2024/04/01 更新

写真a

クツカケ ケンタロウ
沓掛 健太朗
KUTSUKAKE Kentaro
所属
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 准教授
大学院担当
大学院工学研究科
職名
准教授
連絡先
メールアドレス

学位 1

  1. 博士(理学) ( 2007年3月   東北大学 ) 

研究分野 1

  1. ナノテク・材料 / 結晶工学

経歴 6

  1. 名古屋大学   未来社会創造機構 コベルコ科研インフォアナリシス産学協同研究部門   特任講師

    2017年11月 - 現在

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    国名:日本国

  2. 東北大学   金属材料研究所 結晶欠陥物性学研究部門   助教授

    2010年10月 - 2017年10月

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    国名:日本国

  3. 京都大学   エネルギー科学研究科 太陽電池用シリコン結晶応用科学講座   助教授

    2010年4月 - 2010年9月

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    国名:日本国

  4. 東北大学   金属材料研究所 結晶成長物理学研究部門   助教授

    2007年8月 - 2010年3月

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    国名:日本国

  5. 東北大学   金属材料研究所 結晶成長物理学研究部門   日本学術振興会特別研究員(PD)

    2007年4月 - 2007年7月

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    国名:日本国

  6. 東北大学   金属材料研究所 結晶成長物理学研究部門   日本学術振興会特別研究員(DC2)

    2006年4月 - 2007年3月

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    国名:日本国

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学歴 3

  1. 東北大学   理学研究科   物理学専攻

    2004年4月 - 2007年3月

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    国名: 日本国

  2. 東北大学   理学研究科   物理学専攻

    2002年4月 - 2004年3月

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    国名: 日本国

  3. 東北大学   理学部   物理学科

    1998年4月 - 2002年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 2

  1. 日本結晶成長学会

  2. 応用物理学会

委員歴 4

  1. 日本学術振興会第145委員会   学界委員  

    2017年4月 - 現在   

  2. 応用物理学会   学術講演会プログラム編集委員  

    2013年8月 - 2018年3月   

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    団体区分:その他

  3. 応用物理学会   機関誌「応用物理」 編集委員  

    2013年4月 - 2015年3月   

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    団体区分:その他

  4. 応用物理学会 結晶工学分科会   幹事  

    2012年 - 現在   

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    団体区分:学協会

 

論文 50

  1. Impact of local atomic stress on oxygen segregation at tilt boundaries in silicon 査読有り

    Ohno Yutaka, Inoue Kaihei, Fujiwara Kozo, Kutsukake Kentaro, Deura Momoko, Yonenaga Ichiro, Ebisawa Naoki, Shimizu Yasuo, Inoue Koji, Nagai Yasuyoshi, Yoshida Hideto, Takeda Seiji, Tanaka Shingo, Kohyama Masanori

    APPLIED PHYSICS LETTERS   110 巻 ( 6 )   2017年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4975814

    Web of Science

  2. Effect of grain boundary character of multicrystalline Si on external and internal (phosphorus) gettering of impurities 査読有り

    Joonwichien Supawan, Takahashi Isao, Kutsukake Kentaro, Usami Noritaka

    PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS   24 巻 ( 12 ) 頁: 1615-1625   2016年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pip.2795

    Web of Science

  3. Recombination activity of nickel, copper, and oxygen atoms segregating at grain boundaries in mono-like silicon crystals 査読有り

    Ohno Yutaka, Kutsukake Kentaro, Deura Momoko, Yonenaga Ichiro, Shimizu Yasuo, Ebisawa Naoki, Inoue Koji, Nagai Yasuyoshi, Yoshida Hideto, Takeda Seiji

    APPLIED PHYSICS LETTERS   109 巻 ( 14 )   2016年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4964440

    Web of Science

  4. Characterization of silicon ingots: Mono-like versus high-performance multicrystalline 査読有り

    Kutsukake Kentaro, Deura Momoko, Ohno Yutaka, Yonenaga Ichiro

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 巻 ( 8 )   2015年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.08KD10

    Web of Science

  5. Elastic properties of indium nitrides grown on sapphire substrates determined by nano-indentation: In comparison with other nitrides 査読有り

    Yonenaga Ichiro, Ohkubo Yasushi, Deura Momoko, Kutsukake Kentaro, Tokumoto Yuki, Ohno Yutaka, Yoshikawa Akihiko, Wang Xin Qiang

