2025/10/08 更新

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クサバ アキラ
草場 彰
KUSABA Akira
所属
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 特任准教授
職名
特任准教授
プロフィール
結晶成長デジタルツイン自動構築技術の開発に取り組んでいます。
外部リンク

経歴 1

  1. 名古屋大学   未来材料・システム研究所   特任准教授(クロスアポイントメント)

    2025年6月 - 現在

 

論文 6

  1. Exploration of Stable Atomic Configurations in Graphene-like BCN Systems by Density Functional Theory and Bayesian Optimization 査読有り 国際共著 国際誌

    Taichi Hara, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Tetsuji Kuboyama, David Bowler, Karol Kawka, Pawel Kempisty

    Crystal Growth & Design   25 巻 ( 16 ) 頁: 6719 - 6726   2025年8月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ACS Publications  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.5c00703

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  2. Faceted-rough surface on a crystallite’s shape with nanometer-scale Kardar–Parisi–Zhang kinetic rough surfaces for interface-limited growth 査読有り 国際誌 Open Access

    Noriko Akutsu, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kozo Fujiwara, Kensaku Maeda, Yasuhiro Akutsu

    Applied Surface Science   708 巻   頁: 163579   2025年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2025.163579

    Open Access

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  3. First-principles molecular dynamics of H2 molecule formation inside hydrogenated amorphous carbon 査読有り 国際誌

    Yudai Takei, Junko Ishii, Shigenori Matsushima, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kazuaki Hanada

    Journal of Nuclear Materials   614 巻   頁: 155886   2025年5月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/j.jnucmat.2025.155886

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  4. Influence of Intrinsic Point Defects Incorporated from Growth Surface on Atomic Interdiffusion and Unintentional Compositional Gradient in AlGaN/AlN Heterointerfaces 査読有り 国際共著 国際誌 Open Access

    Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Takahiro Kawamura, Pawel Kempisty, Kana Ishisone, Mauro Boero

    Crystal Growth & Design   25 巻 ( 3 ) 頁: 740 - 746   2025年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ACS Publications  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.4c01542

    Open Access

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  5. SAT Solver-Driven Approach for Validating Local Electron Counting Rule 査読有り 国際誌

    Tetsuji Kuboyama, Akira Kusaba

    Journal of Crystal Growth   650 巻   頁: 127927   2025年1月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2024.127927

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  6. Augmentation of the Electron Counting Rule with Ising Model 査読有り 国際共著 国際誌 Open Access

    Karol Kawka, Pawel Kempisty, Konrad Sakowski, Stanislaw Krukowski, Michal Bockowski, David Bowler, Akira Kusaba

    Journal of Applied Physics   135 巻   頁: 225302   2024年6月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/5.0203033

    Open Access

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MISC 1

  1. イジング模型で探る半導体表面の吸着原子配置(最近の研究から) 招待有り

    草場 彰  

    日本物理学会誌80 巻 ( 10 ) 頁: 589 - 593   2025年10月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:日本物理学会  

    DOI: 10.11316/butsuri.80.10_589

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講演・口頭発表等 24

  1. Automated Pathway Exploration of Gas-Phase Reaction in AlN Metalorganic Vapor Phase Epitaxy: Initial Decomposition Process of Trimethylaluminum 国際会議

    Naho Sato, Kanami Sugiyama, Akira Kusaba

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2025 (ICMaSS2025)  2025年12月 

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    開催年月日: 2025年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

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  2. AlN有機金属気相成長法における気相反応初期過程の自動探索

    佐藤南帆, 杉山佳奈美, 草場彰, 寒川義裕

    第54回結晶成長国内会議  2025年11月 

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    開催年月日: 2025年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:金沢   国名:日本国  

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  3. 表面スティフネス・テンソルの結晶ファセット端での普遍的な飛び

