2022/04/03 更新

写真a

ホリタ マサヒロ
堀田 昌宏
HORITA Masahiro
所属
大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス工学 准教授
大学院担当
大学院工学研究科
学部担当
工学部 電気電子情報工学科
職名
准教授
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2009年3月   京都大学 ) 

研究キーワード 5

  1. III族窒化物半導体

  2. 窒化ガリウム

  3. 電子デバイス

  4. 点欠陥評価

  5. 深い準位過渡応答分光(DLTS)

研究分野 2

  1. ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

  2. ナノテク・材料 / 結晶工学

現在の研究課題とSDGs 1

  1. 窒化ガリウム中の深い準位に関する研究

経歴 5

  1. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部   准教授

    2018年10月 - 現在

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    国名:日本国

  2. 名古屋大学   大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス工学   准教授

    2018年10月 - 現在

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    国名:日本国

  3. 京都大学   工学研究科電子工学専攻   特定助教

    2015年5月 - 2018年9月

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    国名:日本国

  4. 奈良先端科学技術大学院大学   物質創成科学研究科   助教

    2009年4月 - 2015年4月

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    国名:日本国

  5. 日本学術振興会   特別研究員(DC2)

    2008年4月 - 2009年3月

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    国名:日本国

学歴 1

  1. 京都大学   工学研究科   電子工学専攻

    2006年4月 - 2009年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 4

  1. ワイドギャップ半導体学会

    2021年4月 - 現在

  2. 先進パワー半導体分科会

    2016年12月 - 現在

  3. 日本結晶成長学会

    2006年11月 - 現在

  4. 応用物理学会

    2004年1月 - 現在

委員歴 2

  1. ワイドギャップ半導体学会   企画幹事  

    2021年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  2. 第14回窒化物半導体国際会議   プログラム庶務委員  

    2019年9月 - 2024年3月   

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    団体区分:学協会

 

論文 46

  1. Hall-effect measurements of metalorganic vapor-phase epitaxy-grown p-type homoepitaxial GaN layers with various Mg concentrations 査読有り

    Masahiro Horita, Shinya Takashima, Ryo Tanaka, Hideaki Matsuyama, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Tokio Takahashi, Mitsuaki Shimizu, Jun Suda

    Japanese Journal of Applied Physics   56 巻 ( 3 )   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.031001

    Web of Science

  2. SiO2/GaN interfaces with low defect densities and high breakdown electric fields formed by plasma-enhanced atomic layer deposition 査読有り

    Aoshima Keito, Taoka Noriyuki, Horita Masahiro, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( SC )   2022年5月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac4f79

    Web of Science

  3. Breakdown Electric Field of GaN p(+)-n and p-n(+) Junction Diodes With Various Doping Concentrations 査読有り

    Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Yamada Shinji, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   43 巻 ( 1 ) 頁: 96 - 99   2022年1月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:IEEE Electron Device Letters  

    Breakdown characteristics in homoepitaxial GaN p-n junction diodes with p+-n and p-n+ junctions with relatively heavy doping concentrations are systematically investigated. The devices have vertical deep mesa etch termination, which enables uniform (nearly ideal) avalanche breakdown without electric field (E-field) crowding at the device edge. For p+-n junction, breakdown E-field of 3.0, 3.3 and 3.8 MV/cm and breakdown voltage (BV) of 340, 207 and 128 V were achieved at the donor concentrations of 7.5 × 1016, 1.5 × 1017, 3.1× 1017 cm-3, respectively. For p-n+ junction, breakdown E-field of 3.2, 3.3 and 4.0 MV/cm and BV of 235, 180 and 110 V were achieved at the acceptor concentrations of 1.3 × 1017, 1.8 × 1017, 4.1 × 1017 cm-3, respectively. No significant difference of the breakdown characteristics between n-type and p-type voltage-blocking layers was observed. These results are consistent with numerical simulations using impact ionization coefficients (IICs) in GaN reported in our previous studies.

    DOI: 10.1109/LED.2021.3125328

    Web of Science

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  4. Effect of annealing time and pressure on electrical activation and surface morphology of Mg-implanted GaN annealed at 1300 degrees C in ultra-high-pressure nitrogen ambient 査読有り

    Sumida Kensuke, Hirukawa Kazufumi, Sakurai Hideki, Sierakowski Kacper, Horita Masahiro, Bockowski Michal, Kachi Tetsu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 12 )   2021年12月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    We performed an isothermal annealing study on Mg-implanted GaN at 1300 °C in an ultra-high-pressure (1 GPa) nitrogen ambient. Annealing for more than 30 min resulted in a high acceptor activation ratio and a low compensation ratio that were comparable to those obtained with annealing at 1400 °C for 5 min. We also performed annealing at 1300 °C in a reduced nitrogen pressure of 300 MPa which makes us possible to expand the inner diameter of annealing equipment in the future. High electrical activation, similar to one obtained by annealing at 1 GPa, was successfully obtained.

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac39b0

    Web of Science

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  5. Effect of Schottky barrier height on quantitative analysis of deep-levels in n-type GaN by deep-level transient spectroscopy 査読有り

    Aoshima K., Horita M., Suda J.

    AIP Advances   11 巻 ( 11 )   2021年11月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:AIP Advances  

    Deep-level transient spectroscopy (DLTS) using Schottky barrier diodes (SBDs) is widely used for quantitative analysis of deep levels. This study focuses on the dependence of Schottky barrier height on apparent time constants and concentrations of electron traps in n-type GaN. DLTS using SBDs with various barrier heights was carried out. Experimental data show that large reverse leakage currents due to low barrier heights resulted in underestimation of time constants and concentrations. Theoretical calculations considering the impact of leakage currents reproduced experimental results well. Based on the calculations, we suggest a minimum required barrier height where accurate time constants and concentrations can be evaluated.

    DOI: 10.1063/5.0073747

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  6. Effects of the sequential implantation of Mg and N ions into GaN for p-type doping 査読有り

    Sakurai Hideki, Narita Tetsuo, Kataoka Keita, Hirukawa Kazufumi, Sumida Kensuke, Yamada Shinji, Sierakowski Kacper, Horita Masahiro, Ikarashi Nobuyuki, Bockowski Michal, Suda Jun, Kachi Tetsu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 11 )   2021年11月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    The sequential implantation of Mg and N ions into GaN was investigated using conventional rapid thermal annealing and ultra-high-pressure annealing (UHPA). In cathodoluminescence, the green luminescence related to nitrogen vacancies (VNs) was mostly suppressed at the Mg/N ratio of 0.5-1.0, whereas the donor-acceptor pair (DAP) emission as a signature of Mg acceptors was maintained high. The excess N implantation reduced the DAP emission through the formation of nonradiative recombination centers. The combined process of optimal Mg/N implantation and UHPA at 1673 K improved ohmic contacts by increasing Mg concentration and suppressing VNs near the surface.

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac2ae7

    Web of Science

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  7. GaN縦型パワーデバイス実現に向けた点欠陥評価 査読有り

    須田 淳, 堀田 昌宏, 鐘ヶ江 一孝

    応用物理   90 巻 ( 10 ) 頁: 628 - 631   2021年10月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    <p>GaN縦型パワーデバイスのエピタキシャル成長,デバイスプロセスの開発,あるいは,デバイス設計に点欠陥の知見は不可欠であるが,SiやGaAsに比べると,GaNの点欠陥の理解はまだまだ不足している.議論が分かれていた電子トラップの起源特定,n型GaN中の正孔トラップの簡便な定量評価方法の開発や測定の高速化によるウェーハマッピング,電子線照射により意図的に窒素原子のみを変位させることにより,窒素空孔や格子間窒素の作るトラップ準位,アニール挙動など,筆者らが取り組んできた研究について紹介する.</p>

    DOI: 10.11470/oubutsu.90.10_628

    CiNii Research

  8. Depth profiles of electron traps generated during reactive ion etching in n-type 4H-SiC characterized by using isothermal capacitance transient spectroscopy 査読有り

    Kanegae Kazutaka, Okuda Takafumi, Horita Masahiro, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   130 巻 ( 10 )   2021年9月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    Electron traps generated during the reactive ion etching (RIE) process in n-type 4H-SiC are investigated using the deep-level transient spectroscopy technique and isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) technique. Two electron traps of the Z1/2 center are detected in the RIE-etched sample by ICTS measurement at 300 K. A method is proposed to determine the depth profiles of the electron traps that are localized near the etched surface, whereby a depth profile is extracted from the dependence of averaged trap density on the depletion layer width. An exponential distribution is assumed as the depth profile of the electron traps generated during the RIE process. The extracted depth profile was confirmed to be consistent with that determined by the double-correlation method. An appropriate function for the depth profile of carrier traps is assumed and the dependence of the averaged trap density on the depletion layer width is analyzed, which enables the extraction of a depth profile that has both higher depth resolution and higher resolution in the carrier trap density with the proposed method than that with the double-correlation method.

    DOI: 10.1063/5.0059588

    Web of Science

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  9. Photoionization cross section ratio of nitrogen-site carbon in GaN under sub-bandgap-light irradiation determined by isothermal capacitance transient spectroscopy 査読有り

    Kanegae Kazutaka, Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Kachi Tetsu, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 9 )   2021年9月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    The ratio of the photoionization cross sections (σo/n σ o/p) of carbon substituting at the nitrogen site [CN (0/-)] in n-type GaN, which is detected as a hole trap H1 (EV + 0.85 eV) under sub-bandgap-light irradiation (390 nm), is determined with isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS). The current-injection ICTS and the sub-bandgap-light-excited ICTS were compared for the same p+-n junction diode, whereby the hole occupancy ratio (fT) was obtained. Analysis of the dependence of fT on the temperature gave σo/n σ o/p of 3.0 was then used to estimate the charge state of CN (0/-) under sub-bandgap-light irradiation.

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac16ba

    Web of Science

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  10. Impact ionization coefficients and critical electric field in GaN 査読有り

    Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Yamada Shinji, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   129 巻 ( 18 )   2021年5月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    Avalanche multiplication characteristics in a reverse-biased homoepitaxial GaN p-n junction diode are experimentally investigated at 223-373 K by novel photomultiplication measurements utilizing above- and below-bandgap illumination. The device has a non-punch-through one-side abrupt p--n+ junction structure, in which the depletion layer mainly extends to the p-type region. For above-bandgap illumination, the light is absorbed at the surface p+-layer, and the generated electrons diffuse and reach the depletion layer, resulting in an electron-injected photocurrent. On the other hand, for below-bandgap illumination, the light penetrates a GaN layer and is absorbed owing to the Franz-Keldysh effect in the high electric field region (near the p-n junction interface), resulting in a hole-induced photocurrent. The theoretical (non-multiplicated) photocurrents are calculated elaborately, and the electron- and hole-initiated multiplication factors are extracted as ratios of the experimental data to the calculated values. Through the mathematical analyses of the multiplication factors, the temperature dependences of the impact ionization coefficients of electrons and holes in GaN are extracted and formulated by the Okuto-Crowell model. The ideal breakdown voltage and the critical electric field for GaN p-n junctions of varying doping concentration are simulated using the obtained impact ionization coefficients, and their temperature dependence and conduction-type dependence were discussed. The simulated breakdown characteristics show good agreement with data reported previously, suggesting the high accuracy of the impact ionization coefficients obtained in this study.

