研究者詳細 - 鄭　惠貞

写真a

チョン　ヘジョン

鄭　惠貞

Heajeong Cheong

所属

大学院工学研究科共通助教

大学院担当

大学院工学研究科

学部担当

工学部

連絡先

外部リンク

学位 1

博士(学術) （ 2009年3月東京工業大学）

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研究キーワード 1

LED,IGZO,マイクロ波

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研究分野 1

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器

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現在の研究課題とSDGs 1

GaNを利用したマイクロLEDの開発

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経歴 6

名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー（VB 助教

2020年5月 - 現在
名古屋大学未来材料・システム研究科研究員

2016年11月 - 2020年3月
産業技術総合研究所フレキシブルエレクトロニクス研究センター特別研究員

2013年4月 - 2015年12月

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備考：自分らで作製した塗布型酸化物半導体（InGaZnO）を用いて、低温でかつ短時間の焼成方法として2.45GHｚマイクロ波を利用し、トランジスタの開発
産業技術総合研究所ナノシステム研究部門特別研究員

2012年10月 - 2013年3月

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備考：電子回路形成用の導電性インクでよく用いられているAg ペーストと低コストで導電性を持つCuペーストを利用した焼成技術の開発-トクセン工業株式会社・産総研共同研究
産業技術総合研究所環境化学技術研究部門研究員

2011年10月 - 2012年5月

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備考：電子回路形成用の導電性インクとしてAg ペーストの開発及び焼成技術としてマイクロ波を用いて技術開発-NDEOプロジェクト
Samsung Electronics Co., Ltd. System LSI C&M PA 課長

2009年3月 - 2011年3月

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国名：大韓民国

備考：NANDフラッシュメモリを中心とした不揮発性メモリチップ、およびそのメモリチップを使ったSDカードなどの応用製品の開発

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学歴 3

東京工業大学理工学研究科博士課程電子物理専攻理工学研究科博士課程電子物理専攻

2004年10月 - 2009年3月
東亜大学校大学院(韓国) 自然科学部修士課程新素材物理専攻　

2001年3月 - 2003年2月

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国名：大韓民国
東亜大学校　(韓国) 自然科学部新素材物理学科

1999年9月 - 2001年2月

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国名：大韓民国

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委員歴 2

VBL運営委員会

2020年4月 - 現在
極低温実験室運営委員会委員

2020年4月 - 現在

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団体区分：その他

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受賞 2

The 2nd IEEE Tokyo Student workshop、オリジナリティ賞受賞

2005年12月東京工業大学 100年後の光デバイス

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受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞受賞国：日本国
交流研究助成金

2005年3月財団法人丸文研究交流財団シリコン量子ドット発光デバイスの研究

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受賞区分：出版社・新聞社・財団等の賞受賞国：日本国

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論文 24

Dislocation Suppresses Sidewall-Surface Recombination of Micro-LEDs 査読有り

Jeong-Hwan Park, Markus Pristovsek, Wentao Cai, Heajeong Cheong, Chang-Mo Kang, Dong-Seon Lee, Tae-Yeon Seong, Hiroshi Amano

laser and photonics reviews 頁： 2300199 (1 of 8) - 2300199 (8 of 8) 2023年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： https://doi.org/10.1002/lpor.202300199
Impact of Sidewall Conditions on Internal Quantum Efficiency and Light Extraction Efficiency of Micro-LEDs 査読有り

Jeong-Hwan Park, Markus Pristovsek, Wentao Cai, Heajeong Cheong, Atsushi Tanaka, Yuta Furusawa, Dong-Pyo Han, Tae-Yeon Seong, Hiroshi Amano

Advanced Optical Materials 頁： 2203128-1 - 2203128-9 2023年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： https://doi.org/10.1002/adom.202203128
The effect of dry etching condition on the performance of blue micro light-emitting diodes with reduced quantum confined Stark effect epitaxial layer 査読有り

Jeong-Hwan Park, Wentao Cai,Heajeong Cheong,Yasuhisa Ushida, Da-Hoon Lee, Yuto Ando, Yuta Furusawa, Yoshio Honda, Dong-Seon Lee,Tae-Yeon Seong, and Hiroshi Amano

Journal of Applied Physics 頁： 153104 2022年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： https://doi.org/10.1063/5.0085384
Dislocation Suppresses Sidewall-Surface Recombination of Micro-LEDs

