2021/04/14 更新

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ホリタ マサヒロ
堀田 昌宏
HORITA Masahiro
所属
大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス工学 准教授
職名
准教授
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2009年3月   京都大学 ) 

研究キーワード 5

  1. III族窒化物半導体

  2. 窒化ガリウム

  3. 電子デバイス

  4. 点欠陥評価

  5. 深い準位過渡応答分光(DLTS)

研究分野 2

  1. ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

  2. ナノテク・材料 / 結晶工学

現在の研究課題とSDGs 1

  1. 窒化ガリウム中の深い準位に関する研究

経歴 5

  1. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部   准教授

    2018年10月 - 現在

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    国名:日本国

  2. 名古屋大学   大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス工学   准教授

    2018年10月 - 現在

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    国名:日本国

  3. 京都大学   工学研究科電子工学専攻   特定助教

    2015年5月 - 2018年9月

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    国名:日本国

  4. 奈良先端科学技術大学院大学   物質創成科学研究科   助教

    2009年4月 - 2015年4月

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    国名:日本国

  5. 日本学術振興会   特別研究員(DC2)

    2008年4月 - 2009年3月

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    国名:日本国

学歴 1

  1. 京都大学   工学研究科   電子工学専攻

    2006年4月 - 2009年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 2

  1. 日本結晶成長学会

    2006年11月 - 現在

  2. 応用物理学会

    2004年1月 - 現在

委員歴 1

  1. 第14回窒化物半導体国際会議   プログラム庶務委員  

    2019年9月 - 2022年3月   

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    団体区分:学協会

 

論文 32

  1. Nitrogen-displacement-related electron traps in n-type GaN grown on a GaN freestanding substrate 査読有り

    Horita Masahiro, Narita Tetsuo, Kachi Tetsu, Suda Jun

    Applied Physics Letters   118 巻 ( 1 )   2021年1月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/5.0035235

    Web of Science

    Scopus

  2. Identification of origin ofE(C)-0.6 eV electron trap level by correlation with iron concentration in n-type GaN grown on GaN freestanding substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Horita Masahiro, Narita Tetsuo, Kachi Tetsu, Suda Jun

    Applied Physics Express   13 巻 ( 7 )   2020年7月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  3. Hall-effect measurements of metalorganic vapor-phase epitaxy-grown p-type homoepitaxial GaN layers with various Mg concentrations 査読有り

    Masahiro Horita, Shinya Takashima, Ryo Tanaka, Hideaki Matsuyama, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Tokio Takahashi, Mitsuaki Shimizu, Jun Suda

    Japanese Journal of Applied Physics   56 巻 ( 3 )   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.031001

    Web of Science

  4. Analysis of channel mobility in GaN-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 査読有り

    Ito Kenji, Tomita Kazuyoshi, Kikuta Daigo, Horita Masahiro, Narita Tetsuo

    Journal of Applied Physics   129 巻 ( 8 )   2021年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/5.0040700

    Web of Science

    Scopus

  5. Impact of gamma-ray irradiation on capacitance-voltage characteristics of Al2O3/GaN MOS diodes with and without post-metallization annealing 査読有り

    Aoshima Keito, Horita Masahiro, Suda Jun, Hashizume Tamotsu

    Applied Physics Express   14 巻 ( 1 )   2021年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.35848/1882-0786/abd71a

    Web of Science

    Scopus

  6. Space charge profile study of AlGaN-based p-type distributed polarization doped claddings without impurity doping for UV-C laser diodes 査読有り

    Zhang Ziyi, Kushimoto Maki, Horita Masahiro, Sugiyama Naoharu, Schowalter Leo J., Sasaoka Chiaki, Amano Hiroshi

    Applied Physics Letters   117 巻 ( 15 )   2020年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/5.0027789

    Web of Science

    Scopus

  7. Why do electron traps atE(C)-0.6 eV have inverse correlation with carbon concentrations in n-type GaN layers? 査読有り

    Narita Tetsuo, Horita Masahiro, Tomita Kazuyoshi, Kachi Tetsu, Suda Jun

    Japanese Journal of Applied Physics   59 巻 ( 10 )   2020年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  8. Progress on and challenges of p-type formation for GaN power devices 査読有り

    Narita Tetsuo, Yoshida Hikaru, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Sakurai Hideki, Horita Masahiro, Bockowski Michal, Ikarashi Nobuyuki, Suda Jun, Kachi Tetsu, Tokuda Yutaka

    Journal of Applied Physics   128 巻 ( 9 )   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/5.0022198

    Web of Science

    Scopus

  9. Redistribution of Mg and H atoms in Mg-implanted GaN through ultra-high-pressure annealing 査読有り

    Sakurai Hideki, Narita Tetsuo, Omori Masato, Yamada Shinji, Koura Akihiko, Iwinska Malgorzata, Kataoka Keita, Horita Masahiro, Ikarashi Nobuyuki, Bockowski Michal, Suda Jun, Kachi Tetsu

    Applied Physics Express   13 巻 ( 8 )   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  10. Dual-color-sub-bandgap-light-excited isothermal capacitance transient spectroscopy for quick measurement of carbon-related hole trap density in n-type GaN 査読有り

    Kanegae K.

    Japanese Journal of Applied Physics   59 巻 ( SG )   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab6863

    Scopus

  11. Electron traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial n-type GaN and their annealing behavior 査読有り

    Aoshima Keito, Kanegae Kazutaka, Horita Masahiro, Suda Jun

    AIP Advances   10 巻 ( 4 )   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Advances  

    DOI: 10.1063/1.5144158

    Web of Science

    Scopus

  12. Overview of carrier compensation in GaN layers grown by MOVPE: toward the application of vertical power devices 査読有り

    Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Tokuda Yutaka, Kogiso Tatsuya, Yoshida Hikaru, Ikarashi Nobuyuki, Iwata Kenji, Nagao Masahiro, Sawada Naoki, Horita Masahiro, Suda Jun, Kachi Tetsu

    Japanese Journal of Applied Physics   59 巻 ( SA )   2020年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab4610

    Web of Science

    Scopus

  13. Impacts of high temperature annealing above 1400 degrees C under N-2 overpressure to activate acceptors in Mg-implanted GaN 査読有り

    Sakurai Hideki, Narita Tetsuo, Hirukawa Kazufumi, Yamada Shinji, Koura Akihiko, Kataoka Keita, Horita Masahiro, Ikarashi Nobuyuki, Bockowski Michal, Suda Jun, Kachi Tetsu

    Proceedings of the 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2020)     頁: 321 - 324   2020年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  14. Impact Ionization Coefficients in GaN Measured by Above- and Sub-E<inf>g</inf> Illuminations for p<sup>-</sup>/n<sup>+</sup> Junction 査読有り

    Maeda T.

