2022/05/13 更新

写真a

チョン ヘジョン
鄭 惠貞
Heajeong Cheong
所属
大学院工学研究科 共通 助教
大学院担当
大学院工学研究科
学部担当
工学部
職名
助教
連絡先
メールアドレス
外部リンク

学位 1

  1. 博士(学術) ( 2019年3月   東京工業大学 ) 

研究キーワード 1

  1. LED,IGZO,マイクロ波

研究分野 1

  1. ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

現在の研究課題とSDGs 1

  1. GaNを利用したマイクロLEDの開発

経歴 6

  1. 名古屋大学   ベンチャービジネスラボラトリー(VB   助教

    2020年5月 - 現在

  2. 名古屋大学   未来材料・システム研究科   研究員

    2016年11月 - 2020年3月

  3. 産業技術総合研究所   フレキシブルエレクトロニクス研究センター   特別研究員

    2013年4月 - 2015年12月

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    備考:自分らで作製した塗布型酸化物半導体(InGaZnO)を用いて、低温でかつ短時間の焼成方法として2.45GHzマイクロ波を利用し、トランジスタの開発

  4. 産業技術総合研究所   ナノシステム研究部門   特別研究員

    2012年10月 - 2013年3月

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    備考:電子回路形成用の導電性インクでよく用いられているAg ペーストと低コストで導電性を持つCuペーストを利用した焼成技術の開発-トクセン工業株式会社・産総研共同研究

  5. 産業技術総合研究所   環境化学技術研究部門   研究員

    2011年10月 - 2012年5月

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    備考:電子回路形成用の導電性インクとしてAg ペーストの開発及び焼成技術としてマイクロ波を用いて技術開発-NDEOプロジェクト

  6. Samsung Electronics Co., Ltd.   System LSI C&M PA   課長

    2009年3月 - 2011年3月

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    国名:大韓民国

    備考:NANDフラッシュメモリを中心とした不揮発性メモリチップ、およびそのメモリチップを使ったSDカードなどの応用製品の開発

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学歴 3

  1. 東京工業大学   理工学研究科博士課程電子物理専攻   理工学研究科博士課程電子物理専攻

    2004年10月 - 2009年3月

  2. 東亜大学校大学院(韓国)   自然科学部   修士課程新素材物理専攻 

    2001年3月 - 2003年2月

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    国名: 大韓民国

  3. 東亜大学校 (韓国)   自然科学部   新素材物理学科

    1999年9月 - 2001年2月

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    国名: 大韓民国

委員歴 2

  1. VBL運営委員会  

    2020年4月 - 現在   

  2. 極低温実験室運営委員会委員  

    2020年4月 - 現在   

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    団体区分:その他

受賞 2

  1. The 2nd IEEE Tokyo Student workshop、オリジナリティ賞受賞

    2005年12月   東京工業大学   100年後の光デバイス

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  2. 交流研究助成金

    2005年3月   財団法人丸文研究交流財団   シリコン量子ドット発光デバイスの研究

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    受賞区分:出版社・新聞社・財団等の賞  受賞国:日本国

 

論文 18

  1. Suitability of Copper Nitride as a Wiring Ink Sintered by Low-Energy Intense Pulsed Light Irradiation 査読有り

    Nakamura Takashi, Cheong Hea Jeong, Takamura Masahiko, Yoshida Manabu, Uemura Sei

    NANOMATERIALS   8 巻 ( 8 )   2018年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nanomaterials  

    Copper nitride particles have a low decomposition temperature, they absorb light, and are oxidation-resistant, making them potentially useful for the development of novel wiring inks for printing circuit boards by means of intense pulsed light (IPL) sintering at low-energy. Here, we compared the thermal decomposition and light absorption of copper materials, including copper nitride (Cu3N), copper(I) oxide (Cu2O), or copper(II) oxide (CuO). Among the copper compounds examined, copper nitride had the second highest light absorbency and lowest decomposition temperature; therefore, we concluded that copper nitride was the most suitable material for producing a wiring ink that is sintered by means of IPL irradiation. Wiring inks containing copper nitride were compared with those of wiring inks containing copper nitride, copper(I) oxide, or copper(II) oxide, and copper conversion rate and sheet resistance were also determined. Under low-energy irradiation (8.3 J cm−2), copper nitride was converted to copper at the highest rate among the copper materials, and provided a sheet resistance of 0.506 Ω·sq−1, indicating that copper nitride is indeed a candidate material for development as a wiring ink for low-energy intense pulsed light sintering-based printed circuit board production processes.

    DOI: 10.3390/nano8080617

    Web of Science

    Scopus

  2. Flexible InGaZnO TFT devices obtained via humid-UV irradiation with an aqueous-fluoroalcoholic precursor 査読有り

    Shintaro Ogura, Heajeong Cheong, Sei Uemura, Hirobumi Ushijima and Nobuko Fukuda.