Park, JH; Pristovsek, M; Cai, WT; Cheong, HJ; Kang, CM; Lee, DS; Seong, TY; Amano, H

LASER & PHOTONICS REVIEWS 17 巻 ( 10 ) 2023年10月

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出版者・発行元：Laser and Photonics Reviews

Nonradiative recombination rate that consists of dislocation-related nonradiative recombination rate (A0) and surface recombination rate (As) is one of the major parameters determining the performance of microlight-emitting diodes (µLEDs). Recent demonstrations improving the efficiency of blue InGaN or red AlGaInP µLEDs using specific methods such as atomic layer deposition or chemical treatment confirm the suppression of As. However, it is hardly found that those methods effectively improve the efficiency of red InGaN µLEDs so far. Here, it is discovered that the dislocation leads to an ineffective As. First, an intrinsic As degrades the external quantum efficiency (EQE) of blue InGaN µLEDs, resulting in EQE decreases with shrinking size. Second, panchromatic cathodoluminescence finds evidence that most of the carriers can be trapped before reaching the sidewall due to high A0. This results in shortened diffusion length of carriers and reduces the number of carriers reaching the sidewall. Consequently, the opposite trend of increasing EQE with shrinking size occurs in the case of red InGaN µLEDs due to an ineffective As. Furthermore, an 8.3 nm quantum well of InGaN with 13% Indium content that can reach a ≈690 nm wavelength at the low current is shown.

DOI： 10.1002/lpor.202300199

Web of Science

Scopus
Impact of Sidewall Conditions on Internal Quantum Efficiency and Light Extraction Efficiency of Micro-LEDs

Park, JH; Pristovsek, M; Cai, WT; Cheong, HJ; Tanaka, A; Furusawa, Y; Han, DP; Seong, TY; Amano, H

ADVANCED OPTICAL MATERIALS 11 巻 ( 10 ) 2023年5月

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出版者・発行元：Advanced Optical Materials

The sidewall condition is a key factor determining the performance of micro-light emitting diodes (µLEDs). In this study, equilateral triangular III-nitride blue µLEDs are prepared with exclusively m-plane sidewall surfaces to confirm the impact of sidewall conditions. It is found that inductively coupled plasma-reactive ion etching (ICP-RIE) causes surface damages to the sidewall and results in rough surface morphology. As confirmed by time-resolved photoluminescence (TRPL) and X-ray photoemission spectroscopy (XPS), tetramethylammonium hydroxide (TMAH) eliminates the etching damage and flattens the sidewall surface. After ICP-RIE, 100 µm2-µLEDs yield higher external quantum efficiency (EQE) than 400 µm2-µLEDs. However, after TMAH treatment, the peak EQE of 400 µm2-µLEDs increases by ≈10% in the low current regime, whereas that of 100 µm2-µLEDs slightly decreases by ≈3%. The EQE of the 100 µm2-µLEDs decreases after TMAH treatment although the internal quantum efficiency (IQE) increases. Further, the IQE of the 100 µm2-µLEDs before and after TMAH treatment is insignificant at temperatures below 150 K, above which it becomes considerable. Based on PL, XPS, scanning transmission electron microscopy, and scanning electron microscopy results, mechanisms for the size dependence of the EQE of µLEDs are explained in terms of non-radiative recombination rate and light extraction.

DOI： 10.1002/adom.202203128

Web of Science

Scopus
Red emission from InGaN active layer grown on nanoscale InGaN pseudosubstrates 査読有り

Cai, WT; Wang, J; Park, JH; Furusawa, Y; Cheong, HJ; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62 巻 ( 2 ) 2023年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics

We demonstrated nanoplatelet In x Ga1−x N pseudosubstrates with In content varying from 0 to 0.3 on low-dislocation-density GaN substrates. These nanoplatelets efficiently relax in-plane strain, thus allowing for the use of a thick active layer to reduce built-in polarization. The 15 nm thick InGaN active layers grown under the same conditions on these nanoplatelets showed a remarkable cathodoluminescence redshift from 460 to 617 nm, suggesting enhanced In incorporation efficiency in InGaN nanoplatelets with higher In content. Moreover, the 617 nm-emitting sample presented an imperceptible blueshift under excitation-power-dependent photoluminescence, indicating a weak polarization field introduced by the high-In-content pseudosubstrates and the thick active layer.

