2024/11/01 更新

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ダシヤンアルンクマルクマル
DHASIYAN Arun Kumar
DHASIYAN Arun Kumar
所属
低温プラズマ科学研究センター グリーンDXプラズマ部門 特任講師
職名
特任講師
連絡先
メールアドレス
プロフィール
Working on wide band gap semiconductors for power device applications

学位 1

  1. Ph.D Physics （ 2014年8月 ） 

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研究キーワード 5

  1. Nanomaterials for sensor applications

  2. Nanocomposites like TiO2/SiO2, TiO2/SnO2, etc for solar cell applications.

  3. Materials for solar energy conversion

  4. III-Oxide growth by MBE for power device applications

  5. III-V Nitride semiconductors for solar cell and HEMT device applications

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経歴 4

  1. 名古屋大学   低温プラズマ科学研究センター グリーンDXプラズマ部門   特任講師

    2023年4月 - 現在

  2. 名古屋大学   Center for Low-temperature Plasma Sciences   研究員   Researcher

    2022年12月 - 2023年3月

  3. 名古屋大学   Venture Business Laboratory   研究員   Post Doctoral Researcher

    2020年12月 - 2022年11月

  4. 名古屋大学   Plasma Nanotechnology Research Center   研究員   Post Doctoral Researcher

    2016年6月 - 2018年3月

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論文 4

  1. Epitaxial growth of high-quality GaN with a high growth rate at low temperatures by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition 査読有り

    Arun Kumar Dhasiyan, Frank Wilson Amalraj, Swathy Jayaprasad, Naohiro Shimizu, Osamu Oda, Kenji Ishikawa & Masaru Hori

    Scientific Reports   14 巻   頁： 10861   2024年5月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： https://doi.org/10.1038/s41598-024-61501-9

    DOI： 10.1038/s41598-024-61501-9

    その他リンク： https://www.nature.com/articles/s41598-024-61501-9

  2. Gas-phase study of the behavior of trimethyl gallium and triethyl gallium by optical emission spectroscopy and quadrupole mass spectroscopy for the growth of GaN by REMOCVD (Radical-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition) 査読有り

    ARUN KUMAR DHASIYAN, Swathy Jayaprasad, Frank Wilson Amalraj, Naohiro SHIMIZU, Osamu Oda, Kenji Ishikawa and Masaru HORI

    Japanese Journal of Applied Physics     2023年9月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/acfd34

    DOI： 10.35848/1347-4065/acfd34

  3. Effects of plasma shield plate design on epitaxial GaN films grown for large-sized wafers in radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition 査読有り

    Yasuhiro Isobe, Takayuki Sakai, Naoharu Sugiyama, Ichiro Mizushima, Kyoichi Suguro, Naoto Miyashita, Yi Lu, Amalraj Frank Wilson, Dhasiyan Arun Kumar, Nobuyuki Ikarashi, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Naohiro Shimizu, Osamu Oda, Makoto Sekine, and Masaru Hori

    Journal of Vacuum Science and Technology B   37 巻   頁： 031201   2019年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： https://doi.org/10.1116/1.5083970

    DOI： 10.1116/1.5083970

  4. Effect of N2/H2 plasma on GaN substrate cleaning for homoepitaxial GaN growth by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) 査読有り

    Frank Wilson Amalraj, Arun Kumar Dhasiyan, Yi Lu, Naohiro Shimizu, Osamu Oda, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Nobuyuki Ikarashi, and Masaru Hori

    AIP Advances   11 巻 ( 8 ) 頁： 115116   2018年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： https://doi.org/10.1063/1.5050819

    DOI： 10.1063/1.5050819

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講演・口頭発表等 1

  1. Thermal decomposition study of trimethyl gallium and triethyl gallium by quadrupole mass spectrometer for the growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) 国際会議

    Dhasiyan Arun Kumar

    16th Anniversary International Symposium on Advanced Plasma Sciences and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPLASMA – 2023), Aichi  

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    開催年月日： 2023年3月

    会議種別：口頭発表（一般）  

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