    Flexible and Printed Electronics     2016年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  3. Rapid preparation of solution-processed InGaZnO thin film by microwave irradiation and photoirradiation 査読有り

    Heajeong Cheong, Shintaro Ogura, Hirobumi Ushijima, Manabu Yoshida, Nobuko Fukuda, and Sei Uemura,

    AIP advanced     2015年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1063/1.4922512

  4. Formation of luminescent Si nanocrystals by high-temperature rapid thermal chemical vapor deposition 査読有り

    Hea Jeong Cheong, Jung Hyun Kang, Jae Kwon Kim, Yong Kim, Tae Hun Chung, Hong Jun Bark, Jae-Yel Yi

    Appl. Phys. Lett.     2003年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1063/1.1616646

  5. Interplay of sidewall damage and light extraction efficiency of micro-LEDs.

    Park JH, Pristovsek M, Cai W, Cheong H, Kumabe T, Lee DS, Seong TY, Amano H

    Optics letters   47 巻 ( 9 ) 頁: 2250 - 2253   2022年5月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1364/OL.456993

    PubMed

  6. Interplay of sidewall damage and light extraction efficiency of micro-LEDs 査読有り

        2021年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  7. The effect of dry etching condition on the performance of blue micro light-emitting diodes with reduced quantum confined stark effect epitaxial layer 査読有り

    Jeong-Hwan Park Wentao Cai,Heajeong Cheong,Yasuhisa Ushida,Da-Hoon Lee, Yuto Ando,Yuta Furusawa,Yoshio Honda,Dong-Seon Lee,Tae-Yeon Seong,and Hiroshi Amano

    Journal of Applied Physics     2021年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  8. Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE 査読有り

    Nagamatsu Kentaro, Ando Yuto, Kono Tsukasa, Cheong Heajeong, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   512 巻   頁: 78 - 83   2019年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Crystal Growth  

    This study examines the effect of (0 0 0 −1) GaN substrate misorientation on the residual impurities and surface morphology of N-polar GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy. Carbon, silicon, and oxygen concentrations decreased with increasing GaN substrate misorientation angle, with the lowest impurity concentration achieved for a misorientation angle of 2° toward the m-axis, with 6 × 10 15 cm −3 carbon, 6 × 10 15 cm −3 silicon, and 4 × 10 17 cm −3 oxygen atoms. The oxygen concentration was measured at a depth of 0.5 μm below the wafer surface, and the oxygen concentration decreased with increasing thickness. The incorporation of carbon and oxygen revealed a strong dependence on the misorientation angle. The step distance height of the steps parallel to the [1 1 −2 0] direction (or perpendicular to the [1 −1 0 0] m-direction) was confirmed to be a double-height layer step. This phenomenon indicated that m-direction steps are stable for N-polar growth in GaN. In cases of large misorientation toward the m-axis in of the GaN substrate it was difficult to control the misorientation perpendicular to the nominal direction leading to a-axis direction by wafer bowing at wafer manufacturing. Therefore, step-bunching was generated for each symmetric m-axis due to an increase in the compound's off-angle, thus causing the surface roughness to become large.

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.013

    Web of Science

    Scopus

  9. m-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle m-Plane GaN Substrates

    Tanaka Atsushi, Ando Yuto, Nagamatsu Kentaro, Deki Manato, Cheong Heajeong, Ousmane Barry, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   215 巻 ( 9 )   2018年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science  

    In this study, GaN m-plane Schottky barrier diodes are fabricated by metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE) on several off-angle gallium nitride (GaN) substrates, and the off-cut angle dependence of impurity incorporation is investigated. We show that the MOVPE layer on the substrate inclined 5° toward the [000–1] direction has extremely low impurity incorporation. These results provide important suggestions for the fabrication of m-plane power devices.

    DOI: 10.1002/pssa.201700645

    Web of Science

    Scopus

  10. Solution-processed hybrid organic-inorganic complementary thin-film transistor inverter 査読有り

    Heajeong Cheong, Kazunori Kuribara, Shintaro Ogura, Nobuko Fukuda, Manabu Yoshida, Hirobumi Ushijima and Sei Uemura,

    Jpn. J. Appl. Phys     2016年4月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  11. Investigation of Low Temperature Process of Solution Processed Oxide Semiconductor as a Thin Film Transistor 査読有り

    Hea Jeong Cheong, Shintaro Ogura, Manabu Yoshida, Hirobumi Ushijima, Nobuko Fukuda, Sei Uemura

    J. Photopolym. Sci. Techol     2015年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  12. Effect of Microwave Annealing on Oxide-Semiconductor-Precursor Ink 査読有り

