2025/08/29 更新

写真a

ホンダ　アンナ
本田　杏奈
HONDA Anna
所属
未来材料・システム研究所 附属高度計測技術実践センター 特任助教
職名
特任助教
連絡先
メールアドレス
ホームページ
https://www.katolab.nuee.nagoya-u.ac.jp/
プロフィール
Favorite Quote:
Grant me the serenity to accept the things I cannot change, courage to change the things I can, and wisdom to know the difference. by Reinhold Niebuhr

学位 1

  1. 博士（工学） （ 2008年3月   名古屋大学 ） 

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研究キーワード 7

  1. 微細加工と評価

  2. 半導体結晶欠陥

  3. 時間分解発光分析

  4. DLTS/MCTS

  5. RFスパッタ成膜

  6. 非線形光学

  7. フェムト秒レーザー

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研究分野 3

  1. ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性  / 薄膜、表面界面物性

  2. ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器  / 電子デバイス、パワーデバイス

  3. ナノテク・材料 / ナノ材料科学  / 窒化物半導体

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現在の研究課題とSDGs 2

  1. III-V族窒化物半導体における欠陥機構の解明と評価技術の確立

  2. ハイブリッド融合材料を用いた新規デバイスの創製

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経歴 7

  1. 名古屋大学   未来材料システム研究所　高度計測技術実践センター   特任助教

    2023年4月 - 現在

  2. 株式会社 Photoelectron Soul   研究開発部   エンジニア

    2019年4月 - 2021年1月

  3. 名古屋工業大学   創造工学教育推進センター   学術専門員

    2015年6月 - 2017年9月

  4. 産業技術総合研究所 中部センター   先進製造研究部門   博士研究員

    2013年8月 - 2015年3月

  5. 愛知工業大学   工学研究科　電気電子工学   博士研究員

    2011年4月 - 2013年3月

  6. 豊田中央研究所   情報エレクトロニクス研究部   客員研究員

    2008年4月 - 2010年3月

  7. 名古屋大学   工学研究科　電子・情報システム専攻   日本学術振興会特別研究員（DC2）

    2006年4月 - 2008年3月

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    国名：日本国

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学歴 5

  1. 名古屋大学   工学研究科   博士後期課程　電子情報システム専攻

    2005年4月 - 2008年3月

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    国名： 日本国

  2. 名古屋大学   工学研究科   博士前期課程　電子工学専攻

    2003年4月 - 2005年3月

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    国名： 日本国

  3. 名古屋大学   工学研究科   量子工学専攻

    2002年4月 - 2003年3月

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    国名： 日本国

  4. National Korea Maritime University   Nano Semiconductor Engineering

    1998年3月 - 2002年2月

  5. Private St. Theresa Girls' High School   Science Course

    1995年3月 - 1998年2月

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所属学協会 3

  1. アメリカ物理学会 (APS)   正会員

    2025年8月 - 現在

  2. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)   正会員

    2024年8月 - 現在

  3. 日本応用物理学会 (JSAP)   正会員

    2003年4月 - 現在

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受賞 5

  1. Best Poster Award First Place

    2024年11月   12th International workshop on nitride semiconductors   Optical and magnetic properties of GaN crystals varied C doping concentration

    Anna Honda, Hirotaka Watanabe, Takeshi Kato, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

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    受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国：アメリカ合衆国

  2. 加工・デバイスプロセス技術領域高度専門技術者証

    2024年12月   文部科学省マテリアル先端リサーチインフラ  

    本田 杏奈

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    受賞国：日本国

  3. 令和5年度ARIM秀でた利用成果優秀賞

    2023年12月   文部科学省マテリアル先端リサーチインフラ   非空間反転対称磁性体の作製と新規スピン光機能の探索

    松原 正和、本田 杏奈、大島 大輝、加藤 剛志

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    受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国：日本国

  4. 加工・デバイスプロセス技術領域専門技術者証

    2022年12月   文部科学省マテリアル先端リサーチインフラ  

    本田 杏奈

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    受賞国：日本国

  5. Second Place Award for Best Poster Presentation

    2014年8月   The 2014 Asian SOFC Symposium and Exhibition   Structural and electrical properties of Y- and Yb-doped Ba(CeZr)O3 proton conductor

