and ex situ optical characterization of nitride semiconductor crystal for advanced optical and power electronic devices 招待有り 国際会議

S. Nitta, Z. Liu, S. Usami, Z. Ye, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, Y. Honda, M. Pristovsek, and H. Amano

Optics 2017 / 8th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics & Photonics 

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開催年月日： 2017年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地： Las Vegas, Nevada, USA   国名：アメリカ合衆国  

m 面窒化ガリウム基板を用いた金属-酸化膜-半導体キャパシタの界面準位と絶縁破壊電界

第36回電子材料シンポジウム 

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開催年月日： 2017年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

分子線エピタキシー法により成長させたGaN およびInGaN ナノロッド上の軸上InGaN 量子井戸におけるIn の取り込みの比較

第36回電子材料シンポジウム 

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開催年月日： 2017年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

GaN 自立基板上pn ダイオードのリーク電流と転位の関係

第36回電子材料シンポジウム 

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開催年月日： 2017年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

m 面オフ角GaN 基板を用いたMOVPE とMOVPE 層上のSBD

第36回電子材料シンポジウム 

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開催年月日： 2017年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

異なるGaN ⾃⽴基板上縦型PN ダイオードのキラー転位解析

宇佐美 茂佳、福島 颯太、安藤 悠⼈、⽥中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真⽃、新⽥ 州吾、本⽥ 善央、天野 浩

⽇本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電⼦デバイス 第１６２委員会 100 回記念特別公開シンポジウム 

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開催年月日： 2017年10月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：ロワジールホテル豊橋   国名：日本国  

GaN パワーデバイスの周辺耐圧構造の検討

福島 颯太、安藤 悠⼈、宇佐美 茂佳、⽥中 敦之、永松 謙太郎、出来 真⽃、久志本 真希、新⽥ 州吾、本⽥ 善央、天野 浩

⽇本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電⼦デバイス 第１６２委員会 100 回記念特別公開シンポジウム 

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開催年月日： 2017年10月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：ロワジールホテル豊橋   国名：日本国  

オフ⽅向の異なるホモエピタキシャルm ⾯ショットキーバリアダイオードの作製

安藤 悠⼈、永松 謙太郎、⽥中 敦之、宇佐美 茂佳、出来 真⽃、Barry Ousmane、久志本 真希、新⽥ 州吾、本⽥ 善央、天野 浩

⽇本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電⼦デバイス 第１６２委員会 100 回記念特別公開シンポジウム 

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開催年月日： 2017年10月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：ロワジールホテル豊橋   国名：日本国  

Semipolar InGaN optical devices on patterned Si substrates 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Takafumi Suzuki, Daiki Ito, Yoshio Honda and Hiroshi Amano

The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017) 

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開催年月日： 2017年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：Banff, Alberta, Canada   国名：カナダ  

Evaluation of internal quantum efficiency of LED by photocurrent measurement 招待有り 国際会議

Shigeyoshi Usami, Kazunobu Kojima, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Shigefusa Chichibu, Hiroshi Amano

The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017) 

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開催年月日： 2017年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：Banff, Alberta, Canada   国名：カナダ  

Blue LEDs and Transformative Electronics for Establishing Sustainable Smart Society 国際会議

"S. Usami, Z. Ye, X. Yang, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek, H. Amano

International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2017)  

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：Kyoto, Japan   国名：日本国  

Crystal Plane Dependence of Interface States Density in c- and m-plane GaN MOS Capacitors 国際会議

M. Deki, K.Nagamatsu, A. Tanaka, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2017)  

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagoya, Japan   国名：日本国  

Deep Levels in Homoepitaxial m-plane GaN Schottky Barrier Diodes 国際会議

"M. Deki, Y. Ando, K.Nagamatsu, A. Tanaka, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

10th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors 

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：フィンランド共和国  

転位密度の異なるGaN自立基板上PNダイオードのキラー転位解析

宇佐美 茂佳、福島 颯太、安藤 悠人、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

第78回応用物理学会　秋季学術講演会 

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福岡国際会議場   国名：日本国  

The effect of the environment temperature of the wafer on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Zhibin Liu、Shugo Nitta、Shigeyoshi Usami、Kentaro Nagamatsu、Maki Kushimoto、Manato Deki、Yoshio Honda、Hiroshi Amano

第78回応用物理学会　秋季学術講演会 

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福岡国際会議場   国名：日本国  

オフ角の異なるm 面GaN 基板上Si ドープ厚膜SBD

安藤 悠人、永松 謙太郎、田中 敦之、宇佐美 茂佳、バリー ウスマン1、出来 真斗、久志本 真希、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

第78回応用物理学会　秋季学術講演会 

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福岡国際会議場   国名：日本国  

Development of Sustainable Smart Society via Transformative Electronics 国際会議

H. Amano, Y. Robin, S. Y. Bae, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, T. Nishitani, D. Sato, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek

