研究者詳細 - 今井　友貴

2026/03/30 更新

写真a

イマイ　ユウキ

今井　友貴

IMAI Yuki

所属

大学院工学研究科電子工学専攻情報デバイス工学助教

大学院担当

大学院工学研究科

学部担当

工学部電気電子情報工学科

外部リンク

学位 1

博士（工学）（ 2024年3月名古屋大学）

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研究キーワード 4

Si系量子ドットの自己組織化形成
Si系薄膜の成長
ナノスケールシリサイド/Si界面制御
極薄シリサイド薄膜

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研究分野 6

自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / Si系薄膜のエピタキシャル成長
自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / Si系ナノドットの自己組織化形成
自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / 絶縁膜上への高結晶性シリサイド極薄膜形成
自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / シリサイド/Si系薄膜ナノSchottky接合界面における電荷輸送特性
自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / 減圧化学気相成長法を用いた原子層不純物添加
自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / Si系太陽電池の出力損失機構

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現在の研究課題とSDGs 2

オンシリコン多接合太陽電池への応用が期待されるシリコン基板上シリコンゲルマニウム薄膜の非真空成長と評価に関する研究開発
次世代電界効果トランジスター応用に向けた極薄シリサイド/Si系半導体ナノSchottky接合の低コンタクト抵抗化技術に関する研究

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経歴 2

名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻情報デバイス工学助教

2025年3月 - 現在
名古屋大学未来社会創造機構脱炭素社会創造センターイノベーション部門特任助教

2024年4月 - 2025年2月

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学歴 3

名古屋大学工学研究科電子工学専攻博士後期課程

2021年4月 - 2024年3月

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国名：日本国
名古屋大学工学研究科電子工学専攻博士前期課程

2019年4月 - 2021年3月

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国名：日本国
岐阜大学工学部電気電子・情報工学科電気電子コース

2015年4月 - 2019年3月

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国名：日本国

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所属学協会 2

日本表面真空学会

2021年12月 - 現在
応用物理学会

2019年1月 - 現在

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委員歴 2

応用物理学会・薄膜表面物理分科会電子デバイス界面テクノロジー研究会 EDIT31 運営委員

2025年4月 - 現在

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団体区分：学協会
The Japan Society of Applied Physics, Thin Film and Surface Physics Division ISCSI-X Vice-Chairs

2025年3月 - 現在

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団体区分：学協会

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受賞 2

第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会研究会活性化奨励賞

2023年1月応用物理学会薄膜・表面物理分科会

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受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞受賞国：日本国
ISCSI-IX Young Researcher Award

2022年9月 Alignment Control of Si-based Quantum Dots

Yuki Imai, Ryoya Tsuji, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki

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受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞受賞国：日本国

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論文 13

Formation of one-dimensionally self-aligned Si-QDs and their local electron discharging properties 査読有り国際共著

Imai, Y; Makihara, K; Yamamoto, Y; Wen, WC; Schubert, MA; Baek, J; Tsuji, R; Taoka, N; Ohta, A; Miyazaki, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63 巻 ( 4 ) 2024年4月

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担当区分：筆頭著者掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics

Self-aligned Si-quantum-dots (Si-QDs) with an areal density as high as ∼10<sup>11</sup> cm<sup>−2</sup> have been fabricated on ultrathin SiO<inf>2</inf> by using a ∼4.5 nm thick poly-Si on insulator (SOI) substrate, and controlling low-pressure CVD using monosilane (SiH<inf>4</inf>), and followed by thermal oxidation. By controlling the thermal oxidation processes of Si-QDs and the poly-Si layer, we have successfully demonstrated the vertical alignment of Si-QDs, where the Si-QDs are also used as a shadow mask of the underlying poly-Si layer. We also demonstrated in-plane alignment of the one-dimensionally self-aligned Si-QDs on line-patterned SiO<inf>2</inf>. In addition, from surface potential measurements by using atomic force microscopy/Kelvin probe force microscopy, we confirmed that the initial surface potential change caused by valence electron extraction from the dots to the tip was stably maintained until ∼120 min, implying the quantum confinement effect at discrete energy levels of the upper and lower-QDs.

