2021/04/02 更新

写真a

スダ ジュン
須田 淳
SUDA Jun
所属
名古屋大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス工学 教授
職名
教授
外部リンク

学位 1

  1. 博士(工学) ( 1997年3月   京都大学 ) 

研究キーワード 9

  1. 窒化ガリウム

  2. 結晶欠陥

  3. 分子線エピタキシー

  4. エピタキシャル成長

  5. 電子物性

  6. 界面

  7. 点欠陥

  8. パワーデバイス

  9. 窒化アルミニウム

研究分野 3

  1. ナノテク・材料 / 結晶工学

  2. ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

  3. ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

経歴 5

  1. 名古屋大学   未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部   教授

    2018年4月 - 現在

  2. 名古屋大学大学院   工学研究科   教授

    2017年4月 - 現在

      詳細を見る

    国名:日本国

  3. 京都大学大学院   工学研究科   准教授

    2008年4月 - 2017年3月

      詳細を見る

    国名:日本国

  4. 京都大学大学院   工学研究科   講師

    2002年10月 - 2008年3月

      詳細を見る

    国名:日本国

  5. 京都大学大学院   工学研究科   助手

    1997年4月 - 2002年9月

      詳細を見る

    国名:日本国

学歴 3

  1. 京都大学   工学研究科   電子物性工学専攻

    1994年4月 - 1997年3月

      詳細を見る

    国名: 日本国

  2. 京都大学   工学研究科   電子物性工学専攻

    1992年4月 - 1994年3月

      詳細を見る

    国名: 日本国

  3. 京都大学   工学部   電気工学科

    1988年4月 - 1992年3月

      詳細を見る

    国名: 日本国

所属学協会 5

  1. 応用物理学会

  2. IEEE

  3. 電気学会

  4. 電子情報通信学会

  5. 日本結晶成長学会

 

論文 254

  1. Impact Ionization Coefficients in GaN Measured by Above- and Sub-E<inf>g</inf> Illuminations for p<sup>-</sup>/n<sup>+</sup> Junction

    Maeda T.

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM   2019-December 巻   2019年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM  

    DOI: 10.1109/IEDM19573.2019.8993438

    Scopus

  2. Demonstration of Conductivity Modulation in SiC Bipolar Junction Transistors With Reduced Base Spreading Resistance

    Asada Satoshi, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   66 巻 ( 11 ) 頁: 4870 - 4874   2019年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2019.2941884

    Web of Science

    Scopus

  3. Measurement of avalanche multiplication utilizing Franz-Keldysh effect in GaN p-n junction diodes with double-side-depleted shallow bevel termination

    Maeda T.

    Applied Physics Letters   115 巻 ( 14 )   2019年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.5114844

    Scopus

  4. Deep-level transient spectroscopy studies of electron and hole traps in n-type GaN homoepitaxial layers grown by quartz-free hydride-vapor-phase epitaxy

    Kanegae K.

    Applied Physics Letters   115 巻 ( 1 )   2019年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.5098965

    Scopus

  5. Design and Fabrication of GaN p-n Junction Diodes with Negative Beveled-Mesa Termination

    Maeda T.

    IEEE Electron Device Letters   40 巻 ( 6 ) 頁: 941 - 944   2019年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Electron Device Letters  

    DOI: 10.1109/LED.2019.2912395

    Scopus

  6. Estimation of Impact Ionization Coefficient in GaN by Photomulitiplication Measurement Utilizing Franz-Keldysh Effect

    Maeda T.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   2019-May 巻   頁: 59 - 62   2019年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  

    DOI: 10.1109/ISPSD.2019.8757676

    Scopus

  7. Parallel-Plane Breakdown Fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN-on-GaN p-n Junction Diodes with Double-Side-Depleted Shallow Bevel Termination

    Maeda T.

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM   2018-December 巻   頁: 30.1.1 - 30.1.4   2019年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM  

    DOI: 10.1109/IEDM.2018.8614669

    Scopus

  8. Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diodes under high electric field along the 〈1120〉 direction

    Maeda T.

    Japanese Journal of Applied Physics   58 巻 ( 9 )   2019年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab3873

    Scopus

  9. Shockley-Read-Hall lifetime in homoepitaxial p-GaN extracted from recombination current in GaN p-n<sup>+</sup> junction diodes

    Maeda T.

