2021/04/27 更新

写真a

シバヤマ シゲヒサ
柴山 茂久
SHIBAYAMA Shigehisa
所属
大学院工学研究科 物質科学専攻 物質デバイス機能創成学 助教
大学院工学研究科
工学部 物理工学科
職名
助教

学位 2

  1. 博士(工学) ( 2015年3月   名古屋大学 ) 

  2. 修士(工学) ( 2012年3月   名古屋大学 ) 

研究キーワード 6

  1. 表面・界面物性

  2. 半導体工学

  3. Ⅳ族半導体

  4. 強誘電体薄膜

  5. ヘテロ界面

  6. 界面反応

研究分野 3

  1. ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  2. ナノテク・材料 / 結晶工学

  3. ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

現在の研究課題とSDGs 5

  1. エピタキシャル金属/Ge接合の超低抵抗のための界面ナノ構造制御

  2. 低温一貫プロセスに着目した4H-SiC nMOSFETの高移動度化

  3. Ge系Ⅳ族半導体のヘテロ接合界面を用いた新規機能性・デバイス開拓

  4. HfO2-ZrO2系強誘電体薄膜の形成およびその分極反転機構に関する研究

  5. 界面層挿入による金属/SiC接合の障壁高さ自在制御

経歴 4

  1. 名古屋大学   物質科学専攻 物質デバイス機能創成学   助教

    2018年6月 - 現在

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    国名:日本国

  2. 東京大学   マテリアル工学専攻   研究員

    2018年4月 - 2018年5月

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    国名:日本国

  3. 東京大学   マテリアル工学専攻   研究員

    2015年4月 - 2018年3月

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    国名:日本国

  4. 名古屋大学   結晶材料工学専攻   研究員

    2013年4月 - 2015年3月

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    国名:日本国

学歴 3

  1. 名古屋大学   大学院工学研究科   結晶材料工学専攻 博士課程後期課程

    2012年4月 - 2015年3月

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    国名: 日本国

  2. 名古屋大学   大学院工学研究科   結晶材料工学専攻 博士課程前期課程

    2010年4月 - 2012年3月

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    国名: 日本国

  3. 名古屋大学   工学部   物理工学科

    2006年4月 - 2010年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 2

  1. 応用物理学会

    - 現在

  2. IEEE Electron Device Society

    - 現在

委員歴 2

  1. 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials Steering Committee  

    2019年   

  2. 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター   会長  

    2013年4月 - 2014年3月   

受賞 4

  1. IWDTF Young Award

    2019年11月   Ferroelectric Phase Evolution of Undoped ZrO2 Thin Film by Wet O2 Annealing Process

    Shigehisa Shibayama

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  2. Outstanding Presentation Award

    2019年11月   Saturation of Activated Sb Atom in Heavily Sb-Doped Ge Epitaxial Thin Films

    Jihee Jeon, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima, and Osamu Nakatsuka

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  3. 応用物理学会支部学術講演会発表奨励賞

    2014年2月   応用物理学会東海支部   Al2O3/Ge構造の後熱酸化によるAlGeO形成にともなう界面特性の改善

    柴山茂久

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  4. 第11回日本表面科学会中部支部研究会 講演奨励賞

    2011年12月   日本表面科学会中部支部   Al2O3/Geゲートスタック構造に対する酸素熱処理の化学結合状態および界面特性に与える効果

    柴山茂久

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

 

論文 35

  1. Formation of ultra-thin Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny quantum heterostructures and their electrical properties for realizing resonant tunneling diode 査読有り 国際共著 国際誌

    Galih Ramadana Suwito, Masahiro Fukuda, Edi Suprayoga, Masahiro Ohtsuka, Eddwi Hesky Hasdeo, Ahmad Ridwan Tresna Nugraha, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

    Applied Physics Letters   117 巻   頁: 232104-1 - 232104-5   2020年12月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/5.0024905

  2. Impact of byproducts formed on a 4H-SiC surface on interface state density of Al2O3/4H-SiC(0001) gate stacks 査読有り 国際誌

    Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka

    Applied Physics Letters   116 巻   頁: 222104-1 - 222104-5   2020年6月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/1.5143574

  3. Ferroelectric phase formation for undoped ZrO2 thin films by wet O2 annealing 査読有り 国際誌

    Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka

    Japanese Journal of Applied Physics   59 巻   頁: SMMA04-1 - SMMA04-5   2020年4月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab80de

  4. Fermi-level pinning at metal/4H-SiC contact induced by SiCxOy interlayer 査読有り 国際誌

    Kentaro Hashimoto, Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

    Japanese Journal of Applied Physics   59 巻   頁: SGGD16-1 - SGGD16-6   2020年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab6e06

  5. Thermodynamic control of ferroelectric-phase formation in HfxZr1-xO2 and ZrO2 査読有り 国際誌

    Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Shinji Migita, Akira Toriumi

    Journal of Applied Physics   124 巻   頁: 184101-1 - 184101-7   2018年11月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/1.5028181

  6. Impacts of AlGeO formation by post thermal oxidation of Al2O3/Ge structure on interfacial properties 査読有り 国際誌

    Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    Thin Solid Films   557 巻   頁: 282 - 287   2014年4月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.10.084

  7. Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design 招待有り 査読有り 国際誌

    Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mitsuo Sakashita

    ECS Transactions   98 巻 ( 5 ) 頁: 149 - 156   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.1149/09805.0149ecst

  8. Saturation of electrically activated Sb concentration in heavily Sb-doped n+-Ge1-xSnx epitaxial layers 査読有り 国際誌

    Jihee Jeon, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

    Japanese Journal of Applied Physics   59 巻   頁: SLLF02-1 - SLLF02-6   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab867d

  9. Development of Germanium-Tin-Related Semiconductor Heterostructures for Energy Band Design in Electronic and Optoelectronic Applications 招待有り 査読有り 国際誌

    Osamu Nakatsuka, Masahiro Fukuda, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima

    ECS Transactions   92 巻 ( 4 ) 頁: 41 - 46   2019年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.1149/09204.0041ecst

  10. Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe2 査読有り

    Kazuki Senga, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka

    2019 19th International Workshop on Junction Technology (IWJT)     頁: 1 - 2   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:IEEE  

    DOI: 10.23919/IWJT.2019.8802901

  11. Erratum: "Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al2O3/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment" 国際誌

    Takuma Doi, Wakana Takeuchi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   58 巻   頁: SB9401   2019年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab0f24

  12. Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al2O3/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment 査読有り 国際誌

