2021/04/10 更新

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ホリタ マサヒロ
堀田 昌宏
HORITA Masahiro
所属
大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス工学 准教授
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 教員
職名
准教授
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2009年3月   京都大学 ) 

研究キーワード 3

  1. III族窒化物半導体,電子デバイス

  2. 電子デバイス

  3. III族窒化物半導体

研究分野 4

  1. ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

  2. ナノテク・材料 / 結晶工学

  3. ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

  4. ナノテク・材料 / 結晶工学

現在の研究課題とSDGs 1

  1. 窒化ガリウム中の深い準位に関する研究

経歴 9

  1. 名古屋大学   大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス工学   准教授

    2018年10月 - 現在

  2. 名古屋大学   大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス工学   准教授

    2018年10月 - 現在

  3. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部   教員

    2018年10月 - 2038年3月

  4. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部   教員

    2018年10月 - 2038年3月

  5. 京都大学大学院   工学研究科電子工学専攻   特定助教

    2015年5月 - 2018年9月

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    国名:日本国

  6. 京都大学大学院   工学研究科電子工学専攻   特定助教

    2015年5月 - 2018年9月

  7. 京都大学大学院   工学研究科電子工学専攻   特定助教

    2015年5月 - 2018年9月

  8. 奈良先端科学技術大学院大学   物質創成科学研究科   助教

    2009年4月 - 2015年4月

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    国名:日本国

  9. 日本学術振興会   特別研究員(DC2)

    2008年4月 - 2009年3月

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    国名:日本国

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学歴 1

  1. 京都大学   工学研究科   電子工学専攻

    2006年4月 - 2009年3月

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    国名: 日本国

 

論文 40

  1. Analysis of channel mobility in GaN-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

    Ito Kenji, Tomita Kazuyoshi, Kikuta Daigo, Horita Masahiro, Narita Tetsuo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   129 巻 ( 8 )   2021年2月

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    出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/5.0040700

    Web of Science

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  2. Nitrogen-displacement-related electron traps in n-type GaN grown on a GaN freestanding substrate

    Horita Masahiro, Narita Tetsuo, Kachi Tetsu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS LETTERS   118 巻 ( 1 )   2021年1月

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    出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/5.0035235

    Web of Science

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  3. Impact of gamma-ray irradiation on capacitance-voltage characteristics of Al2O3/GaN MOS diodes with and without post-metallization annealing

    Aoshima Keito, Horita Masahiro, Suda Jun, Hashizume Tamotsu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 1 )   2021年1月

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    出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.35848/1882-0786/abd71a

    Web of Science

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  4. Space charge profile study of AlGaN-based p-type distributed polarization doped claddings without impurity doping for UV-C laser diodes

    Zhang Ziyi, Kushimoto Maki, Horita Masahiro, Sugiyama Naoharu, Schowalter Leo J., Sasaoka Chiaki, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 15 )   2020年10月

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    出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/5.0027789

    Web of Science

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  5. Why do electron traps atE(C)-0.6 eV have inverse correlation with carbon concentrations in n-type GaN layers?

    Narita Tetsuo, Horita Masahiro, Tomita Kazuyoshi, Kachi Tetsu, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 10 )   2020年10月

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  6. Why do electron traps at e <inf>C</inf>-0.6 eV have inverse correlation with carbon concentrations in n-type GaN layers?

    Narita T.

    Japanese Journal of Applied Physics   59 巻 ( 10 )   2020年10月

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    出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abb9ca

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  7. Progress on and challenges of p-type formation for GaN power devices

    Narita Tetsuo, Yoshida Hikaru, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Sakurai Hideki, Horita Masahiro, Bockowski Michal, Ikarashi Nobuyuki, Suda Jun, Kachi Tetsu, Tokuda Yutaka

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   128 巻 ( 9 )   2020年9月

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    出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/5.0022198

    Web of Science

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  8. Impacts of high temperature annealing above 1400<sup>°</sup>C under N<inf>2</inf>overpressure to activate acceptors in Mg-implanted GaN

    Sakurai H.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   2020-September 巻   頁: 321 - 324   2020年9月

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    出版者・発行元:Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  

    DOI: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170174

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  9. Redistribution of Mg and H atoms in Mg-implanted GaN through ultra-high-pressure annealing

    Sakurai Hideki, Narita Tetsuo, Omori Masato, Yamada Shinji, Koura Akihiko, Iwinska Malgorzata, Kataoka Keita, Horita Masahiro, Ikarashi Nobuyuki, Bockowski Michal, Suda Jun, Kachi Tetsu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 8 )   2020年8月

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  10. Redistribution of Mg and H atoms in Mg-implanted GaN through ultra-high-pressure annealing

    Sakurai H.