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM   2019-December 巻   2019年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM  

    DOI: 10.1109/IEDM19573.2019.8993438

    Scopus

  15. Highly effective activation of Mg-implanted p-type GaN by ultra-high-pressure annealing 査読有り

    Sakurai Hideki, Omori Masato, Yamada Shinji, Furukawa Yukihiro, Suzuki Hideo, Narita Tetsuo, Kataoka Keita, Horita Masahiro, Bockowski Michal, Suda Jun, Kachi Tetsu

    Applied Physics Letters   115 巻 ( 14 )   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.5116866

    Web of Science

    Scopus

  16. Measurement of avalanche multiplication utilizing Franz-Keldysh effect in GaN p-n junction diodes with double-side-depleted shallow bevel termination 査読有り

    Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Ueda Hiroyuki, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    Applied Physics Letters   115 巻 ( 14 )   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.5114844

    Web of Science

    Scopus

  17. Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diodes under high electric field along the < 11(2)over-bar0 > direction 査読有り

    Maeda Takuya, Chi Xilun, Tanaka Hajime, Horita Masahiro, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    Japanese Journal of Applied Physics   58 巻 ( 9 )   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab3873

    Web of Science

    Scopus

  18. Deep-level transient spectroscopy studies of electron and hole traps in n-type GaN homoepitaxial layers grown by quartz-free hydride-vapor-phase epitaxy 査読有り

    Kanegae Kazutaka, Fujikura Hajime, Otoki Yohei, Konno Taichiro, Yoshida Takehiro, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    Applied Physics Letters   115 巻 ( 1 )   2019年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.5098965

    Web of Science

    Scopus

  19. Shockley-Read-Hall lifetime in homoepitaxial p-GaN extracted from recombination current in GaN p-n(+) junction diodes 査読有り

    Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Ueda Hiroyuki, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    Japanese Journal of Applied Physics   58 巻 ( SC )   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab07ad

    Web of Science

    Scopus

  20. Acceptors activation of Mg-ion implanted GaN by ultra-high-pressure annealing 査読有り

    Sakurai H.

    19th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2019     2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:19th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2019  

    DOI: 10.23919/IWJT.2019.8802621

    Scopus

  21. Design and Fabrication of GaN p-n Junction Diodes With Negative Beveled-Mesa Termination 査読有り

    Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Ueda Hiroyuki, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    IEEE Electron Device Letters   40 巻 ( 6 ) 頁: 941 - 944   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Electron Device Letters  

    DOI: 10.1109/LED.2019.2912395

    Web of Science

    Scopus

  22. Estimation of Impact Ionization Coefficient in GaN by Photomulitiplication Measurement Utilizing Franz-Keldysh Effect 査読有り

    Maeda T.

    Proceedings of the 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   2019-May 巻   頁: 59 - 62   2019年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  

    DOI: 10.1109/ISPSD.2019.8757676

    Scopus

  23. The origin of carbon-related carrier compensation in p-type GaN layers grown by MOVPE 査読有り

    Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Tokuda Yutaka, Kogiso Tatsuya, Horita Masahiro, Kachi Tetsu

    Journal of Applied Physics   124 巻 ( 21 )   2018年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.5057373

    Web of Science

    Scopus

  24. Phonon-assisted optical absorption due to Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diode under high reverse bias voltage 査読有り

    Maeda Takuya, Chi Xilun, Horita Masahiro, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    Applied Physics Express   11 巻 ( 9 )   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.11.091302

    Web of Science

    Scopus

  25. Accurate method for estimating hole trap concentration in n-type GaN via minority carrier transient spectroscopy 査読有り

    Kanegae Kazutaka, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    Applied Physics Express   11 巻 ( 7 )   2018年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.11.071002

    Web of Science

    Scopus

  26. Characterization of carrier concentration and mobility of GaN bulk substrates by Raman scattering and infrared reflectance spectroscopies 査読有り

    Kanegae Kazutaka, Kaneko Mitsuaki, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 7 )   2018年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.070309

    Web of Science

    Scopus

  27. Franz-Keldysh effect in GaN p-n junction diode under high reverse bias voltage 査読有り

    Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    Applied Physics Letters   112 巻 ( 25 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.5031215

    Web of Science

    Scopus

  28. Sources of carrier compensation in metalorganic vapor phase epitaxy-grown homoepitaxial n-type GaN layers with various doping concentrations 査読有り

    Sawada Naoki, Narita Tetsuo, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    Applied Physics Express   11 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.11.041001

    Web of Science

    Scopus

  29. Parallel-Plane Breakdown Fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN-on-GaN p-n Junction Diodes with Double-Side-Depleted Shallow Bevel Termination 査読有り

    Maeda T., Narita T., Ueda H., Kanechika M., Uesugi T., Kachi T., Kimoto T., Horita M., Suda J.

    2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)     2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  30. Solution-derived SiO2 gate insulator formed by CO2 laser annealing for polycrystalline silicon thin-film transistors 査読有り

    Daisuke Hishitani, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Ikenoue, Yukiharu Uraoka

    Japanese Journal of Applied Physics   56 巻 ( 5 )   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.056503

    Web of Science

  31. Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode 査読有り

    Takuya Maeda, Masaya Okada, Masaki Ueno, Yoshiyuki Yamamoto, Tsunenobu Kimoto, Masahiro Horita, Jun Suda

    Applied Physics Express   10 巻 ( 5 )   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.10.051002

    Web of Science

  32. Characterization of lightly-doped n- and p-type homoepitaxial GaN on free-standing substrates 招待有り 査読有り

    Horita Masahiro, Suda Jun

    2017 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)     頁: 86 - 87   2017年

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

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MISC 61

  1. Solution-derived SiO2 gate insulator formed by CO2 laser annealing for polycrystalline silicon thin-film transistors 査読有り

    Hishitani Daisuke, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Ikenoue Hiroshi, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS56 巻 ( 5 )   2017年5月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.056503

    Web of Science

  2. Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode 査読有り

    Maeda Takuya, Okada Masaya, Ueno Masaki, Yamamoto Yoshiyuki, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS10 巻 ( 5 )   2017年5月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/APEX.10.051002

    Web of Science

  3. Hall-effect measurements of metalorganic vapor-phase epitaxy-grown p-type homoepitaxial GaN layers with various Mg concentrations 査読有り

    Horita Masahiro, Takashima Shinya, Tanaka Ryo, Matsuyama Hideaki, Ueno Katsunori, Edo Masaharu, Takahashi Tokio, Shimizu Mitsuaki, Suda Jun  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS56 巻 ( 3 )   2017年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.031001