    Takuma Doi, Wakana Takeuchi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   58 巻   頁: SBBD05-1 - SBBD05-5   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.7567/1347-4065/aafb54

  13. Nucleation-driven ferroelectric phase formation in ZrO2 thin films - What is different in ZrO2 from HfO2? 査読有り

    Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Shinji Migita, Akira Toriumi

    2018 IEEE 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM)     頁: 116 - 118   2018年3月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:IEEE  

    DOI: 10.1109/EDTM.2018.8421483

  14. Evolution of ferroelectric HfO2 in ultrathin region down to 3 nm 査読有り 国際誌

    Xuan Tian, Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

    Applied Physics Letters   112 巻   頁: 102902-1 - 102902-5   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/1.5017094

  15. Sub-nm EOT ferroelectric HfO2 on p+Ge with highly reliable field cycling properties 査読有り

    Xuan Tian, Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

    2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)     頁: 37.1.1 - 37.1.4   2017年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:IEEE  

    DOI: 10.1109/IEDM.2017.8268508

  16. Kinetic pathway of the ferroelectric phase formation in doped HfO2 films 査読有り 国際誌

    Lun Xu, Tomonori Nishimura, Shigehisa Shibayama, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

    Journal of Applied Physics   122 巻   頁: 124104-1 - 124104-7   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/1.5003918

  17. General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation 査読有り

    Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Kazutaka Izukashi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

    2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)     頁: 25.2.1 - 25.2.4   2016年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:IEEE  

    DOI: 10.1109/IEDM.2016.7838477

  18. Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys 査読有り 国際誌

    Yuki Nagae, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Masaaki Araidai, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Kenji Shiraishi, Shigeaki Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁: 08PE04-1 - 08PE04-4   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.08PE04

  19. Effect of GeO2 deposition temperature in atomic layer deposition on elecrical properties of Ge gate stack 査読有り 国際誌

    Masayuki Kanematsu, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁: 08PC05-1 - 08PC05-5   2016年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.08PC05

  20. Study of wake-up and fatigue properties in doped and undoped ferroelectric HfO2 in conjunction with piezo-response force microscopy analysis 査読有り

    Shigehisa Shibayama, Lun Xu, Shinji Migita, Akira Toriumi

    2016 IEEE Symposium on VLSI Technology     頁: 1 - 2   2016年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:IEEE  

    DOI: 10.1109/VLSIT.2016.7573415

  21. Ferroelectricity of nondoped thin HfO2 films in TiN/HfO2/TiN stacks 査読有り 国際誌

    Tomonori Nishimura, Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁: 08PB01-1 - 08PB01-4   2016年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.08PB01

  22. Ferroelectric phase stabilization of HfO2 by nitrogen doping 査読有り 国際誌

    Lun Xu, Tomonori Nishimura, Shigehisa Shibayama, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

    Applied Physics Express   9 巻   頁: 091501-1 - 091501-4   2016年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.7567/APEX.9.091501

  23. Growth of ultrahigh-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer and its impact on controlling Schottky barrier height of metal/Ge contact 査読有り 国際誌

    Akihiro Suzuki, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Masashi Kurosawa, Shigeaki Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   頁: 04EB12-1 - 04EB12-6   2016年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.04EB12

  24. Experimental observation of type-I energy band alignment in lattice-matched Ge1-x-ySixSny/Ge heterostructures 査読有り 国際誌

    Takashi Yamaha, Shigehisa Shibayama, Takanori Asano, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    Applied Physics Letters   108 巻   頁: 061909-1 - 061909-5   2016年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/1.4941991

  25. Reduction of Schottky barrier height at metal/n-Ge interface by introducing an ultra-high Sn content Ge1-xSnx interlayer 査読有り 国際誌

    Akihiro Suzuki, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Masashi Kurosawa, Shigeaki Zaima

    Applied Physics Letters   107 巻   頁: 212103-1 - 212103-5   2015年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/1.4936275

  26. Formation of chemically stable GeO2 on the Ge surface with pulsed metal-organic chemical vapor deposition 査読有り 国際誌

    Shigehisa Shibayama, Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    Applied Physics Letters   106 巻   頁: 062107-1 - 062107-4   2015年2月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.08LD03

  27. Importance of Ge surface oxidation with high oxidation rate in obtaining low interface state density at oxide/Ge interfaces 査読有り 国際誌

    Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   53 巻   頁: 08LD02-1 - 08LD02-6   2014年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.08LD02

  28. Interface properties of Al2O3/Ge structures with thin Ge oxide interfacial layer formed by pulsed metal organic chemical vapor deposition 査読有り 国際誌

    Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   53 巻   頁: 08LD03-1 - 08LD03-6   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.08LD03

  29. Stabilized formation of tetragonal ZrO2 thin film with high permittivity 査読有り 国際誌

    Kimihiko Kato, Takatoshi Saito, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    Thin Solid Films   557 巻   頁: 192 - 196   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2014.01.031

  30. Reduction of Interface State Density Due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface 査読有り 国際誌

    Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    ECS Transactions   58 巻 ( 9 ) 頁: 301 - 308   2013年8月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.1149/05809.0301ecst

  31. Understanding of interface structures and reaction mechanisms induced by Ge or GeO diffusion in Al2O3/Ge Structure 査読有り 国際誌

    Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    Applied Physics Letters   103 巻   頁: 082114-1 - 082114-4   2013年8月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/1.4819127

  32. Interfacial Reaction Mechanisms in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical Process 査読有り 国際誌

    Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻   頁: 04AC08-1 - 04AC08-7   2013年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.04AC08

  33. Effects of Light Exposure during Plasma Processing on Electrical Properties of GeO2/Ge Structures 査読有り 国際誌

    Kusumandari, Wakana Takeuchi, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻   頁: 01AC04-1 - 01AJ01-6   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.01AC04

  34. Improvement of Al2O3/Ge interfacial properties by O2-annealing 査読有り 国際誌

    Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁: 3397 - 3401   2012年2月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.103

  35. Characterization of Damage of Al2O3/Ge Gate Stack Structure Induced with Light Radiation during Plasma Nitridation 査読有り 国際誌

    Kusumandari, Wakana Takeuchi, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   51 巻   頁: 01AJ01-1 - 01AJ01-5   2012年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.01AJ01

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書籍等出版物 1

  1. Ferroelectricity in Doped Hafniunm Oxide: Materials, Properties and Devices

    Akira Toriumi, Lun Xu, Shigehisa Shibayama, and Shinji Migita( 担当: 共著)