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    受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国：大韓民国

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論文 18

  1. Electron Spin Resonance and Photoluminescence Studies of Carbon-Induced Point Defects in GaN: Influence of Doping Concentration and Method 査読有り

    Anna Honda, Hirotaka Watanabe, Takeshi Kato, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Physica Status Solidi (b) Basic Solid State Physics     2025年5月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： http://doi.org/10.1002/pssb.202500012

    DOI： http://doi.org/10.1002/pssb.202500012

  2. Investigation of carbon-related complexes in highly C-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Anna Honda, Hirotaka Watanabe, Wakana Takeuchi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Takeshi Kato

    Japanese Journal of Applied Physics   63 巻 ( 4 ) 頁： 041005-1 - 041005-5   2024年4月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ad3b54

    DOI： 10.35848/1347-4065/ad3b54

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ad3b54

  3. Terahertz spin ratchet effect in magnetic metamaterials 査読有り 国際共著

    Hild M., Golub L. E., Fuhrmann A., Otteneder M., Kronseder M., Matsubara M., Kobayashi T., Oshima D., Honda A., Kato T., Wunderlich J., Back C., Ganichev S. D.

    PHYSICAL REVIEW B   107 巻 ( 15 )   2023年4月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Physical Review B  

    We report on spin ratchet currents driven by terahertz radiation electric fields in a Co/Pt magnetic metamaterial formed by triangle-shaped holes forming an antidot lattice and subjected to an external magnetic field applied perpendicularly to the metal film plane. We show that for a radiation wavelength substantially larger than the period of the antidots array, the radiation causes a polarization-independent spin-polarized ratchet current. The current is generated by the periodic asymmetric radiation intensity distribution caused by the near-field diffraction at the edges of the antidots, which induces spatially inhomogeneous periodic electron gas heating, and a phase-shifted periodic asymmetric electrostatic force. The developed microscopic theory shows that the magnetization of the Co/Pt film results in a spin ratchet current caused by both the anomalous Hall and the anomalous Nernst effects. Additionally, we observed a polarization-dependent trigonal spin photocurrent, which is caused by the scattering of electrons at the antidot boundaries resulting in a spin-polarized current due to the magnetization. Microscopic theory of these effects reveals that the trigonal photocurrent is generated at the boundaries of the triangle antidots, whereas the spin ratchet is generated due to the spatially periodic temperature gradient over the whole film. This difference causes substantially different hysteresis widths of these two currents.

    DOI： 10.1103/PhysRevB.107.155419

    Web of Science

    Scopus

  4. Investigation on Applying an InGaN Photocathode with Negative Electron Affinity for Electric Propulsion 査読有り

    Inoue Yusuke, Nishitani Tomohiro, Honda Anna, Sato Daiki, Shikano Haruka, Koizumi Atsushi, Honda Yoshio, Ichihara Daisuke, Sasoh Akihiro

    TRANSACTIONS OF THE JAPAN SOCIETY FOR AERONAUTICAL AND SPACE SCIENCES   66 巻 ( 1 ) 頁： 10 - 13   2023年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：一般社団法人 日本航空宇宙学会  

    DOI： 10.2322/tjsass.66.10

    Web of Science

    Scopus

    CiNii Research

  5. Characterization of strain gauge with Co-AlO granular film and FeSiBNb amorphous film

    Uemura Taiki, Fujiwara Yuji, Jimbo Mutsuko, Honda Anna, Oshima Daiki, Kato Takeshi

    Abstract book of Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science   2023 巻 ( 0 ) 頁： 1P34   2023年

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    記述言語：英語   出版者・発行元：The Japan Society of Vacuum and Surface Science  

