論文 - 出来　真斗

Correlation between nanopipes formed from screw dislocations during homoepitaxial growth by metal-organic vapor-phase epitaxy and reverse leakage current in vertical p-n diodes on a free-standing GaN substrates

Usami, S; Tanaka, A; Fukushima, H; Ando, Y; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/1347-4065/ab1250

Web of Science

Effect of photoelectrochemical etching and post-metallization annealing on gate controllability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Uemura, K; Deki, M; Honda, Y; Amano, H; Sato, T

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/1347-4065/ab06b9

Web of Science

Deeply and vertically etched butte structure of vertical GaN p-n diode with avalanche capability

Fukushima, H; Usami, S; Ogura, M; Ando, Y; Tanaka, A; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/1347-4065/ab106c

Web of Science

Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation (vol 508, pg 58, 2019)

Liu, ZB; Nitta, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Sitar, Z; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   514 巻   頁： 13 - 13   2019年5月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.058

Web of Science

Photoluminescence properties of praseodymium ions implanted into submicron regions in gallium nitride

Sato, S; Deki, M; Nakamura, T; Nishimura, T; Stavrevski, D; Greentree, AD; Gibson, BC; Ohshima, T

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 5 )   2019年5月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/1347-4065/ab142b

Web of Science

GaN drift-layer thickness effects in vertical Schottky barrier diodes on free-standing HVPE GaN substrates

Sandupatla, A; Arulkumaran, S; Ng, GI; Ranjan, K; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

AIP ADVANCES   9 巻 ( 4 )   2019年4月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.5087491

Web of Science

Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Liu, ZB; Nitta, S; Usami, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   509 巻   頁： 50 - 53   2019年3月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.12.007

Web of Science

Fully Ion Implanted Normally-Off GaN DMOSFETs with ALD-Al₂O₃ Gate Dielectrics

Yoshino, M; Ando, Y; Deki, M; Toyabe, T; Kuriyama, K; Honda, Y; Nishimura, T; Amano, H; Kachi, T; Nakamura, T

MATERIALS   12 巻 ( 5 )   2019年3月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.3390/ma12050689

Web of Science

Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation

Liu, ZB; Nitta, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   508 巻   頁： 58 - 65   2019年2月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.12.028

Web of Science

Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown

Fukushima, H; Usami, S; Ogura, M; Ando, Y; Tanaka, A; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 2 )   2019年2月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/1882-0786/aafdb9

Web of Science

Comparing high-purity <i>c</i>- and <i>m</i>-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy

Nagamatsu, K; Ando, Y; Ye, Z; Barry, O; Tanaka, A; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 10 )   2018年10月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/JJAP.57.105501

Web of Science

Improvement of breakdown voltage of vertical GaN p-n junction diode with Ga₂O₃ passivated by sputtering

Ueoka, Y; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 7 )   2018年7月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/JJAP.57.070302

Web of Science

<i>m</i>-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle <i>m</i>-Plane GaN Substrates 査読有り

Tanaka, A; Ando, Y; Nagamatsu, K; Deki, M; Cheong, H; Ousmane, B; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   215 巻 ( 9 ) 頁： 1700645   2018年5月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1002/pssa.201700645

Web of Science

Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate

Usami, S; Ando, Y; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Sugawara, Y; Yao, YZ; Ishikawa, Y

APPLIED PHYSICS LETTERS   112 巻 ( 18 )   2018年4月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.5024704

Web of Science

Femtosecond-Laser-Induced Defects on Silicon Carbide Probed by Electrical Conductivity 査読有り

Tomita, T; Deki, M; Yanagita, E; Bando, Y; Naoi, Y; Makino, T; Ohshima, T

JOURNAL OF LASER MICRO NANOENGINEERING   12 巻 ( 2 ) 頁： 72 - 75   2017年9月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.2961/jlmn.2017.02.0004

Web of Science

Effect of dislocations on the growth of p-type GaN and on the characteristics of p-n diodes

Usami, S; Miyagoshi, R; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Kushimoto, M; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1002/pssa.201600837

Web of Science

Facet dependence of leakage current and carrier concentration in m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE

Tanaka, A; Barry, O; Nagamatsu, K; Matsushita, J; Deki, M; Ando, Y; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1002/pssa.201600829

Web of Science

Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of <i>m</i>-plane (10(1)over-bar0) GaN homoepitaxial layers

Barry, OI; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Bae, SY; Lekhal, K; Matsushita, J; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 552 - 556   2017年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.012

Web of Science

Development of Sustainable Smart Society based on Transformative Electronics

Ogura, M; Ando, Y; Usami, S; Nagamatsu, K; Kushimoto, M; Deki, M; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Kawai, H; Yagi, S; Amano, H

2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     頁： .   2017年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Web of Science

Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane(10-10) GaN homoepitaxial layers 査読有り

Ousmane I Barry, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Si-Young Bae, Kaddour Lekhal, Junya Matsushita, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano

Journal of Crystal Growth     頁： 10.1016   2016年12月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）