    Elsevier  2019年3月  ( ISBN:978-0-08-102430-0

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    総ページ数:570   記述言語:英語 著書種別:学術書

MISC 29

  1. HfO2-ZrO2系の強誘電相発現におけるウェット熱処理の効果

    柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理  

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第26回)   頁: 15 - 18   2021年1月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  2. 室温での極薄金属膜酸化法による基板酸化を抑制した良質なAl2O3/4H-SiC界面の実現

    土井 拓馬、柴山 茂久、竹内 和歌奈、坂下 満男、田岡 紀之、清水 三聡、中塚 理  

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第25回)   頁: 129 - 132   2020年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  3. 低温プロセスによる金属/4H-SiCコンタクトのショットキー障壁高さ制御手法の検討

    柴山 茂久、橋本 健太郎、土井 拓馬、中塚 理  

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第25回)   頁: 133 - 136   2020年1月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  4. 高濃度in-situ Sbドーピングおよびニッケル錫ゲルマニウム合金化によるn型Ge1-xSnxの超低抵抗コンタクト

    Jihee Jeon, Akihiro Suzuki, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka  

    信学技報119 巻 ( 96 ) 頁: 5 - 9   2019年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  5. 高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価

    福田 雅大、坂下 満男、柴山 茂久、黒澤 昌志、中塚 理、財満 鎭明  

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第24回)   頁: 71 - 74   2019年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  6. 低仕事関数金属/4H-SiC界面におけるMIGSの影響

    土井拓馬、柴山茂久、坂下満男、清水三聡、中塚理  

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第26回)   頁: 75 - 78   2021年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  7. 低温ウェット熱処理による強誘電性のアンドープZrO2薄膜の形成

    柴山 茂久、永野 丞太郎、坂下 満男、中塚 理  

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第25回)   頁: 5 - 8   2020年1月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  8. イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について

    祖父江 秀隆、福田 雅大、柴山 茂久、財満 鎭明、中塚 理  

    信学技報119 巻 ( 96 ) 頁: 17 - 20   2019年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  9. ポスト酸素ラジカル処理によるAl2O3/SiC界面のSi炭酸化物層の脱炭素化

    土井 拓馬、竹内 和歌奈、坂下 満男、柴山 茂久、田岡 紀之、中塚 理、財満 鎭明  

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第24回)   頁: 213 - 215   2019年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  10. エピタキシャルHfGe2/Ge(001)界面の形成によるショットキー障壁高さ制御

    千賀 一輝、中塚 理、坂下 満男、柴山 茂久、財満 鎭明  

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第24回)   頁: 101 - 104   2019年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  11. Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties 招待有り

    Xuan Tian, Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi  

    応用物理シリコンテクノロジー分科会 第204回 研究集会   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  12. General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation 招待有り

    Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Kazutaka Izukashi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi  

    応用物理シリコンテクノロジー分科会 第197回 研究集会   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  13. 圧電応答力顕微鏡を用いたYドープHfO2の強誘電性ドメインの観察

    柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明  

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第22回)   頁: 17 - 20   2017年1月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  14. 圧電応答力顕微鏡を用いた強誘電性HfO2のエージング特性に関する研究 招待有り

    柴山 茂久、徐 倫、右田 真司、鳥海 明  

    応用物理シリコンテクノロジー分科会 第194回 研究集会「2016 VLSI特別シンポジウム」特集   2016年8月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  15. 原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面形成および欠陥の堆積温度依存性

    兼松 正行、柴山 茂久、坂下 満男、竹内 和歌奈、中塚 理、財満 鎭明  

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第21回)   頁: 5 - 8   2016年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  16. Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析

    長江 祐樹、柴山 茂久、黒澤 昌志、洗平 昌晃、中塚 理、白石 賢二、財満 鎭明  

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第21回)   頁: 17 - 20   2016年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  17. 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入に依る界面電気伝導特性の制御

    鈴木 陽洋、柴山 茂久、坂下 満男、竹内 和歌奈、中塚 理、財満 鎭明  

    信学技報115 巻 ( 108 ) 頁: 57 - 61   2015年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  18. Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果

    浅野 孝典、柴山 茂久、竹内 和歌奈、坂下 満男、中塚 理、財満 鎭明  

    信学技報115 巻 ( 108 ) 頁: 63 - 68   2015年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  19. GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上

    柴山 茂久、吉田 鉄兵、加藤 公彦、坂下 満男、田岡 紀之、竹内 和歌奈、中塚 理、財満 鎭明  

    特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第20回)   頁: 185 - 188   2015年1月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  20. Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減

    鈴木 陽洋、鄧 云生、柴山 茂久、黒澤 昌志、坂下 満男、竹内 和歌奈、中塚 理、財満 鎭明  

    特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第20回)   頁: 59 - 62   2015年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  21. 低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件

    柴山 茂久、加藤 公彦、坂下 満男、竹内 和歌奈、田岡 紀之、中塚 理、財満 鎭明  

    特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第19回)   頁: 13 - 16   2014年1月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  22. MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いたAl2O3/GeOx/Ge構造の電気的特性および構造評価

    吉田 鉄兵、加藤 公彦、柴山 茂久、坂下 満男、田岡 紀之、竹内 和歌奈、中塚 理、財満 鎭明  

    特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第19回)   頁: 131 - 134   2014年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  23. テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成

    吉田 鉄兵、加藤 公彦、柴山 茂久、坂下 満男、田岡 紀之、竹内 和歌奈、中塚 理、財満 鎭明  

    信学技報113 巻 ( 87 ) 頁: 7 - 11   2013年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  24. Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響

    柴山 茂久、加藤 公彦、坂下 満男、竹内 和歌奈、田岡 紀之、中塚 理、財満 鎭明  

    信学技報113 巻 ( 87 ) 頁: 13 - 18   2013年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  25. Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明

    柴山 茂久、加藤 公彦、坂下 満男、竹内 和歌奈、田岡 紀之、中塚 理、財満 鎭明  

    特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第18回)   頁: 39 - 42   2013年1月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  26. Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明

    柴山 茂久、加藤 公彦、坂下 満男、竹内 和歌奈、田岡 紀之、中塚 理、財満 鎭明  

    信学技報112 巻 ( 92 ) 頁: 27 - 32   2012年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  27. Al2O3/Geに対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果

    柴山 茂久、加藤 公彦、坂下 満男、竹内 和歌奈、中塚 理、財満 鎭明  

    特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第17回)   頁: 129 - 132   2012年1月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  28. Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果