    Applied Physics Express   13 巻 ( 8 )   2020年8月

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    出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.35848/1882-0786/aba64b

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  11. Identification of origin of E <inf>C</inf>-0.6 eV electron trap level by correlation with iron concentration in n-type GaN grown on GaN freestanding substrate by metalorganic vapor phase epitaxy

    Horita M.

    Applied Physics Express   13 巻 ( 7 )   2020年7月

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    出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ab9e7c

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  12. Identification of origin ofE(C)-0.6 eV electron trap level by correlation with iron concentration in n-type GaN grown on GaN freestanding substrate by metalorganic vapor phase epitaxy

    Horita Masahiro, Narita Tetsuo, Kachi Tetsu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 7 )   2020年7月

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  13. Dual-color-sub-bandgap-light-excited isothermal capacitance transient spectroscopy for quick measurement of carbon-related hole trap density in n-type GaN

    Kanegae K.

    Japanese Journal of Applied Physics   59 巻 ( SG )   2020年4月

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    出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab6863

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  14. Electron traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial n-type GaN and their annealing behavior

    Aoshima Keito, Kanegae Kazutaka, Horita Masahiro, Suda Jun

    AIP ADVANCES   10 巻 ( 4 )   2020年4月

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    出版者・発行元:AIP Advances  

    DOI: 10.1063/1.5144158

    Web of Science

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  15. Overview of carrier compensation in GaN layers grown by MOVPE: toward the application of vertical power devices

    Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Tokuda Yutaka, Kogiso Tatsuya, Yoshida Hikaru, Ikarashi Nobuyuki, Iwata Kenji, Nagao Masahiro, Sawada Naoki, Horita Masahiro, Suda Jun, Kachi Tetsu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( SA )   2020年1月

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    出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab4610

    Web of Science

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  16. Impacts of high temperature annealing above 1400 degrees C under N-2 overpressure to activate acceptors in Mg-implanted GaN

    Sakurai Hideki, Narita Tetsuo, Hirukawa Kazufumi, Yamada Shinji, Koura Akihiko, Kataoka Keita, Horita Masahiro, Ikarashi Nobuyuki, Bockowski Michal, Suda Jun, Kachi Tetsu

    PROCEEDINGS OF THE 2020 32ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD 2020)     頁: 321 - 324   2020年

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  17. Impact Ionization Coefficients in GaN Measured by Above- and Sub-E<inf>g</inf> Illuminations for p<sup>-</sup>/n<sup>+</sup> Junction

    Maeda T.

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM   2019-December 巻   2019年12月

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    出版者・発行元:Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM  

    DOI: 10.1109/IEDM19573.2019.8993438

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  18. Highly effective activation of Mg-implanted p-type GaN by ultra-high-pressure annealing

    Sakurai Hideki, Omori Masato, Yamada Shinji, Furukawa Yukihiro, Suzuki Hideo, Narita Tetsuo, Kataoka Keita, Horita Masahiro, Bockowski Michal, Suda Jun, Kachi Tetsu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   115 巻 ( 14 )   2019年9月

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    出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.5116866

    Web of Science

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  19. Measurement of avalanche multiplication utilizing Franz-Keldysh effect in GaN p-n junction diodes with double-side-depleted shallow bevel termination

    Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Ueda Hiroyuki, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS LETTERS   115 巻 ( 14 )   2019年9月

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    出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.5114844

    Web of Science

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  20. Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diodes under high electric field along the < 11(2)over-bar0 > direction

    Maeda Takuya, Chi Xilun, Tanaka Hajime, Horita Masahiro, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 9 )   2019年9月

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    出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab3873

    Web of Science

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  21. Deep-level transient spectroscopy studies of electron and hole traps in n-type GaN homoepitaxial layers grown by quartz-free hydride-vapor-phase epitaxy

    Kanegae Kazutaka, Fujikura Hajime, Otoki Yohei, Konno Taichiro, Yoshida Takehiro, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS LETTERS   115 巻 ( 1 )   2019年7月

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    出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.5098965

    Web of Science

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  22. Shockley-Read-Hall lifetime in homoepitaxial p-GaN extracted from recombination current in GaN p-n(+) junction diodes

    Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Ueda Hiroyuki, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( SC )   2019年6月

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    出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab07ad

    Web of Science

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  23. Acceptors activation of Mg-ion implanted GaN by ultra-high-pressure annealing

    Sakurai H.