    <p>Recently, various objects have become targets for sensing in order to realize an IoT society, and sensors are required higher sensitivity and miniaturization. In application of many automotive, aerospace, and industrial fields, there is a high need for compact sensors to measure mechanical quantities such as strain, stress. Strain gauge are intended to measure the magnitude and direction of the strain and the magnetostrictive effect in ferromagnetic films can be applied to strain detection. In this research, a GIG (Granular in Gap) structure [1] is used for a new strain gauge. It has a structure in which a granular film is sandwiched between soft magnetic yokes. When the strain is applied to the device, the change of strain is detected as a resistance change in the granular film. Co-AlO and amorphous(a)-FeSiBNb were employed as the granular film and the soft magnetic yoke of the strain gauge. The thickness of Co-AlO film and a-FeSiBNb yoke was 300 nm. The structure of the strain gauge is indicated in the inset of Figure 1. The gap length was estimated to be approximately 4 µm. An AC voltage at 80Hz supplied from a lock-in-amplifier (LIA) is applied to the series circuit of the gauge and a variable resistor. When the strain is applied to the gauge, the strain is detected as a voltage of the gauge by LIA. The MR ratio of the Co-AlO granular film before processing into a GIG element was about 6%. The magnetostriction constant of a-FeSiBNb yoke was 30.4ppm. A magnetic field of 5 Oe must be applied in direction of H⊥gap in order to align the magnetic moments of yokes. The granular film becomes a low resistance state due to a magnetic field appeared in the gap yielded by magnetic poles at the edge of yokes. When the strain is applied in direction of H//gap, the magnetic moments of yokes change its direction, increasing the resistance of granular film owing to the decrease of the magnetic field in the gap. The dependence of output voltage on the applied strain ε is shown in Fig.1. The blue circles are the result of increasing strain, and the red circles are the result of decreasing strain. The output voltage became large with increasing strain, and gradually almost constant because the magnetic moments of yokes saturated in direction of H//gap. This indicates that the strain up to about 6.0 × 10<sup>-5</sup> can be detected. The gauge factor estimated was approximately 50, larger than that of a typical metal strain gauge. Reference [1] N. Kobayashi et al., J. Magn. Magn. Mater. 188. 30 (1998).</p>

    DOI： 10.14886/jvss.2023.0_1p34

    CiNii Research

  6. AlGaAs/GaAs superlattice photocathode grown by molecular beam epitaxy: correspondence between room temperature photoluminescence and quantum efficiency 査読有り

    I. Morita, F. Ishikawa, A. Honda, D. Sato, A. Koizumi, T. Nishitani, M. Tabuchi

    Japanese Journal of Applied Physics   60 巻 ( SBBK02 ) 頁： 1 - 3   2021年1月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/abd6e0

  7. Optimization of InGaN thickness for high-quantum efficiency Cs/O activated InGaN photocathode 査読有り

    D. Sato, A. Honda, A. Koizumi, T. Nishitani, Y. Honda, and H. Amano

    Microelectronic Engineering   223 巻 ( 111229 ) 頁： 1 - 4   2020年2月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： https://doi.org/10.1016/j.mee.2020.111229

  8. Development of anode-supported electrochemical cell based on proton-conductive Ba(Ce,Zr)O3 electrolyte 査読有り

    T. Yamaguchi, H. Shimada, U. (A.) Honda, H. Kishimoto, T. Ishiyama, K. Hamamoto, H. Sumi, T. Suzuki, Y. Fujishiro

    Solid State Ionics   288 巻   頁： 34   2016年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.ssi.2015.12.007

  9. Development of electrochemical methanation reactor with co-electrolysis of humidified CO2 solid oxide electrolysis and reversible cells 査読有り

    T. Yamaguchi, H. Shimada, U. (A.) Honda, H. Kishimoto, T. Ishiyama, Y. Fujishiro

    ECS Transations   68 巻   頁： 3459   2015年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  10. As-grown deep-level defects in n-GaN growth by metal-organic chemical vapor deposition on freestanding GaN 査読有り

    S. Chen, U. (A.) Honda, T. Shibata, T. Matsumura, Y. Tokuda, K. Ishikawa, M. Hori, T. Uesugi, T. Kachi

    Journal of Applied Physics   112 巻   頁： 053513   2012年9月

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    記述言語：英語  

    DOI： 10.1063/1.4748170

  11. Deep levels in n-GaN doped with carbon studied by deep level and minority carrier transient spectroscopies 査読有り

    U. (A.) Honda, Y. Yamada, Y. Tokuda, K. Shiojima

    Japanese Journal of Applied Physics   51 巻   頁： 04DF04   2012年4月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.51.04DF04