    DOI: 10.1063/5.0050793

    Web of Science

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  11. Isochronal annealing study of Mg-implanted p-type GaN activated by ultra-high-pressure annealing 査読有り

    Hirukawa Kazufumi, Sumida Kensuke, Sakurai Hideki, Fujikura Hajime, Horita Masahiro, Otoki Yohei, Sierakowski Kacper, Bockowski Michal, Kachi Tetsu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 5 )   2021年5月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    Isochronal annealing was performed on Mg-ion-implanted GaN under 1 GPa N2 ambient pressure for 5 min at temperatures of 1573-1753 K. Secondary ion mass spectrometry showed diffusion of Mg atoms and introduction of H atoms during annealing. Deeper diffusion was observed with increasing temperature. From Hall-effect measurements, p-type conductivity was found even for the sample with the lowest annealing temperature of 1573 K. For this sample, the acceptor activation ratio was 23% and the compensation ratio was 93%. The acceptor activation ratio increased to almost 100% and the compensation ratio decreased to 12% with increasing annealing temperature.

    DOI: 10.35848/1882-0786/abf4f3

    Web of Science

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  12. Analysis of channel mobility in GaN-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 査読有り

    Ito Kenji, Tomita Kazuyoshi, Kikuta Daigo, Horita Masahiro, Narita Tetsuo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   129 巻 ( 8 )   2021年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    The factors limiting channel mobility in AlSiO/p-type GaN-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) were systematically investigated. MOSFETs with various thin interfacial layers (ILs) between Al0.78Si0.22Oy films and Mg-doped GaN layers were prepared and found to exhibit different channel mobilities. The maximum effective mobility showed a significant correlation with the threshold voltage (Vt) and the hysteresis (ΔVt) in the transfer characteristics of these devices, such that the mobility decreased with increasing Vt and ΔVt. This effect can be explained by electron capture in and emission from border traps situated near the conduction band minimum for GaN. The insertion of a 3-nm-thick SiO2 IL drastically enhanced the effective mobility and simultaneously reduced the ΔVt value. Hall effect measurements with an applied gate voltage were used to determine the mobility of free electrons while excluding electrons captured in the border traps. The Hall effect mobility was much higher than the effective mobility, indicating that mobility was in fact reduced by the capture of electrons by the border traps. The ratio of electrons captured by border traps to the overall electrons induced by a gate bias was greatly lowered in a MOSFET incorporating a SiO2 IL. When a high vertical electric field of approximately 1 MV/cm was present in the device channel, the Hall effect mobility was slightly increased following the insertion of an IL. These results suggest that the IL reduced the interfacial roughness and/or affected the screening out of scattering due to potential fluctuations of the AlSiO.

    DOI: 10.1063/5.0040700

    Web of Science

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  13. Nitrogen-displacement-related electron traps in n-type GaN grown on a GaN freestanding substrate 査読有り

    Horita Masahiro, Narita Tetsuo, Kachi Tetsu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS LETTERS   118 巻 ( 1 )   2021年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    Energy levels due to intrinsic point defects are identified by deep-level transient spectroscopy (DLTS). Electron-beam (EB) irradiation created nitrogen vacancies (VN) and nitrogen interstitials (NI) in n-type GaN layers grown via metalorganic vapor phase epitaxy on freestanding GaN substrates, where the irradiation energies were selected to be within 100-401 keV to displace only nitrogen atoms in GaN. Two electron traps, EE1 (0.13 eV) and EE2 (0.98 eV), were observed in the DLTS spectra. The production rates of EE1 and EE2 were 0.093 and 0.109 cm-1 under 401 keV irradiation, which were nearly equal values. In the DLTS spectra recorded for EB-irradiated samples at the energy ranging from 100 to 401 keV, EE1 and EE2 were found to appear simultaneously at an irradiation energy of 137 keV and were observed at energies greater than 137 keV. On the basis of a comparison with the results of recent first-principles calculations, we attributed the EE1 and EE2 peaks to nitrogen vacancies VN (+/0) and nitrogen interstitials NI (0/-), respectively. Furthermore, annealing led to reductions of the densities of these traps at the same rate. The reduction of the densities of EE1 and EE2 can be explained by the migration of NI and the subsequent recombination with VN. The displacement energy of 21.8 eV for nitrogen in GaN was obtained from the irradiation-energy dependence of EE1.

    DOI: 10.1063/5.0035235

    Web of Science

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  14. Impact of gamma-ray irradiation on capacitance-voltage characteristics of Al2O3/GaN MOS diodes with and without post-metallization annealing 査読有り

    Aoshima Keito, Horita Masahiro, Suda Jun, Hashizume Tamotsu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 1 )   2021年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    Atomic layer deposited Al2O3/GaN metal-oxide-semiconductor (MOS) diodes with and without post-metallization annealing (PMA) were irradiated with gamma-rays. Capacitance-voltage measurements were made before and after irradiation to investigate trap formation in Al2O3 films and interface states between Al2O3 and GaN. Negative flat-band voltage shifts were observed. The flat-band voltage shift depends on the Al2O3 thickness, showing different distributions of gamma-ray-induced positive charges for samples with and without PMA. The interface state density of the PMA sample slightly increased after irradiation, but was lower than that of the sample without PMA before irradiation.

    DOI: 10.35848/1882-0786/abd71a

    Web of Science

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  15. Space charge profile study of AlGaN-based p-type distributed polarization doped claddings without impurity doping for UV-C laser diodes 査読有り

    Zhang Ziyi, Kushimoto Maki, Horita Masahiro, Sugiyama Naoharu, Schowalter Leo J., Sasaoka Chiaki, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 15 )   2020年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    The space charge density profile of the nondoped AlGaN-based p-type cladding layer for UV-C laser diodes realized by distributed polarization doping is examined theoretically and experimentally. The analysis of the capacitance-voltage measurement revealed that the average effective acceptor density of 4.2×1017 cm-3 is achieved even without impurity doping, and it is in good agreement with the theoretical prediction from the measured Al composition profile. This result suggests that the cladding layer is ideal for UV-C LDs because it provides sufficient hole injection while potentially avoiding internal losses due to impurity doping.

    DOI: 10.1063/5.0027789

    Web of Science

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  16. Why do electron traps atE(C)-0.6 eV have inverse correlation with carbon concentrations in n-type GaN layers? 査読有り

    Narita Tetsuo, Horita Masahiro, Tomita Kazuyoshi, Kachi Tetsu, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 10 )   2020年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  17. Progress on and challenges of p-type formation for GaN power devices 査読有り

    Narita Tetsuo, Yoshida Hikaru, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Sakurai Hideki, Horita Masahiro, Bockowski Michal, Ikarashi Nobuyuki, Suda Jun, Kachi Tetsu, Tokuda Yutaka

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   128 巻 ( 9 )   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    The fabrication processes of p-type regions for vertical GaN power devices are investigated. A p-type body layer in a trench gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor requires precise control of the effective acceptor concentration, which is equal to the difference between the Mg acceptor concentration (Na) and the compensating donor concentration (Nd). The carbon atoms incorporated during growth via metalorganic vapor phase epitaxy substitute nitrogen sites (CN) and function as donor sources in a p-type GaN layer. Since interstitial H atoms (H i) also compensate holes, their removal from an Mg-doped layer is crucial. Extended anneals to release H atoms cause the formation of extra hole traps. The p+ capping layer allows effective and rapid removal of H atoms from a p-type body layer owing to the electric field across the p+/p- junction. On the other hand, selective area p-type doping via Mg ion implantation is needed to control the electrical field distribution at the device edge. Ultrahigh-pressure annealing (UHPA) under a nitrogen pressure of 1 GPa enables post-implantation annealing up to 1753 K without thermal decomposition. Cathodoluminescence spectra and Hall-effect measurements suggest that the acceptor activation ratio improves dramatically by annealing above 1673 K as compared to annealing at up to 1573 K. High-temperature UHPA also induces Mg atom diffusion. We demonstrate that vacancy diffusion and the introduction of H atoms from the UHPA ambient play a key role in the redistribution of Mg atoms.

    DOI: 10.1063/5.0022198

    Web of Science

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  18. Impacts of high temperature annealing above 1400<sup>°</sup>C under N<inf>2</inf>overpressure to activate acceptors in Mg-implanted GaN 査読有り

    Sakurai H., Narita T., Hirukawa K., Yamada S., Koura A., Kataoka K., Horita M., Ikarashi N., Bockowski M., Suda J., Kachi T.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   2020-September 巻   頁: 321 - 324   2020年9月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  

    In this study, we clarify the impact of annealing pressure and temperature of the ultra-high-pressure annealing (UHPA) as a post-implantation-annealing (PIA) on the acceptor activation for Mg-ions-implanted GaN samples. The pressure to prevent the thermal decomposition is absolutely determined by the equilibrium N2 partial pressure in the phase diagram of GaN-Ga-N2 system, so that the pressure below the critical pressure always leads to the serious surface decomposition of GaN. In low temperature cathodoluminescence examinations, the samples processed at 1400°C or above exhibited more intense emissions in the near band edge and donor-acceptor pair band with a suppression of green luminescence related to point defects. Temperature dependent Hall-effect measurement was allowed for the UHPA samples annealed at 1400°C or above, whereas free holes were not observed for the 1300°C-UHPA. Moreover, the acceptor concentrations (Na) for samples annealed at 1400°C or above were close to Mg concentrations. We thus revealed the key process parameters in UHPA, which is at more than 1400°C under the N2 overpressure exceeding the equilibrium partial pressure. These findings can play as a key role in the selective area doping using UHPA.

    DOI: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170174

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  19. Redistribution of Mg and H atoms in Mg-implanted GaN through ultra-high-pressure annealing 査読有り

    Sakurai Hideki, Narita Tetsuo, Omori Masato, Yamada Shinji, Koura Akihiko, Iwinska Malgorzata, Kataoka Keita, Horita Masahiro, Ikarashi Nobuyuki, Bockowski Michal, Suda Jun, Kachi Tetsu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 8 )   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  20. Redistribution of Mg and H atoms in Mg-implanted GaN through ultra-high-pressure annealing 査読有り

    Sakurai H., Narita T., Omori M., Yamada S., Koura A., Iwinska M., Kataoka K., Horita M., Ikarashi N., Bockowski M., Suda J., Kachi T.

    Applied Physics Express   13 巻 ( 8 )   2020年8月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    Diffusion in a magnesium (Mg)-implanted homoepitaxial GaN layer during ultra-high-pressure annealing (UHPA, in ambient nitrogen, under 1 GPa) was investigated. Annealing at 1573 K resulted in Mg-segregation at the edge of the implanted region, which was suppressed using a higher temperature of 1673 K. Hydrogen (H) atoms were incorporated during the UHPA, resulting in the Mg and H developing the same diffusion profile in the deeper region. The diffusion coefficient of the Mg-implanted sample was 3.3 10-12 cm2 s-1 at 1673 K from the annealing duration dependence, 30 times larger than that of the epitaxial Mg-doped sample, originating from ion implantation-induced defects.