    Web of Science

  4. Franz-Keldysh effect in n-type GaN Schottky barrier diode under high reverse bias voltage (vol 9, 091002, 2016) 査読有り

    Maeda Takuya, Okada Masaya, Ueno Masaki, Yamamoto Yoshiyuki, Horita Masahiro, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS9 巻 ( 10 )   2016年10月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/APEX.9.109201

    Web of Science

  5. Franz-Keldysh effect in n-type GaN Schottky barrier diode under high reverse bias voltage 査読有り

    Maeda Takuya, Okada Masaya, Ueno Masaki, Yamamoto Yoshiyuki, Horita Masahiro, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS9 巻 ( 9 )   2016年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/APEX.9.091002

    Web of Science

  6. Interfacial atomic site characterization by photoelectron diffraction for 4H-AlN/4H-SiC(11(2)over-bar0) heterojunction 査読有り

    Maejima Naoyuki, Horita Masahiro, Matsui Hirosuke, Matsushita Tomohiro, Daimon Hiroshi, Matsui Fumihiko  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS55 巻 ( 8 )   2016年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.085701

    Web of Science

  7. Reliability Improvement of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors by Less Hydroxyl-Groups Siloxane Passivation 査読有り

    Kulchaisit Chaiyanan, Ishikawa Yasuaki, Fujii Mami N., Yamazaki Haruka, Bermundo Juan Paolo Soria, Ishikawa Satoru, Miyasako Takaaki, Katsui Hiromitsu, Tanaka Kei, Hamada Ken-ichi, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY12 巻 ( 3 )   2016年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/JDT.2015.2475127

    Web of Science

  8. High Pressures Water Vapor Annealing for Atomic-Layer-Deposited Al2O3 on GaN 査読有り

    Yoshitugu Koji, Horita Masahiro, Uenuma Mustunori, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)   頁: .   2016年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  9. Characterization of N-Type and P-Type GaN Layers Grown on Free-Standing GaN Substrates 査読有り

    Suda Jun, Horita Masahiro  

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)   頁: .   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  10. Current Collapse Reduction in AlGaN/GaN HEMTs by High-Pressure Water Vapor Annealing 査読有り

    Asubar Joel T., Kobayashi Yohei, Yoshitsugu Koji, Yatabe Zenji, Tokuda Hirokuni, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu, Hashizume Tamotsu, Kuzuhara Masaaki  

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES62 巻 ( 8 ) 頁: 2423-2428   2015年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/TED.2015.2440442

    Web of Science

  11. Thermo-stable carbon nanotube-TiO2 nanocompsite as electron highways in dye-sensitized solar cell produced by bio-nano-process 査読有り

    Inoue Ippei, Yamauchi Hirofumi, Okamoto Naofumi, Toyoda Kenichi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Yasueda Hisashi, Uraoka Yukiharu, Yamashita Ichiro  

    NANOTECHNOLOGY26 巻 ( 28 )   2015年7月

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  12. Floating gate memory with charge storage dots array formed by Dps protein modified with site-specific binding peptides 査読有り

    Kamitake Hiroki, Uenuma Mutsunori, Okamoto Naofumi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Yamashita Ichro, Uraoka Yukiharu  

    NANOTECHNOLOGY26 巻 ( 19 )   2015年5月

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  13. Unseeded Growth of Poly-Crystalline Ge with (111) Surface Orientation on Insulator by Pulsed Green Laser Annealing 査読有り

    Horita Masahiro, Takao Toru, Nieda Yoshiaki, Ishikawa Yasuaki, Sasaki Nobuo, Uraoka Yukiharu  

    2015 22nd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD)   頁: 237-240   2015年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  14. Analysis of self-heating phenomenon in oxide thin-film transistors under pulsed bias voltage 査読有り

    Kise Kahori, Tomai Shigekazu, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Yano Koki, Wang Dapeng, Furuta Mamoru, Horita Masahiro, Fujii Mami, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2015 22nd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD)   頁: 249-251   2015年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  15. Analysis of printed silver electrode on amorphous indium gallium zinc oxide 査読有り

    Ueoka Yoshihiro, Nishibayashi Takahiro, Ishikawa Yasuaki, Yamazaki Haruka, Osada Yukihiro, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS53 巻 ( 4 )   2014年4月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.04EB03

    Web of Science

  16. Effect of contact material on amorphous InGaZnO thin-film transistor characteristics 査読有り

    Ueoka Yoshihiro, Ishikawa Yasuaki, Bermundo Juan Paolo, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Osada Yukihiro, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS53 巻 ( 3 )   2014年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.03CC04

    Web of Science

  17. 4H-SiC MISFETs With 4H-AlN Gate Insulator Isopolytypically Grown on 4H-SiC (11(2)over-bar0) 査読有り

    Horita Masahiro, Noborio Masato, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS35 巻 ( 3 ) 頁: 339-341   2014年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/LED.2014.2299557

    Web of Science

  18. Analysis of heating phenomenon in oxide thin-film transistor under pulse voltage stress 査読有り

    Kise Kahori, Fujii Mami, Tomai Shigekazu, Ueoka Yoshihiro, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Yano Koki, Wang Dapeng, Furuta Mamoru, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   頁: .   2014年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  19. Density of States in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor under Negative Bias Illumination Stress 査読有り

    Ueoka Yoshihiro, Ishikawa Yasuaki, Bermundo Juan Paolo, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Fujii Mami, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY3 巻 ( 9 ) 頁: Q3001-Q3004   2014年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1149/2.001409jss

    Web of Science

  20. Vapor-Induced Improvements in Field Effect Mobility of Transparent a-IGZO TFTs 査読有り

    Fujii Mami N., Ishikawa Yasuaki, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY3 巻 ( 9 ) 頁: Q3050-Q3053   2014年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1149/2.011409jss

    Web of Science

  21. Reliability of Bottom Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors with Siloxane Passivation Layer 査読有り

    Kulchaisit Chaiyanan, Fujii Mami, Ueoka Yoshihiro, Bermundo Juan Paolo, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   頁: .   2014年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  22. Crystallization of amorphous Ge thin film using Cu nanoparticle synthesized and delivered by ferritin 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Zheng Bin, Bundo Kosuke, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Watanabe Heiji, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH382 巻   頁: 31-35   2013年11月

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  23. Impact of Underwater Laser Annealing on Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor for Inactivation of Electrical Defects at Super Low Temperature 査読有り

    Machida Emi, Horita Masahiro, Yamasaki Koji, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu, Ikenoue Hiroshi  

    JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY9 巻 ( 9 ) 頁: 741-746   2013年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/JDT.2012.2236883

    Web of Science

  24. Effects of Gate Insulator on Thin-Film Transistors With ZnO Channel Layer Deposited by Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition 査読有り

    Kawamura Yumi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY9 巻 ( 9 ) 頁: 694-698   2013年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/JDT.2012.2213237

    Web of Science

  25. Thermal reversibility in electrical characteristics of ultraviolet/ozone-treated graphene 査読有り

    Mulyana Yana, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu, Koh Shinji  

    APPLIED PHYSICS LETTERS103 巻 ( 6 )   2013年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.4818329

    Web of Science

  26. Low temperature high-mobility InZnO thin-film transistors fabricated by excimer laser annealing 査読有り

    Fujii Mami, Ishikawa Yasuaki, Ishihara Ryoichi, van der Cingel Johan, Mofrad Mohammad R. T., Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    APPLIED PHYSICS LETTERS102 巻 ( 12 )   2013年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.4798519

    Web of Science

  27. Fabrication of Zinc Oxide Nanopatterns by Quick Gel-Nanoimprint Process toward Optical Switching Devices 査読有り

    Araki Shinji, Ishikawa Yasuaki, Zhang Min, Doe Takahiro, Lu Li, Horita Masahiro, Nishida Takashi, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS52 巻 ( 3 )   2013年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.03BA02

    Web of Science

  28. Thermal analysis of amorphous oxide thin-film transistor degraded by combination of joule heating and hot carrier effect 査読有り

    Urakawa Satoshi, Tomai Shigekazu, Ueoka Yoshihiro, Yamazaki Haruka, Kasami Masashi, Yano Koki, Wang Dapeng, Furuta Mamoru, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    APPLIED PHYSICS LETTERS102 巻 ( 5 )   2013年2月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.4790619

    Web of Science

  29. Forming SiO2 Thin Film by CO2 Laser Annealing of Spin-On Glass on Polycrystalline Silicon Thin Film 査読有り

    Hishitani Daisuke, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Ikenoue Hiroshi, Watanabe Yosuke, Uraoka Yukiharu  

    PROCEEDINGS OF 2013 TWENTIETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD 13): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 163-166   2013年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  30. Memristive nanoparticles formed using a biotemplate 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Ban Takahiko, Okamoto Naofumi, Zheng Bin, Kakihara Yasuhiro, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    RSC ADVANCES3 巻 ( 39 ) 頁: 18044-18048   2013年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1039/c3ra42392a

    Web of Science

  31. Forming of SiO2 Film by Spin-On Glass and CO2 Laser Annealing for Gate Insulator of Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors 査読有り

    Hishitani Daisuke, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Ikenoue Hiroshi, Watanabe Yosuke, Uraoka Yukiharu  

    2013 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK2013)   頁: .   2013年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  32. Characterizations of Al2O3 gate dielectric deposited on n-GaN by plasma-assisted atomic layer deposition 査読有り

    Yoshitsugu Koji, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 1110 巻 ( 11 ) 頁: 1426-1429   2013年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssc.201300273

    Web of Science

  33. Thermal distribution in amorphous InSnZnO thin-film transistor 査読有り

    Urakawa Satoshi, Tomai Shigekazu, Ueoka Yoshihiro, Yamazaki Haruka, Kasami Masashi, Yano Koki, Wang Dapeng, Furuta Mamoru, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 1110 巻 ( 11 ) 頁: 1561-1564   2013年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssc.201300253

    Web of Science

  34. Unique property of a-InGaZnO/Ag Interface on Thin-Film Transistor 査読有り

    Ueoka Yoshihiro, Ishikawa Yasuaki, Bermundo Juan Paolo, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Osada Yukihiro, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    PROCEEDINGS OF 2013 TWENTIETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD 13): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 37-38   2013年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  35. Thermal Degradation and Theoretical Analysis of Amorphous Oxide Thin-Film Transistor 査読有り

    Urakawa Satoshi, Tomai Shigekazu, Kasami Masashi, Yano Koki, Wang Dapeng, Furuta Mamoru, Kimura Mutsumi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    PROCEEDINGS OF 2013 TWENTIETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD 13): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 125-128   2013年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  36. Crystallization to polycrystalline silicon thin film and simultaneous inactivation of electrical defects by underwater laser annealing 査読有り

    Machida Emi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu, Ikenoue Hiroshi  

    APPLIED PHYSICS LETTERS101 巻 ( 25 )   2012年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.4772513

    Web of Science

  37. Size Control of ZnS Nanoparticles by Electro-Spray Deposition Method 査読有り

    Doe Takahiro, Ishikawa Yasuaki, Horita Masahiro, Nishida Takashi, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS51 巻 ( 3 )   2012年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.03CC02

    Web of Science

  38. Thin-Film Devices Fabricated on Double-Layered Polycrystalline Silicon Films Formed by Green Laser Annealing 査読有り

    Yamasaki Koji, Machida Emi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS51 巻 ( 3 )   2012年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.03CA03

    Web of Science

  39. Guided filament formation in NiO-resistive random access memory by embedding gold nanoparticles 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Zheng Bin, Kawano Kentaro, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    APPLIED PHYSICS LETTERS100 巻 ( 8 )   2012年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.3688053

    Web of Science

  40. Metal-nanoparticle-induced crystallization of amorphous Ge film using ferritin 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Zheng Bin, Imazawa Takanori, Horita Masahiro, Nishida Takashi, Ishikawa Yasuaki, Watanabe Heiji, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    APPLIED SURFACE SCIENCE258 巻 ( 8 ) 頁: 3410-3414   2012年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2011.11.076

    Web of Science

  41. Low-Temperature-Processed Zinc Oxide Thin-Film Transistors Fabricated by Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition 査読有り

    Kawamura Yumi, Tani Mai, Hattori Nozomu, Miyatake Naomasa, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS51 巻 ( 2 )   2012年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.02BF04

    Web of Science

  42. Analysis of Electronic Structural Change in a-InGaZnO by High Pressure Water Vapor Annealing 査読有り

    Ueoka Yoshihiro, Mejima Naoyuki, Matsui Hirosuke, Matsui Fumihiko, Morita Makoto, Kitagawa Satoshi, Fujita Masayoshi, Yasuda Kaoru, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Daimon Hiroshi, Uraoka Yukiharu  

    IDW/AD '12: PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL DISPLAY WORKSHOPS, PT 219 巻   頁: 887-890   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  43. Super Low-Temperature Formation of Polycrystalline Silicon Films on Plastic Substrates by Underwater Laser Annealing 査読有り