DOI： 10.35848/1347-4065/acb74c

Web of Science

Scopus
High In content nitride sub-micrometer platelet arrays for long wavelength optical applications

Cai, WT; Furusawa, Y; Wang, J; Park, JH; Liao, YQ; Cheong, HJ; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS 121 巻 ( 21 ) 2022年11月

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出版者・発行元：Applied Physics Letters

We demonstrate high, up to 30% In content InGaN sub-micrometer platelets on GaN by metalorganic vapor phase epitaxy. These InGaN platelets were selectively grown on flat GaN seeds formed in sub-micrometer-scale openings in a SiNx mask. The platelets were highly uniform without any dislocations or pits, with an atomically flat (0001) surface. The typical height was ∼120 nm, which significantly exceeded the normal critical layer thickness of a c-plane InGaN film. The strain state was comprehensively characterized by microbeam x-ray diffraction and transmission electron microscopy. Due to a gradual elastic relaxation of strain, the In content increased almost linearly from bottom to top because of the strong strain-dependent In incorporation. These platelets can serve as high-quality strain-relaxed templates for long wavelength micro-light-emitting diodes.

DOI： 10.1063/5.0120723

Web of Science

Scopus
Interplay of sidewall damage and light extraction efficiency of micro-LEDs

Park, JH; Pristovsek, M; Cai, WT; Cheong, H; Kumabe, T; Lee, DS; Seong, TY; Amano, H

OPTICS LETTERS 47 巻 ( 9 ) 頁： 2250 - 2253 2022年5月

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記述言語：英語出版者・発行元：Optics Letters

This Letter describes the impact of shape on micro light-emitting diodes (µLEDs), analyzing 400 µm2 area µLEDs with various mesa shapes (circular, square, and stripes). Appropriate external quantum efficiency (EQE) can yield internal quantum efficiency (IQE) which decreases with increasing peripheral length of the mesas. However, light extraction efficiency (ηe) increased with increasing mesa periphery. We introduce analysis of Jpeak (the current at peak EQE) since it is proportional to the non-radiative recombination. Etching the sidewalls using tetramethylammonium hydroxide (TMAH) increased the peak EQE and decreased the sidewall dependency of Jpeak. Quantitatively, the TMAH etching reduced non-radiative surface recombination by a factor of four. Hence, shrinking µLEDs needs an understanding of the relationship between non-radiative recombination and ηe, where analyzing Jpeak can offer new insights.

DOI： 10.1364/OL.456993

Web of Science

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PubMed
The effect of dry etching condition on the performance of blue micro light-emitting diodes with reduced quantum confined Stark effect epitaxial layer

Park, JH; Cai, W; Cheong, H; Ushida, Y; Lee, DH; Ando, Y; Furusawa, Y; Honda, Y; Lee, DS; Seong, TY; Amano, H

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 131 巻 ( 15 ) 2022年4月

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出版者・発行元：Journal of Applied Physics

As the size of micro light-emitting diodes (μLEDs) decreases, μLEDs encounter etching damage especially at the sidewalls that critically affects their properties. In this study, we investigated the influence of etching bias power (Pbias) on the performance of μLEDs and found that the current-voltage and light output-current characteristics of μLEDs were enhanced when Pbias was reduced. It was shown that at low Pbias, the chemical reaction between etching gas and gallium nitride, rather than ion sputtering, dominated the etching process, leading to low plasma damage and rough surface morphology. Additionally, to understand the etching-induced surface roughening behaviors, various substrates with different threading dislocation densities were treated at low Pbias. It was found that for the sample (with p-contact size of 10 × 10 μm2), the efficiency droop was approximately 20%, although the current reached 10 mA due most probably to the suppressed polarization effect in the quantum well. It was further observed that the external quantum efficiency (EQE) was dependent on Pbias, where the lowest Pbias yielded the highest maximum EQE, indicating that the plasma damage was mitigated by reducing Pbias. Optimization of dry etching and polarization-suppression conditions could pave the way for realizing high-performance and brightness μLEDs for next-generation displays.