    AIP ADVANCES   5 巻 ( 7 )   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4926966

    Web of Science

  6. Three-dimensional evaluation of gettering ability for oxygen atoms at small-angle tilt boundaries in Czochralski-grown silicon crystals 査読有り

    Ohno Yutaka, Inoue Kaihei, Fujiwara Kozo, Deura Momoko, Kutsukake Kentaro, Yonenaga Ichiro, Shimizu Yasuo, Inoue Koji, Ebisawa Naoki, Nagai Yasuyoshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   106 巻 ( 25 )   2015年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4921742

    Web of Science

  7. Nanoscopic mechanism of Cu precipitation at small-angle tilt boundaries in Si 査読有り

    Ohno Yutaka, Inoue Kaihei, Kutsukake Kentaro, Deura Momoko, Ohsawa Takayuki, Yonenaga Ichiro, Yoshida Hideto, Takeda Seiji, Taniguchi Ryo, Otubo Hideki, Nishitani Sigeto R., Ebisawa Naoki, Shimizu Yasuo, Takamizawa Hisashi, Inoue Koji, Nagai Yasuyoshi

    PHYSICAL REVIEW B   91 巻 ( 23 )   2015年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.91.235315

    Web of Science

  8. Czochralski growth of heavily tin-doped Si crystals 査読有り

    Yonenaga I., Taishi T., Inoue K., Gotoh R., Kutsukake K., Tokumoto Y., Ohno Y.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   395 巻   頁: 94-97   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.02.052

    Web of Science

  9. Slip systems in wurtzite ZnO activated by Vickers indentation on {2(1)over-bar (1)over-bar0} and {10(1)over-bar0} surfaces at elevated temperatures 査読有り

    Ohno Y., Koizumi H., Tokumoto Y., Kutsukake K., Taneichi H., Yonenaga I.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   393 巻   頁: 119-122   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1010/j.jo-vsgro.2013.11.033

    Web of Science

  10. Czochralski growth of heavily indium-doped Si crystals and co-doping effects of group-IV elements 査読有り

    Inoue K., Taishi T., Tokumoto Y., Kutsukake K., Ohno Y., Ohsawa T., Gotoh R., Yonenaga I.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   393 巻   頁: 45-48   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.10.033

    Web of Science

  11. Mono-Like Silicon Growth Using Functional Grain Boundaries to Limit Area of Multicrystalline Grains 査読有り

    Kutsukake Kentaro, Usami Noritaka, Ohno Yutaka, Tokumoto Yuki, Yonenaga Ichiro

    IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS   4 巻 ( 1 ) 頁: 84-87   2014年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/JPHOTOV.2013.2281730

    Web of Science

  12. Three-dimensional evaluation of gettering ability of Sigma 3{111} grain boundaries in silicon by atom probe tomography combined with transmission electron microscopy 査読有り

    Ohno Yutaka, Inoue Kaihei, Tokumoto Yuki, Kutsukake Kentaro, Yonenaga Ichiro, Ebisawa Naoki, Takamizawa Hisashi, Shimizu Yasuo, Inoue Koji, Nagai Yasuyoshi, Yoshida Hideto, Takeda Seiji

    APPLIED PHYSICS LETTERS   103 巻 ( 10 )   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4820140

    Web of Science

  13. Growth of Si single bulk crystals with low oxygen concentrations by the noncontact crucible method using silica crucibles without Si3N4 coating 査読有り

    Nakajima Kazuo, Murai Ryota, Morishita Kohei, Kutsukake Kentaro

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   372 巻   頁: 121-128   2013年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.03.024

    Web of Science

  14. Interstitial oxygen behavior for thermal double donor formation in germanium: Infrared absorption studies 査読有り

    Inoue K., Taishi T., Tokumoto Y., Murao Y., Kutsukake K., Ohno Y., Suezawa M., Yonenaga I.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   113 巻 ( 7 )   2013年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4792061

    Web of Science

  15. Control of Grain Boundary Propagation in Mono-Like Si: Utilization of Functional Grain Boundaries 査読有り

    Kutsukake Kentaro, Usami Noritaka, Ohno Yutaka, Tokumoto Yuki, Yonenaga Ichiro

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   6 巻 ( 2 )   2013年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.6.025505

    Web of Science

  16. Nanoindentation Hardness and Elastic Modulus of AlGaN Alloys 査読有り

    Tokumoto Y., Taneichi H., Ohno Y., Kutsukake K., Miyake H., Hiramatsu K., Yonenaga I.