    19th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2019     2019年6月

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    出版者・発行元:19th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2019  

    DOI: 10.23919/IWJT.2019.8802621

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  24. Design and Fabrication of GaN p-n Junction Diodes With Negative Beveled-Mesa Termination

    Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Ueda Hiroyuki, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   40 巻 ( 6 ) 頁: 941 - 944   2019年6月

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    出版者・発行元:IEEE Electron Device Letters  

    DOI: 10.1109/LED.2019.2912395

    Web of Science

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  25. Estimation of Impact Ionization Coefficient in GaN by Photomulitiplication Measurement Utilizing Franz-Keldysh Effect

    Maeda T.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   2019-May 巻   頁: 59 - 62   2019年5月

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    出版者・発行元:Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  

    DOI: 10.1109/ISPSD.2019.8757676

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  26. Acceptors activation of Mg-ion implanted GaN by ultra-high-pressure annealing

    Sakurai Hideki, Omori Masato, Yamada Shinji, Koura Akihiko, Suzuki Hideo, Narita Tetsuo, Kataoka Keita, Horita Masahiro, Kowski Michal Bo, Suda Jun, Kachi Tetsu

    2019 NINETEENTH INTERNATIONAL WORKSHOP ON JUNCTION TECHNOLOGY (IWJT)     2019年

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  27. Estimation of Impact Ionization Coefficient in GaN by Photomulitiplication Measurement Utilizing Franz-Keldysh Effect

    Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Ueda Hiroyuki, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    2019 31ST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD)     頁: 59 - 62   2019年

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  28. Impact Ionization Coefficients in GaN Measured by Above- and Sub-E-g Illuminations for p(-)/n(+) Junction

    Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Yamada Shinji, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    2019 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     2019年

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  29. The origin of carbon-related carrier compensation in p-type GaN layers grown by MOVPE

    Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Tokuda Yutaka, Kogiso Tatsuya, Horita Masahiro, Kachi Tetsu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   124 巻 ( 21 )   2018年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.5057373

    Web of Science

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  30. Phonon-assisted optical absorption due to Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diode under high reverse bias voltage

    Maeda Takuya, Chi Xilun, Horita Masahiro, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 9 )   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.11.091302

    Web of Science

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  31. Characterization of carrier concentration and mobility of GaN bulk substrates by Raman scattering and infrared reflectance spectroscopies

    Kanegae Kazutaka, Kaneko Mitsuaki, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 7 )   2018年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.070309

    Web of Science

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  32. Accurate method for estimating hole trap concentration in n-type GaN via minority carrier transient spectroscopy

    Kanegae Kazutaka, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 7 )   2018年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.11.071002

    Web of Science

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  33. Franz-Keldysh effect in GaN p-n junction diode under high reverse bias voltage

    Maeda Takuya, Narita Tetsuo, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS LETTERS   112 巻 ( 25 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.5031215

    Web of Science

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  34. Sources of carrier compensation in metalorganic vapor phase epitaxy-grown homoepitaxial n-type GaN layers with various doping concentrations

    Sawada Naoki, Narita Tetsuo, Kanechika Masakazu, Uesugi Tsutomu, Kachi Tetsu, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.11.041001

    Web of Science

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  35. Parallel-Plane Breakdown Fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN-on-GaN p-n Junction Diodes with Double-Side-Depleted Shallow Bevel Termination

    Maeda T., Narita T., Ueda H., Kanechika M., Uesugi T., Kachi T., Kimoto T., Horita M., Suda J.

    2018 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     2018年

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  36. Solution-derived SiO2 gate insulator formed by CO2 laser annealing for polycrystalline silicon thin-film transistors 査読有り

    Daisuke Hishitani, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Ikenoue, Yukiharu Uraoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 5 )   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD  

    The formation of perhydropolysilazane (PHPS)-based SiO2 films by CO2 laser annealing is proposed. Irradiation with a CO2 laser with optimum fluence transformed a prebaked PHPS film into a SiO2 film with uniform composition in the thickness direction. Polycrystalline silicon thin-film transistors (poly-Si TFTs) with a SiO2 film as the gate insulator were fabricated. When the SiO2 film was formed by CO2 laser annealing (CO(2)LA) at the optimum fluence of 20mJ/cm(2), the film had fewer OH groups which was one-twentieth that of the furnace annealed PHPS film and one-hundredth that of the SiO2 film deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using tetraethyl orthosilicate (TEOS). The resulting TFTs using PHPS showed a clear transistor operation with a field-effect mobility of 37.9 +/- 1.2 cm(2)V(-1)s(-1), a threshold voltage of 9.8 +/- 0.2 V, and a subthreshold swing of 0.76 +/- 0.02 V/decade. The characteristics of such TFTs were as good as those of a poly-Si TFT with a SiO2 gate insulator prepared by PECVD using TEOS. (C) 2017 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.7567/JJAP.56.056503

