2023/10/11 更新

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アライ マナブ
新井 学
ARAI Manabu
所属
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 研究戦略・研究共同推進部 特任教授
職名
特任教授
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 博士(工学) ( 東北大学 ) 

研究キーワード 5

  1. 高周波デバイス

  2. パワーデバイス

  3. GaN

  4. SiC

  5. ワイドバンドギャップ半導体

研究分野 1

  1. その他 / その他  / 半導体・プロセス

経歴 1

  1. 新日本無線株式会社

    1997年4月 - 2020年6月

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    国名:日本国

学歴 3

  1. 東北大学   工学研究科

    - 1997年3月

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    国名: 日本国

  2. 東北大学   工学研究科   電子工学専攻

    - 1994年3月

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    国名: 日本国

  3. 東北大学   工学部   電子工学科

    - 1992年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 3

  1. 電子情報通信学会

  2. 応用物理学会

  3. IEEE

委員歴 2

  1. 電子情報通信学会 電子デバイス研究専門委員会   副委員長  

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    団体区分:学協会

  2. 応用物理学会 先進パワー半導体分科会   幹事  

 

論文 3

  1. Junction Diameter Dependence of Oscillation Frequency of GaN IMPATT Diode Up to 21 GHz

    Kawasaki Seiya, Kumabe Takeru, Ando Yuto, Deki Manato, Watanabe Hirotaka, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Arai Manabu, Amano Hiroshi

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   44 巻 ( 8 ) 頁: 1328 - 1331   2023年8月

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    出版者・発行元:IEEE Electron Device Letters  

    An experimental study on the effects of junction capacitance and current density on the oscillation characteristics of GaN single-drift-region (SDR) impact ionization avalanche transit-time (IMPATT) diodes were carried out using GaN p+-n abrupt junction diodes of various diameters, 200, 150, and 100 μ m , with a depletion layer width of 2 μ m. The fabricated diodes showed a clear avalanche breakdown at 315 V and a pulsed microwave oscillation with a peak output power exceeding 30 dBm. The oscillation frequency depended on junction diameter and current density. It was widely modulated from 8.56 to 21.1 GHz with decreasing junction diameter and increasing current density. The highest oscillation frequency was obtained with a current density of 13.8 kA/cm2 and a junction diameter of 100 μ m. A numerical calculation based on Read-type small-signal theory was carried out and found to well explain the experimental results.

    DOI: 10.1109/LED.2023.3285938

    Web of Science

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  2. Experimental demonstration of GaN IMPATT diode at X-band

    Kawasaki Seiya, Ando Yuto, Deki Manato, Watanabe Hirotaka, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Arai Manabu, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 4 )   2021年4月

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    出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.35848/1882-0786/abe3dc

    Web of Science

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  3. First Demonstration of Si Superjunction BJT with Ultra-High Current Gain and Low ON-resistance

    Yano K., Hashimoto M., Matsukawa N., Matsuo A., Mouraguchi A., Arai M., Shimizu N.

    PROCEEDINGS OF THE 2020 32ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD 2020)     頁: 451 - 454   2020年

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講演・口頭発表等 1

  1. First Demonstration of Si Superjunction BJT with Ultra-High Current Gain and Low ON-resistance

    Yano K.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    DOI: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170099

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