DOI： 10.35848/1347-4065/ad38f7

Web of Science

Scopus
Alignment control of self-assembling Si quantum dots 査読有り

Yuki Imai, Ryoya Tsuji, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki

Materials Science in Semiconductor Processing 162 巻 ( 107526 ) 2023年8月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mssp.2023.107526
Characterization of electronic charged states of high density self-aligned Si-based quantum dots evaluated with AFM/Kelvin probe technique 査読有り Open Access

Yuki Imai, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki

Japanese Jounal of Applied Physics 61 巻 ( SD ) 頁： 1012-1 - 1012-5 2022年4月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ac61aa
Interface Chemistry and the Role of an LiF Interlayer in TiO<i><sub>x</sub></i>/Al Electron-Selective Passivating Contacts for Crystalline Si Solar Cells: Insights from Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 査読有り

Fukaya, S; Gotoh, K; Nishihara, T; Sai, H; Kurokawa, Y; Katsube, R; Imai, Y; Usami, N; Matsui, T

ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES 18 巻 ( 7 ) 頁： 12093 - 12103 2026年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：ACS Applied Materials and Interfaces

Titanium oxide (TiO<inf>x</inf>) has emerged as a promising dopant-free electron-selective contact material for crystalline silicon (Si) solar cells owing to its excellent surface passivation capability. However, direct metallization with low work function metals such as aluminum (Al) severely degrades this passivation, underscoring the critical importance of interfacial control for practical applications. In this study, hard X-ray photoelectron spectroscopy (HAXPES) is employed to directly probe the buried n-Si/TiO<inf>x</inf>/Al interfaces, enabling chemical and electronic analysis even beneath metallic overlayers─an ability that is crucial for realistic device architectures. The measurements reveal that Al deposition induces a pronounced chemical reduction of TiO<inf>x</inf>, which is the primary cause of passivation loss. Remarkably, introducing an ∼2-nm-thick LiF interlayer between TiO<inf>x</inf> and Al not only suppresses this interfacial reduction but also tunes the band alignment by lowering the electron energy barrier at the n-Si/TiO<inf>x</inf> interface by ∼0.1 eV, thereby promoting Ohmic carrier transport while preserving passivation. As a result, open-circuit voltages of 661 and 683 mV are demonstrated in full-area and locally metallized device designs, respectively. These insights highlight how interfacial engineering governs both chemical stability and carrier selectivity, offering a versatile design strategy that extends to a broad spectrum of Si-based devices.

DOI： 10.1021/acsami.5c21863

Web of Science

Scopus

PubMed
A transparent hole-selective passivating contact for crystalline silicon solar cells: niobium-titanium oxide formed by atomic layer deposition 査読有り

Fukaya, S; Gotoh, K; Kurokawa, Y; Katsube, R; Imai, Y; Usami, N

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 65 巻 ( 2 ) 2026年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ae3672

Web of Science
Study on dry etching of epitaxially grown Si<sub>0.7</sub>Ge<sub>0.3</sub> and Si using H<sub>2</sub> diluted CF<sub>4</sub> plasma 査読有り国際共著

Ozaki, K; Imai, Y; Tsutsumi, T; Imai, Y; Takada, N; Ishikawa, K; Yamamoto, Y; Wen, WC; Makihara, K

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 64 巻 ( 7 ) 2025年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics Part 1 Regular Papers and Short Notes and Review Papers

The influence of H<inf>2</inf> dilution on CF<inf>4</inf>-plasma etching of Si<inf>0.7</inf>Ge<inf>0.3</inf> on Si(001) and Si on Si<inf>0.7</inf>Ge<inf>0.3</inf>/Si(001) was investigated. Selective etching of Si<inf>0.7</inf>Ge<inf>0.3</inf> with respect to Si was achieved without H<inf>2</inf> dilution, with the selectivity ratio of approximately 5.0. As the H<inf>2</inf> dilution ratio increased, the etch rate of Si<inf>0.7</inf>Ge<inf>0.3</inf> decreased monotonically, while that of Si remains nearly unchanged up to 5% H<inf>2</inf> dilution and the etch rate decreased by further H<inf>2</inf> dilution. With an increase in the H<inf>2</inf> dilution, fluorocarbon deposition on Si<inf>0.7</inf>Ge<inf>0.3</inf> and Si surface increased, resulting in suppression of surface roughening. Note that, the selectivity ratio of approximately 3.5 with keeping a surface flatness was achieved with 5% H<inf>2</inf> dilution. Furthermore, fluorocarbon passivation was more prominent on Si than Si<inf>0.7</inf>Ge<inf>0.3</inf>. We demonstrated lateral selective etching of Si<inf>0.7</inf>Ge<inf>0.3</inf> by etching of the 〈110〉-oriented sidewalls of Si<inf>0.7</inf>Ge<inf>0.3</inf>/Si/Si<inf>0.7</inf>Ge<inf>0.3</inf> stacked layers. These results are applicable to Si-nanosheet fabrication for gate-all-around field-effect transistors.