    Web of Science

  37. Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode 査読有り

    Takuya Maeda, Masaya Okada, Masaki Ueno, Yoshiyuki Yamamoto, Tsunenobu Kimoto, Masahiro Horita, Jun Suda

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   10 巻 ( 5 )   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD  

    The temperature dependence of barrier height in a Ni/n-GaN Schottky barrier diode fabricated on a GaN homoepitaxial layer was investigated by capacitance-voltage, current-voltage, and internal photoemission measurements in the range of 223-573 K. The barrier height obtained by these methods linearly decreased with increasing temperature. The temperature coefficient was -(1.7-2.3) x 10(-4) eV/K, which is about half of the temperature coefficient of the band gap reported previously. This indicates that the decrease in the barrier height may mainly reflect the shrinkage of the band gap (lowering of the conduction band edge) in GaN with increasing temperature. (C) 2017 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.7567/APEX.10.051002

    Web of Science

  38. Hall-effect measurements of metalorganic vapor-phase epitaxy-grown p-type homoepitaxial GaN layers with various Mg concentrations 査読有り

    Masahiro Horita, Shinya Takashima, Ryo Tanaka, Hideaki Matsuyama, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Tokio Takahashi, Mitsuaki Shimizu, Jun Suda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 3 )   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD  

    Mg-doped p-type gallium nitride (GaN) layers with doping concentrations in the range from 6.5 x 10(16)cm(-3) (lightly doped) to 3.8 x 10(19)cm(-3) (heavily doped) were investigated by Hall-effect measurement for the analysis of hole concentration and mobility. p-GaN was homoepitaxially grown on a GaN free-standing substrate by metalorganic vapor-phase epitaxy. The threading dislocation density of p-GaN was 4 x 10(6)cm(-2) measured by cathodoluminescence mapping. Hall-effect measurements of p-GaN were carried out at a temperature in the range from 130 to 450 K. For the lightly doped p-GaN, the acceptor concentration of 7.0 x 10(16)cm(-3) and the donor concentration of 3.2 x 10(16)cm(-3) were obtained, where the compensation ratio was 46%. We also obtained the depth of the Mg acceptor level to be 220meV. The hole mobilities of 86, 31, 14cm(2)V(-1) 1 s(-1) 1 at 200, 300, 400 K, respectively, were observed in the lightly doped p-GaN. (C) 2017 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.7567/JJAP.56.031001

    Web of Science

  39. Characterization of lightly-doped n- and p-type homoepitaxial GaN on free-standing substrates

    Horita Masahiro, Suda Jun

    2017 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)     頁: 86-87   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  40. Characterization of lightly-doped n- and p-type homoepitaxial GaN on free-standing substrates

    Horita Masahiro, Suda Jun

    2017 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)     頁: 86-87   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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MISC 61

  1. Solution-derived SiO2 gate insulator formed by CO2 laser annealing for polycrystalline silicon thin-film transistors 査読有り

    Hishitani Daisuke, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Ikenoue Hiroshi, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS56 巻 ( 5 )   2017年5月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.056503

    Web of Science

  2. Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode 査読有り

    Maeda Takuya, Okada Masaya, Ueno Masaki, Yamamoto Yoshiyuki, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS10 巻 ( 5 )   2017年5月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/APEX.10.051002

    Web of Science

  3. Hall-effect measurements of metalorganic vapor-phase epitaxy-grown p-type homoepitaxial GaN layers with various Mg concentrations 査読有り

    Horita Masahiro, Takashima Shinya, Tanaka Ryo, Matsuyama Hideaki, Ueno Katsunori, Edo Masaharu, Takahashi Tokio, Shimizu Mitsuaki, Suda Jun  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS56 巻 ( 3 )   2017年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.031001

    Web of Science

  4. Franz-Keldysh effect in n-type GaN Schottky barrier diode under high reverse bias voltage (vol 9, 091002, 2016) 査読有り

    Maeda Takuya, Okada Masaya, Ueno Masaki, Yamamoto Yoshiyuki, Horita Masahiro, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS9 巻 ( 10 )   2016年10月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/APEX.9.109201

    Web of Science

  5. Franz-Keldysh effect in n-type GaN Schottky barrier diode under high reverse bias voltage 査読有り

    Maeda Takuya, Okada Masaya, Ueno Masaki, Yamamoto Yoshiyuki, Horita Masahiro, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS9 巻 ( 9 )   2016年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/APEX.9.091002

    Web of Science

  6. Interfacial atomic site characterization by photoelectron diffraction for 4H-AlN/4H-SiC(11(2)over-bar0) heterojunction 査読有り

    Maejima Naoyuki, Horita Masahiro, Matsui Hirosuke, Matsushita Tomohiro, Daimon Hiroshi, Matsui Fumihiko  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS55 巻 ( 8 )   2016年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.085701