    2013 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS PACIFIC RIM (CLEO-PR)     頁: .   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  17. Growth of Si Single Bulk Crystals Inside Si Melts By the Noncontact Crucible Method Using Silica Crucibles Without Coating Si3N4 Particles 査読有り

    Nakajima Kazuo, Murai Ryota, Morishita Kohei, Kutsukake Kentaro

    2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)     頁: 174-176   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  18. Dislocation structure in AlN films induced by in situ transmission electron microscope nanoindentation (vol 112, 093526, 2012) 査読有り

    Tokumoto Yuki, Kutsukake Kentaro, Ohno Yutaka, Yonenaga Ichiro

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   112 巻 ( 12 )   2012年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4771927

    Web of Science

  19. Dislocation structure in AlN films induced by in situ transmission electron microscope nanoindentation 査読有り

    Tokumoto Yuki, Kutsukake Kentaro, Ohno Yutaka, Yonenaga Ichiro

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   112 巻 ( 9 )   2012年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4764928

    Web of Science

  20. Growth of high-quality multicrystalline Si ingots using noncontact crucible method 査読有り

    Nakajima Kazuo, Morishita Kohei, Murai Ryota, Kutsukake Kentaro

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   355 巻 ( 1 ) 頁: 38-45   2012年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.06.034

    Web of Science

  21. Modeling of incorporation of oxygen and carbon impurities into multicrystalline silicon ingot during one-directional growth 査読有り

    Kutsukake Kentaro, Ise Hideaki, Tokumoto Yuki, Ohno Yutaka, Nakajima Kazuo, Yonenaga Ichiro

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   352 巻 ( 1 ) 頁: 173-176   2012年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.02.004

    Web of Science

  22. Growth of multicrystalline Si ingots using noncontact crucible method for reduction of stress 査読有り

    Nakajima Kazuo, Murai Ryota, Morishita Kohei, Kutsukake Kentaro, Usami Noritaka

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   344 巻 ( 1 ) 頁: 6-11   2012年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.01.051

    Web of Science

  23. Growth of Heavily Indium doped Si Crystals by Co-Doping of Neutral Impurity Carbon or Germanium 査読有り

    Inoue Kaihei, Tokumoto Yuki, Kutsukake Kentaro, Ohno Yutaka, Yonenaga Ichiro

    MATERIALS INTEGRATION   508 巻   頁: 220-223   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/KEM.508.220

    Web of Science

  24. Growth of Multicrystalline Si Ingots for Solar Cells Using Noncontact Crucible Method without Touching the Crucible Wall 査読有り

    Nakajima Kazuo, Murai Ryota, Morishita Kohei, Kutsukake Kentaro, Usami Noritaka

    2012 38TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)     頁: 1830-1832   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  25. Generation mechanism of dislocations and their clusters in multicrystalline silicon during two-dimensional growth 査読有り

    Kutsukake Kentaro, Abe Takuro, Usami Noritaka, Fujiwara Kozo, Yonenaga Ichiro, Morishita Kohei, Nakajima Kazuo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   110 巻 ( 8 )   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3652891

    Web of Science

  26. Formation mechanism of twin boundaries during crystal growth of silicon 査読有り

    Kutsukake Kentaro, Abe Takuro, Usami Noritaka, Fujiwara Kozo, Morishita Kohei, Nakajima Kazuo

    SCRIPTA MATERIALIA   65 巻 ( 6 ) 頁: 556-559   2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.scriptamat.2011.06.028

    Web of Science

  27. Implementation of faceted dendrite growth on floating cast method to realize high-quality multicrsytalline Si ingot for solar cells 査読有り

    Usami Noritaka, Takahashi Isao, Kutsukake Kentaro, Fujiwara Kozo, Nakajima Kazuo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   109 巻 ( 8 )   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3576108

    Web of Science

  28. Arrangement of dendrite crystals grown along the bottom of Si ingots using the dendritic casting method by controlling thermal conductivity under crucibles 査読有り