    Japanese Journal of Applied Physics   58 巻 ( SC )   2019年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab07ad

    Scopus

  10. Determination of Surface Recombination Velocity From Current-Voltage Characteristics in SiC p-n Diodes

    Asada Satoshi, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   65 巻 ( 11 ) 頁: 4786 - 4791   2018年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2018.2867545

    Web of Science

    Scopus

  11. Carrier lifetime and breakdown phenomena in SiC power device material

    Kimoto T., Niwa H., Okuda T., Saito E., Zhao Y., Asada S., Suda J.

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 36 )   2018年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Physics D: Applied Physics  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aad26a

    Web of Science

    Scopus

  12. Phonon-assisted optical absorption due to Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diode under high reverse bias voltage

    Maeda T.

    Applied Physics Express   11 巻 ( 9 )   2018年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.11.091302

    Web of Science

    Scopus

  13. Analytical formula for temperature dependence of resistivity in p-type 4H-SiC with wide-range doping concentrations

    Asada Satoshi, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 8 )   2018年8月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.088002

    Web of Science

    Scopus

  14. Accurate method for estimating hole trap concentration in n-type GaN via minority carrier transient spectroscopy

    Kanegae K.

    Applied Physics Express   11 巻 ( 7 )   2018年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.11.071002

    Web of Science

    Scopus

  15. Characterization of carrier concentration and mobility of GaN bulk substrates by Raman scattering and infrared reflectance spectroscopies

    Kanegae K.

    Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 7 )   2018年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.070309

    Web of Science

    Scopus

  16. Impacts of Finger Numbers on ON-State Characteristics in Multifinger SiC BJTs With Low Base Spreading Resistance

    Asada Satoshi, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   65 巻 ( 7 ) 頁: 2771 - 2777   2018年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2018.2834354

    Web of Science

    Scopus

  17. Theoretical analysis of Hall factor and hole mobility in p-type 4H-SiC considering anisotropic valence band structure

    Tanaka H., Asada S., Kimoto T., Suda J.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   123 巻 ( 24 )   2018年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.5025776

    Web of Science

    Scopus

  18. Franz-Keldysh effect in GaN p-n junction diode under high reverse bias voltage

    Maeda T.

    Applied Physics Letters   112 巻 ( 25 )   2018年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.5031215

    Web of Science

    Scopus

  19. A comparative study on electrical characteristics of 1-kV pnp and npn SiC bipolar junction transistors

    Okuda T.

    Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 4 )   2018年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FR04

    Web of Science

    Scopus

  20. Sources of carrier compensation in metalorganic vapor phase epitaxy-grown homoepitaxial n-type GaN layers with various doping concentrations

    Sawada N.

    Applied Physics Express   11 巻 ( 4 )   2018年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.11.041001

    Web of Science

    Scopus

  21. Impacts of energy relaxation process on quasi-ballistic hole transport capability in germanium and silicon nanowires

    Tanaka H., Suda J., Kimoto T.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   123 巻 ( 2 )   2018年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.5010052

    Web of Science

    Scopus

  22. Deep-ultraviolet light emission from 4H-AlN/4H-GaN short-period superlattice grown on 4H-SiC(11(2)over-bar0)

    Kaneko M., Ueta S., Horita M., Kimoto T., Suda J.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   112 巻 ( 1 )   2018年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.5006435

    Web of Science

    Scopus

  23. Effects of parasitic region in SiC bipolar junction transistors on forced current gain

    Asada S.

    Materials Science Forum   924 MSF 巻   頁: 629 - 632   2018年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.629

    Scopus

  24. Theoretical analysis of quasi-ballistic hole transport in Ge and Si nanowires focusing on energy relaxation process

    Tanaka H.

    2017 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2017   2017-January 巻   頁: 35 - 36   2017年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:2017 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2017  

    DOI: 10.23919/SNW.2017.8242284

    Scopus

  25. Carrier Lifetimes in Lightly-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers Enhanced by Post-growth Processes and Surface Passivation

    Okuda T.

    Journal of Electronic Materials   46 巻 ( 11 ) 頁: 6411 - 6417   2017年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Electronic Materials  

    DOI: 10.1007/s11664-017-5677-4

    Scopus

  26. Analysis of quasi-ballistic hole transport capability of Ge and Si nanowire pMOSFETs by a quantum-corrected Boltzmann transport equation

    Tanaka H.