    Web of Science

  7. Reliability Improvement of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors by Less Hydroxyl-Groups Siloxane Passivation 査読有り

    Kulchaisit Chaiyanan, Ishikawa Yasuaki, Fujii Mami N., Yamazaki Haruka, Bermundo Juan Paolo Soria, Ishikawa Satoru, Miyasako Takaaki, Katsui Hiromitsu, Tanaka Kei, Hamada Ken-ichi, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY12 巻 ( 3 )   2016年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/JDT.2015.2475127

    Web of Science

  8. High Pressures Water Vapor Annealing for Atomic-Layer-Deposited Al2O3 on GaN 査読有り

    Yoshitugu Koji, Horita Masahiro, Uenuma Mustunori, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)   頁: .   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  9. Characterization of N-Type and P-Type GaN Layers Grown on Free-Standing GaN Substrates 査読有り

    Suda Jun, Horita Masahiro  

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)   頁: .   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  10. Current Collapse Reduction in AlGaN/GaN HEMTs by High-Pressure Water Vapor Annealing 査読有り

    Asubar Joel T., Kobayashi Yohei, Yoshitsugu Koji, Yatabe Zenji, Tokuda Hirokuni, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu, Hashizume Tamotsu, Kuzuhara Masaaki  

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES62 巻 ( 8 ) 頁: 2423-2428   2015年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/TED.2015.2440442

    Web of Science

  11. Thermo-stable carbon nanotube-TiO2 nanocompsite as electron highways in dye-sensitized solar cell produced by bio-nano-process 査読有り

    Inoue Ippei, Yamauchi Hirofumi, Okamoto Naofumi, Toyoda Kenichi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Yasueda Hisashi, Uraoka Yukiharu, Yamashita Ichiro  

    NANOTECHNOLOGY26 巻 ( 28 )   2015年7月

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  12. Floating gate memory with charge storage dots array formed by Dps protein modified with site-specific binding peptides 査読有り

    Kamitake Hiroki, Uenuma Mutsunori, Okamoto Naofumi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Yamashita Ichro, Uraoka Yukiharu  

    NANOTECHNOLOGY26 巻 ( 19 )   2015年5月

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  13. Unseeded Growth of Poly-Crystalline Ge with (111) Surface Orientation on Insulator by Pulsed Green Laser Annealing 査読有り

    Horita Masahiro, Takao Toru, Nieda Yoshiaki, Ishikawa Yasuaki, Sasaki Nobuo, Uraoka Yukiharu  

    2015 22nd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD)   頁: 237-240   2015年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  14. Analysis of self-heating phenomenon in oxide thin-film transistors under pulsed bias voltage 査読有り

    Kise Kahori, Tomai Shigekazu, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Yano Koki, Wang Dapeng, Furuta Mamoru, Horita Masahiro, Fujii Mami, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2015 22nd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD)   頁: 249-251   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  15. Analysis of printed silver electrode on amorphous indium gallium zinc oxide 査読有り

    Ueoka Yoshihiro, Nishibayashi Takahiro, Ishikawa Yasuaki, Yamazaki Haruka, Osada Yukihiro, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS53 巻 ( 4 )   2014年4月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.04EB03

    Web of Science

  16. Effect of contact material on amorphous InGaZnO thin-film transistor characteristics 査読有り

    Ueoka Yoshihiro, Ishikawa Yasuaki, Bermundo Juan Paolo, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Osada Yukihiro, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS53 巻 ( 3 )   2014年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.03CC04

    Web of Science

  17. 4H-SiC MISFETs With 4H-AlN Gate Insulator Isopolytypically Grown on 4H-SiC (11(2)over-bar0) 査読有り

    Horita Masahiro, Noborio Masato, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS35 巻 ( 3 ) 頁: 339-341   2014年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/LED.2014.2299557

    Web of Science

  18. Analysis of heating phenomenon in oxide thin-film transistor under pulse voltage stress 査読有り

    Kise Kahori, Fujii Mami, Tomai Shigekazu, Ueoka Yoshihiro, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Yano Koki, Wang Dapeng, Furuta Mamoru, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   頁: .   2014年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  19. Density of States in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor under Negative Bias Illumination Stress 査読有り

    Ueoka Yoshihiro, Ishikawa Yasuaki, Bermundo Juan Paolo, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Fujii Mami, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY3 巻 ( 9 ) 頁: Q3001-Q3004   2014年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1149/2.001409jss

    Web of Science

  20. Vapor-Induced Improvements in Field Effect Mobility of Transparent a-IGZO TFTs 査読有り

    Fujii Mami N., Ishikawa Yasuaki, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY3 巻 ( 9 ) 頁: Q3050-Q3053   2014年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1149/2.011409jss

