論文 - 柴山　茂久

Emergence of negative differential resistance through hole resonant tunneling in GeSn/GeSiSn double barrier structure 査読有り

Shigehisa Shibayama, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

IEEE Journal of the Electron Devices Society   13 巻   頁： 79 - 85   2025年1月

　詳細を見る

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/JEDS.2025.3529079

Epitaxial growth of Ge1−xSnx thin film with Sn composition of 50% and possibility of Ge–Sn ordered bonding structure formation 査読有り

Shigehisa Shibayama, Kaito Shibata, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

Applied Physics Express   17 巻   頁： 115503-1 - 115503-4   2024年11月

　詳細を見る

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.35848/1882-0786/ad9190

Ge0.75Sn0.25 on insulator metal-semiconductor-metal photodetector by layer transfer technique 査読有り 国際共著

Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Komei Takagi, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics   64 巻   頁： 01SP11-1 - 01SP11-7   2025年1月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.35848/1347-4065/ada161

Comprehensive study on epitaxial growth of GeSn(111) layers with high Sn content on Si(111) featuring Ge buffer layer 査読有り

Shigehisa Shibayama, Shunsuke Mori, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

ECS Transactions (ECST)   114 巻 ( 2 ) 頁： 215 - 224   2024年10月

　詳細を見る

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1149/11402.0215ecst

Ge1−xSnx layers with x~0.25 on InP(001) substrate grown by low-temperature molecular beam epitaxy reaching 70 °C and in-situ Sb doping 査読有り

Shigehisa Shibayama, Komei Takagi, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

Materials Science in Semiconductor Processing   176 巻   頁： 108302-1 - 108302-8   2024年6月

　詳細を見る

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108302

Layer transfer of epitaxially grown Ge-lattice-matched Si27.8Ge64.2Sn8 films 査読有り

Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

Materials Science in Semiconductor Processing     頁： 108304-1 - 108304-7   2024年6月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.1083024

Tensile-strained Ge1-xSnx layers on Si(001) substrate by solid-phase epitaxy featuring seed layer introduction 招待有り 査読有り

Tatsuma Hiraide, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics   63 巻 ( 4 ) 頁： 045505-1 - 045505-7   2024年4月

　詳細を見る

担当区分：責任著者  

DOI： 10.35848/1347-4065/ad358

Self-organized Ge1-xSnx quantum dots formed on insulators and their room temperature photoluminescence 招待有り 査読有り

Kaoru Hashimoto, Shigehisa Shibayama, Koji Asaka, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics   62 巻   頁： 075506-1 - 075506-8   2023年7月

　詳細を見る

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： https://doi.org/10.35848/1347-4065/ace5f9

Lattice-matched growth of a high-Sn-content (x~0.1) Si1-xSnx layers on Si1-yGey buffers using molecular beam epitaxy 査読有り

Kazuaki Fujimoto, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

Applied Physics Express     2023年4月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.35848/1882-0786/acc3da

Heteroepitaxial growth of CaGe2 films on high-resistivity Si(111) substrates and its application for germanane synthesizing 査読有り

Kazuya Okada, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa

Materials Science in Semiconductor Processing   161 巻   頁： 107462   2023年3月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.mssp.2023.107462

Layer transfer of ultrathin Ge crystals segregated on Al/Ge(111) structure 査読有り

Keigo Matsushita, Akio Ohta, Shigehisa Shibayama, Tomoharu Tokunaga, Noriyuki Taoka, Katsunori Makihara, and Seiichi Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   62 巻   頁： SG1007-1 - SG1007-8   2023年2月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.35848/1347-4065/acb65c

Crystalline and optoelectronic properties of Ge1-xSnx/high-Si-content-SiyGe1-x-ySnx double-quantum wells grown with low-temperature molecular beam epitaxy 査読有り

S. Zhang, S. Shibayama, and O. Nakatsuka

Semiconductor Science and Technology   38 巻   頁： 015018-1 - 015018-10   2022年12月

　詳細を見る

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1088/1361-6641/aca7d9

Visualization of local strain in 4H-SiC trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using synchrotron nanobeam X-ray diffraction 査読有り

Wakana Takeuchi, Eiji Kagoshima, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Shigeru Kimura, Hidemoto Tomita, Tsuyoshi Nishiwaki, and Hirokazu Fujiwara