    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD   2017-September 巻   頁: 277 - 280   2017年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD  

    DOI: 10.23919/SISPAD.2017.8085318

    Scopus

  27. Correlation between shapes of Shockley stacking faults and structures of basal plane dislocations in 4H-SiC epilayers

    Iijima A.

    Philosophical Magazine   97 巻 ( 30 ) 頁: 2736 - 2752   2017年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Philosophical Magazine  

    DOI: 10.1080/14786435.2017.1350788

    Scopus

  28. Characterization of lightly-doped n- and p-type homoepitaxial GaN on free-standing substrates

    Horita M.

    IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai     頁: 86 - 87   2017年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  

    DOI: 10.1109/IMFEDK.2017.7998055

    Scopus

  29. Effect of Postoxidation Nitridation on Forward Current-Voltage Characteristics in 4H-SiC Mesa p-n Diodes Passivated With SiO2

    Asada Satoshi, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   64 巻 ( 7 ) 頁: 3016 - 3018   2017年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2017.2700336

    Web of Science

    Scopus

  30. Electrical properties of n- and p-type 4H-SiC formed by ion implantation into high-purity semi-insulating substrates

    Fujihara Hiroaki, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 7 )   2017年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.070306

    Web of Science

    Scopus

  31. Design Criterion for SiC BJTs to Avoid ON-Characteristics Degradation Due to Base Spreading Resistance

    Asada Satoshi, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   64 巻 ( 5 ) 頁: 2086 - 2091   2017年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2017.2684181

    Web of Science

    Scopus

  32. Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode

    Maeda T.

    Applied Physics Express   10 巻 ( 5 )   2017年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.10.051002

    Scopus

  33. Interface properties of NO-annealed 4H-SiC (0001), (11(2)over-bar0), and (1(1)over-bar00) MOS structures with heavily doped p-bodies

    Kobayashi Takuma, Nakazawa Seiya, Okuda Takafumi, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   121 巻 ( 14 )   2017年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.4981127

    Web of Science

    Scopus

  34. Reduction of interface state density in SiC (0001) MOS structures by post-oxidation Ar annealing at high temperature

    Kobayashi Takuma, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    AIP ADVANCES   7 巻 ( 4 )   2017年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Advances  

    DOI: 10.1063/1.4980024

    Web of Science

    Scopus

  35. Ultrahigh-Voltage SiC MPS Diodes With Hybrid Unipolar/Bipolar Operation

    Niwa Hiroki, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   64 巻 ( 3 ) 頁: 874 - 881   2017年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2016.2636573

    Web of Science

    Scopus

  36. Analysis of High-Field Hole Transport in Germanium and Silicon Nanowires Based on Boltzmann's Transport Equation

    Tanaka Hajime, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY   16 巻 ( 1 ) 頁: 118 - 125   2017年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Nanotechnology  

    DOI: 10.1109/TNANO.2016.2635110

    Web of Science

    Scopus

  37. Phonon frequencies of a highly strained AIN layer coherently grown on 6H-SiC (0001)

    Kaneko M., Kimoto T., Suda J.

    AIP ADVANCES   7 巻 ( 1 )   2017年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Advances  

    DOI: 10.1063/1.4974500

    Web of Science

    Scopus

  38. Characterization of lightly-doped n- and p-type homoepitaxial GaN on free-standing substrates

    Horita Masahiro, Suda Jun

    2017 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)     頁: 86-87   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  39. Analysis of quasi-ballistic hole transport capability of Ge and Si nanowire pMOSFETs by a quantum-corrected Boltzmann transport equation

    Tanaka Hajime, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    2017 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD 2017)     頁: 277 - 280   2017年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  40. Insight into phonon scattering in Si nanowires through high-field hole transport: Impacts of boundary condition and comparison with bulk phonon approximation

    Tanaka H., Suda J., Kimoto T.