    Hea Jeong Cheong, Nobuko Fukuda, Shintaro Ogura, Heisuke Sakai, Yoshida Manabu, Takehito Kodzasa, Hideo Tokuhisa, Kazuhiko Tokoro, Kazuhiko Takeuchi, Ritsuko Nagahata, Takashi Nakamura, and Sei Uemura

    J. Photopolym. Sci. Technol.     2014年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  13. Characterization of an Oxide Semiconductor Prepared by Microwave Sintering 査読有り

    Hea Jeong Cheong, Nobuko Fukuda, Heisuke Sakai, Shintaro Ogura, Kazuhiko Takeuchi, Ritsuko Nagahata, Sei Uemura

    Jpn. J. Appl. Phys     2014年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  14. Visible Electroluminescence from Spherical-shaped Silicon Nanocrystals 査読有り

    Hea Jeong Cheong, Atsushi Tanaka, Daihei Hippo, Koichi Usami, Yoshishige Tsuchiya, Hiroshi Mizuta, and Shunri Oda

    Jpn. J. Appl. Phys.     2008年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  15. Growth of highly Luminescence Silicon Nanocrystals by Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition 査読有り

    Yong Kim, Hea Jeong Cheong, Jung Hyun Kang, Jae Kwon Kim, Tae Hun Chung, Hong Jun Bark, Jae-Yel Yi

    Key. Eng. Mat     2005年

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    記述言語:英語  

  16. Rapid-thermal-annealing effect on lateral charge loss in metal-oxide-semiconductor capacitors with Ge nanocrystals 査読有り

    Jae Kwon Kim, Hea Jeong Cheong, Yong Kim, Jae-Yel Yi, Hong Jun Bark, S. H. Bang and J. H. Cho

    Appl. Phys. Lett.     2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  17. Rapid Thermal Annealing Effect on Charge Storage Characteristics in MOS Capacitor with Ge Nanocrystals 査読有り

    Jae Kwon Kim, Hea Jeong Cheong, Kyung Hwa Park, Yong Kim, Jae-Yel Yi and Hong Jun Bark, Yong Lee

    J. Kor. Phys. Soc.     2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  18. Charge retention characteristics in a metal-insulator-semiconductor capacitor containing Ge nanocrystal 査読有り

    Yong Kim, Hea Jeong Cheong, Kyung Hwa Park, Tae Hun Chung, Hong Jun Bark, Jae-Yel Yi, Suk, Hyun Bang, and Jin Hyung Cho

    Semicond. Sci. Technol.     2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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講演・口頭発表等 20

  1. High In-content InGaN Platelet as Underlayer for Light Emitting Diodes toward Long Wavelength Application 国際会議

    Cai Wentao

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability2021  2021年11月5日 

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    開催年月日: 2021年11月 - 2021年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:On-Line   国名:日本国  

  2. The effect of dry etching condition on the micro-LED 国際会議

    Jeong-hwan Park

    The 21st International Meeting on Information Display  2021年8月27日 

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    開催年月日: 2021年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:On-Line   国名:大韓民国  

  3. シリコン量子ドットからの可視エレクトロルミネッセンスの観測

    鄭 恵貞

    第53回応用物理学関係連合講演会  2006年3月 

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    開催地:武蔵工業大学世田谷キャンパス  

  4. サイズ制御したシリコン量子ドットからの可視エレクトロルミネッセンス

    鄭 恵貞

    第67回応用物理学会学術講演会  2006年9月 

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    開催地:上智大学四谷キャンパス  

  5. ナノ結晶シリコンドット発光デバイスの断面構造解析と窒化膜を利用した高性能化の検討

    鄭 恵貞

    第68回応用物理学会学術講演会  2007年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学札幌キャンパス  

  6. 基板窒化処理によるシリコンナノ結晶ELデバイスの高性能化

    鄭 恵貞

    第69回応用物理学会学術講演会  2008年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学三浦幸平メモリアルホール  

  7. マイクロ波加熱を利用した酸化物TFTの作製

    鄭 恵貞

    第74回応用物理学会春季学術講演会  2013年9月 

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    開催地:同志社大学京田辺キャンパス  

  8. 酸化物半導体前駆体のインク化とマイクロ波焼成プロセスの開発

    鄭 恵貞

    第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス  

  9. 酸化物半導体の低温化・短時間焼成プロセスの検討

    鄭 恵貞

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  10. 酸化物半導体を低温溶液プロセスで作製する際のマイクロ波及び真空紫外光照射効果の確認

    鄭 恵貞

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  11. 低温塗布IGZOを用いた有機半導体とのハイブリッドインバータの作製

