2024/10/04 更新

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ホンダ アンナ
本田 杏奈
HONDA Anna
所属
未来材料・システム研究所 附属高度計測技術実践センター 特任助教
職名
特任助教
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学位 2

  1. 博士(工学) ( 2008年3月   名古屋大学 ) 

  2. 修士(工学) ( 2005年3月   名古屋大学 ) 

研究キーワード 4

  1. ナノプロセス

  2. 不純物挙動

  3. キャリアダイナミクス

  4. 半導体結晶欠陥

研究分野 3

  1. ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性  / 薄膜、表面界面物性

  2. ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器  / 電子デバイス、パワーデバイス

  3. ナノテク・材料 / ナノ材料科学  / 窒化物半導体

現在の研究課題とSDGs 1

  1. 半導体の欠陥解明と評価手法の確立

学歴 2

  1. 名古屋大学   工学研究科   博士後期課程、電子情報システム専攻

    2005年4月 - 2008年3月

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    国名: 日本国

  2. 名古屋大学   工学研究科   博士前期課程、電子工学専攻

    2003年4月 - 2005年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 2

  1. IEEE   正会員

  2. 応用物理学会   正会員

受賞 3

  1. 令和5年度ARIM秀でた利用成果優秀賞

    2023年12月   文部科学省マテリアル先端リサーチインフラ   非空間反転対称磁性体の作製と新規スピン光機能の探索

    松原正和、本田杏奈、大島大輝、加藤剛志

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  2. 加工・デバイスプロセス技術領域専門技術者証

    2022年12月   文部科学省マテリアル先端リサーチインフラ  

    本田杏奈

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    受賞国:日本国

  3. Poster Presentation 2nd Place Award

    2014年8月   SOFC   2014 Asian SOFC Symposium and Exhibition

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞 

 

論文 6

  1. Investigation of carbon-related complexes in highly C-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Anna Honda, Hirotaka Watanabe, Wakana Takeuchi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Takeshi Kato

    Japanese Journal of Applied Physics   63 巻 ( 4 ) 頁: 041005-1 - 041005-5   2024年4月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ad3b54

    DOI: 10.35848/1347-4065/ad3b54

    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ad3b54

  2. Terahertz spin ratchet effect in magnetic metamaterials 査読有り 国際共著

    Hild M., Golub L. E., Fuhrmann A., Otteneder M., Kronseder M., Matsubara M., Kobayashi T., Oshima D., Honda A., Kato T., Wunderlich J., Back C., Ganichev S. D.

    PHYSICAL REVIEW B   107 巻 ( 15 )   2023年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physical Review B  

    We report on spin ratchet currents driven by terahertz radiation electric fields in a Co/Pt magnetic metamaterial formed by triangle-shaped holes forming an antidot lattice and subjected to an external magnetic field applied perpendicularly to the metal film plane. We show that for a radiation wavelength substantially larger than the period of the antidots array, the radiation causes a polarization-independent spin-polarized ratchet current. The current is generated by the periodic asymmetric radiation intensity distribution caused by the near-field diffraction at the edges of the antidots, which induces spatially inhomogeneous periodic electron gas heating, and a phase-shifted periodic asymmetric electrostatic force. The developed microscopic theory shows that the magnetization of the Co/Pt film results in a spin ratchet current caused by both the anomalous Hall and the anomalous Nernst effects. Additionally, we observed a polarization-dependent trigonal spin photocurrent, which is caused by the scattering of electrons at the antidot boundaries resulting in a spin-polarized current due to the magnetization. Microscopic theory of these effects reveals that the trigonal photocurrent is generated at the boundaries of the triangle antidots, whereas the spin ratchet is generated due to the spatially periodic temperature gradient over the whole film. This difference causes substantially different hysteresis widths of these two currents.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.107.155419

    Web of Science

    Scopus

  3. Investigation on Applying an InGaN Photocathode with Negative Electron Affinity for Electric Propulsion 査読有り

    Inoue Yusuke, Nishitani Tomohiro, Honda Anna, Sato Daiki, Shikano Haruka, Koizumi Atsushi, Honda Yoshio, Ichihara Daisuke, Sasoh Akihiro

    TRANSACTIONS OF THE JAPAN SOCIETY FOR AERONAUTICAL AND SPACE SCIENCES   66 巻 ( 1 ) 頁: 10 - 13   2023年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 日本航空宇宙学会  

    DOI: 10.2322/tjsass.66.10

    Web of Science

    Scopus

    CiNii Research

  4. Characterization of strain gauge with Co-AlO granular film and FeSiBNb amorphous film

    Uemura Taiki, Fujiwara Yuji, Jimbo Mutsuko, Honda Anna, Oshima Daiki, Kato Takeshi

    Abstract book of Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science   2023 巻 ( 0 ) 頁: 1P34   2023年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Vacuum and Surface Science  

