2021/06/08 更新

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アライ マナブ
新井 学
ARAI Manabu
所属
名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 研究戦略部 特任教授
職名
特任教授
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 博士(工学) ( 東北大学 ) 

研究キーワード 5

  1. 高周波デバイス

  2. パワーデバイス

  3. GaN

  4. SiC

  5. ワイドバンドギャップ半導体

研究分野 1

  1. その他 / その他  / 半導体・プロセス

経歴 1

  1. 新日本無線株式会社

    1997年4月 - 2020年6月

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    国名:日本国

学歴 3

  1. 東北大学   工学研究科

    - 1997年3月

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    国名: 日本国

  2. 東北大学   工学研究科   電子工学専攻

    - 1994年3月

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    国名: 日本国

  3. 東北大学   工学部   電子工学科

    - 1992年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 3

  1. 電子情報通信学会 電子デバイス研究専門委員会   専門委員

  2. 応用物理学会 先進パワー半導体分科会   幹事

  3. IEEE

 

論文 2

  1. Experimental demonstration of GaN IMPATT diode at X-band

    Kawasaki Seiya, Ando Yuto, Deki Manato, Watanabe Hirotaka, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Arai Manabu, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 4 )   2021年4月

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    出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.35848/1882-0786/abe3dc

    Web of Science

    Scopus

  2. First Demonstration of Si Superjunction BJT with Ultra-High Current Gain and Low ON-resistance

    Yano K., Hashimoto M., Matsukawa N., Matsuo A., Mouraguchi A., Arai M., Shimizu N.

    PROCEEDINGS OF THE 2020 32ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD 2020)     頁: 451 - 454   2020年

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講演・口頭発表等 1

  1. First Demonstration of Si Superjunction BJT with Ultra-High Current Gain and Low ON-resistance

    Yano K.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    DOI: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170099

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