    Machida Emi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu, Okuyama Tetsuo, Ikenoue Hiroshi  

    IDW/AD '12: PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL DISPLAY WORKSHOPS, PT 119 巻   頁: 303-306   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  44. Fabrication of Zinc Oxide Nano-patterns by Quick Gel-nanoimprint Process toward Optical Switching Devices 査読有り

    Araki Shinji, Zhang Min, Doe Takahiro, Lu Li, Horita Masahiro, Nishida Takashi, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2012 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 29-32   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  45. Crystallization to Polycrystalline Silicon Films by Underwater Laser Annealing and Its Application to Thin Film Transistors 査読有り

    Machida Emi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu, Ikenoue Hiroshi  

    2012 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 111-114   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  46. Effects of Gate Insulator on Thin Film Transistor with ZnO Channel Layer Deposited by Plasma Assisted Atomic Layer Deposition 査読有り

    Kawamura Yumi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2012 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 179-182   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  47. Cu nanoparticle induced crystallization of amorphous Ge film using ferritin 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Zheng Bin, Bundo Kosuke, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    2012 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 227-230   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  48. Unique Phenomenon in Degradation of Amorphous In2O3-Ga2O3-ZnO Thin-Film Transistors under Dynamic Stress 査読有り

    Fujii Mami, Ishikawa Yasuaki, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS4 巻 ( 10 )   2011年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/APEX.4.104103

    Web of Science

  49. Anomalously low Ga incorporation in high Al-content AlGaN grown on (11(2)over-bar0) non-polar plane by molecular beam epitaxy 査読有り

    Ueta Shunsaku, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE208 巻 ( 7 ) 頁: 1498-1500   2011年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssa.201001033

    Web of Science

  50. Resistive random access memory utilizing ferritin protein with Pt nanoparticles 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Kawano Kentaro, Zheng Bin, Okamoto Naofumi, Horita Masahiro, Yoshii Shigeo, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    NANOTECHNOLOGY22 巻 ( 21 )   2011年5月

     詳細を見る

  51. ZnO Thin Films Fabricated by Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition 査読有り

    Kawamura Yumi, Hattori Nozomu, Miyatake Naomasa, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS50 巻 ( 4 )   2011年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.04DF05

    Web of Science

  52. Resistive Memory Utilizing Ferritin Protein with Nano Particle 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Kawano Kentaro, Zheng Bin, Horita Masahiro, Yoshii Shigeo, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS470 巻   頁: 92-97   2011年

     詳細を見る

  53. Nonpolar 4H-Polytype AlN/AlGaN Multiple Quantum Well Structure Grown on 4H-SiCd(1(1)over-bar00) 査読有り

    Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS3 巻 ( 5 )   2010年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/APEX.3.051001

    Web of Science

  54. Effect of Post-Thermal Annealing of Thin-Film Transistors with ZnO Channel Layer Fabricated by Atomic Layer Deposition 査読有り

    Kawamura Yumi, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS49 巻 ( 4 )   2010年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.49.04DF19

    Web of Science

  55. Anomalously Large Difference in Ga Incorporation for AlGaN Grown on the (11(2)over-bar0) and (1(1)over-bar00) Planes under Group-III-Rich Conditions 査読有り

    Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS2 巻 ( 9 )   2009年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/APEX.2.091003

    Web of Science

  56. Observation of novel defect structure in 2H-AlN grown on 6H-SiC(0001) substrates with 3-bilayer-height step-and-terrace structures 査読有り

    Okumura Hironori, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE206 巻 ( 6 ) 頁: 1187-1189   2009年6月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssa.200880934

    Web of Science

  57. Polytype Replication in Heteroepitaxial Growth of Nonpolar AlN on SiC 査読有り

    Suda Jun, Horita Masahiro  

    MRS BULLETIN34 巻 ( 5 ) 頁: 348-352   2009年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  58. Surface Morphologies of 4H-SiC(11(2)over-bar0) and (1(1)over-bar00) Treated by High-Temperature Gas Etching 査読有り

    Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS47 巻 ( 11 ) 頁: 8388-8390   2008年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.47.8388

    Web of Science

  59. Nonpolar 4H-AlN grown on 4H-SiC (1(1)over-bar00) with reduced stacking fault density realized by persistent layer-by-layer growth 査読有り

    Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS LETTERS93 巻 ( 8 )   2008年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.2976559

    Web of Science

  60. High-quality nonpolar 4H-AlN grown on 4H-SiC (11(2)over-bar20) substrate by molecular-beam epitaxy 査読有り

    Horita Masahiro, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu  

    APPLIED PHYSICS LETTERS89 巻 ( 11 )   2006年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.2352713

    Web of Science

  61. Growth of nonpolar AIN and AlGaN on 4H-SiC (1-100) by molecular beam epitaxy 査読有り

    Armitage Rob, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu  

    GaN, AIN, InN and Related Materials892 巻   頁: 705-710   2006年

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    記述言語:英語  

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講演・口頭発表等 97

  1. 酸素イオン注入によりn型GaN中に形成される電子トラップ

    柴田優一,堀田昌宏,田中亮,高島信也,上野勝典,須田淳

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  2. MOVPE成長n型GaNに存在するE3トラップの起源検討

    堀田昌宏,成田哲生,加地徹,須田淳

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年9月8日 - 2020年9月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  3. 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの照射エネルギー依存性

    遠藤 彗,鐘ヶ江 一孝,堀田 昌宏,須田 淳

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  4. Nitrogen and gallium displacement related deep levels introduced by electron-beam irradiation in MOVPE-grown homoepitaxial n-type GaN

    M. Horita, J. Suda

    第38回電子材料シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月9日 - 2019年10月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  5. Evaluation of hole traps introduced by electron beam irradiation in homoepitaxial n-type GaN

    M. Endo, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda

    第38回電子材料シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月9日 - 2019年10月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  6. 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の低温における挙動

    遠藤彗, 堀田昌宏, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月8日 - 2019年3月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  7. GaN -MOSFETのHall測定

    上野勝典, 松山秀昭, 田中亮, 高島信也, 江戸雅晴, 堀田昌宏, 須田淳, 中川清和

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月8日 - 2019年3月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  8. ホモエピタキシャル成長n型GaN中に2 MeV電子線照射により形成される深い準位

    堀田昌宏, 成田哲生, 加地徹, 上杉勉, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月8日 - 2019年3月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  9. DLTSおよびHall測定による GaNエピ層の欠陥準位評価 招待有り