    柴山 茂久、加藤 公彦、坂下 満男、竹内 和歌奈、中塚 理、財満 鎭明  

    信学技報111 巻 ( 114 ) 頁: 51 - 56   2011年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

  29. Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure

    Kusuman Dari, Wakana Takeuchi, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima  

    信学技報111 巻 ( 114 ) 頁: 41 - 46   2011年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

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講演・口頭発表等 153

  1. 界面層挿入が低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBHに与える影響

    土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理

    2020年 第68回 応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  2. Heterostructure design favorable for n+-Ge1-xSnx pseudo-direct transition layer for optoelectronic application 国際共著 国際会議

    Shiyu Zhang, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021)  2021年3月10日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Virtual symposium  

  3. Understanding wet annealing effect on phase transition and ferroelectric phase formation for Hf1-xZrxO2 film 国際会議

    Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, O. Nakatsuka

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials  2020年9月28日 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:All-virtual confernece  

  4. Ferroelectric Phase Evolution of Undoped ZrO2 Thin Films by Wet O2 Annealing Process 国際会議

    Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka

    2019 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2019) 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo (Japan)   国名:日本国  

  5. Saturation of Activated Sb Atom in Heavily Sb-Doped Ge Epitaxial Layers 国際会議

    Jihee Jeon, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)  2019年11月3日 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya (Japan)   国名:日本国  

  6. In-situ cyclic metal layer oxidation for future improving interface properties of Al2O3/4H-SiC(0001) gate stacks 国際会議

    Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials  2019年9月5日 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya (Japan)   国名:日本国  

  7. Fermi level pinninng at metal/4H-SiC contact induced by SiCxOy interalyer 国際会議

    Kentaro Hashimoto, Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials  2019年9月4日 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya (Japan)   国名:日本国  

  8. ウェット熱処理によるZrO2薄膜の強誘電相発現機構

    柴山 茂久、永野 丞太郎、安坂 幸師、坂下 満男、中塚 理

    2020年 第68回 応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン  

  9. 高温堆積におけるZrO2薄膜結晶相の下地依存性

    永野 丞太郎、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理

    2020年 第68回 応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  10. Epitaxial growth of strain-relaxed and high-Sn-content n-Ge1-xSnx on Si(111) substrate with Ge buffer layer 国際会議

    An Huang, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT)  2021年3月10日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:On-Line Conference  

  11. 低仕事関数金属/4H-SiC界面におけるMIGSの影響

    土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第26回)  2021年1月23日 

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    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  12. HfO2-ZrO2系の強誘電相発現におけるウェット熱処理の効果

    柴山 茂久、永野 丞太郎、坂下 満男、中塚 理

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第26回)  2021年1月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  13. 低仕事関数金属を用いたn型4H-SiCに対する低ショットキー障壁コンタクトの実現

    土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理

    先進パワー半導体分科会 第7回講演会  2020年12月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ウェブ開催  

  14. コンタクト抵抗率低減のための金属/Ⅳ族半導体界面制御技術 招待有り

    中塚 理、柴山 茂久、坂下 満男

    第84回半導体・集積回路技術シンポジウム  2020年9月16日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン  

  15. Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design 招待有り 国際会議

    Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mistuo Sakashita

    Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME2020)  2020年8月 

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    開催年月日: 2020年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Online  

  16. ウェット熱処理によるZrO2薄膜の特異な強誘電相発現機構

    柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理

    2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大 (東京)   国名:日本国  

  17. エピタキシャル HfGe2形成による金属/n-Geコンタクト抵抗率の低減

    千賀一輝、柴山茂久、中塚理

    2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大 (東京)   国名:日本国  

  18. 界面平坦性から見た極薄金属酸化Al2O3/4H-SiC構造の有用性

    土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理

    2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大 (東京)   国名:日本国  

  19. 低温ウェット熱処理による強誘電性のアンドープZrO2薄膜の形成

    柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第25回) 

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    開催年月日: 2020年1月 - 2020年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東レ研修センター(三島)   国名:日本国  

  20. 低温プロセスによる金属/4H-SICコンタクトのショットキー障壁高さ制御手法の検討

    柴山茂久、橋本健太郎、土井拓馬、中塚理

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第25回) 

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    開催年月日: 2020年1月 - 2020年2月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ研修センター(三島)   国名:日本国  

  21. 室温での極薄金属膜酸化法による基板酸化を抑制した良質なAl2O3/4H-SiC界面の実現

    土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第25回) 

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    開催年月日: 2020年1月 - 2020年2月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ研修センター(三島)   国名:日本国  

  22. (Invited) heteroepitaxy and strain engineering of germanium-silicon-tin ternary alloy semiconductor thin films for energy band design

    Nakatsuka O.

    ECS Transactions 

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    開催年月日: 2020年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    DOI: 10.1149/09805.0149ecst

    Scopus

  23. ウェット酸素熱処理による強誘電性ZrO2薄膜の形成

    柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理

    第19回日本表面真空学会中部支部 学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大 (愛知)   国名:日本国  

  24. 良質なAl2O3/4H-SiC MOS界面形成における4H-SiC表面構造の重要性

    土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理

    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:広島国際会議場 (広島)   国名:日本国  

  25. Crystal Growth and Characterization of Group-IV Alloy Semiconductor Heterostructures for Future Electronic Devices 招待有り 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and S. Zaima

    The 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Sendai (Japan)   国名:日本国  

  26. In-situ Sb Doping into Ge1-xSnx Epitaxial Layer toward Enhancement of Photoluminescence Intensity 国際会議

    Masahiro Fukuda, Jihee Jeon, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

    The 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)  2019年11月29日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai (Japan)   国名:日本国  

  27. Optoelectronic Property of GeSn and GeSiSn Heterostructure 国際会議

    M. Fukuda, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, S. Zaima, and O. Nakatsuka

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya (Japan)   国名:日本国  

  28. Development of in-situ cyclic metal layer oxidation to form abrupt Al2O3/4H-SiC interface 国際会議

    T. Doi, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, M. Shimizu, and O. Nakatsuka

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya (Japan)   国名:日本国  

  29. Model development of MOCVD growth for realizing high-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer ~ What physical properties are required for precursors? ~ 国際会議

    Y. Miki, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya (Japan)   国名:日本国  

  30. 金属薄膜酸化法によるAl2O3/4H-SiC(0001)界面特性の改善

    土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理

    第7回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2019 (JSAP SCTS 2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋大 (愛知)   国名:日本国  