DOI： 10.35848/1347-4065/adea81

Web of Science

Scopus
Self-aligned one-dimensional array of silicon quantum dots on SiO<sub>2</sub> line patterns 査読有り Open Access

Baek, J; Tsuji, R; Imai, Y; Miyazaki, S; Makihara, K

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 64 巻 ( 5 ) 2025年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics Part 1 Regular Papers and Short Notes and Review Papers

We demonstrated highly selective growth and positioning of Si quantum dots (QDs) on SiO₂ patterns by controlling the reactive area whose surface is terminated with OH bonds for the Si nucleation in low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) using SiH<inf>4</inf>, and evaluated the effects of line and space pattern width on QD growth. Although hemispherical QDs were predominantly formed when the line width was ∼50 nm or greater, elliptical QD shapes became more prevalent as the line width decreased to ∼30 nm or less, resulting in reduced size uniformity. However, it was found that one-dimensional arrays of elliptical QDs with good size uniformity can be realized with line widths of ∼25 nm and space widths of ∼50 nm. Furthermore, by designing a line and space pattern considering the migration length of the Si precursor during the SiH<inf>4</inf>-LPCVD, we successfully formed two-dimensional self-aligned Si-QDs with high uniformity to form a closest-packing structure.

DOI： 10.35848/1347-4065/adcc3b

Open Access

Web of Science

Scopus
Study of dot size effect on electron emission from Si-QDs multiple-stacked structures 査読有り

Baek, J; Makihara, K; Obayashi, S; Imai, Y; Taoka, N; Miyazaki, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63 巻 ( 9 ) 2024年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics Part 1 Regular Papers and Short Notes and Review Papers

We have fabricated diodes with different sized Si quantum dots (QDs) by precisely controlled low-pressure chemical vapor deposition using a pure SiH<inf>4</inf> gas and studied the effect of dot size on field electron emission properties of their multiple‒stacked structures. At an applied bias of ∼9 V, the emission current of ∼4.0 nm height dot‒stacks is two orders of magnitude higher than that of ∼5.9 nm height dot‒stacks. These results can be interpreted in terms of an increase in the number of electrons with higher kinetic energy due to the increase in discrete energy levels associated with the reduction in the dot size, which suppresses electron scattering within the dot, and the electric field concentration resulting from the decrease in the curvature of the dot.

DOI： 10.35848/1347-4065/ad759b

Web of Science

Scopus
Self-assembling mechanism of Si-QDs on thermally grown SiO<sub>2</sub> 査読有り

Baek, J; Imai, Y; Tsuji, R; Makihara, K; Miyazaki, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63 巻 ( 4 ) 2024年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics

The self-assembling formation of Si quantum dots (Si-QDs) on as-grown SiO<inf>2</inf> layers was shown by controlling the early stages of low-pressure chemical vapor deposition of SiH<inf>4</inf>. The QD height and radius distributions assessed by atomic force microscopy and scanning electron microscopy images revealed that the Si-QDs become hemispherical due to them being rate-limited by aggregation, which reduces the surface energy at substrate temperatures above ∼580 °C. Moreover, at temperatures below ∼580 °C, semi-ellipsoidal shaped Si-QDs are formed because the precursor supply is a dominant factor.

DOI： 10.35848/1347-4065/ad2fe1

Web of Science

Scopus
Self-assembling formation of Si-QDs on SiO<sub>2</sub> line patterns 査読有り

Tsuji, R; Imai, Y; Baek, J; Makihara, K; Miyazaki, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63 巻 ( 3 ) 頁： SP04-1 - SP04-4 2024年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics

The lateral growth of Si-quantum dots (QDs) on line-patterned SiO<inf>2</inf> from the thermal decomposition of pure monosilane (SiH<inf>4</inf>) has been systematically examined. We confirmed that the Si-QDs diameter in the line direction of the SiO<inf>2</inf> patterns has the same growth rate as the SiO<inf>2</inf> thin film surface without the line patterns. Moreover, it has been found that in the growth of Si-QDs in the width direction, a surface migration of Si precursors adsorbed from space regions could contribute to dots growth on line-patterned SiO<inf>2</inf>, which results in an elliptical growth. Furthermore, we have demonstrated a one-dimensional arrangement of highly dense-elliptical shaped Si-QDs with high uniformity in size by controlling line width, CVD time, and temperature.

DOI： 10.35848/1347-4065/ad1ca0

Web of Science

Scopus
Room Temperature Light Emission from Superatom-like Ge–Core/Si–Shell Quantum Dots 査読有り国際共著 Open Access

Katsunori Makihara, Yuji Yamamoto, Yuki Imai, Noriyuki Taoka, Markus Andreas Schubert, Bernd Tillack, and Seiichi Miyazaki

Nanomaterials 13 巻 ( 1475 ) 2023年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3390/nano13091475

Open Access
Study on silicidation reaction of Fe nanodots with SiH₄ 査読有り

Hiroshi Furuhata, Katsunori Makihara, Yosuke Shimura, Shuntaro Fujimori, Yuki Imai, Akio Ohta, Noriyuki Taoka, and Seiichi Miyazaki