    DOI: 10.35848/1882-0786/aba64b

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  21. Identification of origin ofE(C)-0.6 eV electron trap level by correlation with iron concentration in n-type GaN grown on GaN freestanding substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Horita Masahiro, Narita Tetsuo, Kachi Tetsu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 7 )   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  22. Identification of origin of E <inf>C</inf>-0.6 eV electron trap level by correlation with iron concentration in n-type GaN grown on GaN freestanding substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Horita M., Narita T., Kachi T., Suda J.

    Applied Physics Express   13 巻 ( 7 )   2020年7月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    The origin of E3 electron traps at E C -0.58 eV in GaN was investigated using Si-doped n-type GaN layers grown on freestanding GaN substrates using MOVPE. These layers contained impurity Fe at various concentrations depending on the growth conditions and the position within the wafer. Twenty E3 concentrations (N T,E3) determined by deep-level transient spectroscopy were plotted against the corresponding Fe concentrations ([Fe]) obtained from secondary ion mass spectrometry. A correlation was evident between N T,E3 and [Fe] in the range (0.4-12) 1015 cm-3, suggesting that the E3 level in MOVPE-grown homoepitaxial GaN originates from the substitution of Fe atoms at Ga sites.

    DOI: 10.35848/1882-0786/ab9e7c

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  23. Dual-color-sub-bandgap-light-excited isothermal capacitance transient spectroscopy for quick measurement of carbon-related hole trap density in n-type GaN 査読有り

    Kanegae K., Narita T., Tomita K., Kachi T., Horita M., Kimoto T., Suda J.

    Japanese Journal of Applied Physics   59 巻 ( SG )   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    A quick method is proposed for measurement of the carbon-related hole trap (H1: +0.87 eV) density in an n-type GaN homoepitaxial layer using dual-color-sub-bandgap-light-excited isothermal capacitance transient spectroscopy. Shorter wavelength (390 nm) light irradiation is employed to cause the hole traps to be in the hole-occupied state. Longer wavelength (660 nm) light irradiation is then used to emit the hole from the trap to the valence band. The photoemission of holes is much quicker than the thermal emission, which reduces the measurement time. The trap density can be calculated from the capacitance transient.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab6863

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  24. Electron traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial n-type GaN and their annealing behavior 査読有り

    Aoshima Keito, Kanegae Kazutaka, Horita Masahiro, Suda Jun

    AIP ADVANCES   10 巻 ( 4 )   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Advances  

    Gamma-ray irradiations of up to 500 kGy on homoepitaxial n-type GaN layers were carried out, and the formation of electron traps was investigated by deep-level transient spectroscopy (DLTS) using Ni Schottky barrier diodes (SBDs). Before performing DLTS, current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements of the SBDs were performed and it was found that there was no change in the net donor concentration, ideality factor, and Schottky barrier height after irradiation. In the DLTS measurements, two new peaks, labeled G1 and G2, were observed after irradiation. The filling pulse width dependence of G1 revealed that the peak consists of two electron trap levels, labeled G1a (EC - 0.13 eV) and G1b (EC - 0.14 eV). Isothermal capacitance transient spectroscopy measurements of samples with different Schottky barrier heights showed that the G2 peak is a complex peak consisting of at least three electron traps, labeled G2a (EC - 0.80 eV), G2b (EC - 0.98 eV), and G2c (EC - 1.08 eV). The production rates (formation rates of traps by gamma-ray irradiation) for each trap were obtained. Finally, we investigated the annealing behavior of each trap and found that G1b and G2b decreased by the same amount with increasing annealing temperature, suggesting that the behavior originates from a recombination of vacancy-interstitial (Frenkel) pairs.

    DOI: 10.1063/1.5144158

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  25. Overview of carrier compensation in GaN layers grown by MOVPE: toward the application of vertical power devices 査読有り

    Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Tokuda Yutaka, Kogiso Tatsuya, Yoshida Hikaru, Ikarashi Nobuyuki, Iwata Kenji, Nagao Masahiro, Sawada Naoki, Horita Masahiro, Suda Jun, Kachi Tetsu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( SA )   2020年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Sources of carrier compensation in n-type and p-type GaN layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy were quantitatively identified by a combination of Hall-effect analysis and deep level transient spectroscopy. For n-type GaN, we identified three electron compensation sources: Residual carbon atoms likely sitting on nitrogen sites (CN), an electron trap at the energy level of E C-0.6 eV (the E3 trap), and self-compensation appearing with increasing donor concentration. We showed that the CN also play a key role in hole compensation in p-type GaN by forming donor-like charged states. We also investigated the reduction of acceptor concentrations (N a) in highly Mg-doped GaN. Atomic-resolution scanning transmission electron microscopy revealed that electrically inactive Mg atoms of 3/2 atomic layers are segregated at the boundary of pyramidal inversion domains. The N a reduction can be explained by this Mg segregation.

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab4610

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  26. Impacts of high temperature annealing above 1400 degrees C under N-2 overpressure to activate acceptors in Mg-implanted GaN 査読有り

    Sakurai Hideki, Narita Tetsuo, Hirukawa Kazufumi, Yamada Shinji, Koura Akihiko, Kataoka Keita, Horita Masahiro, Ikarashi Nobuyuki, Bockowski Michal, Suda Jun, Kachi Tetsu

    Proceedings of the 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2020)     頁: 321 - 324   2020年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  27. Impact Ionization Coefficients in GaN Measured by Above- and Sub-E<inf>g</inf> Illuminations for p<sup>-</sup>/n<sup>+</sup> Junction 査読有り

    Maeda T., Narita T., Yamada S., Kachi T., Kimoto T., Horita M., Suda J.

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM   2019-December 巻   2019年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM  

    We propose a novel method to extract impact ionization coefficients of electrons and holes using above-and sub-bandgap illuminations for a p-/n+ junction diode. For above-bandgap illumination, the light is absorbed near p-GaN surface. Then, generated minority carriers diffuse and reach the edge of the depletion layer, resulting in an electron-injected photocurrent. On the other hand, for sub-bandgap illumination, the light is selectively absorbed near the p-n junction interface by the Franz-Keldysh effect, resulting in a hole-injected photocurrent. The electron- and hole-initiated multiplication factors are obtained as the ratios of the measured photocurrents to the calculated unmultiplicated photocurrents. By analyzing the electron- and hole-initiated multiplication factors, the impact ionization coefficients of electrons and holes in GaN are extracted separately.

    DOI: 10.1109/IEDM19573.2019.8993438

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  28. Highly effective activation of Mg-implanted p-type GaN by ultra-high-pressure annealing 査読有り

    Sakurai Hideki, Omori Masato, Yamada Shinji, Furukawa Yukihiro, Suzuki Hideo, Narita Tetsuo, Kataoka Keita, Horita Masahiro, Bockowski Michal, Suda Jun, Kachi Tetsu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   115 巻 ( 14 )   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    A high activation ratio of acceptors to Mg ions implanted into a homoepitaxial GaN layer was achieved through an ultra-high-pressure annealing (UHPA) process. Capless annealing under a nitrogen pressure of 1 GPa in a temperature range of 1573-1753 K activated acceptors without thermally decomposing the GaN layer. Conventional rapid thermal annealing leads to a serious decomposition at 1573 K, even with an AlN protective cap. The sample annealed at 1673 K under UHPA exhibited very intense cathodoluminescence in near-band edge and donor-acceptor-pair band emissions. The intensities were over one order of magnitude higher than those of the sample treated by conventional annealing. A Hall-effect measurement was obtained in the temperature range of 275-500 K for the UHPA sample. The obtained hole concentration and mobility at 300 K were 3.6 × 1016 cm-3 and 24.1 cm2 V-1 s-1, respectively. The mobility value was close to that of an epitaxial p-type GaN with the same doping concentration. An Arrhenius plot of hole concentrations showed that the acceptor concentration and ionization energy were separately estimated to be (2.6 ± 0.8) × 1018 cm-3 and 212 ± 5 meV, respectively. By comparing the Mg concentrations obtained from secondary ion mass spectrometry, the acceptor activation ratio (acceptor concentration/Mg concentration) of the UHPA samples exceeded 70%. These results suggest that the UHPA process as a postimplantation annealing technique is promising for the fabrication of GaN-based power devices with selective area doping.

    DOI: 10.1063/1.5116866

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  29. Measurement of avalanche multiplication utilizing Franz-Keldysh effect in GaN p-n junction diodes with double-side-depleted shallow bevel termination 査読有り

    Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Ueda Hiroyuki, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS LETTERS   115 巻 ( 14 )   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    Avalanche multiplication characteristics of GaN p-n junction diodes (PNDs) with double-side-depleted shallow bevel termination, which exhibit nearly ideal avalanche breakdown, were investigated by photomultiplication measurements using sub-bandgap light. In GaN PNDs under reverse bias conditions, optical absorption induced by the Franz-Keldysh (FK) effect is observed, resulting in a predictable photocurrent. The avalanche multiplication factors were extracted as a ratio of the measured values to the calculated FK-induced photocurrent. In addition, the temperature dependences of the avalanche multiplications were also investigated.

    DOI: 10.1063/1.5114844

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  30. Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diodes under high electric field along the < 11(2)over-bar0 > direction 査読有り

    Maeda Takuya, Chi Xilun, Tanaka Hajime, Horita Masahiro, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 9 )   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Electric-field dependence of optical absorption induced by Franz-Keldysh (FK) effect strongly depends on the value of the reduced effective mass along electric field. In this study, reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC{1120} p-n junction diodes under sub-bandgap illumination were investigated. Under a reverse bias condition, a photocurrent induced by FK effect was observed and increased with the reverse voltage. We calculated a photocurrent with consideration of phonon-assisted optical absorption induced by FK effect in a depletion region using the reduced effective mass perpendicular to the c-axis (μ⊥ = 0.26 m0), and the calculated values showed good agreement with the experimental values. This result indicates that the anisotropy of optical absorption induced by FK effect in 4H-SiC is small, since the reduced effective mass perpendicular to the c-axis (μ⊥ = 0.26 m0) is close to that parallel to the c-axis (μ∥ m = 0.28 m0).

