2021/09/29 更新

写真a

シャオ シーナン
蕭 世男
HSIAO Shih nan
所属
低温プラズマ科学研究センター 半導体ナノプロセス研究部門 特任准教授
職名
特任准教授
連絡先
メールアドレス
外部リンク

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2011年7月   逢甲大學 ) 

経歴 5

  1. 名古屋大学   低温プラズマ科学研究センター 産学協同研究部門 半導体ナノプロセス研究部門   特任准教授

    2019年4月 - 現在

  2. Globe Union Industrial Cooperation   研究員

    2015年9月 - 2018年9月

  3. 清華大学   研究員

    2014年8月 - 2015年8月

  4. 国立放射光研究センター   研究員

    2011年3月 - 2014年7月

  5. アルゴンヌ国立研究所

    2010年1月 - 2011年1月

      詳細を見る

    国名:アメリカ合衆国

学歴 1

  1. 逢甲大学   材料科学

    2006年8月 - 2011年3月

      詳細を見る

    国名: 台湾

 

論文 5

  1. Effects of hydrogen content in films on the etching of LPCVD and PECVD SiN films using CF4/H-2 plasma at different substrate temperatures

    Hsiao Shih-Nan, Britun Nikolay, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Tsutsumi Takayoshi, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    PLASMA PROCESSES AND POLYMERS     2021年8月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   出版者・発行元:Plasma Processes and Polymers  

    The dependences of etching characteristics on substrate temperature (Ts, from –20 to 50°C) of the plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiN films (PE-SiN) and low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) SiN films (LP-SiN) with CF4/H2 plasma were investigated. The Fourier-transform infrared spectroscopy shows that both film types were N–H bond-rich films, but in different hydrogen contents (PE-SiN 22.7 at% and LP-SiN 3.8 at%) from the Rutherford backscattering spectroscopy analyses. A higher hydrogen content led to a thinner fluorocarbon thickness because of the reaction between hydrogen outflux and C and N to form an HCN byproduct. The etch rates (ER) for the PE-SiN were higher than that of the LP-SiN at all Ts, due to the different FC thickness and etching mechanisms proposed. The formation of the N−Hx layer on PE-SiN at low temperature caused the decrease in ER. For the LP-SiN, the weak dependences of Ts on surface structure and ER were observed.

    DOI: 10.1002/ppap.202100078

    Web of Science

    Scopus

  2. Thickness-dependent L10 ordering behavior in polycrystalline Fe?Pd nanoparticle films on glass substrates

    Hsiao S. N., Chen C. C., Liu S. H., Chen S. K.

    VACUUM   187 巻   2021年5月

     詳細を見る

    出版者・発行元:Vacuum  

    DOI: 10.1016/j.vacuum.2021.110153

    Web of Science

    Scopus

  3. Influences of substrate temperatures on etch rates of PECVD-SiN thin films with a CF4/H-2 plasma

    Hsiao Shih-Nan, Nakane Kazuya, Tsutsumi Takayoshi, Ishikawa Kenji, Sekine Makoto, Hori Masaru

    APPLIED SURFACE SCIENCE   542 巻   2021年3月

     詳細を見る

    出版者・発行元:Applied Surface Science  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.148550

    Web of Science

    Scopus

  4. Selective etching of SiN against SiO2 and poly-Si films in hydrofluoroethane chemistry with a mixture of CH2FCHF2, O-2, and Ar

    Hsiao Shih-Nan, Ishikawa Kenji, Hayashi Toshio, Ni Jiwei, Tsutsumi Takayoshi, Sekine Makoto, Hori Masaru

    APPLIED SURFACE SCIENCE   541 巻   2021年3月

     詳細を見る

    出版者・発行元:Applied Surface Science  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.148439

    Web of Science

    Scopus

  5. Influence of pressure on (001)-preferred orientation and in-plane residual stress in rapidly annealed FePt thin films

    Hsiao S. N., Chou C. L., Liu S. H., Chen S. K.

    APPLIED SURFACE SCIENCE   509 巻   2020年4月

     詳細を見る

    出版者・発行元:Applied Surface Science  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.145304

    Web of Science

    Scopus