  12. Raman spectroscopic study of residual strain in (1-101) GaN and (0001) GaN layers grown on Si substrate 査読有り

    T. Sugiura, E. Kim (A. Honda), Y. Honda, H. Takagi, T. Tsukamoto, H. Andoh, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    AIP Conf. Proc.   1399 巻   頁： 503   2011年12月

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    記述言語：英語  

    DOI： 10.1063/1.3666474

  13. Electrical properties of Metal-Insulator-Semiconductor capacitors on freestanding GaN substrates 査読有り

    E. Kim (A. Honda), N. Soejima, Y. Watanabe, M. Ishiko, T. Kachi

    Japanese Journal of Applied Physics   49 巻   頁： 04DF08   2010年4月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.49.04DF08

  14. Energy relaxation processes of photo-generated carriers in Mg doped (0001)GaN and (1-101) GaN 査読有り

    J. Saida, E. Kim (A. Honda), T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Physica Status Solidi (c)   5 巻   頁： 1746   2008年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1002/pssc.200778620

  15. Time-resolved photoluminescence spectroscopy in an undoped GaN (1-101) 査読有り Open Access

    E. Kim (A. Honda), T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Physica Status Solidi (c)   5 巻   頁： 367   2008年1月

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    記述言語：英語  

    DOI： 10.1002/pssc.200776532

  16. Time-resolved photoluminescence spectroscopy in a GaN/AlGaN SQW structure grown on a (111) Si substrate 査読有り

    E. Kim (A. Honda), T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Physica Status Solidi (c)   4 巻   頁： 2838   2007年6月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1002/pssc.200674899

  17. Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 査読有り

    E. Kim (A. Honda), T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, N. Sawaki

    Physica Status Solidi (c)   3 巻   頁： 1992   2006年6月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語  

    DOI： 10.1002/pssc.200565290

  18. Optical spectra of GaN/InGaN MQW structure grown on a (1-101) GaN facet 査読有り

    E. Kim (A. Honda), T. Narita, Y. Honda, N. Sawaki

    Physica Status Solidi (c)   1 巻   頁： 2512   2004年9月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1002/pssc.200405039

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講演・口頭発表等 40

  1. 磁性メタマテリアルにおける光誘起スピン流のスケール駆動制御

    カヴァンナ・ガブリエーレ, 竹谷 英久, 藩 達, 大島 大輝, 本田 杏奈, 加藤 剛志, 松原 正和

    日本物理学会第80回年次大会  2025年9月17日 

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    開催年月日： 2025年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：広島大学   国名：日本国  

  2. 時間・空間反転対称性の破れたメタマテリアルにおける非相反伝導

    山根 悠，水野 真実，下澤 雅明，松原 正和，本田 杏奈，加藤 剛志，井澤 公一

    日本物理学会第80回年次大会  2025年9月18日 

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    開催年月日： 2025年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：広島大学   国名：日本国  

  3. 高濃度炭素ドープGaN層中の欠陥評価

    稲吉 桃子, 本田 杏奈, 渡邉 浩崇, 本田 善央, 加藤 剛志, 田岡 紀之, 竹内 和歌奈

    第86回応用物理学会秋季学術講演会  2025年9月9日 

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    開催年月日： 2025年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：名城大学 天白キャンパス  

  4. 炭素ドープしたGaNの欠陥解析：ドープ方法および濃度依存性の多角的評価

    本田 杏奈

    第10回IMaSS交流会  2025年9月3日 

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    開催年月日： 2025年9月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  5. Electrical properties and optical deep level transient spectroscopy of GaN with different C doping concentrations 国際会議

    Momoko Inayoshi, Anna Honda, Hirotaka Watanabe, Noriyuki Taoka, Takeshi Kato, Yoshio Honda, Wakana Takeuchi

    15th International Conference on Nitride Semiconductors  2025年7月7日 

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    開催年月日： 2025年7月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Malmö, Sweden  

  6. 磁性メタマテリアルにおける光誘起スピン流のスケール駆動制御

    Gabriele Cavanna, 竹谷 英久, Da Pan, 本田 杏奈, 加藤 剛志, 松原 正和

    学術変革領域研究(A)「アシンメトリが彩る量子物質の可視化・設計・創出」 トピカルミーティング「アシンメトリ量子物質の新展開：多極子のスケールシームレス化に向けて  2025年6月 