    堀田昌宏, 須田淳

    第6回パワーデバイス用Siおよび関連半導体材料に関する研究会 

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    開催年月日: 2018年12月17日 - 2018年12月18日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  10. Deep levels introduced by electron beam irradiation in the energy range from 100 keV to 2 MeV in MOVPE-grown homoepitaxial n-type GaN 国際会議

    M. Horita, T. Narita, T. Kachi, T. Uesugi, J. Suda

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  11. Energy dependence of deep level formation by electron-beam irradiation in homoepitaxial n-type GaN

    M. Horita, J. Suda

    第37回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2018年10月10日 - 2018年10月12日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  12. 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値

    堀田昌宏, 須田淳

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  13. マルチウェハリアクタによって4インチサファイア基板上にMOVPE成長した低ドープn型GaNの実効ドナー密度分布

    坂尾佳祐, 堀田昌宏, 須田淳, 朴冠錫, 山岡優哉, 矢野良樹, 松本功

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  14. Si-doped GaN Growth as a Drift Layer of Vertical Power Devices by Using Production Scale Metalorganic Chemical Vapor Deposition 国際会議

    G. Piao, Y. Yano, Y. Yamaoka, T. Tabuchi, K. Matsumoto, K. Sakao, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  15. AlSiO/p型GaN MOSFETにおける移動度制限因子の解析

    成田哲生,伊藤健治,冨田一義,堀田昌宏,菊田大悟

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  16. GaNにおける電子・正孔の衝突イオン化係数の温度依存性

    前田拓也,成田哲生,山田真嗣,加地徹,木本恒暢,堀田昌宏,須田淳

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  17. リン処理を施したSiC MOSFETにおける実効移動度のボディ電位依存性

    伊藤滉二,堀田昌宏,須田淳,木本恒暢

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  18. DLTS法によるn型GaN中の深い準位評価に対してショットキー障壁高さが与える影響の定量的解析

    青島慶人,堀田昌宏,須田淳

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  19. Mgイオン注入GaNの超高圧アニールによるMgとHの熱拡散

    櫻井秀樹,成田哲生,晝川十史,角田健輔,山田真嗣,片岡恵太,堀田昌宏,五十嵐信行,M. Bockowski,須田淳,加地徹

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  20. Mgイオン注入p型GaNにおける超高圧アニール温度の低減化に向けた検討

    晝川十史,櫻井秀樹,藤倉序章,堀田昌宏,M. Bockowski,乙木洋平,加地徹,須田淳

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2021年3月16日 - 2021年3月19日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  21. MOVPE法によるn型GaNドリフト層形成と残留不純物制御 招待有り

    成田哲生,堀田昌宏,冨田一義,加地徹,須田淳

    第49回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2020年11月9日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  22. 超高圧アニールを用いたMgイオン注入GaNのp型伝導制御 招待有り

    櫻井秀樹,成田哲生,晝川十史,山田真嗣,片岡恵太,Malgorzata Iwinska,堀田昌宏,五十嵐信行,Michal Bockowski,須田淳,加地徹

    第49回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2020年11月9日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  23. Hole Traps Introduced by Electron Beam Irradiation in Homoepitaxial n-type GaN and Its Irradiation Energy Dependence

    M. Endo, M. Horita, K. Kanegae, J. Suda

    第39回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2020年10月7日 - 2020年10月9日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  24. Impact of The Schottky Barrier Height on Deep-level Transient Spectroscopy of Gamma-ray-irradiated ntype GaN

    K. Aoshima, M. Horita, J. Suda

    第39回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2020年10月7日 - 2020年10月9日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  25. Impacts of High Temperature Annealing Above 1400 degree C Under N2 Overpressure to Activate Acceptors in Mg-Implanted GaN 国際会議

    H. Sakurai, T. Narita, K. Hirukawa, S. Yamada, A. Koura, K. Kataoka, M. Horita, N. Ikarashi, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi

    2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 

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    開催年月日: 2020年9月17日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  26. DLTS法によるAl2O3/n型GaN MOS界面準位の評価

    青島 慶人,堀田 昌宏,須田 淳,橋詰 保

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  27. 超高圧アニールによるMg&Nシーケンシャルイオン注入GaNのアクセプタ形成の実証

    櫻井 秀樹,成田 哲生,晝川 十史,山田 真嗣,高良 昭彦,片岡 恵太,堀田 昌宏,Bockowski Michal,須田 淳,加地 徹

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  28. Mgイオン注入p型GaNの超高圧アニール温度の検討

    晝川 十史,櫻井 秀樹,藤倉 序章,堀田 昌宏,Bockowski Michal,乙木 洋平,加地 徹,須田 淳

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  29. RIEによって生成されたn型GaN中の深い準位

    鐘ヶ江 一孝,山田 真嗣,堀田 昌宏,木本 恒暢,須田 淳

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  30. 常圧で活性化熱処理したMg注入GaN層のホール効果測定

    田中 亮,高島 信也,上野 勝典,江戸 雅晴,堀田 昌宏,須田 淳

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  31. SiNキャップ層高温熱処理によりGaN表面付近に導入される電子トラップの深さ方向分布の熱処理時間依存性

    古田 悟夢,堀田 昌宏,田中 成明,岡 徹,須田 淳

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  32. GaNの電子・正孔の衝突イオン化係数の測定

    前田 拓也,成田 哲生,山田 真嗣,加地 徹,木本 恒暢,堀田 昌宏,須田 淳

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  33. リン処理を施したSiC(0001)/SiO2界面における反転層電子のユニバーサル移動度の評価

    伊藤 滉二,堀田 昌宏,須田 淳,木本 恒暢

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2020年3月12日 - 2020年3月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  34. 光過渡容量分光法によるn型GaN中の正孔トラップ密度の高速かつ精密定量手法

    鐘ヶ江 一孝,成田 哲生,冨田 一義,加地 徹,堀田 昌宏,木本 恒暢,須田 淳

    先進パワー半導体分科会第6回講演会 

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    開催年月日: 2019年12月3日 - 2019年12月4日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  35. PMA処理を行ったAl2O3/n-GaN MOSダイオードにおいてガンマ線照射により形成されるAl2O3膜中及び界面トラップ

    青島慶人,堀田昌宏,金木奨太,須田淳,橋詰保

    先進パワー半導体分科会第6回講演会 

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    開催年月日: 2019年12月3日 - 2019年12月4日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  36. Impact Ionization Coefficients in GaN Measured by Above- and Sub-Eg Illuminations for p−/n+ Junction 国際会議

    T. Maeda, T. Narita, S. Yamada, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  37. Record breakdown fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN p-n junction diodes

    T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

    第38回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2019年10月9日 - 2019年10月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  38. Electron traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial n-type GaN