    33RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS   864 巻 ( 1 )   2017年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Physics: Conference Series  

    DOI: 10.1088/1742-6596/864/1/012046

    Web of Science

    Scopus

  41. Theoretical Analysis of Quasi-ballistic Hole Transport in Ge and Si Nanowires Focusing on Energy Relaxation Process

    Tanaka Hajime, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    2017 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW)     頁: 35 - 36   2017年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  42. Impact of annealing temperature on surface passivation of SiC epitaxial layers with deposited SiO<inf>2</inf> followed by POCl<inf>3</inf> annealing

    Okuda T.

    WiPDA 2016 - 4th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications     頁: 233 - 235   2016年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:WiPDA 2016 - 4th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications  

    DOI: 10.1109/WiPDA.2016.7799944

    Scopus

  43. Control of carbon vacancy in SiC toward ultrahigh-voltage power devices

    Kimoto T., Kawahara K., Zippelius B., Saito E., Suda J.

    SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES   99 巻   頁: 151 - 157   2016年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Superlattices and Microstructures  

    DOI: 10.1016/j.spmi.2016.03.029

    Web of Science

    Scopus

  44. Promise and Challenges of High-Voltage SiC Bipolar Power Devices

    Kimoto Tsunenobu, Yamada Kyosuke, Niwa Hiroki, Suda Jun

    ENERGIES   9 巻 ( 11 )   2016年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Energies  

    DOI: 10.3390/en9110908

    Web of Science

    Scopus

  45. Erratum: Franz-Keldysh effect in n-type GaN Schottky barrier diode under high reverse bias voltage (Appl. Phys. Express (2016) 9 (091002))

    Maeda T.

    Applied Physics Express   9 巻 ( 10 )   2016年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.9.109201

    Scopus

  46. Theoretical analysis of high-field hole transport in germanium and silicon nanowires

    Tanaka H.

    2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2016     頁: 192 - 193   2016年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2016  

    DOI: 10.1109/SNW.2016.7578046

    Scopus

  47. Analysis of ballistic and quasi-ballistic hole transport properties in germanium nanowires based on an extended "Top of the Barrier" model

    Tanaka Hajime, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    SOLID-STATE ELECTRONICS   123 巻   頁: 143 - 149   2016年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Solid-State Electronics  

    DOI: 10.1016/j.sse.2016.04.015

    Web of Science

    Scopus

  48. Franz-Keldysh effect in n-type GaN Schottky barrier diode under high reverse bias voltage

    Maeda T.

    Applied Physics Express   9 巻 ( 9 )   2016年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.9.091002

    Scopus

  49. SiC and GaN from the viewpoint of vertical power devices

    Suda J.

    Device Research Conference - Conference Digest, DRC   2016-August 巻   2016年8月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Device Research Conference - Conference Digest, DRC  

    DOI: 10.1109/DRC.2016.7548292

    Scopus

  50. Characterization of n-type and p-type GaN layers grown on free-standing GaN substrates

    Suda J.

    2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016 - Includes 28th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM and 43rd International Symposium on Compound Semiconductors, ISCS 2016     2016年8月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016 - Includes 28th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM and 43rd International Symposium on Compound Semiconductors, ISCS 2016  

    DOI: 10.1109/ICIPRM.2016.7528835

    Scopus

  51. Ion implantation technology in SiC for high-voltage/high-temperature devices

    Kimoto T.

    2016 16th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2016     頁: 54 - 58   2016年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:2016 16th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2016  

    DOI: 10.1109/IWJT.2016.7486673

    Scopus

  52. Control of carrier lifetime of thick n-type 4H-SiC epilayers by high-temperature Ar annealing

    Saito Eiji, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   9 巻 ( 6 )   2016年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.9.061303

    Web of Science

    Scopus

  53. Hall-effect measurements of metalorganic vapor-phase epitaxy-grown p-type homoepitaxial GaN layers with various Mg concentrations

    Horita M.