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    開催年月日： 2025年6月

    会議種別：ポスター発表  

    開催地：山梨県立図書館   国名：日本国  

  7. Size dependence of photocurrents in magnetic metamaterials with threefold rotational symmetry 国際会議

    G. Cavanna, H. Taketani, Da Pan, D. Oshima, A. Honda, T. Kato, M. Matsubara

    CRCGP-MSSP2024  2024年11月 

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    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：英語  

    開催地：東北大学  

  8. Optical and magnetic properties of GaN crystals varied C doping concentration 国際会議

    Anna Honda, Hirotaka Watanabe, Takeshi Kato, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    12th International workshop on nitride semiconductors  2024年11月4日 

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    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Honolulu, Hawaii   国名：アメリカ合衆国  

  9. Size dependence of photocurrents in magnetic metamaterials with threefold rotational symmetry

    Gabriele Cavanna, 竹谷英久, 本田杏奈, 加藤剛志, 松原正和

    学術変革領域研究(A)「アシンメトリ量子が彩る量子物質の可視化・設計・創出」   2024年5月30日 

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    開催年月日： 2024年5月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：東広島芸術文化ホール   国名：日本国  

  10. Study of Carbon Behavior in Highly Carbon-doped GaN Crystal 国際会議

    Anna Honda, Hirotaka Watanabe, Wakana Takeuchi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, and Takeshi Kato

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023  2023年12月2日 

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    開催年月日： 2023年12月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Nagoya University   国名：日本国  

  11. 電気推進機におけるフォトカソードの有用性の検討

    井上祐介，西谷智博，鹿野悠，佐藤大樹，本田杏奈，小泉淳，本田善央，市原大輔，佐宗章弘

    2020年度 宇宙輸送シンポジウム  2021年1月 

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    開催年月日： 2021年1月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

  12. 半導体フォトカソード電子源を特徴とする電子ビーム検査技術 招待有り

    Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Masaaki Araidai, Hiroshi Amano, Masao Tabuchi, Akihiro Narita, Hidehiro Yasuda, Fumitaro Ishikawa, Takashi Meguro, Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Anna Honda

    応用物理学会2-4回合同極限ナノ造形・構造物性研究会  2020年10月 

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    開催年月日： 2020年10月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

  13. Electron Beam Technology Innovation by Semiconductor Photocathodes and its Commercialization 招待有り

    Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Masaaki Araidai, Hiroshi Amano, Masao Tabuchi, Akihiro Narita, Hidehiro Yasuda, Fumitaro Ishikawa, Takashi Meguro, Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Anna Honda

    第39 回電子材料シンポジウム  2020年10月 

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    開催年月日： 2020年10月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

  14. Structural and electrical properties of Y- and Yb-doped Ba(CeZr)O3 proton conductor 国際会議

    U. (A.) Honda, T. Yamaguchi, Y. Fujishiro

    2014 Asian SOFC Symposium and Exhibition  2014年9月 

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    開催年月日： 2014年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  15. Ba(CeZr)O3系プロトン導電体の開発

    U. (A.) Honda, T. Yamaguchi, Y. Fujishiro

    2014年 年会 Ceramic  2014年3月 

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    開催年月日： 2014年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：慶応義塾大学  

  16. 銀/ナノ銀混合ペーストショットキープローブの開発とn型4H-SiCのC-V/I-V/DLTS測定

    U. (A.) Honda, Y. Tokuda

    第21回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会  2012年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2012年11月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  17. MOCVD成長p-GaN電子トラップの評価

    U. (A.) Honda, Y. Tokuda, K.Shiojima

    第73回応用物理学会関連連合講演会  2012年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2012年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：愛媛大学  

  18. GaN自立基板上のn-GaN面内ホールトラップ濃度分布

    T. Matsumura, T. Maruyama, S. Yamaguchi, U. (A.) Honda, Y. Tokuda, H. Ueda, T. Narita, T. Uesugi, T. Kachi

    第59回応用物理学会関連連合講演会  2012年3月 

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    開催年月日： 2012年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：早稲田大学  