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab3873

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  31. Deep-level transient spectroscopy studies of electron and hole traps in n-type GaN homoepitaxial layers grown by quartz-free hydride-vapor-phase epitaxy 査読有り

    Kanegae Kazutaka, Fujikura Hajime, Otoki Yohei, Konno Taichiro, Yoshida Takehiro, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS LETTERS   115 巻 ( 1 )   2019年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    We studied deep levels in quartz-free hydride-vapor-phase epitaxy (QF-HVPE)-grown homoepitaxial n-type GaN layers within which three electron and eight hole traps were detected. The dominant electron and hole traps observed in the QF-HVPE-grown GaN layers were E3 (EC - 0.60 eV) and H1 (EV + 0.87 eV), respectively. We found that the E3 trap density of QF-HVPE-grown GaN (∼1014 cm-3) was comparable with that of MOVPE-grown GaN layers, whereas the H1 trap density of QF-HVPE-grown GaN (∼1014 cm-3) was much smaller than that of an MOVPE-grown GaN layer with a low-residual-carbon growth condition. A detailed analysis of the QF-HVPE-grown GaN layers revealed that the H1 trap density is almost equal to the carbon impurity concentration and other impurities that compensate the Si donors besides the carbon impurity were hardly detected in the QF-HVPE-grown GaN layers.

    DOI: 10.1063/1.5098965

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  32. Shockley-Read-Hall lifetime in homoepitaxial p-GaN extracted from recombination current in GaN p-n(+) junction diodes 査読有り

    Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Ueda Hiroyuki, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( SC )   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    The Shockley-Read-Hall (SRH) lifetime in homoepitaxial p-GaN (N a = 1 × 1017 cm-3) is investigated by analyzing forward current-voltage (I-V) characteristics in GaN-on-GaN p-n+ junction diodes with mesa-isolation structure. The ideality factor around 2 due to recombination current was obtained in the 1.8-2.7 V window, which is different from the characteristic of a p+-n- junction involving considerable diffusion current. The recombination current was proportional to the junction area, indicating that the recombination current is a bulk component, not a mesa-surface component. Analyzing the recombination current with consideration of the SRH recombination rate in the depletion layer, we obtained an SRH lifetime of 46 ps at 298 K. The temperature dependence of the I-V characteristics was also investigated and the SRH lifetimes were extracted in the range of 223-573 K. The SRH lifetime in homoepitaxial p-GaN followed the empirical power law of = 1.2 × 10-16 × T 2.25 (s).

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab07ad

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  33. Acceptors activation of Mg-ion implanted GaN by ultra-high-pressure annealing 査読有り

    Sakurai H., Omori M., Yamada S., Koura A., Suzuki H., Narita T., Kataoka K., Horita M., Kowski M.B., Suda J., Kachi T.

    19th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2019     2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:19th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2019  

    For the solution to global energy issues, highly-efficient energy conversion using next-generation power devices is required. Gallium nitride (GaN) having superior properties such as high breakdown electric field (2.8-3.75 MV/cm) is a powerful candidate for next-generation high-power semiconductor devices. [1] , [2] The selective area doping makes it possible to precisely engineer high-power devices with complex structures, allowing formation of low-resistivity region for contacting electrodes and optimization of the electric field configuration in the edge termination represented by the field limiting ring (FLR) and in the junction barrier Schottky (JBS) structures, as used in Si and SiC power devices.

    DOI: 10.23919/IWJT.2019.8802621

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  34. Design and Fabrication of GaN p-n Junction Diodes With Negative Beveled-Mesa Termination 査読有り

    Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Ueda Hiroyuki, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   40 巻 ( 6 ) 頁: 941 - 944   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Electron Device Letters  

    We report on homoepitaxial GaN p-n junction diodes with a negative beveled-mesa termination. The electric field distribution in a beveled-mesa was investigated using TCAD simulation, and the devices were designed using currently available GaN growth techniques. Shallow-angle (ca. 10°) negative bevel GaN p-n junction diodes were fabricated with various Mg acceptor concentrations in the p-layers. The suppression of electric field crowding and improvement of the breakdown voltage were observed, as the Mg concentration was decreased. The parallel-plane breakdown field of 2.86 MV/cm was obtained for a device with the breakdown voltage of 425 V.

    DOI: 10.1109/LED.2019.2912395

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  35. Estimation of Impact Ionization Coefficient in GaN by Photomulitiplication Measurement Utilizing Franz-Keldysh Effect 査読有り

    Maeda T., Narita T., Ueda H., Kanechika M., Uesugi T., Kachi T., Kimoto T., Horita M., Suda J.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   2019-May 巻   頁: 59 - 62   2019年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  

    A valanche multiplication characteristics in GaN p-n junction diodes (PNDs) under high reverse bias conditions were investigated. The GaN-on-GaN PNDs with double-side-depleted shallow bevel termination, which showed low reverse leakage current and excellent avalanche capability, were used for the measurements. Under sub-bandgap light illumination, the photocurrents induced by Franz-Keldysh (FK) effect, which can be well reproduced by the theoretical calculations of the optical absorption, and their avalanche multiplications were observed. The multiplication factors were extracted as the ratios of the experimental photocurrents to the calculated FK-induced photocurrent. Under an assumption of equal impact ionization coefficients of electrons and holes, the electric-field dependence of an impact ionization coefficient in GaN were estimated.

    DOI: 10.1109/ISPSD.2019.8757676

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  36. The origin of carbon-related carrier compensation in p-type GaN layers grown by MOVPE 査読有り

    Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Tokuda Yutaka, Kogiso Tatsuya, Horita Masahiro, Kachi Tetsu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   124 巻 ( 21 )   2018年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    The role of carbon impurities in p-type GaN layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) was investigated. The lightly Mg-doped (∼1017 cm-3) p-type GaN samples with different carbon concentration [C] were prepared by controlling growth temperature and pressure. Temperature-dependent Hall-effect analyses exhibited an increase in donor concentration with increasing [C]. The low-temperature mobility also decreased with increasing [C], as a result of mobility limitation due to ionized impurity scattering. These results show that carbon atoms in MOVPE-grown p-GaN layers act as ionized donors and cause carrier compensation. Deep-level transient spectroscopy (DLTS) using bias pulses detected the existence of Hd traps (EV +0.88 eV) arising from the 0/-1 charge state of carbon on nitrogen sites (CN). The concentrations of Hd traps closely corresponded to [C] values in p-type GaN layers. Employing low-frequency capacitance DLTS to avoid carrier freeze-out at low temperatures, we newly discovered the Ha trap (EV +0.29 eV) whose concentration was directly proportional to the [C] value. These findings suggest that the Ha trap originates from CN identical to the Hd trap. Based on prior theoretical calculations of energy levels, the Ha trap can reasonably be assigned to a +1/0 donor state of CN. These results strongly suggest that a CN having two different charged states can compensate an electron and a hole in n-type and p-type GaN layers, respectively.

    DOI: 10.1063/1.5057373

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  37. Phonon-assisted optical absorption due to Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diode under high reverse bias voltage 査読有り

    Maeda Takuya, Chi Xilun, Horita Masahiro, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 9 )   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    Photocurrent in a 4H-SiC p-n junction diode under illumination with sub-bandgap light was investigated. Under a high reverse bias condition, the photocurrent significantly increased with an increase in the reverse bias voltage. We calculated the photocurrent taking into consideration the phonon-assisted optical absorption due to the Franz-Keldysh effect. The calculated photocurrent showed good agreement with the experimental results. The photocurrent also increased at elevated temperatures, which could be quantitatively explained by the redshift of the 4H-SiC absorption edge (the shrinkage of the bandgap) and the increase in the phonon occupation number with rising temperature.

    DOI: 10.7567/APEX.11.091302

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  38. Accurate method for estimating hole trap concentration in n-type GaN via minority carrier transient spectroscopy 査読有り

    Kanegae Kazutaka, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 7 )   2018年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    We propose an analysis method for the accurate estimation of the hole trap (H1, EV + 0.85 eV) concentration in n-type GaN via minority carrier transient spectroscopy (MCTS). The proposed method considers both the hole occupation during a filling (current injection) period and the quick carrier recombination via the hole traps near the depletion layer edge immediately after a reverse bias is applied. The reverse bias voltage dependence of the MCTS spectrum indicates that an accurate trap concentration, as well as the hole diffusion length and electron capture cross section of the hole trap, can be determined.

    DOI: 10.7567/APEX.11.071002

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  39. Characterization of carrier concentration and mobility of GaN bulk substrates by Raman scattering and infrared reflectance spectroscopies 査読有り

    Kanegae Kazutaka, Kaneko Mitsuaki, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 7 )   2018年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    n-Type GaN bulk substrates with carrier concentrations (n) of 1016-1020 cm%3 were characterized by Raman scattering (350-5000 cm-1) and infrared reflectance (400-5000 cm%1) spectroscopies. Experimental spectra were fitted with the curves calculated from the dielectric function and carrier concentration and mobility of the GaN bulk. The obtained values agree well with the values from Hall-effect measurements for n of 1016-1019 cm-3 in Raman scattering measurements and for n of 1018-1020 cm-3 in infrared reflectance measurements.

    DOI: 10.7567/JJAP.57.070309

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  40. Franz-Keldysh effect in GaN p-n junction diode under high reverse bias voltage 査読有り

    Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS LETTERS   112 巻 ( 25 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    Photocurrent induced by sub-bandgap light absorption due to the Franz-Keldysh effect was observed in GaN p-n junction diodes under a high reverse bias voltage. The photocurrent increased with the reverse bias voltage and the increase was found to be more significant as the wavelength approached the absorption edge of GaN. The photocurrent was calculated with consideration of light absorption induced by the Franz-Keldysh effect in the depletion layer. The calculated curves showed excellent agreement with the experimental curves. The photocurrent also increased with an increase in temperature and this could be quantitatively explained by the red-shift of the GaN absorption edge with the increase in temperature.

    DOI: 10.1063/1.5031215

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  41. Sources of carrier compensation in metalorganic vapor phase epitaxy-grown homoepitaxial n-type GaN layers with various doping concentrations 査読有り

    Sawada Naoki, Narita Tetsuo, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    The source of carrier compensation in metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE)-grown n-type GaN was quantitatively investigated by Halleffect measurement, deep-level transient spectroscopy, and secondary ion mass spectrometry. These analysis techniques revealed that there were at least three different compensation sources. The carrier compensation for samples with donor concentrations below 5 1016 cm3 can be explained by residual carbon and electron trap E3 (EC % 0.6 eV). For samples with higher donor concentrations, we found a proportional relationship between donor concentration and compensating acceptor concentration, which resulted from a third source of compensation. This is possibly due to the self-compensation effect.

    DOI: 10.7567/APEX.11.041001

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  42. Parallel-Plane Breakdown Fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN-on-GaN p-n Junction Diodes with Double-Side-Depleted Shallow Bevel Termination 査読有り

    Maeda T., Narita T., Ueda H., Kanechika M., Uesugi T., Kachi T., Kimoto T., Horita M., Suda J.

    2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)     2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  43. Characterization of lightly-doped n- and p-type homoepitaxial GaN on free-standing substrates 招待有り 査読有り

    Horita M., Suda J.

    IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai     頁: 86 - 87   2017年7月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  

    Hall-effect measurements for n-type and p-type GaN with low doping concentration are presented. The GaN layers were grown by metal-organic vapor phase epitaxy on hydride-vapor-phase-epitaxy-grown free-standing GaN substrates. For n-GaN, the origin of acceptor which compensating donor is not only C but also native defects for the Si doping concentration of 1016 cm-3 level. The electron mobility is mainly limited by ionized impurity scattering or polar optical phonon scattering in the temperature less or higher than 200 K, respectively. For p-GaN, lightly Mg doping of mid 1016 cm-3 was achieved, which shows the donor concentration of 3.2×1016 cm-3 and the mobility of 31 cm2/Vs at 300 K.

