2025/04/20 更新

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オオヤ ヨシノブ
大矢 欣伸
OHYA Yoshinobu
所属
低温プラズマ科学研究センター 半導体ナノプロセス研究部門 特任教授
職名
特任教授

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2016年9月   名古屋大学 ) 

研究キーワード 1

  1. プラズマ診断 プラズマエッチングプロセス 半導体製造用プラズマエッチング装置

研究分野 1

  1. その他 / その他  / プラズマ科学

経歴 2

  1. 名古屋大学   低温プラズマ科学研究センター   特任教授

    2025年4月 - 現在

  2. 名古屋大学   低温プラズマ科学研究センター   客員教授

    2023年12月 - 2025年3月

学歴 3

  1. 名古屋大学   工学研究科   電子情報システム専攻

    2010年10月 - 2013年9月

  2. 名古屋大学   工学研究科   量子工学専攻

    1997年4月 - 1999年3月

  3. 名古屋工業大学   工学部   材料工学科

    1993年4月 - 1997年3月

所属学協会 3

  1. 応用物理学会

  2. 理論化学会

  3. 日本表面真空学会

 

論文 8

  1. Future of plasma etching for microelectronics: Challenges and opportunities 招待有り 査読有り 国際共著 Open Access

    Gottlieb Oehrlein, Stephan Brandstadter, Robert Bruce, Jane Chang, Jessica DeMott, Vincent M. Donnelly, Remi Dussart, Andreas Fischer, Richard Gottscho, Satoshi Hamaguchi, Masanobu Honda, Masaru Hori, Kenji Ishikawa, Steven Jaloviar, Keren Kanarik, Kazuhiro Karahashi, Akiteru Ko, Hiten Kothari, Nobuyuki Kuboi, Mark Kushner, Thorsten Lill, Pingshan Luan, Ali Mesbah, Eric Miller, Shoubhanik Nath, Yoshinobu Ohya, Mitsuhiro Omura, Chanhoon Park, John Polouse, Shahid Rauf, Makoto Sekine, Taylor Smith, Nathan Stafford, Theo Standaert, and Peter Ventzek

    Journal of Vacuum Science Technololgy B   42 巻 ( 4 ) 頁: 041501   2024年7月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1116/6.0003579

    Open Access

  2. An approach to reduce surface charging with cryogenic plasma etching using hydrogen-fluoride contained gases 査読有り

    SN. Hsiao, M. Sekine, K. Ishikawa, Y. Iijima, Y. Ohya, and M. Hori

    Applied Physics Letters   123 巻 ( 21 ) 頁: 212106   2023年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0173553

  3. Study of optical emission spectroscopy using modified Boltzmann plot in dual-frequency synchronized pulsed capacitively coupled discharges with DC bias at low-pressure in Ar/O2/C4F8 plasma etching process 査読有り

    B. B. Sahu, K. Nakane, K. Ishikawa, M. Sekine, T. Tsutsumi, T. Gohira, Y. Ohya, N. Ohnoad and M. Hori

    Physical Chemistry Chemical Physics   22 巻   頁: 13883 - 13896   2022年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/D2CP00289B

  4. Spatial profiles of interelectrode electron density in direct current superposed dual-frequency capacitively coupled plasmas” 査読有り Open Access

    Y. Ohya, K. Ishikawa, T. Komuro, T. Yamaguchi, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, and M. Hori

    Journal of Physics D: Applied Physics   50 巻 ( 15 ) 頁: 155201   2017年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aa60f7

    Open Access

  5. Electron behaviors in afterglow of synchronized dc-imposed pulsed Fuorocarbon-based plasmas 査読有り

    T. Ueyama, Y. Fukunaga, T. Tsutsumi, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Iwata, Y. Ohya, H. Sugai, and M. Hori

    Japanese Journal of Applied Physics   56 巻 ( 6S2 ) 頁: 06HC03   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.06HC03

  6. Rapid electron density decay observed by surface-wave probe in afterglow of pulsed fluorocarbon-based plasma 査読有り

    Y. Ohya, M. Iwata, K. Ishikawa, M.Sekine, M.Hori, and H.Sugai

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 8 ) 頁: 080309   2016年7月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.080309

