2021/11/26 更新

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ナガセキ カズヤ
永関 一也
NAGASEKI Kazuya
所属
低温プラズマ科学研究センター 半導体ナノプロセス研究部門 特任教授
職名
特任教授

学位 1

  1. 博士(工学) ( 1995年3月   山梨大学 ) 

研究キーワード 1

  1. 半導体製造用プラズマエッチング装置およびプロセスの研究開発

研究分野 1

  1. エネルギー / プラズマ応用科学

学歴 1

  1. 山梨大学   工学部   電気電子工学科

所属学協会 1

  1. 応用物理学会

 

論文 10

  1. Positive Ions in RF Discharge Plasmas of C4F8/Ar and C4F8/O2 Mixtures

    Jpn J Appl Phys. Pt. 1, Regular papers & short notes   37 巻 ( 10 ) 頁: 5730 - 5734   1998年10月

  2. Positive Ions in C 4F 8 RF Discharge in a Planar Diode

    Jpn J Appl Phys. Pt. 1, Regular papers & short notes   36 巻 ( 8 ) 頁: 5296 - 5299   1997年8月

  3. Characteristics of Parallel-Plate RF Discharges in C 4F 8 Gas and C 4F 8/O 2 Mixtures

    Jpn J Appl Phys. Pt. 1, Regular papers & short notes   36 巻 ( 8 ) 頁: 5286 - 5289   1997年8月

  4. Ionic Species in 13.56 MHz Discharges in CF 4 Gas and Mixtures of It with Ar and O 2

    Jpn J Appl Phys. Pt. 1, Regular papers & short notes   37 巻 ( 7 ) 頁: 4648 - 4650   1997年7月

  5. Positive and Negative Ions in RF Plasmas of SF 6/N 2 and SF 6/Ar Mixtures in a Planar Diode

    Jpn J Appl Phys. Pt. 1, Regular papers & short notes   35 巻 ( 7 ) 頁: 847 - 853   1997年2月

  6. Positive Ions in RF Discharge Plasma of CF 4 Gas in a Planar Diode

    Jpn J Appl Phys. Pt. 1, Regular papers & short notes   35 巻 ( 7 ) 頁: 4081 - 4082   1996年7月

  7. Negative Ions in 13.56 MHz Discharge of SF6 Gas in a Planar Diode

    Jpn J Apl Phys. Pt. 2, Letters   34 巻 ( 7 ) 頁: L852 - L855   1995年7月

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    担当区分:筆頭著者  

  8. Mass Spectrometry of Discharge Products at 13.56 MHz in SF6 Gas

    Jpn J Appl Phys   33 巻 ( 7 ) 頁: 4348 - 4352   1994年7月

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    担当区分:筆頭著者  

  9. Mass Spectrometric Observation of Decomposition Products SFx (x=1, 2) in SF6 Discharge at 13.56 MHz

    Jpn J Appl Phys   32 巻 ( 2 ) 頁: 967 - 968   1993年2月

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    担当区分:筆頭著者  

  10. Dual-Frequency Superimposed RF Capacitive-Coupled Plasma Etch Process

    Jpn J Appl Phys   44 巻 ( 8 ) 頁: 6241 - 6244   2005年8月

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    担当区分:最終著者  

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書籍等出版物 1

  1. 3D Interconnect 向けSiエッチング技術

    阿部 祐一  丸山 幸児  平山 祐介  永関 一也

    電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会  2008年5月 

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    担当ページ:9-12  

講演・口頭発表等 4

  1. High Rate Si Etching Process 招待有り

    K.Nagaseki

    SEMICON Japan  2005年12月8日 

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    開催年月日: 2005年12月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  2. Approach for Environmental Standard with Etch Tools

    K.Nagaseki

    Dry Process Symposium  2000年9月26日 

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    開催年月日: 2000年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  3. High Rate Deep Si Etching

    I.Sakai

    Dry Process Symposium  2001年11月20日 

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    開催年月日: 2001年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  4. CHARACTERIZATION OF SAC ETCHING IN GAS CIRCULATION RIE

    I.Sakai

    Dry Process Symposium  2000年9月27日 

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    開催年月日: 2000年9月

    会議種別:口頭発表(一般)