DOI： 10.1063/5.0085384

Web of Science

Scopus
Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE 査読有り

Nagamatsu, K; Ando, Y; Kono, T; Cheong, H; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 512 巻頁： 78 - 83 2019年4月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Journal of Crystal Growth

This study examines the effect of (0 0 0 −1) GaN substrate misorientation on the residual impurities and surface morphology of N-polar GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy. Carbon, silicon, and oxygen concentrations decreased with increasing GaN substrate misorientation angle, with the lowest impurity concentration achieved for a misorientation angle of 2° toward the m-axis, with 6 × 10 15 cm −3 carbon, 6 × 10 15 cm −3 silicon, and 4 × 10 17 cm −3 oxygen atoms. The oxygen concentration was measured at a depth of 0.5 μm below the wafer surface, and the oxygen concentration decreased with increasing thickness. The incorporation of carbon and oxygen revealed a strong dependence on the misorientation angle. The step distance height of the steps parallel to the [1 1 −2 0] direction (or perpendicular to the [1 −1 0 0] m-direction) was confirmed to be a double-height layer step. This phenomenon indicated that m-direction steps are stable for N-polar growth in GaN. In cases of large misorientation toward the m-axis in of the GaN substrate it was difficult to control the misorientation perpendicular to the nominal direction leading to a-axis direction by wafer bowing at wafer manufacturing. Therefore, step-bunching was generated for each symmetric m-axis due to an increase in the compound's off-angle, thus causing the surface roughness to become large.

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.013

Web of Science

Scopus
Suitability of Copper Nitride as a Wiring Ink Sintered by Low-Energy Intense Pulsed Light Irradiation 査読有り

Nakamura, T; Cheong, HJ; Takamura, M; Yoshida, M; Uemura, S

NANOMATERIALS 8 巻 ( 8 ) 2018年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Nanomaterials

Copper nitride particles have a low decomposition temperature, they absorb light, and are oxidation-resistant, making them potentially useful for the development of novel wiring inks for printing circuit boards by means of intense pulsed light (IPL) sintering at low-energy. Here, we compared the thermal decomposition and light absorption of copper materials, including copper nitride (Cu3N), copper(I) oxide (Cu2O), or copper(II) oxide (CuO). Among the copper compounds examined, copper nitride had the second highest light absorbency and lowest decomposition temperature; therefore, we concluded that copper nitride was the most suitable material for producing a wiring ink that is sintered by means of IPL irradiation. Wiring inks containing copper nitride were compared with those of wiring inks containing copper nitride, copper(I) oxide, or copper(II) oxide, and copper conversion rate and sheet resistance were also determined. Under low-energy irradiation (8.3 J cm−2), copper nitride was converted to copper at the highest rate among the copper materials, and provided a sheet resistance of 0.506 Ω·sq−1, indicating that copper nitride is indeed a candidate material for development as a wiring ink for low-energy intense pulsed light sintering-based printed circuit board production processes.

DOI： 10.3390/nano8080617

Web of Science

Scopus

PubMed
<i>m</i>-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle <i>m</i>-Plane GaN Substrates

Tanaka, A; Ando, Y; Nagamatsu, K; Deki, M; Cheong, H; Ousmane, B; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 215 巻 ( 9 ) 2018年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

In this study, GaN m-plane Schottky barrier diodes are fabricated by metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE) on several off-angle gallium nitride (GaN) substrates, and the off-cut angle dependence of impurity incorporation is investigated. We show that the MOVPE layer on the substrate inclined 5° toward the [000–1] direction has extremely low impurity incorporation. These results provide important suggestions for the fabrication of m-plane power devices.

DOI： 10.1002/pssa.201700645

Web of Science

Scopus
Flexible InGaZnO TFT devices obtained via humid-UV irradiation with an aqueous-fluoroalcoholic precursor 査読有り

Shintaro Ogura, Heajeong Cheong, Sei Uemura, Hirobumi Ushijima and Nobuko Fukuda.

