2025/10/17 更新

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ナカムラ　ショウヘイ
中村　昭平
NAKAMURA Shohei
所属
低温プラズマ科学研究センター 次世代プラズマ加工技術研究開発部門 特任助教
職名
特任助教

学位 1

  1. 博士(工学) （ 2025年   名古屋大学 ） 

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論文 3

  1. Selective etching of GaN over AlGaN through low-damage AlGaN surface processing at high temperatures 査読有り Open Access

    Shohei Nakamura, Atsushi Tanide, Kenji Ishikawa

    Journal of Applied Physics   138 巻   頁： 055701   2025年7月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語  

    DOI： 10.1063/5.0259075

    Open Access

  2. Rate-controlled cycle etching of GaN by cycle exposure to BCl3 and F2-added Ar plasma at a substrate temperature of 400 °C 査読有り

    Shohei Nakamura, Atsushi Tanide, Soichi Nadahara, Kenji Ishikawa, Masaru Hori

    Journal of Vacuum Science & Technology B   43 巻   頁： 022202   2025年1月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語  

    DOI： 10.1116/5.0239755

  3. GaN damage-free cyclic etching by sequential exposure to Cl2 plasma and Ar plasma with low Ar+-ion energy at substrate temperature of 400 °C 査読有り

    Shohei Nakamura, Atsushi Tanide, Takahiro Kimura, Soichi Nadahara, Kenji Ishikawa, Osamu Oda, Masaru Hori

    Journal of Applied Physics   133 巻   頁： 043302   2023年1月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語  

    DOI： 10.1063/5.0131685

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