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 5 )   2016年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FH03

    Scopus

  54. Strain control in AlN top layer by inserting an ultrathin GaN interlayer on an AlN template coherently grown on SiC(0001) by PAMBE

    Kaneko Mitsuaki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   253 巻 ( 5 ) 頁: 814 - 818   2016年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physica Status Solidi (B) Basic Research  

    DOI: 10.1002/pssb.201552649

    Web of Science

    Scopus

  55. Surface passivation on 4H-SiC epitaxial layers by SiO2 with POCl3 annealing

    Okuda Takafumi, Kobayashi Takuma, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   9 巻 ( 5 )   2016年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.9.051301

    Web of Science

    Scopus

  56. Interface state density of SiO2/p-type 4H-SiC (0001), (11(2)over-bar0), (1(1)over-bar00) metal-oxide-semiconductor structures characterized by low-temperature subthreshold slopes

    Kobayashi Takuma, Nakazawa Seiya, Okuda Takafumi, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   108 巻 ( 15 )   2016年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.4946863

    Web of Science

    Scopus

  57. Modeling of surface roughness scattering in nanowires based on atomistic wave function: Application to hole mobility in rectangular germanium nanowires

    Tanaka Hajime, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    PHYSICAL REVIEW B   93 巻 ( 15 )   2016年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physical Review B  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.93.155303

    Web of Science

    Scopus

  58. Hall scattering factors in p-type 4H-SiC with various doping concentrations

    Asada Satoshi, Okuda Takafumi, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   9 巻 ( 4 )   2016年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.9.041301

    Web of Science

    Scopus

  59. Special issue on wide-bandgap semiconductor power electronics Preface

    Suda Jun

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   31 巻 ( 3 )   2016年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Semiconductor Science and Technology  

    DOI: 10.1088/0268-1242/31/3/030301

    Web of Science

    Scopus

  60. Strong impact of the initial III/V ratio on the crystalline quality of an AlN layer grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy

    Kaneko Mitsuaki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   9 巻 ( 2 )   2016年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.9.025502

    Web of Science

    Scopus

  61. Characterization of N-Type and P-Type GaN Layers Grown on Free-Standing GaN Substrates

    Suda Jun, Horita Masahiro

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)     2016年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  62. ESR study on hydrogen passivation of intrinsic defects in p-type and semi-insulating 4H-SiC

    Murakami K.

    Materials Science Forum   858 巻   頁: 318 - 321   2016年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.318

    Scopus

  63. Impact of Annealing Temperature on Surface Passivation of SiC Epitaxial Layers with Deposited SiO2 Followed by POCl3 Annealing

    Okuda Takafumi, Kobayashi Takuma, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    2016 IEEE 4TH WORKSHOP ON WIDE BANDGAP POWER DEVICES AND APPLICATIONS (WIPDA)     頁: 233 - 235   2016年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  64. SiC and GaN from the Viewpoint of Vertical Power Devices

    Suda Jun

    2016 74TH ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE (DRC)     2016年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  65. Theoretical Analysis of High-field Hole Transport in Germanium and Silicon Nanowires

    Tanaka Hajime, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    2016 IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW)     頁: 192 - 193   2016年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  66. Orientation and size effects on phonon-limited hole mobility in rectangular cross-sectional germanium nanowires

    Tanaka H.

    2014 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2014     2015年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:2014 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2014  

    DOI: 10.1109/SNW.2014.7348616

    Scopus

  67. Oxidation-induced majority and minority carrier traps in n- and p-type 4H-SiC

    Okuda Takafumi, Alfieri Giovanni, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   8 巻 ( 11 )   2015年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.8.111301

    Web of Science

    Scopus

  68. Impact Ionization Coefficients in 4H-SiC Toward Ultrahigh-Voltage Power Devices

    Niwa Hiroki, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   62 巻 ( 10 ) 頁: 3326 - 3333   2015年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2015.2466445

    Web of Science

    Scopus

  69. Impacts of surface roughness scattering on hole mobility in germanium nanowires

    Tanaka H.

    2015 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2015     2015年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:2015 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2015  

    Scopus

  70. Temperature dependence of forward characteristics for ultrahigh-voltage SiC p-i-n diodes with a long carrier lifetime

    Kaji Naoki, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 巻 ( 9 )   2015年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.098004

    Web of Science

    Scopus

  71. Impacts of orientation and cross-sectional shape on hole mobility of Si nanowire MOSFETs

    Fujihara H.

    IMFEDK 2015 - 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai     頁: 106 - 107   2015年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IMFEDK 2015 - 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  

    DOI: 10.1109/IMFEDK.2015.7158572

    Scopus

  72. Temperature dependence of current gain in 4H-SiC bipolar junction transistors

    Asada Satoshi, Okuda Takafumi, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 巻 ( 4 )   2015年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.04DP13

    Web of Science

    Scopus

  73. Progress in ultrahigh-voltage SiC devices for future power infrastructure

    Kimoto T.