    Nakajima Kazuo, Kutsukake Kentaro, Fujiwara Kozo, Morishita Kohei, Ono Satoshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   319 巻 ( 1 ) 頁: 13-18   2011年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.01.069

    Web of Science

  29. Pattern formation mechanism of a periodically faceted interface during crystallization of Si 査読有り

    Tokairin M., Fujiwara K., Kutsukake K., Kodama H., Usami N., Nakajima K.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   312 巻 ( 24 ) 頁: 3670-3674   2010年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.09.059

    Web of Science

  30. Generation mechanism of dislocations during directional solidification of multicrystalline silicon using artificially designed seed 査読有り

    Takahashi Isao, Usami Noritaka, Kutsukake Kentaro, Stokkan Gaute, Morishita Kohei, Nakajima Kazuo

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   312 巻 ( 7 ) 頁: 897-901   2010年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.01.011

    Web of Science

  31. Relationship between grain boundary structures in Si multicrystals and generation of dislocations during crystal growth 査読有り

    Usami Noritaka, Yokoyama Ryusuke, Takahashi Isao, Kutsukake Kentaro, Fujiwara Kozo, Nakajima Kazuo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   107 巻 ( 1 )   2010年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3276219

    Web of Science

  32. HIGH EFFICIENCY SOLAR CELLS OBTAINED FROM SMALL SIZE INGOTS WITH 30 CM Phi BY CONTROLLING THE DISTRIBUTION AND ORIENTATION OF DENDRITE CRYSTALS GROWN ALONG THE BOTTOM OF THE INGOTS 査読有り

    Nakajima K., Kutsukake K., Fujiwara K., Usami N., Ono S., Yamasaki

    35TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE     頁: 817-819   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  33. Computational Investigation of Relationship between Shear Stress and Multicrystalline Structure in Silicon 査読有り

    Takahashi Isao, Usami Noritaka, Kutsukake Kentaro, Morishita Kohei, Nakajima Kazuo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 巻 ( 4 )   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.49.04DP01

    Web of Science

  34. FORMATION MECHANISM OF TWIN BOUNDARIES IN SILICON MULTICRYSTALS DURING CRYSTAL GROWTH 査読有り

    Kutsukake K., Abe T., Usami N., Fujiwara K., Morishita K., Nakajima K.

    35TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE     頁: .   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  35. Growth behavior of faceted Si crystals at grain boundary formation 査読有り

    Fujiwara K., Tsumura S., Tokairin M., Kutsukake K., Usami N., Uda S., Nakajima K.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   312 巻 ( 1 ) 頁: 19-23   2009年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2009.09.055

    Web of Science

  36. Formation mechanism of a faceted interface: In situ observation of the Si(100) crystal-melt interface during crystal growth 査読有り

    Tokairin M., Fujiwara K., Kutsukake K., Usami N., Nakajima K.

    PHYSICAL REVIEW B   80 巻 ( 17 )   2009年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.80.174108

    Web of Science

  37. Microstructures of Si multicrystals and their impact on minority carrier diffusion length 査読有り

    Wang H. Y., Usami N., Fujiwara K., Kutsukake K., Nakajima K.

    ACTA MATERIALIA   57 巻 ( 11 ) 頁: 3268-3276   2009年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.actamat.2009.03.033

    Web of Science

  38. Quantitative analysis of subgrain boundaries in Si multicrystals and their impact on electrical properties and solar cell performance 査読有り

    Kutsukake Kentaro, Usami Noritaka, Ohtaniuchi Tsuyoshi, Fujiwara Kozo, Nakajima Kazuo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   105 巻 ( 4 )   2009年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3079504

    Web of Science

  39. Structural origin of a cluster of bright spots in reverse bias electroluminescence image of solar cells based on Si multicrystals 査読有り

    Usami Noritaka, Kutsukake Kentaro, Fujiwara Kozo, Yonenaga Ichiro, Nakajima Kazuo

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   1 巻 ( 7 )   2008年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.1.075001

    Web of Science

  40. Modification of local structures in multicrystals revealed by spatially resolved x-ray rocking curve analysis 査読有り

    Usami Noritaka, Kutsukake Kentaro, Fujiwara Kozo, Nakajima Kazuo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   102 巻 ( 10 )   2007年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2816207