The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017) 

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開催年月日： 2017年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：Kyoto, Japan   国名：日本国  

Crystal Plane Dependence of Interface States Density in c- and m-plane GaN MOS Capacitors 国際会議

Manato Deki, Kazushi Sone, Junya Matsushita, Kentarou Nagamatsu, Atsushi Tanaka, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

ICNS-12 

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開催年月日： 2017年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Strasburg,France   国名：フランス共和国  

Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on free-standing GaN substrate 国際会議

Shigeyoshi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

ICNS-12 

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開催年月日： 2017年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Strasburg,France   国名：フランス共和国  

Reduction of Dislocation in GaN on Silicon Substrate Using In-situ Etching 国際会議

Koji Matsumoto, Toshiaki Ono, Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Shigeyoshi Usami, Maki Kushimoto, Satoshi Murakami, Hiroshi Amano

ICNS-12 

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開催年月日： 2017年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Strasburg,France   国名：フランス共和国  

m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE layer on several off-angled GaN substrate 国際会議

Atsushi Tanaka, Ousmane 1 Barry, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

ICNS-12 

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開催年月日： 2017年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Strasburg,France   国名：フランス共和国  

異なるInGaN膜厚の(1-101)GaN基板上太陽電池の作製

久志本真希、宇佐美茂佳、出来真斗、本田善央、天野浩

第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

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開催年月日： 2017年7月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：北海道大学   国名：日本国  

成長法の異なるGaN自立基板上PNダイオードのキラー転位解析

宇佐美茂佳,安藤悠人、福島颯太、田中敦之、永松謙太郎、出来真斗、久志本真希、新田州吾、本田善央、天野浩

第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

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開催年月日： 2017年7月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：北海道大学   国名：日本国  

m 面GaN 基板上 厚膜GaN-SBD の逆方向リーク電流

安藤悠人, 永松謙太郎, 田中敦之, 宇佐美茂佳, 出来真斗,　久志本真希, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

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開催年月日： 2017年7月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：北海道大学   国名：日本国  

Growth of III-Nitride Nanorods for Future Optoelectronics Applications 国際会議

Hiroshi Amano, Tatsuya Hattori, Yoann Robin, Kaddour Lekhal, Si-Young Bae, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Yasuhisa Ushida, Geoffrey Avit, Agnès Trassoudaine

18th International Conference on Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN18)  

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開催年月日： 2017年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：ドイツ連邦共和国  

GaN自立基板上PNダイオードの逆方向リークと転位の関係

宇佐美 茂佳, 安藤 悠人, 田中 敦之, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

第64回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)   国名：日本国  

O2プラズマ処理およびO3酸化処理を行ったAl2O3/GaN構造の界面準位密度評価

曾根 和詩、 松下 淳矢、 安藤 悠人、 永松 謙太郎、 田中 敦之、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

第64回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)   国名：日本国  

2次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型GaNHBTの作製

安藤 悠人、 小倉 昌也、 松下 淳矢、 宇佐美 茂佳、 田中 敦之、 永松 謙太郎、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

第64回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)   国名：日本国  

Si基板上半極性(1-101)GaNストライプレーザー端面への反射膜作製

鈴木 崇文、 伊藤 大貴、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

第64回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)   国名：日本国  

絶対吸収率と光電流測定とを組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量

宇佐美 茂佳、 小島 一信、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 秩父 重英、 天野 浩

第64回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)   国名：日本国  

窒化ホウ素を用いたGaN -MIS キャパシタの作製 と電気特性評価

松下 淳矢，永松 謙太郎 ，Xu Yang，田中 敦之，久志本 真希，出来 真斗，新田 州吾，本田 善央，天野 浩

先進パワー半導体分科会 第４回講演会 

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開催年月日： 2016年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：つくば国際会議場(茨城県つくば市)   国名：日本国  

二次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型GaN-HBTの作製

安藤 悠人、小倉 昌也、松下 淳矢、宇佐美 茂佳、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

先進パワー半導体分科会 第４回講演会 

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開催年月日： 2016年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：つくば国際会議場(茨城県つくば市)   国名：日本国  

Facet Distribution of Leakage Current and Carrier Concentration in m-Plane GaN Schottky Barrier Diode Fabricated with MOVPE 国際会議

A. Tanaka, O. 1 Barry, K. Ngamatsu, J. Matsushita, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors 2016(IWN2016) 

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開催年月日： 2016年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Semipolar lasers on structured Si-Subtrates 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto

