所属
大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス工学 助教
学部担当
工学部 電気電子情報工学科
職名
助教
連絡先
外部リンク
ワタナベ トモヤ
渡邉 智也
WATANABE Tomoya
学位 3
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博士（工学） （ 2026年3月 名古屋大学 ）
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修士 （ 2023年3月 名古屋大学 ）
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学士 （ 2021年3月 徳島大学 ）
研究キーワード 3
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高電子移動度トランジスタ
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マイクロ波無線電力伝送
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ワイドギャップ半導体（窒化ガリウム）
研究分野 2
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自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理
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ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
現在の研究課題とSDGs 1
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大電力マイクロ波無線電力伝送の実現に向けた整流素子開発
経歴 2
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名古屋大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス工学 助教
2026年4月 - 現在
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日本学術振興会 特別研究員（DC2）
2025年4月 - 2026年3月
国名：日本国
学歴 4
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名古屋大学 大学院工学研究科電子工学専攻 博士後期課程
2023年4月 - 2026年3月
国名： 日本国
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名古屋大学 大学院工学研究科電子工学専攻 博士前期課程
2021年4月 - 2023年3月
国名： 日本国
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徳島大学 理工学部 理工学科
2019年4月 - 2021年3月
国名： 日本国
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呉工業高等専門学校 電気情報工学科
2014年4月 - 2019年3月
国名： 日本国
所属学協会 2
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応用物理学会
2023年1月 - 現在
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IEEE
2022年 - 現在
論文 3
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Exploring Design Guidelines of AlGaN/GaN Gated-Anode Diodes Toward High-Power, High-Efficiency Microwave Rectification 査読有り 国際誌
Tomoya Watanabe, Hidemasa Takahashi, Ryutaro Makisako, Akio Wakejima, Yuji Ando, Jun Suda
IEEE Transactions on Electron Devices 73 巻 ( 4 ) 頁： 1757 - 1765 2026年4月
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Proposal of AlGaN/GaN Gated-Anode Diode Model Incorporating Internal HEMT Structure for Loss Analysis Toward Efficient Microwave Rectification 査読有り 国際誌
Tomoya Watanabe, Hidemasa Takahashi, Ryutaro Makisako, Akio Wakejima, Yuji Ando, Jun Suda
IEEE Transactions on Electron Devices 72 巻 ( 8 ) 頁： 4017 - 4024 2025年8月
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Impact of a Moderately Doped Contact Layer on Breakdown Voltage in AlGaN/GaN Gated-Anode Diodes for Microwave Rectification 査読有り 国際誌
Tomoya Watanabe, Hidemasa Takahashi, Ryutaro Makisako, Akio Wakejima, Yuji Ando, Jun Suda
IEEE Transactions on Electron Devices 72 巻 ( 3 ) 頁： 1008 - 1013 2025年3月
講演・口頭発表等 4
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Proposal of AlGaN/GaN Gated-Anode Diode Model Incorporating Internal HEMT Structure for Loss Analysis towards Efficient Microwave Rectification 国際会議
Tomoya Watanabe, Hidemasa Takahashi, Akio Wakejima, Yuji Ando, Jun Suda
12th International Workshop on Nitride Semiconductors（IWN-12） 2024年11月
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マイクロ波整流用GaNHEMT構造ゲーテッドアノードダイオードの整流効率向上に向けた素子構造の検討
渡邉智也, 高橋英匡, 安藤裕二, 分島彰男, 須田淳
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日 応用物理学会
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Improvement of Breakdown Voltage by Utilizing Moderately-Doped Contact Layers in AlGaN/GaN Gated-Anode Diodes for Microwave Rectification 国際会議
Tomoya Watanabe, Hidemasa Takahashi, Akio Wakejima, Yuji Ando, Jun Suda
14th International Conference on Nitride Semiconductors（ICNS-14） 2023年11月
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マイクロ波整流用AlGaN/GaNワイドリセス構造ゲーテッドアノードダイオードの高耐圧化に向けた中濃度コンタクト層の活用
渡邉智也, 高橋英匡, 安藤裕二, 分島彰男, 須田淳
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月18日 応用物理学会
科研費 1
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大電力マイクロ波整流用GaN HEMT構造ゲーテッドアノードダイオードの開発
研究課題/研究課題番号：25KJ1431 2025年4月 - 2027年3月
日本学術振興会 特別研究員（DC2） 特別研究員奨励費
渡邉智也
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
配分額：1200000円 （ 直接経費：1200000円 ）