講演・口頭発表等 - 久志本 真希
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GaN 基板上横型MIS FET における移動度の面方位依存性
安藤 悠人, 中村 徹, 出来 真斗, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩
第11回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
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Two-dimensional h-BN multilayer grown on AlN by metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議
Xu Yang, Shugo Nitta, Markus Pristovsek, Yuhuai Liu, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
The 4th International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2DC4)
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Mg composition control of co-sputtered MgZnO thin films toward the application of deep-UV transparent electrode 国際会議
Tadayoshi Sakai, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
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RFスパッタ法を用いたMgZnOの熱処理効果
久志本真希，酒井 忠慶、出来 真斗、本田 善央、天野 浩
第66回 応用物理学会春季学術講演会
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飛行時間型質量分析法を用いたトリメチルアルミニウムとアンモニアの気相反応分析
大山 武浩、叶 正、久志本 真希、新田 州吾、本田 善央、天野 浩大山 武浩、叶 正、久志本 真希、新田 州吾、本田 善央、天野 浩
第66回 応用物理学会春季学術講演会
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深紫外透明電極応用に向けたMgZnO 薄膜の吸収端制御
酒井 忠慶, 久志本 真希, 出来 真斗, 本田 善央, 天野 浩
第66回 応用物理学会春季学術講演会
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Optical properties of AlGaN based UVC laser structures on annealed AlN template 招待有り 国際会議
Maki Kushimoto, Yang Xu, Yuhuai Liu, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
The international workshop on UV materials and devices (IWUMD-2018)
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RF スパッタ法を用いた紫外透過 MgZnO 透明導電膜の作製 招待有り
久志本真希，酒井忠慶、古澤優太、出来真斗、本田善央、天野浩
日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第110回研究会・特別公開シンポジウム
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深紫外透明電極応用に向けたMgZnO薄膜の組成制御
酒井忠慶、久志本真希、出来真斗、本田善央, 天野浩
日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第110回研究会・特別公開シンポジウム
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GaN中転位の三次元観察と転位がパワーデバイスに与える影響 招待有り
田中敦之, 宇佐美茂佳, 安藤悠人, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩
第65回応用物理学会春季学術講演会
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GaN表面への酸化プロセスがALD-Al2O3/GaN界面の電気特性に与える影響 招待有り
出来真斗、曾根和詩、永松謙太郎、田中敦之、久志本真希、新田州吾、本田善央、天野浩
第65回応用物理学会春季学術講演会
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Mesa depth dependence of breakdown voltage of GaN pn diode 国際会議
Hayata Fukushima, Yuto Ando, Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
ISPlasma2018
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Comparison of In incorporation in axial InGaN quantum wells on GaN and InGaN nanorods grown by lasma assisted molecular beam epitaxy 国際会議
Tasuya Hattori,Maki Kushimoto,Shugo Nitta,Yoshio Honda,Hiroshi Amano
ISPlasma2018
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Development of Sustainable Smart Society by Transformative Electronics 招待有り 国際会議
M. Ogura, Y. Ando, S. Usami, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek, H. Kawai, S. Yagi, H. Amano
2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2017)
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-c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究
河野 司, 久志本真希, 永松謙太郎, 新田州吾, 本田善央, 天野 浩
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
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In situ and ex situ optical characterization of nitride semiconductor crystal for advanced optical and power electronic devices 招待有り 国際会議
S. Nitta, Z. Liu, S. Usami, Z. Ye, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, Y. Honda, M. Pristovsek, and H. Amano
Optics 2017 / 8th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics & Photonics
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m 面窒化ガリウム基板を用いた金属-酸化膜-半導体キャパシタの界面準位と絶縁破壊電界
第36回電子材料シンポジウム
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分子線エピタキシー法により成長させたGaN およびInGaN ナノロッド上の軸上InGaN 量子井戸におけるIn の取り込みの比較
第36回電子材料シンポジウム
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GaN 自立基板上pn ダイオードのリーク電流と転位の関係
第36回電子材料シンポジウム
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m 面オフ角GaN 基板を用いたMOVPE とMOVPE 層上のSBD
第36回電子材料シンポジウム