    DOI: 10.1109/IMFEDK.2017.7998055

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  44. Solution-derived SiO2 gate insulator formed by CO2 laser annealing for polycrystalline silicon thin-film transistors 査読有り

    Daisuke Hishitani, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Ikenoue, Yukiharu Uraoka

    Japanese Journal of Applied Physics   56 巻 ( 5 )   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.056503

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  45. Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode 査読有り

    Takuya Maeda, Masaya Okada, Masaki Ueno, Yoshiyuki Yamamoto, Tsunenobu Kimoto, Masahiro Horita, Jun Suda

    Applied Physics Express   10 巻 ( 5 )   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.10.051002

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  46. Characterization of lightly-doped n- and p-type homoepitaxial GaN on free-standing substrates 招待有り 査読有り

    Horita Masahiro, Suda Jun

    2017 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)     頁: 86 - 87   2017年

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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MISC 61

  1. Solution-derived SiO2 gate insulator formed by CO2 laser annealing for polycrystalline silicon thin-film transistors 査読有り

    Hishitani Daisuke, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Ikenoue Hiroshi, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS56 巻 ( 5 )   2017年5月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.056503

    Web of Science

  2. Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode 査読有り

    Maeda Takuya, Okada Masaya, Ueno Masaki, Yamamoto Yoshiyuki, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS10 巻 ( 5 )   2017年5月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/APEX.10.051002

    Web of Science

  3. Hall-effect measurements of metalorganic vapor-phase epitaxy-grown p-type homoepitaxial GaN layers with various Mg concentrations 査読有り

    Horita Masahiro, Takashima Shinya, Tanaka Ryo, Matsuyama Hideaki, Ueno Katsunori, Edo Masaharu, Takahashi Tokio, Shimizu Mitsuaki, Suda Jun  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS56 巻 ( 3 )   2017年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.031001

    Web of Science

  4. Franz-Keldysh effect in n-type GaN Schottky barrier diode under high reverse bias voltage (vol 9, 091002, 2016) 査読有り

    Maeda Takuya, Okada Masaya, Ueno Masaki, Yamamoto Yoshiyuki, Horita Masahiro, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS9 巻 ( 10 )   2016年10月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/APEX.9.109201

    Web of Science

  5. Franz-Keldysh effect in n-type GaN Schottky barrier diode under high reverse bias voltage 査読有り

    Maeda Takuya, Okada Masaya, Ueno Masaki, Yamamoto Yoshiyuki, Horita Masahiro, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS9 巻 ( 9 )   2016年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/APEX.9.091002

    Web of Science

  6. Interfacial atomic site characterization by photoelectron diffraction for 4H-AlN/4H-SiC(11(2)over-bar0) heterojunction 査読有り

    Maejima Naoyuki, Horita Masahiro, Matsui Hirosuke, Matsushita Tomohiro, Daimon Hiroshi, Matsui Fumihiko  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS55 巻 ( 8 )   2016年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.085701

    Web of Science

  7. Reliability Improvement of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors by Less Hydroxyl-Groups Siloxane Passivation 査読有り

    Kulchaisit Chaiyanan, Ishikawa Yasuaki, Fujii Mami N., Yamazaki Haruka, Bermundo Juan Paolo Soria, Ishikawa Satoru, Miyasako Takaaki, Katsui Hiromitsu, Tanaka Kei, Hamada Ken-ichi, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY12 巻 ( 3 )   2016年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/JDT.2015.2475127

    Web of Science

  8. High Pressures Water Vapor Annealing for Atomic-Layer-Deposited Al2O3 on GaN 査読有り

    Yoshitugu Koji, Horita Masahiro, Uenuma Mustunori, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)   頁: .   2016年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  9. Characterization of N-Type and P-Type GaN Layers Grown on Free-Standing GaN Substrates 査読有り

    Suda Jun, Horita Masahiro  

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)   頁: .   2016年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  10. Current Collapse Reduction in AlGaN/GaN HEMTs by High-Pressure Water Vapor Annealing 査読有り

    Asubar Joel T., Kobayashi Yohei, Yoshitsugu Koji, Yatabe Zenji, Tokuda Hirokuni, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu, Hashizume Tamotsu, Kuzuhara Masaaki  

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES62 巻 ( 8 ) 頁: 2423-2428   2015年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/TED.2015.2440442

    Web of Science

  11. Thermo-stable carbon nanotube-TiO2 nanocompsite as electron highways in dye-sensitized solar cell produced by bio-nano-process 査読有り

    Inoue Ippei, Yamauchi Hirofumi, Okamoto Naofumi, Toyoda Kenichi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Yasueda Hisashi, Uraoka Yukiharu, Yamashita Ichiro  

    NANOTECHNOLOGY26 巻 ( 28 )   2015年7月

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  12. Floating gate memory with charge storage dots array formed by Dps protein modified with site-specific binding peptides 査読有り

    Kamitake Hiroki, Uenuma Mutsunori, Okamoto Naofumi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Yamashita Ichro, Uraoka Yukiharu  

    NANOTECHNOLOGY26 巻 ( 19 )   2015年5月

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  13. Unseeded Growth of Poly-Crystalline Ge with (111) Surface Orientation on Insulator by Pulsed Green Laser Annealing 査読有り

    Horita Masahiro, Takao Toru, Nieda Yoshiaki, Ishikawa Yasuaki, Sasaki Nobuo, Uraoka Yukiharu  

    2015 22nd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD)   頁: 237-240   2015年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  14. Analysis of self-heating phenomenon in oxide thin-film transistors under pulsed bias voltage 査読有り

    Kise Kahori, Tomai Shigekazu, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Yano Koki, Wang Dapeng, Furuta Mamoru, Horita Masahiro, Fujii Mami, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2015 22nd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD)   頁: 249-251   2015年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  15. Analysis of printed silver electrode on amorphous indium gallium zinc oxide 査読有り

    Ueoka Yoshihiro, Nishibayashi Takahiro, Ishikawa Yasuaki, Yamazaki Haruka, Osada Yukihiro, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS53 巻 ( 4 )   2014年4月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.04EB03

    Web of Science

  16. Effect of contact material on amorphous InGaZnO thin-film transistor characteristics 査読有り

    Ueoka Yoshihiro, Ishikawa Yasuaki, Bermundo Juan Paolo, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Osada Yukihiro, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS53 巻 ( 3 )   2014年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.03CC04

    Web of Science

  17. 4H-SiC MISFETs With 4H-AlN Gate Insulator Isopolytypically Grown on 4H-SiC (11(2)over-bar0) 査読有り

    Horita Masahiro, Noborio Masato, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS35 巻 ( 3 ) 頁: 339-341   2014年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/LED.2014.2299557

    Web of Science

  18. Analysis of heating phenomenon in oxide thin-film transistor under pulse voltage stress 査読有り

    Kise Kahori, Fujii Mami, Tomai Shigekazu, Ueoka Yoshihiro, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Yano Koki, Wang Dapeng, Furuta Mamoru, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   頁: .   2014年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  19. Density of States in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor under Negative Bias Illumination Stress 査読有り

    Ueoka Yoshihiro, Ishikawa Yasuaki, Bermundo Juan Paolo, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Fujii Mami, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY3 巻 ( 9 ) 頁: Q3001-Q3004   2014年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1149/2.001409jss

    Web of Science

  20. Vapor-Induced Improvements in Field Effect Mobility of Transparent a-IGZO TFTs 査読有り

    Fujii Mami N., Ishikawa Yasuaki, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY3 巻 ( 9 ) 頁: Q3050-Q3053   2014年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1149/2.011409jss

    Web of Science

  21. Reliability of Bottom Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors with Siloxane Passivation Layer 査読有り

    Kulchaisit Chaiyanan, Fujii Mami, Ueoka Yoshihiro, Bermundo Juan Paolo, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   頁: .   2014年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  22. Crystallization of amorphous Ge thin film using Cu nanoparticle synthesized and delivered by ferritin 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Zheng Bin, Bundo Kosuke, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Watanabe Heiji, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH382 巻   頁: 31-35   2013年11月

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  23. Impact of Underwater Laser Annealing on Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor for Inactivation of Electrical Defects at Super Low Temperature 査読有り

    Machida Emi, Horita Masahiro, Yamasaki Koji, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu, Ikenoue Hiroshi  

    JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY9 巻 ( 9 ) 頁: 741-746   2013年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/JDT.2012.2236883

    Web of Science

  24. Effects of Gate Insulator on Thin-Film Transistors With ZnO Channel Layer Deposited by Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition 査読有り

    Kawamura Yumi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY9 巻 ( 9 ) 頁: 694-698   2013年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/JDT.2012.2213237

    Web of Science

  25. Thermal reversibility in electrical characteristics of ultraviolet/ozone-treated graphene 査読有り

    Mulyana Yana, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu, Koh Shinji  

    APPLIED PHYSICS LETTERS103 巻 ( 6 )   2013年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.4818329

    Web of Science

  26. Low temperature high-mobility InZnO thin-film transistors fabricated by excimer laser annealing 査読有り

    Fujii Mami, Ishikawa Yasuaki, Ishihara Ryoichi, van der Cingel Johan, Mofrad Mohammad R. T., Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    APPLIED PHYSICS LETTERS102 巻 ( 12 )   2013年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.4798519

    Web of Science

  27. Fabrication of Zinc Oxide Nanopatterns by Quick Gel-Nanoimprint Process toward Optical Switching Devices 査読有り

    Araki Shinji, Ishikawa Yasuaki, Zhang Min, Doe Takahiro, Lu Li, Horita Masahiro, Nishida Takashi, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS52 巻 ( 3 )   2013年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.03BA02

    Web of Science

  28. Thermal analysis of amorphous oxide thin-film transistor degraded by combination of joule heating and hot carrier effect 査読有り

    Urakawa Satoshi, Tomai Shigekazu, Ueoka Yoshihiro, Yamazaki Haruka, Kasami Masashi, Yano Koki, Wang Dapeng, Furuta Mamoru, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    APPLIED PHYSICS LETTERS102 巻 ( 5 )   2013年2月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.4790619

    Web of Science

  29. Forming SiO2 Thin Film by CO2 Laser Annealing of Spin-On Glass on Polycrystalline Silicon Thin Film 査読有り

    Hishitani Daisuke, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Ikenoue Hiroshi, Watanabe Yosuke, Uraoka Yukiharu  

    PROCEEDINGS OF 2013 TWENTIETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD 13): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 163-166   2013年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  30. Memristive nanoparticles formed using a biotemplate 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Ban Takahiko, Okamoto Naofumi, Zheng Bin, Kakihara Yasuhiro, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    RSC ADVANCES3 巻 ( 39 ) 頁: 18044-18048   2013年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1039/c3ra42392a