    Web of Science

  41. Influence of structural imperfection of Sigma 5 grain boundaries in bulk multicrystalline Si on their electrical activities 査読有り

    Kutsukake Kentaro, Usami Noritaka, Fujiwara Kozo, Nose Yoshitaro, Nakajima Kazuo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   101 巻 ( 6 )   2007年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2710348

    Web of Science

  42. Modification of local structure and its influence on electrical activity of near (310) Sigma 5 grain boundary in bulk silicon 査読有り

    Kutsukake Kentaro, Usami Noritaka, Fujiwara Kozo, Nose Yoshitaro, Sugawara Takamasa, Shishido Toetsu, Nakajima Kazuo

    MATERIALS TRANSACTIONS   48 巻 ( 2 ) 頁: 143-147   2007年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2320/matertrans.48.143

    Web of Science

  43. Control of strain status in SiGe thin film by epitaxial growth on Si with buried porous layer 査読有り

    Usami Noritaka, Kutsukake Kentaro, Nakajima Kazuo, Amtablian Sevak, Fave Alain, Lemiti Mustapha

    APPLIED PHYSICS LETTERS   90 巻 ( 3 )   2007年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2433025

    Web of Science

  44. Realization of bulk multicrystalline silicon with controlled grain boundaries by utilizing spontaneous modification of grain boundary configuration 査読有り

    Usami N, Kutsukake K, Sugawara T, Fujwara K, Pan W, Nose Y, Shishido T, Nakajima K

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 巻 ( 3A ) 頁: 1734-1737   2006年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.45.1734

    Web of Science

  45. Growth of multicrystalline Si with controlled grain boundary configuration by the floating zone technique 査読有り

    Kitamura M, Usami N, Sugawara T, Kutsukake K, Fujiwara K, Nose Y, Shishido T, Nakajima K

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   280 巻 ( 3-4 ) 頁: 419-424   2005年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2005.04.049

    Web of Science

  46. Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained-Si layer 査読有り

    Usami Noritaka, Kutsukake Kentaro, Pan Wugen, Fujiwara Kozo, Ujihara Toru, Zhang Baoping, Yokoyama Takashi, Nakajima Kazuo

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   275 巻 ( 1-2 ) 頁: E1203-E1207   2005年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.11.141

    Web of Science

  47. Floating zone growth of Si bicrystals using seed crystals with artificially designed grain boundary configuration 査読有り

    Usami N, Kitamura M, Sugawara T, Kutsukake K, Ohdaira K, Nose Y, Fujiwara K, Shishido T, Nakajima K

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   44 巻 ( 24-27 ) 頁: L778-L780   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.44.L778

    Web of Science

  48. On the origin of strain fluctuation in strained-Si grown on SiGe-on-insulator and SiGe virtual substrates 査読有り

    Kutsukake K, Usami N, Ujihara T, Fujiwara K, Sazaki G, Nakajima K

    APPLIED PHYSICS LETTERS   85 巻 ( 8 ) 頁: 1335-1337   2004年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1784036

    Web of Science

  49. Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate 査読有り

    Kutsukake K, Usami N, Fujiwara K, Ujihara T, Sazaki G, Nakajima K, Zhang BP, Segawa Y

    APPLIED SURFACE SCIENCE   224 巻 ( 1-4 ) 頁: 95-98   2004年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.08.100

    Web of Science

  50. Fabrication of SiGe-on-insulator through thermal diffusion of Ge on Si-on-insulator substrate 査読有り

    Kutsukake K, Usami N, Fujiwara K, Ujihara T, Sazaki G, Zhang BP, Segawa Y, Nakajima K

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   42 巻 ( 3A ) 頁: L232-L234   2003年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.42.L232

    Web of Science

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講演・口頭発表等 3

  1. 物理計測の適応的マッピング 招待有り

    沓掛健太朗

    インフォマティクスと連携したモノづくりと計測技術 

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    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋大学東山キャンパスES総合館ESホール   国名:日本国  

  2. データ科学を駆使した適応的マッピング測定 招待有り

    沓掛健太朗

    日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会 第156回研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:明治大学 駿河台キャンパス グローバルフロント   国名:日本国  

  3. データ科学的手法による効率的なマッピング(3):測定点移動距離の検討

    沓掛健太朗, 菊地亮太, 大野裕, 下山幸治

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国