    Web of Science

  21. Reliability of Bottom Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors with Siloxane Passivation Layer 査読有り

    Kulchaisit Chaiyanan, Fujii Mami, Ueoka Yoshihiro, Bermundo Juan Paolo, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   頁: .   2014年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  22. Crystallization of amorphous Ge thin film using Cu nanoparticle synthesized and delivered by ferritin 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Zheng Bin, Bundo Kosuke, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Watanabe Heiji, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH382 巻   頁: 31-35   2013年11月

     詳細を見る

  23. Impact of Underwater Laser Annealing on Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor for Inactivation of Electrical Defects at Super Low Temperature 査読有り

    Machida Emi, Horita Masahiro, Yamasaki Koji, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu, Ikenoue Hiroshi  

    JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY9 巻 ( 9 ) 頁: 741-746   2013年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/JDT.2012.2236883

    Web of Science

  24. Effects of Gate Insulator on Thin-Film Transistors With ZnO Channel Layer Deposited by Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition 査読有り

    Kawamura Yumi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY9 巻 ( 9 ) 頁: 694-698   2013年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/JDT.2012.2213237

    Web of Science

  25. Thermal reversibility in electrical characteristics of ultraviolet/ozone-treated graphene 査読有り

    Mulyana Yana, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu, Koh Shinji  

    APPLIED PHYSICS LETTERS103 巻 ( 6 )   2013年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.4818329

    Web of Science

  26. Low temperature high-mobility InZnO thin-film transistors fabricated by excimer laser annealing 査読有り

    Fujii Mami, Ishikawa Yasuaki, Ishihara Ryoichi, van der Cingel Johan, Mofrad Mohammad R. T., Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    APPLIED PHYSICS LETTERS102 巻 ( 12 )   2013年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.4798519

    Web of Science

  27. Fabrication of Zinc Oxide Nanopatterns by Quick Gel-Nanoimprint Process toward Optical Switching Devices 査読有り

    Araki Shinji, Ishikawa Yasuaki, Zhang Min, Doe Takahiro, Lu Li, Horita Masahiro, Nishida Takashi, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS52 巻 ( 3 )   2013年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.03BA02

    Web of Science

  28. Thermal analysis of amorphous oxide thin-film transistor degraded by combination of joule heating and hot carrier effect 査読有り

    Urakawa Satoshi, Tomai Shigekazu, Ueoka Yoshihiro, Yamazaki Haruka, Kasami Masashi, Yano Koki, Wang Dapeng, Furuta Mamoru, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    APPLIED PHYSICS LETTERS102 巻 ( 5 )   2013年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.4790619

    Web of Science

  29. Memristive nanoparticles formed using a biotemplate 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Ban Takahiko, Okamoto Naofumi, Zheng Bin, Kakihara Yasuhiro, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    RSC ADVANCES3 巻 ( 39 ) 頁: 18044-18048   2013年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1039/c3ra42392a

    Web of Science

  30. Forming of SiO2 Film by Spin-On Glass and CO2 Laser Annealing for Gate Insulator of Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors 査読有り

    Hishitani Daisuke, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Ikenoue Hiroshi, Watanabe Yosuke, Uraoka Yukiharu  

    2013 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK2013)   頁: .   2013年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  31. Characterizations of Al2O3 gate dielectric deposited on n-GaN by plasma-assisted atomic layer deposition 査読有り

    Yoshitsugu Koji, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 1110 巻 ( 11 ) 頁: 1426-1429   2013年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssc.201300273

    Web of Science

  32. Thermal distribution in amorphous InSnZnO thin-film transistor 査読有り

    Urakawa Satoshi, Tomai Shigekazu, Ueoka Yoshihiro, Yamazaki Haruka, Kasami Masashi, Yano Koki, Wang Dapeng, Furuta Mamoru, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 1110 巻 ( 11 ) 頁: 1561-1564   2013年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssc.201300253

    Web of Science

  33. Unique property of a-InGaZnO/Ag Interface on Thin-Film Transistor 査読有り

    Ueoka Yoshihiro, Ishikawa Yasuaki, Bermundo Juan Paolo, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Osada Yukihiro, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    PROCEEDINGS OF 2013 TWENTIETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD 13): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 37-38   2013年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  34. Thermal Degradation and Theoretical Analysis of Amorphous Oxide Thin-Film Transistor 査読有り

    Urakawa Satoshi, Tomai Shigekazu, Kasami Masashi, Yano Koki, Wang Dapeng, Furuta Mamoru, Kimura Mutsumi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    PROCEEDINGS OF 2013 TWENTIETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD 13): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 125-128   2013年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  35. Forming SiO2 Thin Film by CO2 Laser Annealing of Spin-On Glass on Polycrystalline Silicon Thin Film 査読有り