    Web of Science

  31. Forming of SiO2 Film by Spin-On Glass and CO2 Laser Annealing for Gate Insulator of Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors 査読有り

    Hishitani Daisuke, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Ikenoue Hiroshi, Watanabe Yosuke, Uraoka Yukiharu  

    2013 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK2013)   頁: .   2013年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  32. Characterizations of Al2O3 gate dielectric deposited on n-GaN by plasma-assisted atomic layer deposition 査読有り

    Yoshitsugu Koji, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 1110 巻 ( 11 ) 頁: 1426-1429   2013年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssc.201300273

    Web of Science

  33. Thermal distribution in amorphous InSnZnO thin-film transistor 査読有り

    Urakawa Satoshi, Tomai Shigekazu, Ueoka Yoshihiro, Yamazaki Haruka, Kasami Masashi, Yano Koki, Wang Dapeng, Furuta Mamoru, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 1110 巻 ( 11 ) 頁: 1561-1564   2013年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssc.201300253

    Web of Science

  34. Unique property of a-InGaZnO/Ag Interface on Thin-Film Transistor 査読有り

    Ueoka Yoshihiro, Ishikawa Yasuaki, Bermundo Juan Paolo, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Osada Yukihiro, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    PROCEEDINGS OF 2013 TWENTIETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD 13): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 37-38   2013年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  35. Thermal Degradation and Theoretical Analysis of Amorphous Oxide Thin-Film Transistor 査読有り

    Urakawa Satoshi, Tomai Shigekazu, Kasami Masashi, Yano Koki, Wang Dapeng, Furuta Mamoru, Kimura Mutsumi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    PROCEEDINGS OF 2013 TWENTIETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD 13): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 125-128   2013年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  36. Crystallization to polycrystalline silicon thin film and simultaneous inactivation of electrical defects by underwater laser annealing 査読有り

    Machida Emi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu, Ikenoue Hiroshi  

    APPLIED PHYSICS LETTERS101 巻 ( 25 )   2012年12月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.4772513

    Web of Science

  37. Size Control of ZnS Nanoparticles by Electro-Spray Deposition Method 査読有り

    Doe Takahiro, Ishikawa Yasuaki, Horita Masahiro, Nishida Takashi, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS51 巻 ( 3 )   2012年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.03CC02

    Web of Science

  38. Thin-Film Devices Fabricated on Double-Layered Polycrystalline Silicon Films Formed by Green Laser Annealing 査読有り

    Yamasaki Koji, Machida Emi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS51 巻 ( 3 )   2012年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.03CA03

    Web of Science

  39. Guided filament formation in NiO-resistive random access memory by embedding gold nanoparticles 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Zheng Bin, Kawano Kentaro, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    APPLIED PHYSICS LETTERS100 巻 ( 8 )   2012年2月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.3688053

    Web of Science

  40. Metal-nanoparticle-induced crystallization of amorphous Ge film using ferritin 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Zheng Bin, Imazawa Takanori, Horita Masahiro, Nishida Takashi, Ishikawa Yasuaki, Watanabe Heiji, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    APPLIED SURFACE SCIENCE258 巻 ( 8 ) 頁: 3410-3414   2012年2月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2011.11.076

    Web of Science

  41. Low-Temperature-Processed Zinc Oxide Thin-Film Transistors Fabricated by Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition 査読有り

    Kawamura Yumi, Tani Mai, Hattori Nozomu, Miyatake Naomasa, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS51 巻 ( 2 )   2012年2月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.02BF04

    Web of Science

  42. Analysis of Electronic Structural Change in a-InGaZnO by High Pressure Water Vapor Annealing 査読有り

    Ueoka Yoshihiro, Mejima Naoyuki, Matsui Hirosuke, Matsui Fumihiko, Morita Makoto, Kitagawa Satoshi, Fujita Masayoshi, Yasuda Kaoru, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Daimon Hiroshi, Uraoka Yukiharu  

    IDW/AD '12: PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL DISPLAY WORKSHOPS, PT 219 巻   頁: 887-890   2012年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  43. Super Low-Temperature Formation of Polycrystalline Silicon Films on Plastic Substrates by Underwater Laser Annealing 査読有り

    Machida Emi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu, Okuyama Tetsuo, Ikenoue Hiroshi  

    IDW/AD '12: PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL DISPLAY WORKSHOPS, PT 119 巻   頁: 303-306   2012年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  44. Crystallization to Polycrystalline Silicon Films by Underwater Laser Annealing and Its Application to Thin Film Transistors 査読有り

    Machida Emi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu, Ikenoue Hiroshi  

    2012 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 111-114   2012年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  45. Effects of Gate Insulator on Thin Film Transistor with ZnO Channel Layer Deposited by Plasma Assisted Atomic Layer Deposition 査読有り

    Kawamura Yumi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2012 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 179-182   2012年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  46. Cu nanoparticle induced crystallization of amorphous Ge film using ferritin 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Zheng Bin, Bundo Kosuke, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    2012 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 227-230   2012年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  47. Fabrication of Zinc Oxide Nano-patterns by Quick Gel-nanoimprint Process toward Optical Switching Devices 査読有り

    Araki Shinji, Zhang Min, Doe Takahiro, Lu Li, Horita Masahiro, Nishida Takashi, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2012 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 29-32   2012年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  48. Unique Phenomenon in Degradation of Amorphous In2O3-Ga2O3-ZnO Thin-Film Transistors under Dynamic Stress 査読有り

    Fujii Mami, Ishikawa Yasuaki, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS4 巻 ( 10 )   2011年10月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/APEX.4.104103

    Web of Science

  49. Anomalously low Ga incorporation in high Al-content AlGaN grown on (11(2)over-bar0) non-polar plane by molecular beam epitaxy 査読有り

    Ueta Shunsaku, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE208 巻 ( 7 ) 頁: 1498-1500   2011年7月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssa.201001033

    Web of Science

  50. Resistive random access memory utilizing ferritin protein with Pt nanoparticles 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Kawano Kentaro, Zheng Bin, Okamoto Naofumi, Horita Masahiro, Yoshii Shigeo, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    NANOTECHNOLOGY22 巻 ( 21 )   2011年5月

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  51. ZnO Thin Films Fabricated by Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition 査読有り

    Kawamura Yumi, Hattori Nozomu, Miyatake Naomasa, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS50 巻 ( 4 )   2011年4月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.04DF05

    Web of Science

  52. Resistive Memory Utilizing Ferritin Protein with Nano Particle 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Kawano Kentaro, Zheng Bin, Horita Masahiro, Yoshii Shigeo, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS470 巻   頁: 92-97   2011年

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  53. Nonpolar 4H-Polytype AlN/AlGaN Multiple Quantum Well Structure Grown on 4H-SiCd(1(1)over-bar00) 査読有り

    Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS3 巻 ( 5 )   2010年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/APEX.3.051001

    Web of Science

  54. Effect of Post-Thermal Annealing of Thin-Film Transistors with ZnO Channel Layer Fabricated by Atomic Layer Deposition 査読有り

    Kawamura Yumi, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS49 巻 ( 4 )   2010年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.49.04DF19

    Web of Science

  55. Anomalously Large Difference in Ga Incorporation for AlGaN Grown on the (11(2)over-bar0) and (1(1)over-bar00) Planes under Group-III-Rich Conditions 査読有り

    Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS2 巻 ( 9 )   2009年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/APEX.2.091003

    Web of Science

  56. Observation of novel defect structure in 2H-AlN grown on 6H-SiC(0001) substrates with 3-bilayer-height step-and-terrace structures 査読有り

    Okumura Hironori, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE206 巻 ( 6 ) 頁: 1187-1189   2009年6月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssa.200880934

    Web of Science

  57. Polytype Replication in Heteroepitaxial Growth of Nonpolar AlN on SiC 査読有り

    Suda Jun, Horita Masahiro  

    MRS BULLETIN34 巻 ( 5 ) 頁: 348-352   2009年5月

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  58. Surface Morphologies of 4H-SiC(11(2)over-bar0) and (1(1)over-bar00) Treated by High-Temperature Gas Etching 査読有り

    Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS47 巻 ( 11 ) 頁: 8388-8390   2008年11月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.47.8388

    Web of Science

  59. Nonpolar 4H-AlN grown on 4H-SiC (1(1)over-bar00) with reduced stacking fault density realized by persistent layer-by-layer growth 査読有り

    Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS LETTERS93 巻 ( 8 )   2008年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.2976559

    Web of Science

  60. High-quality nonpolar 4H-AlN grown on 4H-SiC (11(2)over-bar20) substrate by molecular-beam epitaxy 査読有り

    Horita Masahiro, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu  

    APPLIED PHYSICS LETTERS89 巻 ( 11 )   2006年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.2352713

    Web of Science

  61. Growth of nonpolar AIN and AlGaN on 4H-SiC (1-100) by molecular beam epitaxy 査読有り

    Armitage Rob, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu  

    GaN, AIN, InN and Related Materials892 巻   頁: 705-710   2006年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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講演・口頭発表等 114

  1. 酸素イオン注入によりn型GaN中に形成される電子トラップ

    柴田優一,堀田昌宏,田中亮,高島信也,上野勝典,須田淳

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  2. MOVPE成長n型GaNに存在するE3トラップの起源検討

    堀田昌宏,成田哲生,加地徹,須田淳

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  3. 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの照射エネルギー依存性

    遠藤 彗,鐘ヶ江 一孝,堀田 昌宏,須田 淳

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  4. Nitrogen and gallium displacement related deep levels introduced by electron-beam irradiation in MOVPE-grown homoepitaxial n-type GaN

    M. Horita, J. Suda

    第38回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  5. Evaluation of hole traps introduced by electron beam irradiation in homoepitaxial n-type GaN

    M. Endo, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda

    第38回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  6. 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の低温における挙動

    遠藤彗, 堀田昌宏, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  7. GaN -MOSFETのHall測定

    上野勝典, 松山秀昭, 田中亮, 高島信也, 江戸雅晴, 堀田昌宏, 須田淳, 中川清和

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  8. ホモエピタキシャル成長n型GaN中に2 MeV電子線照射により形成される深い準位

    堀田昌宏, 成田哲生, 加地徹, 上杉勉, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  9. DLTSおよびHall測定による GaNエピ層の欠陥準位評価 招待有り

    堀田昌宏, 須田淳

    第6回パワーデバイス用Siおよび関連半導体材料に関する研究会 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  10. Deep levels introduced by electron beam irradiation in the energy range from 100 keV to 2 MeV in MOVPE-grown homoepitaxial n-type GaN 国際会議

    M. Horita, T. Narita, T. Kachi, T. Uesugi, J. Suda

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  11. Energy dependence of deep level formation by electron-beam irradiation in homoepitaxial n-type GaN

    M. Horita, J. Suda

    第37回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  12. 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値

    堀田昌宏, 須田淳

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  13. マルチウェハリアクタによって4インチサファイア基板上にMOVPE成長した低ドープn型GaNの実効ドナー密度分布