Japanese Journal of Applied Physics   61 巻   頁： SC1072-1 - SC1072-10   2022年3月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac4c6d

Impact of oxide/4H-SiC interface state density on field-effect mobility of counter-doped n-channel 4H-SiC MOSFETs 査読有り

Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Mitsuaki Shimizu, and Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics   61 巻   頁： 021007-1 - 021007-7   2022年2月

　詳細を見る

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.35848/1347-4065/ac4555

Interface structures and electrical properties of micro-fabricated epitaxial Hf-digermanide/n-Ge(001) contacts 査読有り

Kentaro Kasahara, Kazuki Senga, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka

IEEE Journal of the Electron Devices Society   10 巻   頁： 744 - 750   2021年12月

　詳細を見る

担当区分：責任著者   記述言語：英語  

DOI： 10.1109/JEDS.2021.3139728

Low-temperature formation of Mg/n-type 4H-SiC ohmic contacts with atomically flat interface by lowering of Schottky barrier height 査読有り

Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Kazutoshi Kojima, Mitsuaki Shimizu, and Osamu Nakatsuka

Applied Physics Express   15 巻   頁： 015501-1 - 015501-4   2021年12月

　詳細を見る

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac407f

Photoluminescence properties of heavily Sb doped Ge1-xSnx and heterostructure design favorable for n+-Ge1-xSnx active layer 査読有り

Shiyu Zhang, Masahiro Fukuda, Jihee Jeon, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics   61 巻   頁： SA1004-1 - SA1004-8   2021年12月

　詳細を見る

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac25da

Lowering of the Schottky barrier height of metal/n-type 4H-SiC contacts using low-work-function metals with thin insulator insertion 査読有り

Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Mitsuaki Shimizu, and Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics   60 巻   頁： 075503-1 - 075503-6   2021年6月

　詳細を見る

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac0ab2

Improved interface uniformity of epitaxial HfGe2/Ge(001) contact by microfabrication and its electron conduction property

Kentaro Kasahara, Kazuki Senga, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka

The 20th International Workshop on Junction Technology 2021 (IWJT2021)     2021年6月

　詳細を見る

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

DOI： 10.23919/IWJT52818.2021.9609446

Impact of Wet Annealing on Ferroelectric Phase Formation and Phase Transition of HfO2-ZrO2 System 査読有り

Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Koji Asaka, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

ACS Applied Electronic Materials   3 巻   頁： 2203 - 2211   2021年4月

　詳細を見る

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： https://doi.org/10.1021/acsaelm.1c00171

Formation of ultra-thin Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny quantum heterostructures and their electrical properties for realizing resonant tunneling diode 査読有り 国際共著 国際誌

Galih Ramadana Suwito, Masahiro Fukuda, Edi Suprayoga, Masahiro Ohtsuka, Eddwi Hesky Hasdeo, Ahmad Ridwan Tresna Nugraha, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

Applied Physics Letters   117 巻   頁： 232104-1 - 232104-5   2020年12月

　詳細を見る

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Publishing  

DOI： 10.1063/5.0024905

Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design 招待有り 査読有り 国際誌

Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mitsuo Sakashita

ECS Transactions   98 巻 ( 5 ) 頁： 149 - 156   2020年9月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.1149/09805.0149ecst

Impact of byproducts formed on a 4H-SiC surface on interface state density of Al2O3/4H-SiC(0001) gate stacks 査読有り 国際誌

Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka

Applied Physics Letters   116 巻   頁： 222104-1 - 222104-5   2020年6月

　詳細を見る

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Publishing  

DOI： 10.1063/1.5143574

Saturation of electrically activated Sb concentration in heavily Sb-doped n+-Ge1-xSnx epitaxial layers 査読有り 国際誌

Jihee Jeon, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics   59 巻   頁： SLLF02-1 - SLLF02-6   2020年4月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.35848/1347-4065/ab867d

Ferroelectric phase formation for undoped ZrO2 thin films by wet O2 annealing 査読有り 国際誌

Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics   59 巻   頁： SMMA04-1 - SMMA04-5   2020年4月

　詳細を見る

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.35848/1347-4065/ab80de

Fermi-level pinning at metal/4H-SiC contact induced by SiCxOy interlayer 査読有り 国際誌