Applied Physics Express 15 巻 ( 5 ) 頁： 055503-1 - 055503-4 2022年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1882-0786/ac6727
Characterization of Light Emission Properties of Impurity Doped Ge/Si Core–Shell Quantum Dots 査読有り

Seiichi Miyazaki, Yuki Imai, and Katsunori Makihara

ECS Transactions 109 巻 ( 4 ) 頁： 335 - 341 2022年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/10904.0335ecst

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講演・口頭発表等 63

Ti膜/シリカフィラー含有エポキシ樹脂界面の化学結合状態評価

今井友貴, 尾崎孝太朗, 佐分利伊吹, 牧原克典

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月18日応用物理学会

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開催年月日： 2026年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学大岡山キャンパス, 東京国名：日本国
エピタキシャル成長したSi_0.7Ge_0.3薄膜におけるHBrプラズマによるドライエッチング国際共著

石井聡太, 尾崎孝太朗, 矢野瑛汰, 佐分利伊吹, 今井友貴, 堤隆嘉, 石川健治, Yamamoto Yuji, Wen Wei-Chen , 牧原克典

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月17日応用物理学会

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開催年月日： 2026年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学大岡山キャンパス, 東京国名：日本国
極薄a-Si/Ni/SOI構造におけるシリサイド化反応-Ni膜厚依存性

足立将剛, 今井友貴, 鷲岡拓宙, 田岡紀之, 牧原克典

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月17日応用物理学会

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開催年月日： 2026年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学大岡山キャンパス, 東京国名：日本国
熱処理温度が極薄Si/Ni/SOI構造のシリサイド化反応に及ぼす影響

鷲岡拓宙, 今井友貴, 足立将剛, 佐分利伊吹, 田岡紀之, 尾崎孝太朗, 牧原克典

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月17日応用物理学会

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開催年月日： 2026年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学大岡山キャンパス, 東京国名：日本国
高密度Siナノドット集積構造のパルス電圧依存性

窪田遥斗, 白鍾銀, 今井友貴, 田岡紀之, 牧原克典

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月18日応用物理学会

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開催年月日： 2026年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学大岡山キャンパス, 東京国名：日本国
CF₄/H₂プラズマ照射がSiおよびSi_0.7Ge_0.3の表面反応に及ぼす影響国際共著

佐分利伊吹, 尾崎孝太朗, 今井友貴, 堤隆嘉, 石川健治, Yamamoto Yuji, Wen Wei-Chen , 牧原克典

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月17日応用物理学会

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開催年月日： 2026年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学大岡山キャンパス, 東京国名：日本国
Influence of Radical Behavior on Si and Si_0.7Ge_0.3 Surface Reactions during CF₄/H₂ Plasma Exposure 国際共著国際会議

Ibuki Sasburi, Yuki Imai, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Yuji Yamamoto, Wei-Chen Wen, and Katsunori Makihara

2026年3月4日

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開催年月日： 2026年3月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

国名：日本国
Charge Decay Characteristics of Multiple-Stacked Si Nanodots 国際会議

Haruto Kubota, Jongeun Baek, Yuki Imai, Noriyuki Taoka, and Katsunori Makihara

2026年3月4日

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開催年月日： 2026年3月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

国名：日本国
CF₄/H₂プラズマ照射がSiおよびSi_0.7Ge_0.3表面に及ぼす影響国際共著

佐分利伊吹, 尾崎孝太朗, 今井友貴, 堤隆嘉, 石川健治, Yuji Yamamoto, Wei-Chen Wen, 牧原克典

第31回電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― 2026年1月29日応用物理学会薄膜・表面物理分科会

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開催年月日： 2026年1月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：東レ総合研修センター, 三島, 静岡国名：日本国
Study on Si-Nanosheet Formation from Si_0.7Ge_0.3/Si/Si_0.7Ge_0.3 Stacked Layers with CF₄/H₂ Plasma 国際共著国際会議

Kotaro Ozaki, Yusuke Imai, Takayoshi Tsutsumi, Yuki Imai, Kenji Ishikawa, Yuji Yamamoto, Wei-Chen Wen, and Katsunori Makihara

2025年12月13日

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開催年月日： 2025年12月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

国名：日本国
Formation of Ultrathin Single-Crystalline NiSi₂-On-Insulator Through RTA of Ultrathin a-Si/Ni Layered Structures Formed on SOI Substrates 国際共著国際会議

Yuki Imai, Shun Tanida, Yuji Yamamoto, Noriyuki Taoka, and Katsunori Makihara

2025年11月18日

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開催年月日： 2025年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Evaluation of Si-Nanosheets Formed by CF₄/H₂ Plasma Etching of Si_0.7Ge_0.3/Si/Si_0.7Ge_0.3 Stacked Structures 国際共著国際会議