    鄭 恵貞

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  12. Visible Electroluminescence from Size-Controlled Silicon Quantum Dots 国際会議

    Heajeong Cheong

    Conference on Laser and Electro-Optics 2006  2006年5月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:California Long beach Convention center, (USA)  

  13. Light emission from size reduced nanocrystal silicon quantum dots 国際会議

    Heajeong Cheong

    Conference on Laser and Electro-Optics 2007  2007年5月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Baltimore Convention Center, Maryland, (USA)  

  14. Characterization of an Oxide Semiconductor Prepared by Microwave Sintering 国際会議

    Heajeong Cheong

    International Conference on Flexible and Printed Electronics  2013年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Jeju island, (Korea),  

  15. Effect of Microwave annealing on oxide-semiconductor-precursor Ink 国際会議

    Heajeong Cheong

    International Conference of Photopolymer Science and Technology  2014年6月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Chiba (JAPAN)  

  16. Low temperature fabrication of oxide semiconductor thin film transistor by photo irradiation 国際会議

    Heajeong Cheong

    International Conference of Science and Technology of Synthetic Metals  2014年7月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Turku (Finland)  

  17. Fabrication of solution-processed oxide semiconductor thin film transistors at low temperature 国際会議

    Hea Jeong Cheong

    International Conference on Flexible and Printed Electronics,  2014年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  18. Investigation of Low Temperature Process of Solution Processed Oxide Semiconductor as a Thin Film Transistor 国際会議

    Heajeong Cheong

    International Conference of Photopolymer Science and Technology  2015年6月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  19. Solution-Processed Hybrid Organic–Inorganic Complementary Thin-Film Transistor Inverter 国際会議

    Heajeong Cheong

    International Conference on Solid State Devices and Materials  2015年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  20. Fabrication of Hybrid Organic-Inorganic Complementary Inverter at Low Temperature”, International Conference on Flexible and Printed Electronics 国際会議

    Heajeong Cheong

    International Conference on Flexible and Printed Electronics  2015年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:台湾  

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その他研究活動 2

  1. CIRFE若手活性化支援事業

    2021年7月
    -
    2022年3月

  2. 産総研-名古屋大学アライアンス事業

    2020年11月
    -
    2022年3月

共同研究・競争的資金等の研究課題 3

  1. GaNの極性を利用したマイクロ波アニール(全く新規の独創的研究)

    2021年7月 - 2022年3月

    CIRFE若手活性化支援事業の研究費 

    鄭恵貞

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    担当区分:研究代表者  資金種別:その他

    配分額:2200000円 ( 直接経費:2200000円 )

  2. マイクロ波磁場加熱によるGaN薄膜への高効率イオン注入プロセスの研究開発

    2020年11月 - 2022年3月

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    担当区分:研究代表者  資金種別:その他

    配分額:120000円 ( 直接経費:120000円 )

  3. [Integrated GaN Active Matrix Emitters (i-GAME) 国際共著

    2017年6月 - 現在

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    担当区分:研究分担者  資金種別:その他

    配分額:82500000円 ( 直接経費:80097500円 、 間接経費:2402500円 )

産業財産権 3

  1. 東海国立大学機構

    鄭恵貞

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    出願人:東海国立大学機構

    出願番号:2022-069325  出願日:2022年4月

    出願国:国内   取得国:国内

  2. 独立行政法人産業技術総合研究所

    福田伸子、鄭 恵貞

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    出願番号:特願2013-263412(P2013-263412)  出願日:2015年12月

    公開番号:特開2014-143403(P2014-143403A)  公開日:2016年8月

    出願国:国内   取得国:国内

    【発明の名称】多成分系酸化物半導体の前駆体塗布液及び該塗布液を用いた多成分系酸化物半導体膜の製造方法

  3. 独立行政法人産業技術総合研究所

    植村 聖、鄭 恵貞

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    出願人:独立行政法人産業技術総合研究所

    出願番号:特願2015-10985(P2015-10985)  出願日:2015年1月

    公開番号:特開2016-136565(P2016-136565A)  公開日:2016年7月

    出願国:国内   取得国:国内

    【発明の名称】半導体製造装置および半導体製造方法

 

担当経験のある科目 (本学) 9

  1. ナノ情報デバイスセミナー2C

    2021

  2. ナノ情報デバイスセミナー2B

    2021

  3. ナノ情報デバイスセミナー2A

    2021

  4. ナノ情報デバイスセミナー1D

    2021

  5. ナノ情報デバイスセミナー1C

    2021

  6. ナノ情報デバイスセミナー1B

    2021

  7. ナノ情報デバイスセミナー1A

    2021

  8. ナノ情報デバイスセミナー2D

    2021

  9. ナノ情報デバイスセミナー2E

    2021

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