    坂尾佳祐, 堀田昌宏, 須田淳, 朴冠錫, 山岡優哉, 矢野良樹, 松本功

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  14. Si-doped GaN Growth as a Drift Layer of Vertical Power Devices by Using Production Scale Metalorganic Chemical Vapor Deposition 国際会議

    G. Piao, Y. Yano, Y. Yamaoka, T. Tabuchi, K. Matsumoto, K. Sakao, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  15. ホモエピタキシャル成長p型GaN中の窒素原子変位関連欠陥により形成されるホールトラップ

    遠藤彗, 堀田昌宏, 須田淳

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月11日 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  16. サブバンドギャップ光照射ICTSによるn型GaN中電子トラップの光イオン化断面積比の評価

    遠藤 彗, 堀田 昌宏, 須田 淳

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

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    開催年月日: 2022年3月 - 3033年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  17. 様々なゲート酸化膜を有するSiC MOSFETにおけるHall移動度の実効垂直電界依存性

    伊藤 滉二, 田中 一, 堀田 昌宏, 須田 淳, 木本 恒暢

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月24日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月 - 3033年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  18. ホモエピタキシャル成長GaN pn接合ダイオードの逆方向電流-電圧特性に現れるピークの起源

    大橋 拓斗, 兼近 将一, 近藤 健, 上杉 勉, 冨田 一義, 堀田 昌宏, 須田 淳

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月 - 3033年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  19. 超低濃度Siイオン注入GaNにおける実効ドナー密度深さ方向分布のアニール温度依存性

    井口 紘子, 堀田 昌宏, 須田 淳

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

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    開催年月日: 2022年3月 - 3033年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  20. AlSiOゲート酸化膜を用いたGaNパワーMOSFETの進展と課題 招待有り

    成田 哲生, 伊藤 健治, 菊田 大悟, 冨田 一義, 堀田 昌宏, 加地 徹

    第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会  2022年1月29日 

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    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  21. Mgイオン注入p型GaN活性化のための超高圧アニールの温度・圧力低減に向けた検討

    角田 健輔, 晝川 十史, 櫻井 秀樹, 堀田 昌宏, M. Bockowski, 加地 徹, 須田 淳

    先進パワー半導体分科会 第8回講演会  2021年12月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  22. GaNメサ型pn接合ダイオードの逆方向電流-電圧特性におけるヒステリシスの起源

    大橋 拓斗, 兼近 将一, 近藤 健, 上杉 勉, 冨田 一義, 堀田 昌宏, 須田 淳

    先進パワー半導体分科会 第8回講演会  2021年12月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  23. リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層濃度依存性

    伊藤 滉二, 堀田 昌宏, 須田 淳, 木本 恒暢

    先進パワー半導体分科会 第8回講演会  2021年12月10日 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  24. Hole traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial p-type GaN 国際会議

    Keito Aoshima, Masahiro Horita, and Jun Suda

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  25. Isothermal Annealing Study on Mg-implanted Homoepitaxial GaN 国際会議

    Kensuke Sumida, Kazufumi Hirukawa, Hideki Sakurai, Masahiro Horita, Michal Bockowski, Tetsu Kachi, Jun Suda

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  26. Investigation of Electron Traps in Homoepitaxial n-type GaN Grown by MOVPE 国際会議

    Masahiro Horita and Jun Suda

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021  2021年11月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  27. Nitrogen-displacement-related Hole Traps in N-type GaN with Electron Beam Irradiations in the Energy Range from 100 to 400 keV 国際会議

    Meguru Endo, Masahiro Horita, Kazutaka Kanegae, and Jun Suda

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  28. Universal Mobility in SiC MOSFETs with Very Low Interface State Density 国際会議

    Koji Ito, Masahiro Horita, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

    13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials  2021年10月26日 

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    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  29. Nitrogen-displacement-related hole traps in MOVPE-grown homoepitaxial p-type GaN

    Meguru Endo, Masahiro Horita, Jun Suda

    The 40th Electronic Materials Symposium  2021年10月11日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  30. SiO2/n-GaN MOS structures with low interface state density formed by plasma-enhanced atomic layer deposition method 国際会議

    Keito Aoshima, Noriyuki Taoka, Masahiro Horita, Jun Suda

    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials  2021年9月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  31. Nitrogen-displacement-related hole traps introduced by electron beam irradiations in MOVPE-grown homoepitaxial p-type GaN 国際会議

    Meguru Endo, Masahiro Horita, and Jun Suda

    31st International Conference on Defects in Semiconductors  2021年7月26日  31st International Conference on Defects in Semiconductors Conference Committees

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:University of Oslo   国名:ノルウェー王国  

  32. AlSiO/p型GaN MOSFETにおける移動度制限因子の解析

    成田哲生,伊藤健治,冨田一義,堀田昌宏,菊田大悟

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  33. GaNにおける電子・正孔の衝突イオン化係数の温度依存性

    前田拓也,成田哲生,山田真嗣,加地徹,木本恒暢,堀田昌宏,須田淳

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  34. リン処理を施したSiC MOSFETにおける実効移動度のボディ電位依存性

    伊藤滉二,堀田昌宏,須田淳,木本恒暢

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  35. DLTS法によるn型GaN中の深い準位評価に対してショットキー障壁高さが与える影響の定量的解析

    青島慶人,堀田昌宏,須田淳

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  36. Mgイオン注入GaNの超高圧アニールによるMgとHの熱拡散

    櫻井秀樹,成田哲生,晝川十史,角田健輔,山田真嗣,片岡恵太,堀田昌宏,五十嵐信行,M. Bockowski,須田淳,加地徹

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  37. Mgイオン注入p型GaNにおける超高圧アニール温度の低減化に向けた検討

    晝川十史,櫻井秀樹,藤倉序章,堀田昌宏,M. Bockowski,乙木洋平,加地徹,須田淳

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  38. MOVPE法によるn型GaNドリフト層形成と残留不純物制御 招待有り

    成田哲生,堀田昌宏,冨田一義,加地徹,須田淳

    第49回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  39. 超高圧アニールを用いたMgイオン注入GaNのp型伝導制御 招待有り

    櫻井秀樹,成田哲生,晝川十史,山田真嗣,片岡恵太,Malgorzata Iwinska,堀田昌宏,五十嵐信行,Michal Bockowski,須田淳,加地徹

    第49回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  40. Hole Traps Introduced by Electron Beam Irradiation in Homoepitaxial n-type GaN and Its Irradiation Energy Dependence

    M. Endo, M. Horita, K. Kanegae, J. Suda

    第39回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  41. Impact of The Schottky Barrier Height on Deep-level Transient Spectroscopy of Gamma-ray-irradiated ntype GaN

    K. Aoshima, M. Horita, J. Suda

    第39回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  42. Impacts of High Temperature Annealing Above 1400 degree C Under N2 Overpressure to Activate Acceptors in Mg-Implanted GaN 国際会議

    H. Sakurai, T. Narita, K. Hirukawa, S. Yamada, A. Koura, K. Kataoka, M. Horita, N. Ikarashi, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi

    2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  43. DLTS法によるAl2O3/n型GaN MOS界面準位の評価

    青島 慶人,堀田 昌宏,須田 淳,橋詰 保

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  44. 超高圧アニールによるMg&Nシーケンシャルイオン注入GaNのアクセプタ形成の実証

    櫻井 秀樹,成田 哲生,晝川 十史,山田 真嗣,高良 昭彦,片岡 恵太,堀田 昌宏,Bockowski Michal,須田 淳,加地 徹

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  45. Mgイオン注入p型GaNの超高圧アニール温度の検討

    晝川 十史,櫻井 秀樹,藤倉 序章,堀田 昌宏,Bockowski Michal,乙木 洋平,加地 徹,須田 淳

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  46. RIEによって生成されたn型GaN中の深い準位

    鐘ヶ江 一孝,山田 真嗣,堀田 昌宏,木本 恒暢,須田 淳

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  47. 常圧で活性化熱処理したMg注入GaN層のホール効果測定

    田中 亮,高島 信也,上野 勝典,江戸 雅晴,堀田 昌宏,須田 淳

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  48. SiNキャップ層高温熱処理によりGaN表面付近に導入される電子トラップの深さ方向分布の熱処理時間依存性

    古田 悟夢,堀田 昌宏,田中 成明,岡 徹,須田 淳

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  49. GaNの電子・正孔の衝突イオン化係数の測定

    前田 拓也,成田 哲生,山田 真嗣,加地 徹,木本 恒暢,堀田 昌宏,須田 淳

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  50. リン処理を施したSiC(0001)/SiO2界面における反転層電子のユニバーサル移動度の評価

    伊藤 滉二,堀田 昌宏,須田 淳,木本 恒暢

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  51. 光過渡容量分光法によるn型GaN中の正孔トラップ密度の高速かつ精密定量手法

    鐘ヶ江 一孝,成田 哲生,冨田 一義,加地 徹,堀田 昌宏,木本 恒暢,須田 淳

    先進パワー半導体分科会第6回講演会 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  52. PMA処理を行ったAl2O3/n-GaN MOSダイオードにおいてガンマ線照射により形成されるAl2O3膜中及び界面トラップ

    青島慶人,堀田昌宏,金木奨太,須田淳,橋詰保

    先進パワー半導体分科会第6回講演会 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  53. Impact Ionization Coefficients in GaN Measured by Above- and Sub-Eg Illuminations for p−/n+ Junction 国際会議

    T. Maeda, T. Narita, S. Yamada, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  54. Record breakdown fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN p-n junction diodes

    T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

    第38回電子材料シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  55. Development of accurate and quick measurement method for hole trap density in n-type GaN layers by optical isothermal capacitance transient spectroscopy

    K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

    第38回電子材料シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  56. Electron traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial n-type GaN

    K. Aoshima, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda

    第38回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  57. Depth Profiles of Deep Levels Generated by ICP-RIE in 4H-SiC 国際会議

    K. Kanegae, T. Okuda, M. Horita, J. Suda, T. Kimoto

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    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  58. Photocurrent induced by Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diodes under high electric field along <11-20> direction 国際会議

    T. Maeda, X. Chi, H. Tanaka, M. Horita, J. Suda, T. Kimoto

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  59. リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層アクセプタ密度依存性

    伊藤 滉二,堀田 昌宏,須田 淳,木本 恒暢

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  60. 様々な電極金属のn 型ホモエピタキシャルGaN SBD における障壁高さ温度係数の比較とそれに対する熱処理の効果

    村瀬 亮介,前田 拓也,鐘ヶ江 一孝,須田 淳,堀田 昌宏

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  61. 高圧アニールによるMgイオン注入GaNのアクセプタ形成の実証

    櫻井 秀樹,山田 真嗣,高良 昭彦,堀田 昌宏,Bockowski Michal,須田 淳,加地 徹

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  62. Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode 招待有り

    前田 拓也,岡田 政也,上野 昌紀,山本 喜之,木本 恒暢,堀田 昌宏,須田 淳

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  63. p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧シフトとその測定パルス幅依存性