  31. SiCxOy界面層導入による金属/4H-SiCコンタクトのSBH制御 Control

    橋本健太郎、土井拓馬、柴山茂久、中塚理

    第7回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2019 (JSAP SCTS 2019) "名古屋大 (名古屋)" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋大 (愛知)   国名:日本国  

  32. Saturation of Sb1+ Concentration in Heavily Sb-doped n+-Ge Epitaxial Layers 国際会議

    J. Jeon, S. Shibayama, and O. Nakatsuka

    Advanced Metallization Conference 2019 (ADMETA2019): 29th Asian Session Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo (Japan)   国名:日本国  

  33. 高濃度SbドープによるGe1-xSnxのフォトルミネッセンス発光強度の増大

    福田雅大、全智禧、坂下満男、柴山茂久、黒澤昌志、中塚理

    第78回 応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大 (札幌)   国名:日本国  

  34. Strain Relaxation Enhancement of Ge1-x-ySixSny Epitaxial Layer on Ge Substrate Using Ion-Implantation Method 国際会議

    H. Sofue, M. Fukuda, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya (Japan)   国名:日本国  

  35. GeSn and GeSiSn Heterostructures for Optoelectronic Applications 招待有り 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, M. Sakashita, S. Shibayama, and S. Zaima

    2019 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series (IEEE/SUM) 

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Fort Lauderdale (USA)   国名:アメリカ合衆国  

  36. Ultra-low resistance contact for n-type Ge1-xSnx with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation

    J. Jeon, A. Suzuki, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  37. イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について

    祖父江秀隆、福田雅大、柴山茂久、財満鎭明、中塚理

    シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 

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    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大 (愛知)   国名:日本国  

  38. Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe2 国際会議

    K. Senga, S. Shibayama, M. Sakashita, S. Zaima, and O. Nakatsuka

    19th International Workshop on Junction Technology 2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  39. Development and challenges of group-IV semiconductors for nanoelectronic applications 招待有り 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Shibayama

    The 11th International Conference on High Performance Ceramics (CICC-11) 

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    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  40. Formation of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny Epitaxial Layer using Ion-implanted Ge Substrate 国際会議

    H. Sofue, M. Fukuda, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science ISPlasma2019/IC-PLANTS2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya (Japan)   国名:日本国  

  41. Raman分光法を用いたイオン注入Ge基板の結晶損傷評価

    祖父江秀隆、福田雅大、柴山茂久、中塚理、財満鎭明

    2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大 (大岡山)   国名:日本国  

  42. HfO2-ZrO2系薄膜の反強誘電性の発現過程について

    柴山茂久、坂下満男、中塚理、財満鎭明

    2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東工大 (大岡山)   国名:日本国  

  43. Saturated concentration of activated Sb in Sb-doped Ge epitaxial thin films

    J. Jeon, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  44. ポスト酸素ラジカル処理によるAl2O3/SiC界面のSi炭酸化物の脱炭素化

    土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第24回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ研修センター(三島)   国名:日本国  

  45. 高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および電子特性評価

    福田雅大、坂下満男、柴山茂久、黒澤昌志、中塚理、財満鎭明

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第24回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東レ研修センター(静岡、三島)   国名:日本国  

  46. エピタキシャルHfGe2/Ge(001)界面の形成によるショットキー障壁高さ制御

    千賀一輝、中塚理、坂下満男、柴山茂久、財満鎭明

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第24回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東レ研修センター(三島)   国名:日本国  

  47. Development of germanium-tin-related semiconductor heterostructures for energy band design in electronic and optoelectronic applications

    Nakatsuka O.

    ECS Transactions 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    DOI: 10.1149/09204.0041ecst

    Scopus

  48. Al2O3/4H-SiC界面層への酸素ラジカル照射における反応機構

    土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明

    第16回 日本表面科学会中部支部学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大 (愛知)   国名:日本国  

  49. Understanding of ferroelectric phase formation mechanism for un-doped ZrO2 招待有り 国際会議

    S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi

    12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Sendai (Japan)   国名:日本国  

  50. Formation of Nickel Stanogermanide/Heavily Doped n+-Ge1-xSnx Structure with Ultra-Low Contact Resistivity 国際会議

    J. Jeon, A. Suzuki, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  51. Study of factors to limit increasing Sn content in Ge1-xSnx for MOCVD method 国際会議

    Y. Miki, W. Takeuchi, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  52. Al2O3/SiCに対する酸素ラジカル処理による界面反応機構

    土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明

    第6回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2018 (JSAP SCTS 2018) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大 (愛知)   国名:日本国  

  53. インピーダンス解析による強誘電性HfO2における分極反転過程の観察

    安田脩平、柴山茂久、西村知紀、矢嶋赳彬、右田真司、鳥海明

    2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場(名古屋)   国名:日本国  

  54. Al2O3/SiC形成後の酸素ラジカル処理による界面特性の改善

    土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明

    2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場(名古屋)   国名:日本国  

  55. Effect of internal-strain caused by monoclinic phase foramtion on ferroelectric phase formation of ZrO2 国際会議

    S. Shibayama, T. Nishimura, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi

    2018 International Conference on Solid State Devices and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo (Japan)   国名:日本国  

  56. Junctionless ferroelectric FET with doped HfO2 on n+-TiO2 for three-terminal nonvolatile switch 国際会議

    L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

    2018 International Conference on Solid State Devices and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  57. High on/off ratio (>10) ferroelectric tunnel junctions (FTJs) with ultrathin Y-doped HfO2 国際会議

    X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

    2018 International Conference on Solid State Devices and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  58. Atomically flat interface formation on Ge(111) in oxidation process 国際会議

    T. Nishimura, S. Takemura, X. Wang, S. Shibayama, T. Yajima, and A. Toriumi

    2018 International Conference on Solid State Devices and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo (Japan)   国名:日本国  

  59. Ferroelectric and anti-ferroelectric phase control of un-doped ZrO2 国際会議

    S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi

    2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference (IFAAP 2018) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年5月 - 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  60. Ge酸化に伴う表面平坦性の劣化と酸化機構の変化

    竹村 千里、柴山 茂久、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大 (東京)   国名:日本国  

  61. Improvement of Remanent Polarization and Endurance Characteristics in Thin Ferroelectric Y-doped HfO2

    X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  62. HfxZr1-xO2が広い濃度領域で強誘電性を示す起源について

    柴山 茂久、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大 (東京)   国名:日本国  

  63. アンドープZrO2薄膜における強誘電性の実現

    柴山 茂久、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  64. パルスレーザーアニールによるHfO2薄膜の非平衡結晶化