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM   2015-February 巻 ( February ) 頁: 2.5.1 - 2.5.4   2015年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM  

    DOI: 10.1109/IEDM.2014.7046967

    Scopus

  74. Interface properties of 4H-SiC (1120) and 1100) MOS structures annealed in NO

    Nakazawa S.

    IEEE Transactions on Electron Devices   62 巻 ( 2 ) 頁: 309 - 315   2015年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2014.2352117

    Scopus

  75. Ultrahigh- Voltage SiC p-i-n Diodes With Improved Forward Characteristics

    Kaji Naoki, Niwa Hiroki, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   62 巻 ( 2 ) 頁: 374 - 381   2015年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2014.2352279

    Web of Science

    Scopus

  76. High-temperature operation of electrostatically-excited single-crystalline 4H-SiC microcantilever resonators

    Sato K.

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 914 - 918   2015年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.914

    Scopus

  77. Influence of conduction-type on thermal oxidation rate in SiC(0001) with various doping densities

    Kobayashi T.

    Materials Science Forum   821-823 巻   頁: 456 - 459   2015年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.456

    Scopus

  78. Impacts of Surface Roughness Scattering on Hole Mobility in Germanium Nanowires

    Tanaka Hajime, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    2015 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW)     2015年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  79. Impacts of Orientation and Cross-sectional Shape on Hole Mobility of Si Nanowire MOSFETs

    Fujihara Hiroaki, Morioka Naoya, Tanaka Hajime, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)     2015年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  80. Geometrical and band-structure effects on phonon-limited hole mobility in rectangular cross-sectional germanium nanowires

    Tanaka H., Mori S., Morioka N., Suda J., Kimoto T.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   116 巻 ( 23 )   2014年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.4904844

    Web of Science

    Scopus

  81. Impact of conduction type and doping density on thermal oxidation rate of SiC(0001)

    Kobayashi Takuma, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   7 巻 ( 12 )   2014年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.7.121301

    Web of Science

    Scopus

  82. Decay curve analyses in carrier lifetime measurements of p- and n-type 4H-SiC epilayers

    Hayashi Toshihiko, Okuda Takafumi, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 11 )   2014年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.111301

    Web of Science

    Scopus

  83. Temperature dependence of optical absorption coefficient of 4H-and 6H-SiC from room temperature to 300 degrees C

    Watanabe Naoki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 10 )   2014年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.108003

    Web of Science

    Scopus

  84. Formation mechanism of threading-dislocation array in AlN layers grown on 6H-SiC (0001) substrates with 3-bilayer-high surface steps

    Okumura Hironori, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS LETTERS   105 巻 ( 7 )   2014年8月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.4892807

    Web of Science

    Scopus

  85. Enhancement of carrier lifetime in lightly Al-doped p-type 4H-SiC epitaxial layers by combination of thermal oxidation and hydrogen annealing

    Okuda T.

    Applied Physics Express   7 巻 ( 8 )   2014年8月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.7.085501

    Scopus

  86. Conduction-type dependence of thermal oxidation rate on SiC(0001)

    Kobayashi T.

    IMFEDK 2014 - 2014 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai     2014年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IMFEDK 2014 - 2014 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  

    DOI: 10.1109/IMFEDK.2014.6867060

    Scopus

  87. Phonon-Limited Electron Mobility in Rectangular Cross-Sectional Ge Nanowires

    Tanaka Hajime, Mori Seigo, Morioka Naoya, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   61 巻 ( 6 ) 頁: 1993 - 1998   2014年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2014.2318896

    Web of Science

    Scopus

  88. Quantitative comparison between Z<inf>1/2</inf> center and carbon vacancy in 4H-SiC

    Kawahara K.