    阿久津典子, 草場彰, 寒川義裕, 藤原航三, 前田健作, 阿久津泰弘

    第54回結晶成長国内会議  2025年11月 

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    開催年月日: 2025年11月

    記述言語:日本語  

    開催地:金沢   国名:日本国  

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  4. β-Ga2O3中の点欠陥に起因する電子構造変化

    河村貴宏, 秋山亨, 草場彰, 寒川義裕

    第54回結晶成長国内会議  2025年11月 

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    開催年月日: 2025年11月

    記述言語:日本語  

    開催地:金沢   国名:日本国  

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  5. KPZ的に荒れたナノスケール表面から成るメゾスケール小結晶の平衡状態近傍の成長形と後退形

    阿久津典子, 草場彰, 寒川義裕, 藤原航三, 前田健作, 阿久津泰弘

    第54回結晶成長国内会議  2025年11月 

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    開催年月日: 2025年11月

    記述言語:日本語  

    開催地:金沢   国名:日本国  

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  6. 平衡状態に近い結晶成長形におけるKPZラフ(001)面のファセット端不確定性

    阿久津典子, 草場彰, 寒川義裕, 藤原航三, 前田健作, 阿久津泰弘

    日本物理学会第80回年次大会  2025年9月 

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    開催年月日: 2025年9月

    記述言語:日本語  

    開催地:広島   国名:日本国  

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  7. β-Ga2O3中の点欠陥による電子構造への影響

    河村貴宏, 秋山亨, 草場彰, 寒川義裕

    第86回応用物理学会秋季学術講演会  2025年9月10日 

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    開催年月日: 2025年9月

    記述言語:日本語  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

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  8. 平衡状態に近い結晶成長形における晶相・晶癖変化:ナノスケールKardar–Parisi–Zhangラフ面の影響

    阿久津典子, 草場彰, 寒川義裕, 藤原航三, 前田健作, 阿久津泰弘

    第86回応用物理学会秋季学術講演会  2025年9月9日 

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    開催年月日: 2025年9月

    記述言語:日本語  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

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  9. Reaction path network of trimethylgallium decomposition process 国際会議

    Kanami Sugiyama, Akira Kusaba, Hirofumi Sato

    13th Triennial Congress of the World Association of Theoretical and Computational Chemists (WATOC 2025)  2025年6月26日 

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    開催年月日: 2025年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Oslo   国名:ノルウェー王国  

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  10. Systematic reaction path search and its analysis for trimethyl gallium decomposition with NH3 and H2 国際会議

    Kanami Sugiyama, Akira Kusaba, Hirofumi Sato

    Molecular Quantum Mechanics Conferences 2025 (MQM2025)  2025年5月26日 

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    開催年月日: 2025年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kyoto   国名:日本国  

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  11. InN MOVPE成長におけるTMIn分解反応過程の理論的研究 招待有り

    長嶋佑哉, 渡邉浩崇, 新田州吾, 草場彰, 寒川義裕, 白石賢二

    第72回応用物理学会春季学術講演会  2025年3月16日 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:千葉   国名:日本国  

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  12. Development of Scheme and Case Studies in Material Configurations Informatics 招待有り 国際会議

    Akira Kusaba

    17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025)  2025年3月4日 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Aichi   国名:日本国  

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  13. 微傾斜GaN(0001)におけるIn拡散ポテンシャル

    西澤宏隆, 草場彰, 寒川義裕

    第53回結晶成長国内会議  2024年11月19日 

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    開催年月日: 2024年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京   国名:日本国  

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  14. GaN結晶中のMg拡散機構の解明:モンテカルロシミュレーションによる解析

    伊藤佑太, 草場彰, 渡邉浩崇, 新田州吾, 田中敦之, 本田善央, 寒川義裕, 天野浩

    第53回結晶成長国内会議  2024年11月18日 

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    開催年月日: 2024年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

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  15. ステップ離脱型ファセット化マクロステップ定常成長の「ステップ」成長方向と積層欠陥抑制