    森 優樹、柴山 茂久、矢嶋 赳彬、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大 (東京)   国名:日本国  

  65. Nucleation-Driven Ferroelectric Phase Formation in ZrO2 Thin Films -What is Different in ZrO2 from HfO2 ?- 国際会議

    S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi

    2nd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2018 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kobe (Japan)   国名:日本国  

  66. Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties 招待有り

    X. Tian, L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  67. Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties 国際会議

    X. Tian, L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

    2017 IEEE International Electron Devices Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:SanFrancisco (USA)   国名:アメリカ合衆国  

  68. Thickness-dependent ferroelectric phase evolution in doped HfO2 国際会議

    L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai (Japan)   国名:日本国  

  69. Direct Evidence of 3-nm-thick Ferroelectric HfO2 国際会議

    X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai (Japan)   国名:日本国  

  70. Dopant-independent maximum Pr of doped ferroelectric HfO2

    L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  71. Ferroelectric tunnel junctions with ultrathin Y2O3-doped HfO2

    X. Tian, S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  72. HfO2膜の強誘電相形成における熱履歴の重要性

    柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜 (横浜)   国名:日本国  

  73. General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation 招待有り

    L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  74. 圧電応答力顕微鏡を用いたYドープHfO2の強誘電性ドメインの観察

    柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第22回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東レ総合研修センター(静岡、三島)   国名:日本国  

  75. Ferroelectric HfO2 MIS Capacitor and MISFET on Oxide Semiconductors 国際会議

    L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

    47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference  

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:San Diego (USA)   国名:日本国  

  76. General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation 国際会議

    L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

    2016 IEEE International Electron Devices Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:SanFrancisco (USA)   国名:アメリカ合衆国  

  77. Opportunity of Ferroelectric Phase Formation in Nitrogen-doped HfO2 国際会議

    L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

    2016 International Conference on Solid State Devices and Materials 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tsukuba (Japan)   国名:日本国  

  78. Depolarization Process in Ferroelectric HfO2 Probed by Piezo-response Force Microscopy (PFM) 国際会議

    S. Shibayama, L. Xu, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi

    2016 International Conference on Solid State Devices and Materials 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tsukuba (Japan)   国名:日本国  

  79. Tunneling Electro-resistance Effect in Ultra-thin Ferroelectric HfO2 Junctions 国際会議

    X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

    2016 International Conference on Solid State Devices and Materials 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tsukuba (Japan)   国名:日本国  

  80. Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition of HfO2 招待有り

    L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  81. Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric HfO2 by piezo-response force microscopy

    L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  82. 強誘電性HfO2膜における局所内部電界に起因する分極の不均質性

    柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明

    第77回 応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ (新潟)   国名:日本国  

  83. 圧電応答力顕微鏡を用いた強誘電性HfO2のエージング特性に関する研究 招待有り

    柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明

    応用物理シリコンテクノロジー分科会 第194回 研究集会「2016 VLSI特別シンポジウム」特集 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:甲南大学 (東京)   国名:日本国  

  84. Study of Wake-up and Fatigue Properties in Doped and Undoped Ferroelectric HfO2 in Conjunction with Piezo-Response Force Microscopy Analysis 国際会議

    S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi

    2016 Symposia on VLSI Technology and Circuits 

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    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hawaii (USA)   国名:アメリカ合衆国  

  85. 10-nm-Scale Ferroelectric Domain Distribution in Ferroelectric HfO2 Observed by Using Piezo-Response Force Microscopy 国際会議

    S. Shibayama, L. Xu, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi

    7th International Symposium on control of semiconductor interfaces (ISCSI-VII)/International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016) 

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    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya (Japan)   国名:日本国  

  86. 多相HfO2膜における均一強誘電相の発現

    柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明

    2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大 (大岡山, 東京)   国名:日本国  

  87. ラマン分光測定及びXRDによる強誘電性YドープHfO2の構造解析

    厳樫一孝, 柴山茂久, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 右田真司, 鳥海明

    第63回応用物理学会 春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大 (大岡山, 東京)   国名:日本国  

  88. New finding of ferroelectricity of N doped HfO2 films

    L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  89. 強誘電性HfO2膜における分極ドメインの減衰

    柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明

    第63回応用物理学会 春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大 (大岡山, 東京)   国名:日本国  

  90. 原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面形成および欠陥の堆積温度依存性

    兼松正行, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第21回) 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東レ総合研修センター(静岡、三島)   国名:日本国  

  91. Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析

    長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

    特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第21回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東レ総合研修センター(静岡、三島)   国名:日本国  

  92. Study of local polarization in ferroelectric HfO2 films with piezo-response force microscope (PFM) 国際会議

    S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi

    9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectonics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration" 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai (Japan)   国名:日本国  

  93. Control of Schottky barrier height at metal/Ge interface by insertion of GexSn1-x layer 国際会議

    A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

    9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectonics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai (Japan)   国名:日本国  

  94. Control of Schottky Barrier Height at Metal/Ge Interface by SnxGe1-x Interlayer 国際会議

    A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

    International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya (Japan)   国名:日本国  

  95. Calculation of Si1-xSnx Energy Band Structures by using Density Functional Theory Considering Atomic Configuration 国際会議

    Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya (Japan)   国名:日本国  

  96. 超高Sn組成Sn1-xGexエピタキシャル層の形成および金属/Sn1-xGex/Geコンタクトの電気伝導特性の制御

    鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会 2015 (JSAP SCTS 2015) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋大 (愛知)   国名:日本国  

  97. 密度汎関数法によるSi1-xSnx価電子帯端準位の理論予測および実験的妥当性

    長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会 2015 (JSAP SCTS 2015) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋大 (愛知)   国名:日本国  

  98. Influence of atomic layer deposition temperature of GeO2 layer on electrical properties of Ge gate stack 国際会議

    M. Kanematsu, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2015) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo (Japan)   国名:日本国  

  99. Evaluation of energy band structure of Si1-xSnx by density functional theory calculation and photoelectron spectroscopy 国際会議

    Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

    2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2015) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo (Japan)   国名:日本国  

  100. Ge基板上への超高Sn組成Ge1-xSnxエピタキシャル層の形成およびGe1-xSnx界面層が金属/Geコンタクトのショットキー障壁高さに及ぼす影響

    鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明

    第4回結晶工学未来塾 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京農工大 (小金井、東京)   国名:日本国  