Kotaro Ozaki, Yusuke Imai, Yuki Imai, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Yuji Yamamoto, Wei-Chen Wen, Ibuki Saburi, and Katsunori Makihara

2025年11月18日

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開催年月日： 2025年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Charge Transport Properties through Multiple-Stacked Si Nanodots 国際会議

Haruto Kubota, Jongeun Baek, Yuki Imai, Noriyuki Taoka, and Katsunori Makihara

2025年11月18日

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開催年月日： 2025年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Radical Effects on Si and Si_0.7Ge_0.3 during CF₄/H₂ Plasma Exposure 国際共著国際会議

Ibuki Sasburi, Yuki Imai, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Yuji Yamamoto, Wei-Chen Wen, and Katsunori Makihara

2025年11月18日

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開催年月日： 2025年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Epitaxial growth of SiGe with thick G-rich regions on Si(111) substrates by screen-printing and annealing 国際会議

Kohei Ito, Ryoji Katsube, Yuki Imai, Satoru Miyamoto, Shota Suzuki, Hideaki Minamiyama, Marwan Dhamrin, and Noritaka Usami

2025年11月12日

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開催年月日： 2025年11月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

国名：日本国
Formation of Ultrathin Single-Crystalline NiSi₂-On-Insulator Through RTA of Ultrathin a-Si/Ni Layered Structures Formed on SOI Substrates 国際共著国際会議

Yuki Imai, Shun Tanida, Yuji Yamamoto, Noriyuki Taoka, and Katsunori Makihara

2025年11月11日

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開催年月日： 2025年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Formation of Ultrathin Single-Crystalline NiSi₂-On-Insulator via Rapid Thermal Annealing of a-Si/Ni/SOI Stacked Structures 国際共著国際会議

Yuki Imai, Shun Tanida, Yuji Yamamoto, Noriyuki Taoka, and Katsunori Makihara

2025年9月11日

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Al–Ge/Si構造の熱処理で形成するSiGe薄膜の近赤外透過偏光顕微鏡による結晶欠陥評価

岩田茉奈実, 勝部涼司, 今井友貴, 鈴木紹太, 南山偉明, ダムリンマルワン, 宇佐美徳隆

第 86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月9日応用物理学会

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：名城大学塩釜口キャンパス, 名古屋, 愛知国名：日本国
In融液の完全濡れ現象を利用したSi基板上へのInPの直接製膜

松永太陽, 今井友貴, 宇佐美徳隆, 勝部涼司

第 86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月9日応用物理学会

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名城大学塩釜口キャンパス, 名古屋, 愛知国名：日本国
Si_0.7Ge_0.3/Si/Si_0.7Ge_0.3積層構造のCF₄/H₂プラズマエッチングにより形成したSiナノシートの欠陥評価国際共著

尾崎孝太朗, 今井祐輔, 今井友貴, 堤隆嘉, 石川健治, 山本裕司, Wen Wei-Chen, 牧原克典

第 86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月9日応用物理学会

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名城大学塩釜口キャンパス, 名古屋, 愛知国名：日本国
Siナノドット多重集積構造における電荷輸送特性

窪田遥斗, 今井友貴, 白鍾銀, 田岡紀之, 牧原克典

第 86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月9日応用物理学会

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名城大学塩釜口キャンパス, 名古屋, 愛知国名：日本国
パルスレーザーを用いた溶融・非平衡凝固による高Sn組成Ge_1-xSn_x混晶製膜プロセスの構築

鈴木祐介, 勝部涼司, 今井友貴, 鈴木紹太, 南山偉明, ダムリンマルワン, 柴山茂久, 中塚理, 宇佐美徳隆

第 86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月8日応用物理学会

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名城大学塩釜口キャンパス, 名古屋, 愛知国名：日本国
極薄a-Si/Ni/SOI積層構造の急速熱処理によるSiO₂上単結晶NiSi₂の形成国際共著

今井友貴, 谷田駿, 山本裕司, 田岡紀之, 牧原克典

第 86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月9日応用物理学会

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名城大学塩釜口キャンパス, 名古屋, 愛知国名：日本国
Electron Transport Properties of Multiple-Stacked Si Nanodots 国際会議

Haruto Kubota, Jongeun Baek, Yuki Imai, Noriyuki Taoka, and Katsunori Makihara

2025年7月4日

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開催年月日： 2025年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
GeH₄-CVDによるSi(111)基板上SiGe層におけるGe組成の向上

今井友貴, 伊藤耕平, 勝部涼司, 宮本聡, 鈴木紹太, 南山偉明, ダムリンマルワン, 宇佐美徳隆

第 72 回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月16日応用物理学会

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開催年月日： 2025年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京理科大学野田キャンパス, 千葉国名：日本国
MAPbI₃/SiGe タンデム太陽電池を指向したSi基板状SiGeの組成・製膜プロセス設計