  7. Formation of a SiOF reaction intermixing layer on SiO2 etching using C4F6/O2/Ar plasmas 査読有り

    Y. Ohya, M. Tomura, K. Ishikawa, M. Sekine, and M. Hori

    Journal of Vacuum Science Technololgy A   34 巻 ( 4 ) 頁: 040602   2016年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.4949570

  8. Photodetachment Study of Capacitively-Coupled RF C4F8 Plasma 査読有り

    A. Kono and Y. Ohya

    Japanese Journal of Applied Physics   39 巻   頁: 1365 - 1368   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.39.1365

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講演・口頭発表等 17

  1. プラズマエッチングの原理と実践

    大矢欣伸

    第18回インキュベーションホール  応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会

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    開催年月日: 2024年9月

    会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

  2. 原理から考える絶縁膜HARエッチング装置の発展と展望

    大矢欣伸

    サタデーモーニング講座  名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター

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    開催年月日: 2023年6月

    会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

  3. シンクロナイズドパルス変調による高アスペクト比エッチング 招待有り

    大矢欣伸

    第140回研究会  日本学術振興会 プラズマ材料科学第153委員会

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    開催年月日: 2019年4月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  4. 高アスペクト比酸化膜プラズマエッチング技術

    大矢欣伸

    第128回合同研究会  日本学術振興会 薄膜第131委員会・プラズマ材料科学第153委員会・半導体界面制御技術第154委員会

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    開催年月日: 2016年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  5. Clarification of a SiOF layer formed on SiO2 under fluorocarbon plasma etching 国際会議

    Y. Ohya, M. Tomura, K. Ishikawa, M. Sekine, and M. Hori

    37th International Symposium on Dry Process 

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    開催年月日: 2015年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  6. パルス変調プラズマエッチング装置における表面波プローブでの電子密度計測

    大矢欣伸,岩田学,菅井秀郎

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  7. ドライエッチング入門~プラズマエッチングの基礎と装置・計測技術~

    大矢欣伸

    電子デバイスフォーラム京都  日本電子デバイス産業協会

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    開催年月日: 2014年10月

    会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

  8. 装置、計測とドライエッチング技術

    大矢欣伸

    第24回 プラズマエレクトロニクス講習会  応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会

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    開催年月日: 2013年11月

    会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

  9. プラズマエッチングの基礎と応用

    大矢欣伸

    第4回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会

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    開催年月日: 2010年9月

    会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

  10. 2周波平行平板エッチング装置を用いたC5F8プラズマ中での電子とラジカルに与える希ガスの影響

    大矢欣伸,丸山幸児,樋口公博,斉藤昌司,永関一也

    プラズマ科学シンポジウム2001/第18回 プラズマプロセシング研究会 

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    開催年月日: 2001年1月

    会議種別:ポスター発表  

  11. レーザー光脱離法によるプロセスプラズマ中の負イオン密度計測

    大矢欣伸,河野明廣

    レーザー学会学術講演会第19回年次大会 

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    開催年月日: 1999年1月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  12. C4F8プラズマ中の負イオン密度計測

    大矢欣伸,河野明廣

    第59回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 1998年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  13. 低密度RF C4F8プラズマ中の負イオン密度計測

    大矢欣伸,河野明廣

    電気関係学会東海支部連合大会 

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    開催年月日: 1998年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  14. 開放型マイクロ波共振器を用いたプラズマ中の電子密度計測

    大矢欣伸,広瀬敏,河野明廣,後藤俊夫

    第45回応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 1998年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  15. RF C4F8プラズマ中の荷電粒子の振る舞い

    大矢欣伸,広瀬敏,河野明廣,後藤俊夫

    第15回 プラズマプロセシング研究会 

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    開催年月日: 1998年1月

  16. C4F8プラズマ中の電子付着速度

    大矢欣伸,広瀬敏,河野明廣,後藤俊夫

    第58回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 1997年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  17. 低密度rf C4F8プラズマ中の電子付着速度

    大矢欣伸,広瀬敏,河野明廣,後藤俊夫

    電気関係学会東海支部連合大会 

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    開催年月日: 1997年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

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