    阿久津典子, 草場彰, 寒川義裕

    第53回結晶成長国内会議  2024年11月18日 

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    開催年月日: 2024年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

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  16. データ同化を用いた反応速度定数の推定によるGaN MOVPEデジタルツインの構築

    生越奎太朗, 佐野雅季, 草場彰, 白石賢二, 寒川義裕

    第53回結晶成長国内会議  2024年11月19日 

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    開催年月日: 2024年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京   国名:日本国  

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  17. 量子化学計算を用いたGaN有機金属気相成長の系統的反応経路探索

    杉山佳奈美, 草場彰

    第53回結晶成長国内会議  2024年11月19日 

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    開催年月日: 2024年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

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  18. データ駆動Ising模型によるGaN表面再構成の研究 招待有り

    草場 彰

    名古屋大学CIRFEシンポジウム「エピタキシャル成長の量子論」  2024年9月27日 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

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  19. Adsorption energetics and thermodynamics on semiconductor surfaces based on machine learning 招待有り 国際会議

    Akira Kusaba

    5th International Conference on Materials Science and Engineering (Materials Oceania 2024)  2024年9月24日 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Phuket (Online)   国名:タイ王国  

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  20. Determination of Local Electron Counting Rule Satisfaction by SAT Solver 国際会議

    Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Yoshihiro Kangawa

    9th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-9)  2024年6月 

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    開催年月日: 2024年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Jeju   国名:大韓民国  

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  21. データ駆動イジング模型による半導体表面再構成の研究 招待有り

    草場 彰

    第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会  2024年5月30日 

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    開催年月日: 2024年5月 - 2024年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:高知   国名:日本国  

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  22. Vacancies in III-Nitrides (II): Diffusion near Hetero Interfaces 国際会議

    Reo Shimauchi, Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba

    10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024)  2024年4月24日 

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    開催年月日: 2024年4月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Yokohama   国名:日本国  

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  23. Vacancies in III-Nitrides (I): Formation under Reconstructed Surfaces 国際会議

    Keitaro Tateyama, Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Takahiro Kawamura

    10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024)  2024年4月24日 

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    開催年月日: 2024年4月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Yokohama   国名:日本国  

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  24. ベイズ最適化とデータ同化による半導体気相成長モデリング 招待有り

    草場 彰

    日本学術振興会R032委員会第16回研究会  2024年3月8日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 1

  1. 結晶成長デジタルツイン自動構築技術の開発

    2025年6月 - 2030年5月

    国家戦略分野の若手研究者及び博士後期課程学生の育成事業(BOOST)  次世代AI人材育成プログラム(若手研究者支援)

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    直接経費:50000000円 )

科研費 5

  1. 半導体化学気相成長の科学

    研究課題/研究課題番号:24H00432  2024年4月 - 2028年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    寒川義裕, 草場彰, 杉山佳奈美, 新田州吾

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

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  2. 大規模反応ネットワークで捉える気相成長理論の開拓

    研究課題/研究課題番号:24K17619  2024年4月 - 2027年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  若手研究

    草場 彰

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:4680000円 ( 直接経費:3600000円 、 間接経費:1080000円 )

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  3. 無限平面上の離散構造列挙と類似度設計による結晶の表面構造探索

    研究課題/研究課題番号:23H03461  2023年4月 - 2028年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    久保山哲二, 草場彰, 堀山貴史, 宇野毅明, 平田耕一

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

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  4. 炭素ポンプを用いた水素循環制御の研究

    研究課題/研究課題番号:21H04456  2021年4月 - 2026年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    花田和明, 大宅諒, 中村浩章, 齋藤誠紀, 草場彰, 四竈泰一

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

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  5. 表面再構成インフォマティクスによる大規模周期構造の探索

    研究課題/研究課題番号:20K15181  2020年4月 - 2024年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  若手研究

    草場 彰

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:4160000円 ( 直接経費:3200000円 、 間接経費:960000円 )

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