    Hishitani Daisuke, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Ikenoue Hiroshi, Watanabe Yosuke, Uraoka Yukiharu  

    PROCEEDINGS OF 2013 TWENTIETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD 13): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 163-166   2013年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  36. Crystallization to polycrystalline silicon thin film and simultaneous inactivation of electrical defects by underwater laser annealing 査読有り

    Machida Emi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu, Ikenoue Hiroshi  

    APPLIED PHYSICS LETTERS101 巻 ( 25 )   2012年12月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.4772513

    Web of Science

  37. Size Control of ZnS Nanoparticles by Electro-Spray Deposition Method 査読有り

    Doe Takahiro, Ishikawa Yasuaki, Horita Masahiro, Nishida Takashi, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS51 巻 ( 3 )   2012年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.03CC02

    Web of Science

  38. Thin-Film Devices Fabricated on Double-Layered Polycrystalline Silicon Films Formed by Green Laser Annealing 査読有り

    Yamasaki Koji, Machida Emi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS51 巻 ( 3 )   2012年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.03CA03

    Web of Science

  39. Guided filament formation in NiO-resistive random access memory by embedding gold nanoparticles 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Zheng Bin, Kawano Kentaro, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    APPLIED PHYSICS LETTERS100 巻 ( 8 )   2012年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.3688053

    Web of Science

  40. Metal-nanoparticle-induced crystallization of amorphous Ge film using ferritin 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Zheng Bin, Imazawa Takanori, Horita Masahiro, Nishida Takashi, Ishikawa Yasuaki, Watanabe Heiji, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    APPLIED SURFACE SCIENCE258 巻 ( 8 ) 頁: 3410-3414   2012年2月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2011.11.076

    Web of Science

  41. Low-Temperature-Processed Zinc Oxide Thin-Film Transistors Fabricated by Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition 査読有り

    Kawamura Yumi, Tani Mai, Hattori Nozomu, Miyatake Naomasa, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS51 巻 ( 2 )   2012年2月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.02BF04

    Web of Science

  42. Analysis of Electronic Structural Change in a-InGaZnO by High Pressure Water Vapor Annealing 査読有り

    Ueoka Yoshihiro, Mejima Naoyuki, Matsui Hirosuke, Matsui Fumihiko, Morita Makoto, Kitagawa Satoshi, Fujita Masayoshi, Yasuda Kaoru, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Daimon Hiroshi, Uraoka Yukiharu  

    IDW/AD '12: PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL DISPLAY WORKSHOPS, PT 219 巻   頁: 887-890   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  43. Super Low-Temperature Formation of Polycrystalline Silicon Films on Plastic Substrates by Underwater Laser Annealing 査読有り

    Machida Emi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu, Okuyama Tetsuo, Ikenoue Hiroshi  

    IDW/AD '12: PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL DISPLAY WORKSHOPS, PT 119 巻   頁: 303-306   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  44. Fabrication of Zinc Oxide Nano-patterns by Quick Gel-nanoimprint Process toward Optical Switching Devices 査読有り

    Araki Shinji, Zhang Min, Doe Takahiro, Lu Li, Horita Masahiro, Nishida Takashi, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2012 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 29-32   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  45. Crystallization to Polycrystalline Silicon Films by Underwater Laser Annealing and Its Application to Thin Film Transistors 査読有り

    Machida Emi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu, Ikenoue Hiroshi  

    2012 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 111-114   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  46. Effects of Gate Insulator on Thin Film Transistor with ZnO Channel Layer Deposited by Plasma Assisted Atomic Layer Deposition 査読有り

    Kawamura Yumi, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu  

    2012 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 179-182   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  47. Cu nanoparticle induced crystallization of amorphous Ge film using ferritin 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Zheng Bin, Bundo Kosuke, Horita Masahiro, Ishikawa Yasuaki, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    2012 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   頁: 227-230   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

  48. Unique Phenomenon in Degradation of Amorphous In2O3-Ga2O3-ZnO Thin-Film Transistors under Dynamic Stress 査読有り

    Fujii Mami, Ishikawa Yasuaki, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS4 巻 ( 10 )   2011年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/APEX.4.104103

    Web of Science

  49. Anomalously low Ga incorporation in high Al-content AlGaN grown on (11(2)over-bar0) non-polar plane by molecular beam epitaxy 査読有り

    Ueta Shunsaku, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE208 巻 ( 7 ) 頁: 1498-1500   2011年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssa.201001033