  19. C-V/I-V/DLTS評価用ショットキープローブの開発

    U. (A.) Honda, Y. Tokuda

    第73回応用物理学会関連連合講演会  2012年9月 

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    開催年月日： 2012年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：愛媛大学  

  20. 方形波重み関数電流DLTS法による高分子有機EL中トラップの評価

    H. Naito, U. (A.) Honda, Y. Tokuda, T. Kato, M. Katayama

    第73回応用物理学会関連連合講演会  2012年9月 

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    開催年月日： 2012年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：愛媛大学  

  21. Comparision of deep levels in n-GaN grown by MOCVD on sapphire substrates with LT-AlN and GaN buffer layers 国際会議

    U. (A.) Honda, T. Shibata, T. Matsumura, Y. Tokuda, H. Ueda, T. Narita, T. Uesugi, T. Kachi

    2012 International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials  2012年3月 

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    開催年月日： 2012年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

  22. GaN自立基板上n-GaN面内トラップ濃度分布の評価

    S. Yamaguchi, T. Maruyama, T. Matsumura, U. (A.) Honda, Y. Tokuda, H. Ueda, T. Narita, T. Uesugi, T. Kachi

    第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会  2011年12月 

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    開催年月日： 2011年12月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：愛知県産業労働センター  

  23. Deep levels in n-GaN doped with carbon studied by deep level and minority carrier transient spectroscopies 国際会議

    U. (A.) Honda, Y. Yamada, Y. Tokuda, K. Shiojima

    International Conference on Solid State Devices and Materials  2011年9月 

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    開催年月日： 2011年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

  24. 低温成長AlN，GaN/サファイア基板上に作製したMOCVD n-GaNのDLTS評価

    R. Shibata, U. (A.) Honda, Y. Tokuda, H. Ueda, T. Uesugi, T. Kachi

    第72回応用物理学会関連連合講演会  2011年9月 

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    開催年月日： 2011年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：山形大学  

  25. 一定温度MCTSによるn-GaN中炭素関連深い準位の評価

    Y. Yamada, U. (A.) Honda, Y. Tokuda, K. Shiojima

    第72回応用物理学会関連連合講演会  2011年9月 

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    開催年月日： 2011年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：山形大学  

  26. n-GaN 電子トラップ評価へのショットキー電極作製プロセスの影響

    T. Matsumura, S. Yamguchi, U. (A.) Honda, Y. Tokuda, H. Ueda, T. Uesugi, T. Kachi

    第72回応用物理学会関連連合講演会  2011年9月 

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    開催年月日： 2011年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：山形大学  

  27. Electrical properties of Metal-Insulator-Semiconductor capacitors on freestanding GaN substrates 国際会議

    E. Kim (A. Honda), N. Soejima, Y. Watanabe, M. Ishiko, T. Kachi

    2009 International Conference on Solid State Devices and Materials  2009年10月 

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    開催年月日： 2009年10月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：仙台  

  28. Energy relaxation processes of photo-generated carriers in Mg doped (0001)GaN and (1-101) GaN 国際会議

    J. Saida, E. Kim (A. Honda), T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    7th International Conference on Nitride Semiconductors  2007年9月 

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    開催年月日： 2007年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Las Vegas, USA  

  29. (11-22)GaNの時間分解分光

    E. Kim (A. Honda), T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    第68回応用物理学会関連連合講演会  2007年9月 

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    開催年月日： 2007年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：北海道工業大学  

  30. Time-resolved photoluminescence spectroscopy in an undoped GaN (1-101) 国際会議

    E. Kim (A. Honda), T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    15th International Conference on Nonequlibrium Carrier Dynamics in Semiconductors  2007年7月 

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    開催年月日： 2007年7月

    記述言語：英語  

    開催地：Tokyo, Japan  

  31. Time-resolved photoluminescence spectroscopy in a GaN/AlGaN SQW structure grown on a (111) Si substrate 国際会議

    E. Kim (A. Honda), T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    4th International Workshop on Nitride Semiconductors  2006年10月 

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    開催年月日： 2006年10月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Kyoto, Japan  