Flexible and Printed Electronics 2016年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Solution-processed hybrid organic-inorganic complementary thin-film transistor inverter 査読有り

Heajeong Cheong, Kazunori Kuribara, Shintaro Ogura, Nobuko Fukuda, Manabu Yoshida, Hirobumi Ushijima and Sei Uemura,

Jpn. J. Appl. Phys 2016年4月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Rapid preparation of solution-processed InGaZnO thin film by microwave irradiation and photoirradiation 査読有り

Heajeong Cheong, Shintaro Ogura, Hirobumi Ushijima, Manabu Yoshida, Nobuko Fukuda, and Sei Uemura,

AIP advanced 2015年3月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： https://doi.org/10.1063/1.4922512
Investigation of Low Temperature Process of Solution Processed Oxide Semiconductor as a Thin Film Transistor 査読有り

Hea Jeong Cheong, Shintaro Ogura, Manabu Yoshida, Hirobumi Ushijima, Nobuko Fukuda, Sei Uemura

J. Photopolym. Sci. Techol 2015年

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語
Effect of Microwave Annealing on Oxide-Semiconductor-Precursor Ink 査読有り

Hea Jeong Cheong, Nobuko Fukuda, Shintaro Ogura, Heisuke Sakai, Yoshida Manabu, Takehito Kodzasa, Hideo Tokuhisa, Kazuhiko Tokoro, Kazuhiko Takeuchi, Ritsuko Nagahata, Takashi Nakamura, and Sei Uemura

J. Photopolym. Sci. Technol. 2014年

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語
Characterization of an Oxide Semiconductor Prepared by Microwave Sintering 査読有り

Hea Jeong Cheong, Nobuko Fukuda, Heisuke Sakai, Shintaro Ogura, Kazuhiko Takeuchi, Ritsuko Nagahata, Sei Uemura

Jpn. J. Appl. Phys 2014年

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語
Visible Electroluminescence from Spherical-shaped Silicon Nanocrystals 査読有り

Hea Jeong Cheong, Atsushi Tanaka, Daihei Hippo, Koichi Usami, Yoshishige Tsuchiya, Hiroshi Mizuta, and Shunri Oda

Jpn. J. Appl. Phys. 2008年

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語
Growth of highly Luminescence Silicon Nanocrystals by Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition 査読有り

Yong Kim, Hea Jeong Cheong, Jung Hyun Kang, Jae Kwon Kim, Tae Hun Chung, Hong Jun Bark, Jae-Yel Yi

Key. Eng. Mat 2005年

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記述言語：英語
Formation of luminescent Si nanocrystals by high-temperature rapid thermal chemical vapor deposition 査読有り

Hea Jeong Cheong, Jung Hyun Kang, Jae Kwon Kim, Yong Kim, Tae Hun Chung, Hong Jun Bark, Jae-Yel Yi

Appl. Phys. Lett. 2003年

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： https://doi.org/10.1063/1.1616646
Rapid Thermal Annealing Effect on Charge Storage Characteristics in MOS Capacitor with Ge Nanocrystals 査読有り

Jae Kwon Kim, Hea Jeong Cheong, Kyung Hwa Park, Yong Kim, Jae-Yel Yi and Hong Jun Bark, Yong Lee

J. Kor. Phys. Soc. 2003年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Rapid-thermal-annealing effect on lateral charge loss in metal-oxide-semiconductor capacitors with Ge nanocrystals 査読有り

Jae Kwon Kim, Hea Jeong Cheong, Yong Kim, Jae-Yel Yi, Hong Jun Bark, S. H. Bang and J. H. Cho

Appl. Phys. Lett. 2003年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Charge retention characteristics in a metal-insulator-semiconductor capacitor containing Ge nanocrystal 査読有り

Yong Kim, Hea Jeong Cheong, Kyung Hwa Park, Tae Hun Chung, Hong Jun Bark, Jae-Yel Yi, Suk, Hyun Bang, and Jin Hyung Cho

Semicond. Sci. Technol. 2002年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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講演・口頭発表等 28

GaNのマイクロ波アニーリングにおける加熱効率の評価と考察国際共著

中村考志、鄭恵貞、田中敦之、天野浩

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月16日公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：東京国名：日本国
The importance of sidewall conditions on the performance of micro LEDs 国際会議

Jeong-Hwan Park, Markus Pristovsek, Wentao Cai, Heajeong Cheong, Atsushi Tanaka, Yuta Furusawa, Dong-Pyo Han, Tae-Yeon Seong, Hiroshi Amano

2023年3月17日

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Relationship between sidewall damage and light extraction efficiency on the micro-LED 国際会議

Jeong-Hwan Park, Markus Pristovsek, Wentao Cai, Heajeong Cheong, Takeru Kumabe, Dong-Seon Lee, Tae-Yeon Seong, Hiroshi Amano