八木健太, 勝部涼司, 今井友貴, 伊藤耕平, 鈴木紹太, 南山偉明, ダムリンマルワン, 宇佐美徳隆

第 72 回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月17日応用物理学会

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開催年月日： 2025年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京理科大学野田キャンパス, 千葉国名：日本国
Si基板上に形成した高Ge組成SiGe薄膜のクラック低減に向けた熱処理条件の検討

伊藤耕平, 勝部涼司, 今井友貴, 宮本聡, 鈴木紹太, 南山偉明, ダムリンマルワン, 宇佐美徳隆

第 72 回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月15日応用物理学会

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開催年月日： 2025年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京理科大学野田キャンパス, 千葉国名：日本国
Effect of GeHH₄-CVD conditions on the Ge compositions of SiGe films on Si(111) substrate 国際会議

uki Imai, Kohei Ito, Ryoji Katsube, Satoru Miyamoto, Shota Suzuki, Hideaki Minamiyama, Marwan Dhamrin, and Noritaka Usami

2025年3月13日

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開催年月日： 2025年3月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

国名：日本国
Impact of growth conditions in UHV-CVD on the Ge composition in SiGe layers on Si substrate 国際会議

Yuki Imai, Kohei Ito, Ryoji Katsube, Satoru Miyamoto, Shota Suzuki, Hideaki Minamiyama, Marwan Dhamrin, and Noritaka Usami

2025年3月2日

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開催年月日： 2025年3月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

国名：日本国
印刷とアニールにより形成したSiGe薄膜に及ぼすアニール条件の影響

伊藤耕平, 宮本聡, 勝部涼司, 今井友貴, 鈴木紹太, 南山偉明, ダムリンマルワン, 宇佐美徳隆

第11回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 2024年11月2日応用物理学会

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開催年月日： 2024年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋大学東山キャンパス, 名古屋, 愛知国名：日本国
スクリーン印刷と焼成による厚いGe-rich領域を伴うSiGe薄膜のSi基板上へのエピタキシャル成長

伊藤耕平, 勝部涼司, 今井友貴, 宮本聡, 鈴木紹太, 南山偉明, ダムリンマルワン, 宇佐美徳隆

第 85 回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日応用物理学会

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：朱鷺メッセほか, 新潟国名：日本国
Selective Growth of Si Quantum Dots on SiO₂ Line Patterns 国際会議

Jongeun Baek, Ryoya Tsuji, Yuki Imai, Seiichi Miyazaki, and Katsunori Makihara

2024年7月8日

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開催年月日： 2024年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
SiO₂ラインパターン上へのSi量子ドットの自己組織化形成-ラインおよびスペース幅依存性

白鍾銀, 辻綾哉, 今井友貴, 牧原克典, 宮﨑誠一

第71回応用物理学会秋季学術講演会 2024年3月25日応用物理学会

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京都市大学世田谷キャンパス, 東京国名：日本国
極薄熱酸化SiO₂上の自己組織化Si量子ドットの形成機構

白鍾銀, 今井友貴, 辻綾哉, 牧原克典, 宮﨑誠一

第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― 2024年2月1日応用物理学会薄膜・表面物理分科会

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開催年月日： 2024年1月 - 2024年2月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：東レ総合研修センター, 三島, 静岡国名：日本国
一次元連結・高密度Si量子ドットの形成と局所帯電特性評価

今井友貴, 牧原克典, 山本裕司, Wen Wei-Chen, Schubert Andreas Markus, 辻綾哉, 白鍾銀, 宮﨑誠一

第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― 2024年2月1日応用物理学会薄膜・表面物理分科会

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開催年月日： 2024年1月 - 2024年2月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：東レ総合研修センター, 三島, 静岡国名：日本国
Self-Assembling Mechanism of Si-QDs on Thermally-Grown SiO₂ 国際会議

Jongeun Baek, Yuki Imai, Ryoya Tsuji, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai, Miyagi 国名：日本国
Formation and Local Electron Charging Properties of One-Dimensionally Self-Aligned Si-QDs 国際共著国際会議

Yuki Imai, Katsunori Makihara, Yuji Yamamoto, Wei-Chen Wen, Markus Andreas Schubert, Jongeun Baek, Ryoya Tsuji, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai, Miyagi

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University 国名：日本国
Formation of One-Dimensionally Aligned Si-QDs on SiO₂ Line-Patterns 国際共著国際会議

Ryoya Tsuji, Yuki Imai, Jongeun Baek, Katsunori Makihara, and Seiichi Miyazaki

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai, Miyagi 国名：日本国
Growth Mechanisms of Self-Assembling Si-QDs on Thermally-Grown SiO₂ 国際会議