    Web of Science

  50. Resistive random access memory utilizing ferritin protein with Pt nanoparticles 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Kawano Kentaro, Zheng Bin, Okamoto Naofumi, Horita Masahiro, Yoshii Shigeo, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    NANOTECHNOLOGY22 巻 ( 21 )   2011年5月

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  51. ZnO Thin Films Fabricated by Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition 査読有り

    Kawamura Yumi, Hattori Nozomu, Miyatake Naomasa, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS50 巻 ( 4 )   2011年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.04DF05

    Web of Science

  52. Resistive Memory Utilizing Ferritin Protein with Nano Particle 査読有り

    Uenuma Mutsunori, Kawano Kentaro, Zheng Bin, Horita Masahiro, Yoshii Shigeo, Yamashita Ichiro, Uraoka Yukiharu  

    TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS470 巻   頁: 92-97   2011年

     詳細を見る

  53. Nonpolar 4H-Polytype AlN/AlGaN Multiple Quantum Well Structure Grown on 4H-SiCd(1(1)over-bar00) 査読有り

    Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS3 巻 ( 5 )   2010年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/APEX.3.051001

    Web of Science

  54. Effect of Post-Thermal Annealing of Thin-Film Transistors with ZnO Channel Layer Fabricated by Atomic Layer Deposition 査読有り

    Kawamura Yumi, Horita Masahiro, Uraoka Yukiharu  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS49 巻 ( 4 )   2010年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.49.04DF19

    Web of Science

  55. Anomalously Large Difference in Ga Incorporation for AlGaN Grown on the (11(2)over-bar0) and (1(1)over-bar00) Planes under Group-III-Rich Conditions 査読有り

    Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS EXPRESS2 巻 ( 9 )   2009年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/APEX.2.091003

    Web of Science

  56. Observation of novel defect structure in 2H-AlN grown on 6H-SiC(0001) substrates with 3-bilayer-height step-and-terrace structures 査読有り

    Okumura Hironori, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE206 巻 ( 6 ) 頁: 1187-1189   2009年6月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssa.200880934

    Web of Science

  57. Polytype Replication in Heteroepitaxial Growth of Nonpolar AlN on SiC 査読有り

    Suda Jun, Horita Masahiro  

    MRS BULLETIN34 巻 ( 5 ) 頁: 348-352   2009年5月

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    記述言語:英語  

    Web of Science

  58. Surface Morphologies of 4H-SiC(11(2)over-bar0) and (1(1)over-bar00) Treated by High-Temperature Gas Etching 査読有り

    Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS47 巻 ( 11 ) 頁: 8388-8390   2008年11月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.47.8388

    Web of Science

  59. Nonpolar 4H-AlN grown on 4H-SiC (1(1)over-bar00) with reduced stacking fault density realized by persistent layer-by-layer growth 査読有り

    Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun  

    APPLIED PHYSICS LETTERS93 巻 ( 8 )   2008年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.2976559

    Web of Science

  60. High-quality nonpolar 4H-AlN grown on 4H-SiC (11(2)over-bar20) substrate by molecular-beam epitaxy 査読有り

    Horita Masahiro, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu  

    APPLIED PHYSICS LETTERS89 巻 ( 11 )   2006年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.2352713

    Web of Science

  61. Growth of nonpolar AIN and AlGaN on 4H-SiC (1-100) by molecular beam epitaxy 査読有り

    Armitage Rob, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu  

    GaN, AIN, InN and Related Materials892 巻   頁: 705-710   2006年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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講演・口頭発表等 2

  1. Characterization of lightly-doped n- and p-type homoepitaxial GaN on free-standing substrates

    Horita M.

    IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 

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    開催年月日: 2017年7月31日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    Scopus

  2. Characterization of lightly-doped n- and p-type homoepitaxial GaN on free-standing substrates 国際会議

    Horita M

    IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2017年7月31日  IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

科研費 4

  1. 高圧水中レーザーアニールによる窒化ガリウム超臨界水低温酸化手法の創出

    2015年04月 - 2016年03月

    科学研究費補助金 

    堀田 昌宏

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    担当区分:研究代表者 

  2. 積層構造レーザーアニールによる非晶質基板上単結晶ゲルマニウム薄膜の低温形成

    2011年04月 - 2013年03月

    科学研究費補助金  若手研究(B)

    堀田 昌宏

  3. 同一ポリタイプ4H-AlN/4H-SiCヘテロ界面の電子デバイス応用に関する研究

    2009年09月 - 2011年03月

    科学研究費補助金 

    堀田 昌宏

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    担当区分:研究代表者 

  4. 炭化珪素基板上高品質無極性面III族窒化物の成長と電子・光デバイス応用に関する研究

    2008年04月 - 2009年03月

    科学研究費補助金 

    堀田 昌宏

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者