Kentaro Hashimoto, Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics   59 巻   頁： SGGD16-1 - SGGD16-6   2020年2月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.35848/1347-4065/ab6e06

Development of Germanium-Tin-Related Semiconductor Heterostructures for Energy Band Design in Electronic and Optoelectronic Applications 招待有り 査読有り 国際誌

Osamu Nakatsuka, Masahiro Fukuda, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima

ECS Transactions   92 巻 ( 4 ) 頁： 41 - 46   2019年7月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.1149/09204.0041ecst

Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe2 査読有り

Kazuki Senga, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka

2019 19th International Workshop on Junction Technology (IWJT)     頁： 1 - 2   2019年6月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

DOI： 10.23919/IWJT.2019.8802901

Erratum: "Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al2O3/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment" 国際誌

Takuma Doi, Wakana Takeuchi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   58 巻   頁： SB9401   2019年3月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.7567/1347-4065/ab0f24

Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al2O3/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment 査読有り 国際誌

Takuma Doi, Wakana Takeuchi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   58 巻   頁： SBBD05-1 - SBBD05-5   2019年2月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.7567/1347-4065/aafb54

Thermodynamic control of ferroelectric-phase formation in HfxZr1-xO2 and ZrO2 査読有り 国際誌

Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Shinji Migita, Akira Toriumi

Journal of Applied Physics   124 巻   頁： 184101-1 - 184101-7   2018年11月

　詳細を見る

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Publishing  

DOI： 10.1063/1.5028181

Nucleation-driven ferroelectric phase formation in ZrO2 thin films - What is different in ZrO2 from HfO2? 査読有り

Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Shinji Migita, Akira Toriumi

2018 IEEE 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM)     頁： 116 - 118   2018年3月

　詳細を見る

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

DOI： 10.1109/EDTM.2018.8421483

Evolution of ferroelectric HfO2 in ultrathin region down to 3 nm 査読有り 国際誌

Xuan Tian, Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

Applied Physics Letters   112 巻   頁： 102902-1 - 102902-5   2018年3月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Publishing  

DOI： 10.1063/1.5017094

Sub-nm EOT ferroelectric HfO2 on p+Ge with highly reliable field cycling properties 査読有り

Xuan Tian, Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)     頁： 37.1.1 - 37.1.4   2017年12月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

DOI： 10.1109/IEDM.2017.8268508

Kinetic pathway of the ferroelectric phase formation in doped HfO2 films 査読有り 国際誌

Lun Xu, Tomonori Nishimura, Shigehisa Shibayama, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

Journal of Applied Physics   122 巻   頁： 124104-1 - 124104-7   2017年9月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Publishing  

DOI： 10.1063/1.5003918

General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation 査読有り

Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Kazutaka Izukashi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)     頁： 25.2.1 - 25.2.4   2016年12月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

DOI： 10.1109/IEDM.2016.7838477

Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys 査読有り 国際誌

Yuki Nagae, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Masaaki Araidai, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Kenji Shiraishi, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁： 08PE04-1 - 08PE04-4   2016年7月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.7567/JJAP.55.08PE04

Effect of GeO2 deposition temperature in atomic layer deposition on elecrical properties of Ge gate stack 査読有り 国際誌

Masayuki Kanematsu, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁： 08PC05-1 - 08PC05-5   2016年6月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.7567/JJAP.55.08PC05

Study of wake-up and fatigue properties in doped and undoped ferroelectric HfO2 in conjunction with piezo-response force microscopy analysis 査読有り

Shigehisa Shibayama, Lun Xu, Shinji Migita, Akira Toriumi

2016 IEEE Symposium on VLSI Technology     頁： 1 - 2   2016年6月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

DOI： 10.1109/VLSIT.2016.7573415

Ferroelectricity of nondoped thin HfO2 films in TiN/HfO2/TiN stacks 査読有り 国際誌

Tomonori Nishimura, Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁： 08PB01-1 - 08PB01-4   2016年6月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.7567/JJAP.55.08PB01

Ferroelectric phase stabilization of HfO2 by nitrogen doping 査読有り 国際誌

Lun Xu, Tomonori Nishimura, Shigehisa Shibayama, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