Jongeun Baek, Yuki Imai, Ryoya Tsuji, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki

35th International Microprocess and Nanotechnology Conference (MNC 2023) 2023年11月 JSAP

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Keio Plaza Hotel Sapporo, Sapporo, Hokkaido 国名：日本国
一次元連結Si量子ドットの高密度・一括形成と局所帯電特性評価

今井友貴, 牧原克典, 山本裕司, Wen Wei-Chen, Schubert Andreas Markus, 辻綾哉, 白鍾銀, 宮﨑誠一

第10回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 2023年11月3日応用物理学会東海支部

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語

開催地：名古屋大学東山キャンパス, 名古屋, 愛知国名：日本国
極細SiO₂ラインパターン上へのSi量子ドットの自己組織化形成

辻綾哉, 今井友貴, 白鍾銀, 牧原克典, 宮﨑誠一

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月20日応用物理学会

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホールほか3会場, 熊本国名：日本国
熱酸化SiO₂上へ自己組織化形成したSi量子ドットの成長機構

白鍾銀, 今井友貴, 辻綾哉, 牧原克典, 宮﨑誠一

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月20日応用物理学会

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホールほか3会場, 熊本国名：日本国
一次元縦積み連結Si量子ドットの形成と局所帯電特性評価国際共著

今井友貴, 牧原克典, 山本裕司, Wen Wei-Chen, Schubert Andreas Markus, 白鍾銀, 辻綾哉, 宮﨑誠一

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月20日応用物理学会

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホールほか3会場, 熊本国名：日本国
Self-Assembling Formation of Si-QDs on SiO₂ Line-Patterns 国際会議

Ryoya Tsuji, Yuki Imai, Jongeun Baek, Katsunori Makihara, and Seiichi Miyazaki

JSAP 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023年9月 JSAP

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya Congress Center, Nagoya, Aichi 国名：日本国
Formation of One-Dimensionally Self-Aligned Si-QDs and Their Local Electron Charging Properties 国際共著国際会議

Yuki Imai, Katsunori Makihara, Yuji Yamamoto, Wei-Chen Wen, Markus Andreas Schubert, Jongeun Baek, Ryoya Tsuji, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki

JSAP 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023年9月 JSAP

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya Congress Center, Nagoya, Aichi 国名：日本国
Impact of Dot Size on Electron Emission from Multiple-Stacked Si-QDs 国際会議

Katsunori Makihara, Shuji Obayashi, Yuki Imai, Noriyuki Taoka, and Seiichi Miyazaki

JSAP 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023年9月 JSAP

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Nagoya Congress Center, Nagoya, Aichi 国名：日本国
Formation and luminescence studies of Ge/Si core-shell quantum dots 招待有り国際会議

Seiichi Miyazaki, Katsunori Makihara, and Yuki Imai

2023 International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistor 2023年5月

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開催年月日： 2023年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：Otaru, Hokkaido 国名：日本国
Si 量子ドットの一次元配列制御

辻綾哉, 今井友貴, 牧原克典, 田岡紀之, 大田晃生, 宮﨑誠一

第 69 回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月23日応用物理学会

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川国名：日本国
極薄SiO₂/Poly-Si/SiO₂上に形成したSi量子ドットの局所帯電特性国際共著

今井友貴, 牧原克典, 山本裕司, Wen Wei-Chen, 田岡紀之, 大田晃生, 宮﨑誠一

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月17日応用物理学会

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：上智大学四谷キャンパス, 東京国名：日本国
Electroluminescence from High Density Ge/Si Quantum Dots on Sub-micron Patterned Si Wires 国際会議

Yuki Imai, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki

ISPlasma2023/IC-PLANT2023 2023年3月

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Gifu University, Gifu, Gifu 国名：日本国
AFM/ケルビンプローブモードによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの帯電状態評価

今井友貴, 牧原克典, 田岡紀之, 大田晃生, 宮﨑誠一

第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― 2023年2月3日応用物理学会薄膜・表面物理分科会

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開催年月日： 2023年2月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：東レ総合研修センター, 三島, 静岡国名：日本国
Formation of Fe-silicide-NDs and Characterization of Their PL Properties 国際会議

Haruto Saito, Katsunori Makihara, Yoshiaki Hara, Shuntaro Fujimori, Yuki Imai, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai, Miyagi 国名：日本国
Electronic Charged States of High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots as Evaluated by Using an AFM/Kelvin Probe Technique 国際会議

Yuki Imai, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月24日 esearch Institute of Electrical Communication, Tohoku University

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：esearch Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai, Miyagi 国名：日本国
Alignment Control of Si-based Quantum Dots 国際会議

Yuki Imai, Ryoya Tsuji, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki

The 3rd International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices (IWAN) 2022年11月28日