    K. Aoshima, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda

    第38回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2019年10月9日 - 2019年10月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  39. Development of accurate and quick measurement method for hole trap density in n-type GaN layers by optical isothermal capacitance transient spectroscopy

    K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

    第38回電子材料シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月9日 - 2019年10月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  40. Depth Profiles of Deep Levels Generated by ICP-RIE in 4H-SiC 国際会議

    K. Kanegae, T. Okuda, M. Horita, J. Suda, T. Kimoto

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    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  41. Photocurrent induced by Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diodes under high electric field along <11-20> direction 国際会議

    T. Maeda, X. Chi, H. Tanaka, M. Horita, J. Suda, T. Kimoto

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  42. リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層アクセプタ密度依存性

    伊藤 滉二,堀田 昌宏,須田 淳,木本 恒暢

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  43. 2 色のサブバンドギャップ光を用いた過渡容量分光法によるn型GaN成長層中の炭素関連欠陥密度の高速定量手法

    鐘ヶ江 一孝,成田 哲生,冨田 一義,加地 徹,堀田 昌宏,木本 恒暢,須田 淳

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  44. <11-20>方向に電界印加した4H-SiC p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因したフォノンアシスト光吸収

    前田 拓也,遅 熙倫,田中 一,堀田 昌宏,須田 淳,木本 恒暢

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  45. PMA処理を行ったAl2O3/GaN MOSダイオードにおけるガンマ線照射によるフラットバンド電圧の負方向シフトの膜厚依存性

    青島 慶人,堀田 昌宏,金木 奨太,須田 淳,橋詰 保

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  46. 様々な電極金属のn 型ホモエピタキシャルGaN SBD における障壁高さ温度係数の比較とそれに対する熱処理の効果

    村瀬 亮介,前田 拓也,鐘ヶ江 一孝,須田 淳,堀田 昌宏

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  47. 高圧アニールによるMgイオン注入GaNのアクセプタ形成の実証

    櫻井 秀樹,山田 真嗣,高良 昭彦,堀田 昌宏,Bockowski Michal,須田 淳,加地 徹

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  48. Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode 招待有り

    前田 拓也,岡田 政也,上野 昌紀,山本 喜之,木本 恒暢,堀田 昌宏,須田 淳

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  49. p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧シフトとその測定パルス幅依存性

    釣本 浩貴,堀田 昌宏,須田 淳

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  50. 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの評価

    遠藤 彗,鐘ヶ江 一孝,堀田 昌宏,須田 淳

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  51. ショットキー接合のC-V測定によるp型GaNの実効アクセプタ密度評価の精度に関する理論的検討

    六野 祥平,堀田 昌宏,須田 淳

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月18日 - 2019年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  52. High Avalanche Capability in GaN p-n Junction Diodes Realized by Shallow BeveledMesa Structure Combined with Lightly Mg-Doped p-Layers 国際会議

    T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  53. Quick measurement method of carbon-related defect concentration in n-type GaN by dual-color-sub-bandgaplight-excited isothermal capacitance transient spectroscopy 国際会議

    K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  54. Estimation of Impact Ionization Coefficient in GaN and Its Temperature Dependence by Photomultiplication Measurements Utilizing FranzKeldysh Effect 国際会議

    T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  55. Photon energy dependence of photoionization cross section ratio of electron to hole for the carbon-related hole trap in n-type GaN 国際会議

    K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  56. Deep Level Traps Introduced in GaN Layers by High-Temperature Thermal Treatment with SiN Cap Layers 国際会議

    S. Furuta, M. Horita, N. Tanaka, T. Oka, J. Suda

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  57. Determination Methods of H1 Trap Concentration in N-Type GaN Schottky Barriers via Sub-Bandgap-Light Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy 国際会議

    K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  58. Growth of P-Type GaN Layers with Low Mg Concentrations by Using MOVPE and the Application to Vertical Power Devices (Invited) 招待有り 国際会議

    T. Narita, K. Tomita, Y. Tokuda, T. Kogiso, T. Maeda, M. Horita, M. Kanechika, H. Ueda, T. Kachi, J. Suda

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  59. Clear Evidence of P-Type Formation by Hall-Effect Measurements of Mg-Ion Implanted GaN Activated with Ultra-High-Pressure Annealing 国際会議

    H. Sakurai, M. Omori, S. Yamada, A. Koura, H. Suzuki, T. Narita, K. Kataoka, M. Horita, M. Boćkowski, J. Suda, T. Kachi

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  60. Impact of Gamma-Ray Irradiation on Device Characteristics of p-GaN/ AlGaN/GaN Normally-Off High-Electron-Mobility Transistors 国際会議

    K. Tsurimoto, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  61. Impact of Gamma-Ray Irradiation on Capacitance-Voltage Characteristics of Al2O3/GaN MOS Diodes with Post-Metallization Annealing 国際会議

    K. Aoshima, M. Horita, S. Kaneki, J. Suda, T. Hashizume

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  62. Estimation of Impact Ionization Coefficient in GaN by Photomultiplication Measurement Utilizing Franz-Keldysh Effect 国際会議

    T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2019年5月1日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  63. GaNエピ基板上MOS特性の制御

    上野勝典, 松山秀昭, 田中亮, 高島信也, 江戸雅晴, 堀田昌宏, 須田淳, 中川清和

    電気学会 電子・情報・システム部門(C部門) 電子デバイス研究会 

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    開催年月日: 2019年3月25日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  64. p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による特性変化の回復過程

    釣本浩貴, 堀田昌宏, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月8日 - 2019年3月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  65. Franz-Keldysh効果を利用した光電流増倍測定によるGaNにおけるキャリアの衝突イオン化係数の推定

    前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月8日 - 2019年3月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  66. 両側空乏ベベルメサ構造を有するGaN p-n接合ダイオードにおける均一なアバランシェ破壊の実現および平行平板破壊電界の評価

    前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月8日 - 2019年3月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  67. ベベルメサ構造GaN p-n接合ダイオードの電界分布シミュレーション

    前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月8日 - 2019年3月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  68. Quartz-free-HVPE成長n型GaN層における補償アクセプタの起源解明

    鐘ヶ江一孝, 藤倉序章, 乙木洋平, 今野泰一郎, 吉田丈洋, 堀田昌宏, 木本恒暢, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月8日 - 2019年3月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  69. SiNキャップ層高温熱処理によりGaN中に導入される深い準位

    古田悟夢, 堀田昌宏, 田中成明, 岡徹, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月8日 - 2019年3月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  70. 横型ショットキーダイオード構造のC-V測定による低ドープn型GaNの実効ドナー密度の評価の精度に関する検討