  101. Impact of ultra-high Sn content SnxGe1-x interlayer on reducing Schottky barrier height at metal/n-Ge interface 国際会議

    A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015) 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sapporo (Japan)   国名:日本国  

  102. 1T-TaS2の相転移に対する温度およびゲートバイアス変調効果

    柴山茂久, 方楠, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明

    第76回 応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場(名古屋)   国名:日本国  

  103. 原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面の低温形成と電気的特性評価

    兼松正行, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    第76回 応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場(名古屋)   国名:日本国  

  104. Ge1-xSnxエピタキシャル層中における欠陥形成に対するSn組成の影響

    浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    第76回 応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場(名古屋)   国名:日本国  

  105. Reduction of Schottky barrier height with Sn/Ge contact 国際会議

    A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

    JSPS International Workshop Core-to-Core Program Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Marseille (France)   国名:フランス共和国  

  106. 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御

    鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大 (愛知)   国名:日本国  

  107. Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果

    浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大 (愛知)   国名:日本国  

  108. Formation of Type-I Energy Band Alignment of Ge1-x-ySixSny/Ge Heterostructure 国際会議

    T. Yamaha, K. Kato, S. Shibayama, T. Asano, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI9)  

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Montreal (Canada)   国名:カナダ  

  109. Control of Electrically Active Defects in Ge1-xSnx Epitaxial Layers 国際会議

    T. Asano, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

    The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI9)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Montreal (Canada)   国名:カナダ  

  110. Ge1-x-ySixSny/Geヘテロ構造におけるエネルギーバンド構造の解明

    山羽隆, 加藤公彦, 柴山茂久, 浅野孝典, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    第62回応用物理学会 春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 (神奈川、湘南)   国名:日本国  

  111. リン酸溶液中レーザドーピングにおけるGe 基板面方位の効果

    高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    第62回応用物理学会 春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 (神奈川、湘南)   国名:日本国  

  112. 金属/Ge 界面への高Sn組成Ge1−xSnx層挿入によるショットキー障壁高さの低減

    鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    第62回応用物理学会 春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 (神奈川、湘南)   国名:日本国  

  113. Al2O3/Ge構造に対する熱酸化にともなうGe表面からのGe原子放出過程

    柴山茂久, 中嶋薫, 坂下満男, 中塚理, 木村健二, 財満鎭明

    第62回応用物理学会 春季学術講演会  

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 (神奈川、湘南)   国名:日本国  

  114. Ge1−xSnxエピタキシャル層中の欠陥の電気的特性

    浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    第62回応用物理学会 春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 (神奈川、湘南)   国名:日本国  

  115. GGA+U法によるSi1-xSnx材料物性の精密予測

    長江祐樹, 黒澤昌志, 加藤元太, 柴山茂久, 中塚理, 財満鎭明

    第62回応用物理学会 春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学 (神奈川、湘南)   国名:日本国  

  116. GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上

    柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― (第20回研究会) 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ総合研修センター(静岡、三島)   国名:日本国  

  117. Sn/Ge コンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減

    鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― (第20回研究会) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東レ総合研修センター(静岡、三島)   国名:日本国  

  118. Devolepment of metal/Ge contacts for engineering Schottky barriers 国際会議

    O. Nakatsuka, Y. Deng, A. Suzuki, S. Shibayama, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima

    JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Leuven (Belgium)   国名:ベルギー王国  

  119. パルス MOCVD 法を用いた Ge(001)基板上における正方晶 GeO2 膜の形成

    柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会 2014 (JSAP SCTS 2014) 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋大 (愛知)   国名:日本国  

  120. Sn/Ge界面の結晶構造およびショットキー障壁高さのGe面方位依存性

    鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会 2014 (JSAP SCTS 2014) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋大 (愛知)   国名:日本国  

  121. Low Schottky barrier height contacts with Sn electrode for various orientation n-Ge substrates 国際会議

    A. Suzuki, D. Yunsheng, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2014 

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    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo (Japan)   国名:日本国  

  122. パルスMOCVD法により作製したGeO2薄膜を用いたゲートスタック構造の界面構造と電気的特性

    柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大(札幌)   国名:日本国  

  123. Si1-xSnx薄膜におけるバンドギャップナローウィングの初観測

    黒澤昌志, 柴山茂久, 加藤元太, 山羽隆, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大(札幌)   国名:日本国  

  124. 酸化プロセスにおける絶縁膜/Ge界面の界面準位密度を決定づける物理的要因

    柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    第61回応用物理学会 春季学術講演会  

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大(神奈川)   国名:日本国  

  125. MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いたAl2O3/GeOx/Ge構造の電気的特性および構造評価

    吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― (第19回研究会) 

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    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ニューウェルシティー湯河原(熱海)   国名:日本国  

  126. 低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件

    柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― (第19回研究会) 

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    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ニューウェルシティー湯河原 (熱海)   国名:日本国  

  127. Al2O3/Ge構造の後熱酸化によるAlGeO形成にともなう界面特性の改善

    柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会 2013 (JSAP SCTS 2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  128. Interface Properties of Al2O3/Ge MOS Structures with Thin Ge Oxide Interfacial Layer Formed by Pulsed MOCVD 国際会議

    T. Yoshida, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices-Science and Technology- (2013 IWDTF) 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo (Japan)   国名:日本国  

  129. Quantitative Guideline for Formation of Ge MOS Interface with Low Interface State Density 国際会議

    S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices-Science and Technology- (2013 IWDTF) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo (Japan)   国名:日本国  

  130. Reduction of Interface State Density due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface 国際会議

    S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    224th The Electrochemical Society (ECS) Meeting 

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    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:SanFrancisco (USA)   国名:アメリカ合衆国  

  131. 界面反応機構に基づくAl2O3/Ge界面構造制御

    柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大(京都)   国名:日本国  

  132. テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成

    吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:機会振興会館(東京)   国名:日本国  

  133. Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響

    柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:機会振興会館(東京)   国名:日本国  

  134. Impacts of AlGeO Formation by Post Thermal Oxidation of Al2O3/Ge Structure on Interface Properties 国際会議

    S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-VI)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Fukuoka (Japan)   国名:日本国  

  135. Al2O3/Ge構造の熱酸化による界面構造変化と界面特性との相関関係

    柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    第60回応用物理学会 春季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工大(神奈川)   国名:日本国  