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：IHP, Frankfurt an der oder, Brandenburg 国名：ドイツ連邦共和国
高温短時間熱処理による極薄SiO₂上に形成したa-Si膜の結晶化

今井友貴, 牧原克典, 田岡紀之, 大田晃生, 宮﨑誠一

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日応用物理学会

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東北大学川内北キャンパス, 仙台, 宮城国名：日本国
Alignment Control of Self-Assembling Si Quantum Dots

Yuki Imai, Ryoya Tsuji, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces Technical Program (ISCSI-IX) 2022年9月

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya University, Higashiyama Campus, Nagoya, Aichi 国名：日本国
Structural and Light-emission Properties of High-density Superatom-like Ge-core/Si-shell Quantum Dots 国際共著国際会議

Katsunori Makihara, Yuji Yamamoto, Yuki Imai, Noriyuki Taoka, Markus Andreas Schubert, Bernd Tillack, and Seiichi Miyazaki

Katsunori Makihara, Yuji Yamamoto, Yuki Imai, Noriyuki Taoka, Markus Andreas Schubert, Bernd Tillack, and Seiichi Miyazaki 2022年9月6日

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya University Higashiyama Campus, Nagoya, Aichi 国名：日本国
AFM/KFM による超高密度一次元連結 Si 系量子ドットの局所帯電電荷分布計測

今井友貴, 牧原克典, 田岡紀之, 大田晃生, 宮﨑誠一

第 21 回日本表面真空学会中部支部学術講演会 2021年12月18日日本表面真空学会中部支部

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開催年月日： 2021年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Characterization of Electronic Charged States of High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots Evaluated with AFM/Kelvin Probe Technique 国際会議

Yuki Imai, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki

34th International Microprocess and Nanotechnology Conference (MNC 2021) 2021年10月 JSAP

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開催年月日： 2021年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
AFM/KFM による超高密度一次元連結 Si 系量子ドットの局所帯電電荷計測

今井友貴, 牧原克典, 田岡紀之, 大田晃生, 宮﨑誠一

第 82 回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日応用物理学会

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
GeコアSi量子ドットにおけるGe選択成長温度が発光特性に及ぼす影響

藤森俊太郎, 前原拓哉, 今井友貴, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月19日応用物理学会

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学札幌キャンパス, 札幌, 北海道国名：日本国
Power Loss Mechanisms of Ultra Thin a-Si:H/c-Si Heterojunction Solar Cells with over 20% Efficiencies 国際会議

Yuki Imai, Hitoshi Sai, Masayuki Kozawa, Mayumi Tanabe, Takuya Matsui, and 〇Hiroyuki Fujiwara

The 36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC) 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Marseille 国名：フランス共和国
超薄型 a-Si:H/c-Si ヘテロ接合太陽電池の光学損失解析

今井友貴, 齋均, 小沢将征, 田辺まゆみ, 松井卓矢, 藤原裕之

第 66 回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月9日応用物理学会

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開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学, 東京国名：日本国

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その他研究活動 1

 文部科学省「科学技術イノベーション創出に向けた大学フェローシップ創設事業」、2023 年度名古屋大学融合フロンティアフェローシップ、量子科学分野, 優秀フェロー

2023年

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共同研究・競争的資金等の研究課題 1

次世代ICパッケージ基板の小径ビア・微細配線形成に必要なドライプロセスの研究

2025年4月 - 現在

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担当区分：研究分担者資金種別：産学連携による資金

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産業財産権 1

配線基板

牧原克典、今井友貴、酒井純、吉川恭平

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出願人：国立大学法人東海国立大学機構、イビデン株式会社

出願番号：C20250550 出願日：2026年2月

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担当経験のある科目 (本学) 15

固体電子工学及び演習

2025
電子工学特別実験及び演習

2025
機能集積デバイスセミナー1C

2025
機能集積デバイスセミナー1A

2025
機能集積デバイスセミナー2E

2025
機能集積デバイスセミナー2C

2025
機能集積デバイスセミナー2A

2025
機能集積デバイスセミナー2D

2025
機能集積デバイスセミナー2B

2025
機能集積デバイスセミナー1D

2025
機能集積デバイスセミナー1B

2025
電気電子情報工学実験第1

2025
電気電子情報工学実験第2

2025
自動車工学実験1

2025
熱・統計力学

2025

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担当経験のある科目 (本学)の先頭へ▲

社会貢献活動 2

テクノフロンティアセミナー (TEFS) 2025

役割：企画,　実演

2025年8月
2025年再生可能エネルギー世界展示会

役割：実演

2025年1月

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学術貢献活動 1

UPWARDS夏季受入特別プログラム2025 国際学術貢献

役割：企画立案・運営等

2025年3月 - 現在

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