    Journal of Applied Physics   115 巻 ( 14 )   2014年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.4871076

    Scopus

  89. 4H-SiC MISFETs With 4H-AlN Gate Insulator Isopolytypically Grown on 4H-SiC (11(2)over-bar0)

    Horita Masahiro, Noborio Masato, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   35 巻 ( 3 ) 頁: 339 - 341   2014年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Electron Device Letters  

    DOI: 10.1109/LED.2014.2299557

    Web of Science

    Scopus

  90. Effect of ultrathin AIN spacer on electronic properties of GaN/SiC heterojunction bipolar transistors

    Miyake Hiroki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 3 )   2014年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.034101

    Web of Science

    Scopus

  91. Quantum-confinement effects on conduction band structure of rectangular cross-sectional GaAs nanowires

    Tanaka H., Morioka N., Mori S., Suda J., Kimoto T.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   115 巻 ( 5 )   2014年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.4864490

    Web of Science

    Scopus

  92. Identification of dislocations in 4H-SiC epitaxial layers and substrates using photoluminescence imaging

    Kawahara Chihiro, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 2 )   2014年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.020304

    Web of Science

    Scopus

  93. Etching-limiting process and origin of loading effects in silicon etching with hydrogen chloride gas

    Morioka Naoya, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 1 )   2014年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.016502

    Web of Science

    Scopus

  94. Conduction-Type Dependence of Thermal Oxidation Rate on SiC(0001)

    Kobayashi Takuma, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)     2014年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  95. Fabrication of electrostatically actuated 4H-SiC microcantilever resonators by using n/p/n epitaxial structures and doping-selective electrochemical etching

    Sato K.

    Materials Science Forum   778-780 巻   頁: 780 - 783   2014年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.780

    Scopus

  96. Identification of the negative carbon vacancy at quasi-cubic site in 4H-SIC by EPR and theoretical calculations

    Trinh X.T.

    Materials Science Forum   778-780 巻   頁: 285 - 288   2014年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.285

    Scopus

  97. Ion implantation technology in SiC for power device applications

    Kimoto T.

    2014 International Workshop on Junction Technology, IWJT 2014     頁: 1 - 6   2014年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:2014 International Workshop on Junction Technology, IWJT 2014  

    DOI: 10.1109/IWJT.2014.6842018

    Scopus

  98. Ion Implantation Technology in SiC for Power Device Applications

    Kimoto Tsunenobu, Kawahara Koutaro, Niwa Hiroki, Kaji Naoki, Suda Jun

    2014 INTERNATIONAL WORKSHOP ON JUNCTION TECHNOLOGY (IWJT)     頁: 1 - 6   2014年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  99. Orientation and Size Effects on Phonon-limited Hole Mobility in Rectangular Cross-sectional Germanium Nanowires

    Tanaka Hajime, Mori Seigo, Morioka Naoya, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    2014 IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW)     2014年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  100. Negative- U carbon vacancy in 4 H -SiC: Assessment of charge correction schemes and identification of the negative carbon vacancy at the quasicubic site

    Trinh X.T.

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics   88 巻 ( 23 )   2013年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.88.235209

    Scopus

  101. Growth, Electrical Characterization, and Electroluminescence of GaN/SiC Heterojunction Diodes and Bipolar Transistors Fabricated on SiC Off-Axis Substrates

    Miyake Hiroki, Amari Koichi, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 12 )   2013年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.124102

    Web of Science

    Scopus

  102. Improvement of Carrier Lifetimes in Highly Al-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Hydrogen Passivation

    Okuda Takafumi, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   6 巻 ( 12 )   2013年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.6.121301

    Web of Science

    Scopus

  103. Size and geometric effects on conduction band structure of GaAs nanowires

    Tanaka H.

    IMFEDK 2013 - 2013 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai     頁: 118 - 119   2013年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IMFEDK 2013 - 2013 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  

    DOI: 10.1109/IMFEDK.2013.6602267

    Scopus

  104. AlGaN/SiC Heterojunction Bipolar Transistors Featuring AlN/GaN Short-Period Superlattice Emitter

    Miyake Hiroki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   60 巻 ( 9 ) 頁: 2768 - 2775   2013年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2013.2273499

    Web of Science

    Scopus

  105. Coherent Growth of AlN/GaN Short-Period Superlattice with Average GaN Mole Fraction of up to 20% on 6H-SiC(0001) Substrates by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy

    Kaneko Mitsuaki, Kikuchi Ryosuke, Okumura Hironori, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JE21

    Web of Science

    Scopus

  106. Ultrahigh-Voltage SiC PiN Diodes with an Improved Junction Termination Extension Structure and Enhanced Carrier Lifetime

    Kaji Naoki, Niwa Hiroki, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 7 )   2013年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.070204

    Web of Science

    Scopus

  107. Optical Properties of Highly Strained AlN Coherently Grown on 6H-SiC(0001)

    Kaneko Mitsuaki, Okumura Hironori, Ishii Ryota, Funato Mitsuru, Kawakami Yoichi, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   6 巻 ( 6 )   2013年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.6.062604

    Web of Science

    Scopus

  108. Single-crystalline 4H-SiC micro cantilevers with a high quality factor

    Adachi K.