IWN2022

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

国名：ドイツ連邦共和国
Enhanced Indium Incorporation in full InGaN MQWs on High Indium Content InGaN Platelets 国際会議

IWN2022

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
マイクロ波磁場による窒化ガリウム基板の急速アニーリング技術の開発と基板の特性評価国際共著

中村考志、西岡将輝、鄭恵貞、田中敦之、天野浩

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月20日公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：東北国名：日本国
"High In-Content InGaN Platelets as Underlayer for Light-Emitting Diodes Toward Long Wavelength Application "

Wentao Cai, Yuta Furusawa, Jeong-Hwan Park, Heajeong Cheong, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

The Electronic Materials Conference2022

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開催年月日： 2022年6月 - 2022年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Enhancing the External Quantum Efficiency of Micro-LEDs via Optimized Dry Etching Condition 国際会議

Jeong-Hwan Park, Heajeong Cheong, Yasuhisa Ushida, Wentao Cai, Yuta Furusawa, Tae-Yeon Seong, Hiroshi Amano

The Electronic Materials Conference 2022

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開催年月日： 2022年6月 - 2022年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Fabrication of micro-LED and HEMT on the same wafer for an active-matrix display 国際会議

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開催年月日： 2022年4月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：JAPAN
High In-content InGaN Platelet as Underlayer for Light Emitting Diodes toward Long Wavelength Application 国際会議

Cai Wentao

International Conference on Materials and Systems for Sustainability2021 2021年11月5日

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開催年月日： 2021年11月 - 2021年1月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：On-Line 国名：日本国
The effect of dry etching condition on the micro-LED 国際会議

Jeong-hwan Park

The 21st International Meeting on Information Display 2021年8月27日

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開催年月日： 2021年8月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：On-Line 国名：大韓民国
シリコン量子ドットからの可視エレクトロルミネッセンスの観測

鄭恵貞

第53回応用物理学関係連合講演会 2006年3月

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開催地：武蔵工業大学世田谷キャンパス
サイズ制御したシリコン量子ドットからの可視エレクトロルミネッセンス

鄭恵貞

第67回応用物理学会学術講演会 2006年9月

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開催地：上智大学四谷キャンパス
ナノ結晶シリコンドット発光デバイスの断面構造解析と窒化膜を利用した高性能化の検討

鄭恵貞

第68回応用物理学会学術講演会 2007年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学札幌キャンパス
基板窒化処理によるシリコンナノ結晶ELデバイスの高性能化

鄭恵貞

第69回応用物理学会学術講演会 2008年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：中部大学三浦幸平メモリアルホール
マイクロ波加熱を利用した酸化物TFTの作製

鄭恵貞

第74回応用物理学会春季学術講演会 2013年9月

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開催地：同志社大学京田辺キャンパス
酸化物半導体前駆体のインク化とマイクロ波焼成プロセスの開発

鄭恵貞

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：青山学院大学相模原キャンパス
酸化物半導体の低温化・短時間焼成プロセスの検討

鄭恵貞

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）
酸化物半導体を低温溶液プロセスで作製する際のマイクロ波及び真空紫外光照射効果の確認

鄭恵貞

第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）
低温塗布IGZOを用いた有機半導体とのハイブリッドインバータの作製

鄭恵貞

第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）
Visible Electroluminescence from Size-Controlled Silicon Quantum Dots 国際会議

Heajeong Cheong

Conference on Laser and Electro-Optics 2006 2006年5月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：California Long beach Convention center, (USA)
Light emission from size reduced nanocrystal silicon quantum dots 国際会議

Heajeong Cheong

Conference on Laser and Electro-Optics 2007 2007年5月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Baltimore Convention Center, Maryland, (USA)
Characterization of an Oxide Semiconductor Prepared by Microwave Sintering 国際会議

Heajeong Cheong

International Conference on Flexible and Printed Electronics 2013年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Jeju island, (Korea),
Effect of Microwave annealing on oxide-semiconductor-precursor Ink 国際会議

Heajeong Cheong

International Conference of Photopolymer Science and Technology 2014年6月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Chiba (JAPAN)
Low temperature fabrication of oxide semiconductor thin film transistor by photo irradiation 国際会議

Heajeong Cheong

International Conference of Science and Technology of Synthetic Metals 2014年7月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Turku (Finland)
Fabrication of solution-processed oxide semiconductor thin film transistors at low temperature 国際会議