Heimbach workshop2016 

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：ドイツ連邦共和国  

窒化ホウ素を用いたGaN -MIS キャパシタの作製 と電気特性評価

松下 淳矢，永松 謙太郎 ，Xu Yang，田中 敦之，久志本 真希，出来 真斗，新田 州吾，本田 善央，天野 浩

第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：朱鷺メッセ(新潟県新潟市)   国名：日本国  

InGaN成長中のInウェッティングレイヤーのレーザー散乱による観察

山本 哲也,永松 謙太郎,久志本真希,出来真斗,新田 州吾,本田 善央,天野 浩

第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：朱鷺メッセ(新潟県新潟市)   国名：日本国  

GaN 自立基板上PIN ダイオードにおける順方向発光パターン解析

宇佐美 茂佳, 安藤 悠人, 田中 敦之, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：朱鷺メッセ(新潟県新潟市)   国名：日本国  

InGaN surface roughness recovery by hydrogen treatment as monitored by in situ laser scattering 国際会議

Tetsuya Yamamoto, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) 

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開催年月日： 2016年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagoya,Japan   国名：日本国  

Si(001)基板上(1-101)高In 組成InGaN における積層欠陥の形成

久志本真希、本田善央、天野浩

第35 回電子材料シンポジウム 

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開催年月日： 2016年7月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：ラフォーレ琵琶湖   国名：日本国  

Si基板上(1-101)高In組成InGaN結晶の緩和過程

久志本真希、本田善央、天野浩

第8回窒化物半導体結晶成長講演会 

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開催年月日： 2016年5月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：京都大学   国名：日本国  

Growth and characterization of semipolar (1-101)high-indium-content quantum wells on Si(001) 国際会議

Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides 

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Hamamatsu, Japan   国名：日本国  

Lasing Properties of (1-101) InGaN/GaN Stripe Cavity Structure on Patterned (001) Si Substrate 国際会議

Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

The 3th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications 

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開催年月日： 2015年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Yokohama,Japan   国名：日本国  

Laser-based in situ monitoring of high In-content InGaN growth on GaN (0001) 国際会議

T.Mitsunari, T. Yamamoto, M. Kato, A. Tamura, S. Usami, M. Kushimoto, K. Yamashita, Y. Honda, Y. Lacroix, and H. Amano

10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices 

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開催年月日： 2014年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Kaohsiung,Taiwan   国名：日本国  

Optical gain spectra of (1-101) InGaN stripe cavity structures on a patterned (001) Si substrate 国際会議

Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors 2014(IWN2014) 

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開催年月日： 2014年8月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Wroclaw, Poland   国名：ポーランド共和国  

Growth of (1-101)InGaN stripes on patterned (001)Si substrate 国際会議

Yasukazu Sone, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

The 15th IUMRS-International Congerence in Asia 

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開催年月日： 2014年8月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Fukuoka,Japan   国名：日本国  

Growth optimization of green InGaN multi-quantum well 国際会議

"T.Mitsunari1, A. Tamura1, S. Usami1, M. Kushimoto1, K. Yamashita1, Y. Honda1, Y. Lacroix3, and H. Amano1,2

Conference on LED and Its Industrial Application '14 

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開催年月日： 2014年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Yokohama,Japan   国名：日本国  

Light Emission Polarization Properties of (1-101) InGaN/GaN MQWs with Cavity Structure on Patterned Si Substrate 国際会議

M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10) 

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開催年月日： 2013年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Washington DC, USA   国名：アメリカ合衆国  

Optical properties of semipolar (1-101) InGaN/GaN multiple quantum well with cavity structure on patterned Si substrae 国際会議

M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

The 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics, and Nanostructures(EDISON18) 

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開催年月日： 2013年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Matsue, Japan   国名：日本国  

Optical polarization properties in semipolar (1-101) InGaN/GaN multiple quantum well on a patterned Si Substrate 国際会議

M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012) 

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開催年月日： 2012年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Sapporo, Japan   国名：日本国  

Fabrication of InGaN/GaN multiple quantum wells on (1-101) GaN 国際会議

T. Tanikawa, T. Sano, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012) 

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開催年月日： 2012年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Sapporo, Japan   国名：日本国  

Reduction of dislocations and residual stress in GaN grown on patterned Si substrate 国際会議

T. Tanikawa, T. Mitsunari, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

11th Akasaki Research Center Symposium 

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開催年月日： 2011年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

AlN基板上UV-C LDのプロセス起因劣化 招待有り

笹岡千秋、久志本真希、張梓懿、天野浩

日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145 委員会　第172 回研究会  2021年10月1日 

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記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：オンライン開催  

単結晶AlN基板上AlGaNを用いた270nm帯CW半導体レーザー 招待有り

久志本 真希

光電相互変換第125委員会 5月26日研究会  2023年5月26日 

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記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：オンライン  

世界最短波長深紫外半導体レーザー 招待有り

久志本 真希

TRiSTAR第１期奥村フェロー主催研究セミナー  2023年5月12日 

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記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：オンライン  

第3回 光材料・応用技術研究会 招待有り

久志本 真希

第3回 光材料・応用技術研究会   2023年11月10日 

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記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：グランドエクシブ鳥羽/オンライン