    六野祥平, 坂尾佳祐, 堀田昌宏, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月8日 - 2019年3月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  71. ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキー障壁高さの温度係数の電極金属依存性

    村瀬亮介, 前田拓也, 鐘ヶ江一孝, 堀田昌宏, 須田淳

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月8日 - 2019年3月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  72. ガンマ線照射によるAl2O3/GaN MOSダイオードの容量-電圧特性の変化

    青島慶人, 金木奨太, 堀田昌宏, 須田淳, 橋詰保

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月8日 - 2019年3月11日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  73. Overview of carrier compensation in n-type and p-type GaN layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 招待有り 国際会議

    T. Narita, K. Tomita, Y. Tokuda, T. Kogiso, N. Ikarashi, N. Sawada, M. Horita, J. Suda, T. Kachi

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  74. Parallel-Plane Breakdown Fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN-on-GaN p-n Junction Diodes with Double-Side-Depleted Shallow Bevel Termination 国際会議

    T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  75. n型GaN中の正孔トラップ密度の定量評価

    鐘ヶ江一孝, 成田哲生, 冨田一義, 加地徹, 堀田昌宏, 木本恒暢, 須田淳

    先進パワー半導体分科会 第5回講演会 

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    開催年月日: 2018年11月6日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  76. DLTS studies of quartz-free-HVPE-grown homoepitaxial n-type GaN 招待有り 国際会議

    K. Kanegae, H. Fujikura, Y. Otoki, T. Konno, T. Yoshida, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  77. Electron traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial n-type GaN 国際会議

    K. Aoshima, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  78. Hole occupancy ratio of H1 trap in homoepitaxial n-type GaN under sub-bandgap light irradiation 国際会議

    K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  79. Temperature Dependence of Avalanche Multiplicationin GaN PN Diodes Measured by Light Absorption Due to Franz-Keldysh Effect 国際会議

    T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  80. Shockley-Read-Hall Lifetime in Homoepitaxial p-GaN Extracted from the Recombination Current in GaN p-n Junction Diodes 国際会議

    T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  81. Temperature dependence of Avalanche Multiplication in GaN PN Diodes Measured by Using Sub-bandgap Light Irradiation

    T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

    第37回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2018年10月10日 - 2018年10月12日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  82. p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧およびゲート電流の変化

    釣本浩貴, 堀田昌宏, 須田淳

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  83. Franz-Keldysh効果による光電流を利用したGaN p-n接合ダイオードにおけるアバランシェ増倍の温度依存性の測定

    前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  84. GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析によるホモエピタキシャル成長p-GaNにおけるSRH寿命の評価

    前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  85. n型GaN 中の正孔トラップ密度の定量評価に向けたサブバンドギャップ光照射時の正孔占有率の評価

    鐘ヶ江一孝, 成田哲生, 冨田一義, 加地徹, 堀田昌宏, 木本恒暢, 須田淳

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  86. GaN自立基板上Ni/n-GaN SBDにおける障壁高さ温度特性のドナー密度依存性

    村瀬亮介, 前田拓也, 鐘ヶ江一孝, 堀田昌宏, 須田淳

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  87. ガンマ線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深さ1 eV以上の電子トラップ

    青島慶人, 鐘ヶ江一孝, 堀田昌宏, 須田淳

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  88. 4H-SiC p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因したフォノンアシスト光吸収

    前田拓也, 遅熙倫, 堀田昌宏, 須田淳, 木本恒暢

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月18日 - 2018年9月21日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  89. Photocurrent induced by Franz-Keldysh effect in a 4H-SiC p-n junction diode under high reverse bias voltage 国際会議

    T. Maeda, X. L. Chi, M. Horita, J. Suda, T. Kimoto

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  90. Measurement of Avalanche Multiplication Factor in GaN p-n Junction Diode Using Sub-Bandgap Light Absorption Due to Franz-Keldysh Effect 国際会議

    T. Maeda, T. Narita, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  91. Accurate estimation of H1 trap concentration in n-type GaN layers 国際会議

    K. Kanegae, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

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    開催年月日: 2018年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  92. Electrical characterization of homoepitaxial GaN layers for GaN vertical power devices 招待有り 国際会議

    J. Suda, M. Horita

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    開催年月日: 2018年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  93. サブバンドギャップ光照射を用いた GaN p-n接合ダイオードのアバランシェ増倍の測定

    前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳

    第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

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    開催年月日: 2018年7月13日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  94. Franz-Keldysh effect in GaN Schottky barrier diodes and p-n junction diodes under high reverse bias voltage 国際会議

    T. Maeda, M. Okada, M. Ueno, Y. Yamamoto, T. Narita, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  95. Measurement of H1 trap concentration in MOVPE-grown homoepitaxial n-type GaN by optical isothermal capacitance transient spectroscopy using sub-bandgap photoexcitation 国際会議

    K. Kanegae, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  96. Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode consistently obtained by C-V, I-V, and IPE measurements 国際会議

    T. Maeda, M. Okada, M. Ueno, Y. Yamamoto, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  97. Mgイオン注入GaN層上におけるノーマリーオフMOSFET検討

    高島信也, 田中亮, 上野勝典, 松山秀昭, 江戸雅晴, 高橋言緒, 清水三聡, 石橋章司, 中川清和, 堀田昌宏, 須田淳, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良

    第149回結晶工学分科会研究会 GaN on GaNパワーデバイスにむけて ~p型GaNの結晶工学~ 

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    開催年月日: 2018年6月15日

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 1

  1. 半導体パワーデバイスの実用化に向けた窒化ガリウム中欠陥の物性解明

    2020年05月 - 現在

    研究開発助成 

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:2000000円

科研費 4

  1. 高圧水中レーザーアニールによる窒化ガリウム超臨界水低温酸化手法の創出

    2015年04月 - 2016年03月

    科学研究費補助金 

    堀田 昌宏

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    担当区分:研究代表者 

  2. 積層構造レーザーアニールによる非晶質基板上単結晶ゲルマニウム薄膜の低温形成

    2011年04月 - 2013年03月

    科学研究費補助金  若手研究(B)

    堀田 昌宏

  3. 同一ポリタイプ4H-AlN/4H-SiCヘテロ界面の電子デバイス応用に関する研究

    2009年09月 - 2011年03月

    科学研究費補助金 

    堀田 昌宏

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

  4. 炭化珪素基板上高品質無極性面III族窒化物の成長と電子・光デバイス応用に関する研究

    2008年04月 - 2009年03月

    科学研究費補助金 

    堀田 昌宏

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    担当区分:研究代表者 

 

担当経験のある科目 (本学) 2

  1. 先端デバイスセミナー

    2020

  2. 量子理論

    2020