Applied Physics Express   9 巻   頁： 091501-1 - 091501-4   2016年4月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.7567/APEX.9.091501

Growth of ultrahigh-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer and its impact on controlling Schottky barrier height of metal/Ge contact 査読有り 国際誌

Akihiro Suzuki, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Masashi Kurosawa, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁： 04EB12-1 - 04EB12-6   2016年3月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.7567/JJAP.55.04EB12

Experimental observation of type-I energy band alignment in lattice-matched Ge1-x-ySixSny/Ge heterostructures 査読有り 国際誌

Takashi Yamaha, Shigehisa Shibayama, Takanori Asano, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Applied Physics Letters   108 巻   頁： 061909-1 - 061909-5   2016年2月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Publishing  

DOI： 10.1063/1.4941991

Reduction of Schottky barrier height at metal/n-Ge interface by introducing an ultra-high Sn content Ge1-xSnx interlayer 査読有り 国際誌

Akihiro Suzuki, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Masashi Kurosawa, Shigeaki Zaima

Applied Physics Letters   107 巻   頁： 212103-1 - 212103-5   2015年11月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Publishing  

DOI： 10.1063/1.4936275

Formation of chemically stable GeO2 on the Ge surface with pulsed metal-organic chemical vapor deposition 査読有り 国際誌

Shigehisa Shibayama, Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Applied Physics Letters   106 巻   頁： 062107-1 - 062107-4   2015年2月

　詳細を見る

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Publishing  

DOI： 10.1063/1.4908066

Importance of Ge surface oxidation with high oxidation rate in obtaining low interface state density at oxide/Ge interfaces 査読有り 国際誌

Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   53 巻   頁： 08LD02-1 - 08LD02-6   2014年6月

　詳細を見る

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.7567/JJAP.53.08LD02

Interface properties of Al2O3/Ge structures with thin Ge oxide interfacial layer formed by pulsed metal organic chemical vapor deposition 査読有り 国際誌

Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   53 巻   頁： 08LD03-1 - 08LD03-6   2014年6月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.7567/JJAP.53.08LD03

Impacts of AlGeO formation by post thermal oxidation of Al2O3/Ge structure on interfacial properties 査読有り 国際誌

Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Thin Solid Films   557 巻   頁： 282 - 287   2014年4月

　詳細を見る

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：ELSEVIER  

DOI： 10.1016/j.tsf.2013.10.084

Stabilized formation of tetragonal ZrO2 thin film with high permittivity 査読有り 国際誌

Kimihiko Kato, Takatoshi Saito, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Thin Solid Films   557 巻   頁： 192 - 196   2014年4月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：ELSEVIER  

DOI： 10.1016/j.tsf.2014.01.031

Reduction of Interface State Density Due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface 査読有り 国際誌

Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

ECS Transactions   58 巻 ( 9 ) 頁： 301 - 308   2013年8月

　詳細を見る

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.1149/05809.0301ecst

Understanding of interface structures and reaction mechanisms induced by Ge or GeO diffusion in Al2O3/Ge Structure 査読有り 国際誌

Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Applied Physics Letters   103 巻   頁： 082114-1 - 082114-4   2013年8月

　詳細を見る

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Publishing  

DOI： 10.1063/1.4819127

Interfacial Reaction Mechanisms in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical Process 査読有り 国際誌

Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻   頁： 04AC08-1 - 04AC08-7   2013年4月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.7567/JJAP.52.04AC08

Effects of Light Exposure during Plasma Processing on Electrical Properties of GeO2/Ge Structures 査読有り 国際誌

Kusumandari, Wakana Takeuchi, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻   頁： 01AC04-1 - 01AJ01-6   2013年1月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.7567/JJAP.52.01AC04

Improvement of Al2O3/Ge interfacial properties by O2-annealing 査読有り 国際誌

Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁： 3397 - 3401   2012年2月

　詳細を見る

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：ELSEVIER  

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.10.103

Characterization of Damage of Al2O3/Ge Gate Stack Structure Induced with Light Radiation during Plasma Nitridation 査読有り 国際誌

Kusumandari, Wakana Takeuchi, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics   51 巻   頁： 01AJ01-1 - 01AJ01-5   2012年1月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

DOI： 10.1143/JJAP.51.01AJ01