  32. (111)Si基板上に作製したAlGaN/GaN量子井戸構造の時間分解分光

    E. Kim (A. Honda), T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    第67回応用物理学会関連連合講演会  2006年8月 

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    開催年月日： 2006年8月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：立命館大学  

  33. (1-101)GaNファセット上のGaN/AlGaN多重量子井戸構造の時間分解分光

    E. Kim (A. Honda), T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    第53回応用物理学会関連連合講演会  2006年3月 

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    開催年月日： 2006年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：武蔵工業大学  

  34. Optical spectra of (1-101)InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 招待有り

    Y. Honda, E. Kim (A. Honda), T. Hikosaka, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    5th Akasaki Research Center Symposium  2005年10月 

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    開催年月日： 2005年10月

    記述言語：英語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    開催地：Nagoya University  

  35. Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 国際会議

    E. Kim (A. Honda), T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    6th International Conference on Nitride Semiconductor  2005年8月 

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    開催年月日： 2005年8月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Bremen, Germany  

  36. (001)Si7°オフ基板上の(1-101)GaN/AlGaNヘテロ構造の表面平坦性

    T. Hikosaka, Y. Honda, E. Kim (A. Honda), M. Yamaguchi, N. Sawaki

    第52回応用物理学会関連連合講演会  2005年3月 

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    開催年月日： 2005年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：埼玉大学  

  37. (1-101)GaNファセット上のGaN/InGaN多重量子井戸構造の光学特性

    E. Kim (A. Honda), T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    第52回応用物理学会関連連合講演会  2005年3月 

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    開催年月日： 2005年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：埼玉大学  

  38. Electrical and optical properties of (1-101)GaN grown on Si substrate 招待有り

    N. Sawaki, Y. Honda, N. Koide, T. Hikosaka, E. Kim (A. Honda), M. Yamaguchi

    4th Akasaki Research Center Symposium  2004年10月 

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    開催年月日： 2004年10月

    記述言語：英語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    開催地：Nagoya University  

  39. (1-101)GaNファセット上のGaN/InGaN多重量子井戸構造における光学特性

    E. Kim (A. Honda), T. Narita, Y. Honda, N. Sawaki

    第65回応用物理学会関連連合講演会  2004年9月 

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    開催年月日： 2004年9月

    記述言語：日本語  

    開催地：東北学院大学  

  40. Optical spectra of GaN/InGaN MQW structure grown on a (1-101) GaN facet 国際会議

    E. Kim (A. Honda), T. Narita, Y. Honda, N. Sawaki

    5th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes  2004年3月 

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    開催年月日： 2004年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Kyungjoo, Korea  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 3

  1. 異なる不純物添加法によるGaN結晶中の点欠陥挙動の違いと高性能パワーデバイス実現に向けたキャリア伝導機構の解明

    2025年8月 - 2028年8月

    公益財団法人立松財団  A2：特別研究助成 

    本田 杏奈

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

    配分額：3000000円

  2. カーボンドープしたGaNの高品質化に向けた結晶欠陥の解明

    2024年7月 - 2025年7月

    公益財団法人内藤科学技術振興財団  研究助成 

    本田 杏奈

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

    配分額：1000000円 （ 間接経費：40000円 ）

  3. 不純物（C、Mg）添加したGaNにおける点欠陥解明と評価手法の確立

    2024年4月 - 2026年3月

    公益財団法人中部電気利用基礎研究振興財団  研究助成 A2 

    本田 杏奈

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    担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

    配分額：1720000円

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産業財産権 1

  1. 半導体評価方法

    本田 杏奈、徳田 豊

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    出願人：学校法人愛知工業大学

    出願日：2014年

    公開番号：特開2014-116510  公開日：2014年6月

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社会貢献活動 2

  1. 明和高等学校SSHプログラムにおける生徒主体の研究開発活動：カラスの構造色再現実験

    役割：運営参加・支援

    2025年3月

  2. 名古屋大学 夏のテクノロジーフェスティバル：半導体LSI作製技術の基礎をクリーンルームで体験

    役割：運営参加・支援

    2024年8月

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メディア報道 1

  1. カラスの羽なぜ色変わる？ 新聞・雑誌

    中日新聞  2025年4月

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    執筆者：本人以外 

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