  136. AlGeO Formation near Al2O3/Ge Interface with Post Thermal Oxidation 国際会議

    S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sendai (Japan)   国名:日本国  

  137. Feasibility of Ge Device Fabrication by Low Temperature Processes on ULSI Circuits 招待有り 国際会議

    N. Taoka, M. Kurosawa, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai (Japan)   国名:日本国  

  138. Control of Al2O3/Ge Interfacial Structures by Post Oxidation Technique Using Oxygen Radical 国際会議

    K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya (Japan)   国名:日本国  

  139. テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成

    吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― (第18回研究会) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ニューウェルシティー湯河原(熱海)   国名:日本国  

  140. Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明

    柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― (第18回研究会) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ニューウェルシティー湯河原(熱海)   国名:日本国  

  141. Interfacial Reaction Mechanism in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical 国際会議

    K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2012 (SSDM2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kyoto(Japan)   国名:日本国  

  142. Thermal Oxidation Mechanism of Ge through Al2O3 Layer Formed on Ge Substrate 国際会議

    S. Shibayama, K. Kato M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    IUMRS-International Conference on Electronic Materials 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama (Japan)   国名:日本国  

  143. テトラエトキシゲルマニウムを用いた原子層堆積法によるGe酸化膜の形成

    吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大(愛媛)   国名:日本国  

  144. Effect of Light Exposure and Air Exposures on Electrical Properties of GeO2/Ge and Al2O3/Ge Gate Stack Structures 国際会議

    Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Naha (Japan)   国名:日本国  

  145. Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明

    柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大(名古屋)   国名:日本国  

  146. Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理温度依存性およびその界面反応機構

    柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    第59回応用物理学会関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大(東京)   国名:日本国  

  147. Al2O3/Geに対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果

    柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― (第17回研究会) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東レ総合研修センター(三島)   国名:日本国  

  148. Al2O3/Geゲートスタック構造に対する酸素熱処理の化学結合状態および界面特性に与える効果

    柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    第11回 日本表面科学会中部支部 学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:豊田工科大   国名:日本国  

  149. Effect of Light Exposure during Plasma Process on Electrical Properties of Au/Al2O3/Ge MOS Capacitor

    Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

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    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  150. Improvement of Al2O3/Ge Interfacial Properties by O2 Annealing 国際会議

    S. Shibayama, K. Kato M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Leuven (Belgium)   国名:ベルギー王国  

  151. Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果

    柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 

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    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大   国名:日本国  

  152. Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure

    Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  153. 熱処理によるAl2O3/Ge界面構造制御

    柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    第58回応用物理学会関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工大(神奈川)   国名:日本国  

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Works(作品等) 1

  1. 次世代高駆動力集積回路に向けたGeO2膜の原子層堆積手法の開発

    2014年

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    発表場所:名古屋大学工学研究科情報誌「PRESSe」, No. 36, 11(2014).  

共同研究・競争的資金等の研究課題 2

  1. 金属の低仕事関数化に着目した金属/4H-SiCコンタクトの界面構造制御指針の提案

    2021年2月 - 2022年3月

    2020年度 パワーアカデミー研究助成「萌芽研究」 

    柴山茂久

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    担当区分:研究代表者  資金種別:その他

    2720000514

  2. 界面ナノ構造制御による超低抵抗率金属/Ⅳ族半導体コンタクト形成技術

    2020年6月 - 2021年3月

    2020年度キオクシア奨励研究 

    中塚理、柴山茂久、坂下満男、笠原健太郎

      詳細を見る

    担当区分:連携研究者  資金種別:産学連携による資金

    2720J0012c

科研費 3

  1. 二元系遷移金属酸化物の強誘電性に関する研究

    2016年4月 - 2019年3月

    科学研究費補助金  挑戦的萌芽研究

    柴山茂久

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    担当区分:研究代表者 

  2. 次世代超低消費電力トンネルFETの実現に向けたゲルマニウムスズの電子物性制御

    2015年4月 - 2018年3月

    科学研究費補助金 

    柴山茂久

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

  3. ULSIの高速化に向けた高誘電率ゲート絶縁膜/ゲルマニウム界面構造制御

    2013年4月 - 2015年3月

    科学研究費補助金 

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

産業財産権 1

  1. MOSキャパシタ及びMOSFET

    坂下満男, 財満鎭明,中塚理,竹内和歌奈,柴山茂久,田岡紀之,加藤公彦,吉田鉄兵

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    出願人:国立大学法人名古屋大学(愛知県)

    出願番号:2015-22059  出願日:2015年2月

    公開番号:2016-146382  公開日:2016年8月

    出願国:国内  

 

担当経験のある科目 (本学) 26

  1. 結晶デバイスセミナー1B

    2020

  2. 結晶デバイスセミナー1A

    2020

  3. 結晶デバイス工学特別実験及び演習B

    2020

  4. 結晶デバイス工学特別実験及び演習A

    2020

  5. 物理工学実験第3

    2020

  6. 物理工学実験第2

    2020

  7. 物理工学実験第1

    2020

  8. 結晶デバイスセミナー1C

    2020

  9. 結晶デバイスセミナー1D

    2020

  10. 結晶デバイスセミナー2A

    2020

  11. 結晶デバイスセミナー2B

    2020

  12. 結晶デバイスセミナー2C

    2020

  13. 結晶デバイスセミナー2D

    2020

  14. 物理工学実験第3

    2019

  15. 物理工学実験第2

    2019

  16. 物理工学実験第1

    2019

  17. 結晶デバイスセミナー1D

    2019

  18. 結晶デバイスセミナー1C

    2019

  19. 結晶デバイスセミナー1B

    2019

  20. 結晶デバイスセミナー1A

    2019

  21. 結晶デバイス工学特別実験及び演習B

    2019

  22. 結晶デバイス工学特別実験及び演習A

    2019

  23. 結晶デバイスセミナー2A

    2019

  24. 結晶デバイスセミナー2B

    2019

  25. 結晶デバイスセミナー2C

    2019

  26. 結晶デバイスセミナー2D

    2019

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社会貢献活動 3

  1. SSDM2019実行委員会

    役割:運営参加・支援

    2018年8月 - 2019年11月

     詳細を見る

    対象: 大学院生, 研究者, 社会人・一般, 学術団体, 企業

    種別:講演会

  2. 名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会

    役割:助言・指導, 企画, 運営参加・支援, 報告書執筆, 寄稿

    応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター  2013年11月

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    対象: 大学生, 大学院生, 研究者, 社会人・一般, 企業

    種別:講演会

  3. 名古屋大学スチューデントチャプター サイエンスカフェ

    役割:企画, 運営参加・支援

    応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター  2013年6月