    <p>Recently, various objects have become targets for sensing in order to realize an IoT society, and sensors are required higher sensitivity and miniaturization. In application of many automotive, aerospace, and industrial fields, there is a high need for compact sensors to measure mechanical quantities such as strain, stress. Strain gauge are intended to measure the magnitude and direction of the strain and the magnetostrictive effect in ferromagnetic films can be applied to strain detection. In this research, a GIG (Granular in Gap) structure [1] is used for a new strain gauge. It has a structure in which a granular film is sandwiched between soft magnetic yokes. When the strain is applied to the device, the change of strain is detected as a resistance change in the granular film. Co-AlO and amorphous(a)-FeSiBNb were employed as the granular film and the soft magnetic yoke of the strain gauge. The thickness of Co-AlO film and a-FeSiBNb yoke was 300 nm. The structure of the strain gauge is indicated in the inset of Figure 1. The gap length was estimated to be approximately 4 µm. An AC voltage at 80Hz supplied from a lock-in-amplifier (LIA) is applied to the series circuit of the gauge and a variable resistor. When the strain is applied to the gauge, the strain is detected as a voltage of the gauge by LIA. The MR ratio of the Co-AlO granular film before processing into a GIG element was about 6%. The magnetostriction constant of a-FeSiBNb yoke was 30.4ppm. A magnetic field of 5 Oe must be applied in direction of H⊥gap in order to align the magnetic moments of yokes. The granular film becomes a low resistance state due to a magnetic field appeared in the gap yielded by magnetic poles at the edge of yokes. When the strain is applied in direction of H//gap, the magnetic moments of yokes change its direction, increasing the resistance of granular film owing to the decrease of the magnetic field in the gap. The dependence of output voltage on the applied strain ε is shown in Fig.1. The blue circles are the result of increasing strain, and the red circles are the result of decreasing strain. The output voltage became large with increasing strain, and gradually almost constant because the magnetic moments of yokes saturated in direction of H//gap. This indicates that the strain up to about 6.0 × 10<sup>-5</sup> can be detected. The gauge factor estimated was approximately 50, larger than that of a typical metal strain gauge. Reference [1] N. Kobayashi et al., J. Magn. Magn. Mater. 188. 30 (1998).</p>

    DOI: 10.14886/jvss.2023.0_1p34

    CiNii Research

  5. AlGaAs/GaAs superlattice photocathode grown by molecular beam epitaxy: correspondence between room temperature photoluminescence and quantum efficiency 査読有り

    I. Morita, F. Ishikawa, A. Honda, D. Sato, A. Koizumi, T. Nishitani, M. Tabuchi

    Japanese Journal of Applied Physics   60 巻 ( SBBK02 ) 頁: 1 - 3   2021年1月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abd6e0

  6. Optimization of InGaN thickness for high-quantum efficiency Cs/O activated InGaN photocathode 査読有り

    D. Sato, A. Honda, A. Koizumi, T. Nishitani, Y. Honda, and H. Amano

    Microelectronic Engineering   223 巻 ( 111229 ) 頁: 1 - 4   2020年2月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1016/j.mee.2020.111229

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講演・口頭発表等 2

  1. Size dependence of photocurrents in magnetic metamaterials with threefold rotational symmetry 国際共著

    Gabriele Cavanna, 竹谷英久, 本田杏奈, 加藤剛志, 松原正和

    学術変革領域研究(A)「アシンメトリ量子が彩る量子物質の可視化・設計・創出」   2024年5月29日 

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    開催年月日: 2024年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東広島芸術文化ホール   国名:日本国  

  2. Study of Carbon Behavior in Highly Carbon-doped GaN Crystal 国際会議

    Anna Honda, Hirotaka Watanabe, Wakana Takeuchi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, and Takeshi Kato

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023  2023年12月2日 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya University   国名:日本国  

共同研究・競争的資金等の研究課題 2

  1. カーボンドープしたGaNの高品質化に向けた結晶欠陥の解明

    2024年7月 - 2025年7月

    公益財団法人内藤科学技術振興財団  研究助成 

    本田杏奈

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:1000000円 ( 間接経費:40000円 )

  2. 不純物(C、Mg)添加したGaNにおける点欠陥解明と評価手法の確立

    2024年4月 - 2026年3月

    公益財団法人中部電気利用基礎研究振興財団  研究助成 A2 

    本田杏奈

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:1720000円

 

社会貢献活動 4

  1. ARIM技術スタッフ交流会:名古屋大学加工部門

    役割:運営参加・支援

    2024年10月

  2. 名古屋大学 夏のテクノロジーフェスティバル:半導体LSI作製技術の基礎をクリーンルームで体験

    役割:運営参加・支援

    2024年8月

  3. ARIM技術スタッフ交流会:名古屋大学加工部門

    役割:運営参加・支援

    2023年1月

  4. ARIM技術スタッフ交流会:名古屋大学加工部門

    役割:運営参加・支援

    2021年9月 - 2021年10月