    釣本 浩貴,堀田 昌宏,須田 淳

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  64. 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの評価

    遠藤 彗,鐘ヶ江 一孝,堀田 昌宏,須田 淳

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  65. ショットキー接合のC-V測定によるp型GaNの実効アクセプタ密度評価の精度に関する理論的検討

    六野 祥平,堀田 昌宏,須田 淳

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  66. PMA処理を行ったAl2O3/GaN MOSダイオードにおけるガンマ線照射によるフラットバンド電圧の負方向シフトの膜厚依存性

    青島 慶人,堀田 昌宏,金木 奨太,須田 淳,橋詰 保

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  67. 2 色のサブバンドギャップ光を用いた過渡容量分光法によるn型GaN成長層中の炭素関連欠陥密度の高速定量手法

    鐘ヶ江 一孝,成田 哲生,冨田 一義,加地 徹,堀田 昌宏,木本 恒暢,須田 淳

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  68. <11-20>方向に電界印加した4H-SiC p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因したフォノンアシスト光吸収

    前田 拓也,遅 熙倫,田中 一,堀田 昌宏,須田 淳,木本 恒暢

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  69. High Avalanche Capability in GaN p-n Junction Diodes Realized by Shallow BeveledMesa Structure Combined with Lightly Mg-Doped p-Layers 国際会議

    T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  70. Quick measurement method of carbon-related defect concentration in n-type GaN by dual-color-sub-bandgaplight-excited isothermal capacitance transient spectroscopy 国際会議

    K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  71. Estimation of Impact Ionization Coefficient in GaN and Its Temperature Dependence by Photomultiplication Measurements Utilizing FranzKeldysh Effect 国際会議

    T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  72. Photon energy dependence of photoionization cross section ratio of electron to hole for the carbon-related hole trap in n-type GaN 国際会議

    K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  73. Deep Level Traps Introduced in GaN Layers by High-Temperature Thermal Treatment with SiN Cap Layers 国際会議

    S. Furuta, M. Horita, N. Tanaka, T. Oka, J. Suda

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  74. Determination Methods of H1 Trap Concentration in N-Type GaN Schottky Barriers via Sub-Bandgap-Light Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy 国際会議

    K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  75. Growth of P-Type GaN Layers with Low Mg Concentrations by Using MOVPE and the Application to Vertical Power Devices (Invited) 招待有り 国際会議

    T. Narita, K. Tomita, Y. Tokuda, T. Kogiso, T. Maeda, M. Horita, M. Kanechika, H. Ueda, T. Kachi, J. Suda

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  76. Clear Evidence of P-Type Formation by Hall-Effect Measurements of Mg-Ion Implanted GaN Activated with Ultra-High-Pressure Annealing 国際会議

    H. Sakurai, M. Omori, S. Yamada, A. Koura, H. Suzuki, T. Narita, K. Kataoka, M. Horita, M. Boćkowski, J. Suda, T. Kachi

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  77. Impact of Gamma-Ray Irradiation on Device Characteristics of p-GaN/ AlGaN/GaN Normally-Off High-Electron-Mobility Transistors 国際会議

    K. Tsurimoto, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  78. Impact of Gamma-Ray Irradiation on Capacitance-Voltage Characteristics of Al2O3/GaN MOS Diodes with Post-Metallization Annealing 国際会議

    K. Aoshima, M. Horita, S. Kaneki, J. Suda, T. Hashizume

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  79. Estimation of Impact Ionization Coefficient in GaN by Photomultiplication Measurement Utilizing Franz-Keldysh Effect 国際会議

    T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  80. GaNエピ基板上MOS特性の制御

    上野勝典, 松山秀昭, 田中亮, 高島信也, 江戸雅晴, 堀田昌宏, 須田淳, 中川清和

    電気学会 電子・情報・システム部門(C部門) 電子デバイス研究会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  81. p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による特性変化の回復過程

    釣本浩貴, 堀田昌宏, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  82. Franz-Keldysh効果を利用した光電流増倍測定によるGaNにおけるキャリアの衝突イオン化係数の推定

    前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  83. 両側空乏ベベルメサ構造を有するGaN p-n接合ダイオードにおける均一なアバランシェ破壊の実現および平行平板破壊電界の評価

    前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  84. ベベルメサ構造GaN p-n接合ダイオードの電界分布シミュレーション

    前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  85. Quartz-free-HVPE成長n型GaN層における補償アクセプタの起源解明

    鐘ヶ江一孝, 藤倉序章, 乙木洋平, 今野泰一郎, 吉田丈洋, 堀田昌宏, 木本恒暢, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  86. SiNキャップ層高温熱処理によりGaN中に導入される深い準位

    古田悟夢, 堀田昌宏, 田中成明, 岡徹, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  87. 横型ショットキーダイオード構造のC-V測定による低ドープn型GaNの実効ドナー密度の評価の精度に関する検討

    六野祥平, 坂尾佳祐, 堀田昌宏, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  88. ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキー障壁高さの温度係数の電極金属依存性

    村瀬亮介, 前田拓也, 鐘ヶ江一孝, 堀田昌宏, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  89. ガンマ線照射によるAl2O3/GaN MOSダイオードの容量-電圧特性の変化

    青島慶人, 金木奨太, 堀田昌宏, 須田淳, 橋詰保

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  90. Overview of carrier compensation in n-type and p-type GaN layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 招待有り 国際会議

    T. Narita, K. Tomita, Y. Tokuda, T. Kogiso, N. Ikarashi, N. Sawada, M. Horita, J. Suda, T. Kachi

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  91. Parallel-Plane Breakdown Fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN-on-GaN p-n Junction Diodes with Double-Side-Depleted Shallow Bevel Termination 国際会議

    T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  92. n型GaN中の正孔トラップ密度の定量評価

    鐘ヶ江一孝, 成田哲生, 冨田一義, 加地徹, 堀田昌宏, 木本恒暢, 須田淳

    先進パワー半導体分科会 第5回講演会 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  93. DLTS studies of quartz-free-HVPE-grown homoepitaxial n-type GaN 招待有り 国際会議

    K. Kanegae, H. Fujikura, Y. Otoki, T. Konno, T. Yoshida, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  94. Electron traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial n-type GaN 国際会議

    K. Aoshima, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  95. Hole occupancy ratio of H1 trap in homoepitaxial n-type GaN under sub-bandgap light irradiation 国際会議

    K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  96. Temperature Dependence of Avalanche Multiplicationin GaN PN Diodes Measured by Light Absorption Due to Franz-Keldysh Effect 国際会議

    T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  97. Shockley-Read-Hall Lifetime in Homoepitaxial p-GaN Extracted from the Recombination Current in GaN p-n Junction Diodes 国際会議

    T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  98. Temperature dependence of Avalanche Multiplication in GaN PN Diodes Measured by Using Sub-bandgap Light Irradiation

    T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

    第37回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  99. p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧およびゲート電流の変化

    釣本浩貴, 堀田昌宏, 須田淳

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  100. Franz-Keldysh効果による光電流を利用したGaN p-n接合ダイオードにおけるアバランシェ増倍の温度依存性の測定

    前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  101. GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析によるホモエピタキシャル成長p-GaNにおけるSRH寿命の評価

    前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  102. n型GaN 中の正孔トラップ密度の定量評価に向けたサブバンドギャップ光照射時の正孔占有率の評価

    鐘ヶ江一孝, 成田哲生, 冨田一義, 加地徹, 堀田昌宏, 木本恒暢, 須田淳

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  103. GaN自立基板上Ni/n-GaN SBDにおける障壁高さ温度特性のドナー密度依存性

    村瀬亮介, 前田拓也, 鐘ヶ江一孝, 堀田昌宏, 須田淳

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  104. ガンマ線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深さ1 eV以上の電子トラップ

    青島慶人, 鐘ヶ江一孝, 堀田昌宏, 須田淳

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  105. 4H-SiC p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因したフォノンアシスト光吸収

    前田拓也, 遅熙倫, 堀田昌宏, 須田淳, 木本恒暢

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  106. Photocurrent induced by Franz-Keldysh effect in a 4H-SiC p-n junction diode under high reverse bias voltage 国際会議

    T. Maeda, X. L. Chi, M. Horita, J. Suda, T. Kimoto

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  107. Measurement of Avalanche Multiplication Factor in GaN p-n Junction Diode Using Sub-Bandgap Light Absorption Due to Franz-Keldysh Effect 国際会議

    T. Maeda, T. Narita, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  108. Accurate estimation of H1 trap concentration in n-type GaN layers 国際会議

    K. Kanegae, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

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    開催年月日: 2018年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  109. Electrical characterization of homoepitaxial GaN layers for GaN vertical power devices 招待有り 国際会議

    J. Suda, M. Horita

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    開催年月日: 2018年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  110. サブバンドギャップ光照射を用いた GaN p-n接合ダイオードのアバランシェ増倍の測定

    前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳

    第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  111. Franz-Keldysh effect in GaN Schottky barrier diodes and p-n junction diodes under high reverse bias voltage 国際会議

    T. Maeda, M. Okada, M. Ueno, Y. Yamamoto, T. Narita, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  112. Measurement of H1 trap concentration in MOVPE-grown homoepitaxial n-type GaN by optical isothermal capacitance transient spectroscopy using sub-bandgap photoexcitation 国際会議

    K. Kanegae, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  113. Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode consistently obtained by C-V, I-V, and IPE measurements 国際会議

    T. Maeda, M. Okada, M. Ueno, Y. Yamamoto, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  114. Mgイオン注入GaN層上におけるノーマリーオフMOSFET検討

    高島信也, 田中亮, 上野勝典, 松山秀昭, 江戸雅晴, 高橋言緒, 清水三聡, 石橋章司, 中川清和, 堀田昌宏, 須田淳, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良

    第149回結晶工学分科会研究会 GaN on GaNパワーデバイスにむけて ~p型GaNの結晶工学~ 

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    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 1

  1. 半導体パワーデバイスの実用化に向けた窒化ガリウム中欠陥の物性解明

    2020年5月 - 現在

    研究開発助成 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:2000000円

科研費 4

  1. 高圧水中レーザーアニールによる窒化ガリウム超臨界水低温酸化手法の創出

    2015年4月 - 2016年3月

    科学研究費補助金 

    堀田 昌宏

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    担当区分:研究代表者 

  2. 積層構造レーザーアニールによる非晶質基板上単結晶ゲルマニウム薄膜の低温形成

    2011年4月 - 2013年3月

    科学研究費補助金  若手研究(B)

    堀田 昌宏

  3. 同一ポリタイプ4H-AlN/4H-SiCヘテロ界面の電子デバイス応用に関する研究

    2009年9月 - 2011年3月

    科学研究費補助金 

    堀田 昌宏

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    担当区分:研究代表者 

  4. 炭化珪素基板上高品質無極性面III族窒化物の成長と電子・光デバイス応用に関する研究

    2008年4月 - 2009年3月

    科学研究費補助金 

    堀田 昌宏

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    担当区分:研究代表者