2021/06/02 更新

写真a

トミタ カズヨシ
冨田 一義
TOMITA Kazuyoshi
所属
名古屋大学 未来材料・システム研究所 豊田中研GaNパワーデバイス産学協同研究部門 特任教授
職名
特任教授

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2009年3月   名古屋大学 ) 

 

論文 12

  1. Contribution of the carbon-originated hole trap to slow decays of photoluminescence and photoconductivity in homoepitaxial n-type GaN layers

    Kato Masashi, Asada Takato, Maeda Takuto, Ito Kenji, Tomita Kazuyoshi, Narita Tetsuo, Kachi Tetsu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   129 巻 ( 11 )   2021年3月

     詳細を見る

    出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/5.0041287

    Web of Science

    Scopus

  2. Analysis of channel mobility in GaN-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

    Ito Kenji, Tomita Kazuyoshi, Kikuta Daigo, Horita Masahiro, Narita Tetsuo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   129 巻 ( 8 )   2021年2月

     詳細を見る

    出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/5.0040700

    Web of Science

    Scopus

  3. Why do electron traps atE(C)-0.6 eV have inverse correlation with carbon concentrations in n-type GaN layers?

    Narita Tetsuo, Horita Masahiro, Tomita Kazuyoshi, Kachi Tetsu, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 10 )   2020年10月

     詳細を見る

  4. Progress on and challenges of p-type formation for GaN power devices

    Narita Tetsuo, Yoshida Hikaru, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Sakurai Hideki, Horita Masahiro, Bockowski Michal, Ikarashi Nobuyuki, Suda Jun, Kachi Tetsu, Tokuda Yutaka

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   128 巻 ( 9 )   2020年9月

     詳細を見る

    出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/5.0022198

    Web of Science

    Scopus

  5. Dual-color-sub-bandgap-light-excited isothermal capacitance transient spectroscopy for quick measurement of carbon-related hole trap density in n-type GaN

    Kanegae Kazutaka, Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Kachi Tetsu, Horitata Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( SG )   2020年4月

     詳細を見る

    出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab6863

    Web of Science

    Scopus

  6. Overview of carrier compensation in GaN layers grown by MOVPE: toward the application of vertical power devices

    Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Tokuda Yutaka, Kogiso Tatsuya, Yoshida Hikaru, Ikarashi Nobuyuki, Iwata Kenji, Nagao Masahiro, Sawada Naoki, Horita Masahiro, Suda Jun, Kachi Tetsu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( SA )   2020年1月

     詳細を見る

    出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab4610

    Web of Science

    Scopus

  7. Characterization of hole traps in MOVPE-grown p-type GaN layers using low-frequency capacitance deep-level transient spectroscopy 査読有り

    Kogiso Tatsuya, Narita Tetsuo, Yoshida Hikaru, Tokuda Yutaka, Tomita Kazuyoshi, Kachi Tetsu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( SC )   2019年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab0408

    Web of Science

    Scopus

  8. Atomic resolution structural analysis of magnesium segregation at a pyramidal inversion domain in a GaN epitaxial layer 査読有り

    Iwata Kenji, Narita Tetsuo, Nagao Masahiro, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Kachi Tetsu, Ikarashi Nobuyuki

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 3 )   2019年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1882-0786/ab04f1

    Web of Science

    Scopus

  9. Quantitative investigation of the lateral diffusion of hydrogen in p-type GaN layers having NPN structures 査読有り

    Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Yamada Shinji, Kachi Tetsu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 1 )   2019年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1882-0786/aaf418

    Web of Science

    Scopus

  10. The origin of carbon-related carrier compensation in p-type GaN layers grown by MOVPE 査読有り

    Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Tokuda Yutaka, Kogiso Tatsuya, Horita Masahiro, Kachi Tetsu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   124 巻 ( 21 )   2018年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5057373

    Web of Science

    Scopus

  11. Wide range doping control and defect characterization of GaN layers with various Mg concentrations 査読有り

    Narita Tetsuo, Ikarashi Nobuyuki, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Kachi Tetsu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   124 巻 ( 16 )   2018年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5045257

    Web of Science

  12. The trap states in lightly Mg-doped GaN grown by MOVPE on a freestanding GaN substrate 査読有り

    Narita Tetsuo, Tokuda Yutaka, Kogiso Tatsuya, Tomita Kazuyoshi, Kachi Tetsu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   123 巻 ( 16 )   2018年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5010849

    Web of Science

    Scopus

▼全件表示