Hea Jeong Cheong

International Conference on Flexible and Printed Electronics, 2014年10月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）
Investigation of Low Temperature Process of Solution Processed Oxide Semiconductor　as a Thin Film Transistor 国際会議

Heajeong Cheong

International Conference of Photopolymer Science and Technology 2015年6月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Solution-Processed Hybrid Organic–Inorganic Complementary Thin-Film Transistor Inverter 国際会議

Heajeong Cheong

International Conference on Solid State Devices and Materials 2015年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Fabrication of Hybrid Organic-Inorganic Complementary Inverter at Low Temperature”, International Conference on Flexible and Printed Electronics 国際会議

Heajeong Cheong

International Conference on Flexible and Printed Electronics 2015年10月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：台湾

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講演・口頭発表等の先頭へ▲

その他研究活動 3

萌芽的共創研究

2023年7月

-

2024年3月

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電場・磁場分離マイクロ波加熱によるGaNの再結晶化促進メカニズムの究明
CIRFE若手活性化支援事業

2021年7月

-

2022年3月
産総研－名古屋大学アライアンス事業

2020年11月

-

2022年3月

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共同研究・競争的資金等の研究課題 4

Red発光Micro LED素子の開発国際共著

2023年6月 - 2024年5月

共同研究共同研究

鄭恵貞, CAI Wentao, WANG Jia, HAN Qingyuan

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担当区分：研究分担者資金種別：産学連携による資金

配分額：30000000円（直接経費：23077000円、間接経費：6923000円）
GaNの極性を利用したマイクロ波アニール（全く新規の独創的研究）

2021年7月 - 2022年3月

CIRFE若手活性化支援事業の研究費

鄭恵貞

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担当区分：研究代表者資金種別：その他

配分額：2200000円（直接経費：2200000円）
マイクロ波磁場加熱によるGaN薄膜への高効率イオン注入プロセスの研究開発

2020年11月 - 2022年3月

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担当区分：研究代表者資金種別：その他

配分額：120000円（直接経費：120000円）
[Integrated GaN Active Matrix Emitters (i-GAME) 国際共著

2017年6月 - 現在

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担当区分：研究分担者資金種別：その他

配分額：82500000円（直接経費：80097500円、間接経費：2402500円）

共同研究・競争的資金等の研究課題の先頭へ▲

科研費 1

シングルモードマイクロ波を用いたGaNの加熱応答の究明と加熱プロセスの開発

研究課題/研究課題番号：24K07591 2024年4月 - 2027年3月

科学研究費助成事業基盤研究(C)

鄭恵貞, 田中敦之

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担当区分：研究代表者

配分額：4550000円（直接経費：3500000円、間接経費：1050000円）

本研究は、窒化ガリウム（GaN）の加熱方法に関する革新的なアプローチを提案している。従来の方法では、主に熱伝導による加熱が行われてきたがこの研究ではGaNの極性を利用した直接加熱法としてマイクロ波加熱を導入する。一般的なマイクロ波加熱は、電場と磁場がランダムに作用するマルチモードが用いられているが、GaNのような極性がある材料を効率的に加熱するためには、極性に適したマイクロ波の当て方を採用する必要がある。本研究では、炉内に定在させた電場や磁場のみを作用させる技術を開発し、GaNの結晶方位とマイクロ波の電場/磁場ベクトルとの関係が加熱効果に与える影響を明らかにすることを目指している。

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産業財産権 3

東海国立大学機構

鄭恵貞

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出願人：東海国立大学機構

出願番号：2022-069325 出願日：2022年4月

出願国：国内取得国：国内
独立行政法人産業技術総合研究所

福田伸子、鄭　恵貞

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出願番号：特願2013-263412(P2013-263412) 出願日：2015年12月

公開番号：特開2014-143403(P2014-143403A) 公開日：2016年8月

出願国：国内取得国：国内

【発明の名称】多成分系酸化物半導体の前駆体塗布液及び該塗布液を用いた多成分系酸化物半導体膜の製造方法
独立行政法人産業技術総合研究所

植村　聖、鄭　恵貞

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出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

出願番号：特願2015-10985(P2015-10985) 出願日：2015年1月

公開番号：特開2016-136565(P2016-136565A) 公開日：2016年7月

出願国：国内取得国：国内

【発明の名称】半導体製造装置および半導体製造方法

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