    Sensors and Actuators, A: Physical   197 巻   頁: 122 - 125   2013年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Sensors and Actuators, A: Physical  

    DOI: 10.1016/j.sna.2013.04.014

    Scopus

  109. Deep Levels Generated by Thermal Oxidation in n-Type 4H-SiC

    Kawahara Koutarou, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   6 巻 ( 5 )   2013年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.7567/APEX.6.051301

    Web of Science

    Scopus

  110. Investigation on origin of Z<inf>1/2</inf> center in SiC by deep level transient spectroscopy and electron paramagnetic resonance

    Kawahara K.

    Applied Physics Letters   102 巻 ( 11 )   2013年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.4796141

    Scopus

  111. Effects of Nitridation on 4H-SiC MOSFETs Fabricated on Various Crystal Faces

    Nanen Yuichiro, Kato Muneharu, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   60 巻 ( 3 ) 頁: 1260 - 1262   2013年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2012.2236333

    Web of Science

    Scopus

  112. Orientation and Shape Effects on Ballistic Transport Properties in Gate-All-Around Rectangular Germanium Nanowire nFETs

    Mori Seigo, Morioka Naoya, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   60 巻 ( 3 ) 頁: 944 - 950   2013年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2013.2237779

    Web of Science

    Scopus

  113. Deep levels generated by thermal oxidation in p-type 4H-SiC

    Kawahara Koutarou, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   113 巻 ( 3 )   2013年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.4776240

    Web of Science

    Scopus

  114. Long Photoconductivity Decay Characteristics in p-Type 4H-SiC Bulk Crystals

    Okuda Takafumi, Miyake Hiroki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 1 )   2013年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.010202

    Web of Science

    Scopus

  115. Junction technology in SiC for high-voltage power devices

    Kimoto T.

    Extended Abstracts of the 13th International Workshop on Junction Technology 2013, IWJT 2013     頁: 54 - 57   2013年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Extended Abstracts of the 13th International Workshop on Junction Technology 2013, IWJT 2013  

    DOI: 10.1109/IWJT.2013.6644492

    Scopus

  116. Size and Geometric Effects on Conduction Band Structure of GaAs Nanowires

    Tanaka Hajime, Morioka Naoya, Mori Seigo, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    2013 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK2013)     2013年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  117. 21-kV SiC BJTs With Space-Modulated Junction Termination Extension

    Miyake Hiroki, Okuda Takafumi, Niwa Hiroki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   33 巻 ( 11 ) 頁: 1598 - 1600   2012年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Electron Device Letters  

    DOI: 10.1109/LED.2012.2215004

    Web of Science

    Scopus

  118. Thermo-Optic Coefficients of 4H-SiC, GaN, and AIN for Ultraviolet to Infrared Regions up to 500 degrees C

    Watanabe Naoki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 11 )   2012年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.112101

    Web of Science

    Scopus

  119. Negative-U system of carbon vacancy in 4H-SiC

    Son N.

    Physical Review Letters   109 巻 ( 18 )   2012年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physical Review Letters  

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.109.187603

    Scopus

  120. Orientation and size effects on ballistic electron transport properties in gate-all-around rectangular germanium nanowire FETs

    Mori S.

    2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2012     2012年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2012  

    DOI: 10.1109/SNW.2012.6243360

    Scopus

  121. Breakdown Characteristics of 15-kV-Class 4H-SiC PiN Diodes With Various Junction Termination Structures

    Niwa Hiroki, Feng Gan, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   59 巻 ( 10 ) 頁: 2748 - 2752   2012年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2012.2210044

    Web of Science

    Scopus

  122. Carrier Recombination in n-Type 4H-SiC Epilayers with Long Carrier Lifetimes

    Ichikawa Shuhei, Kawahara Koutarou, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   5 巻 ( 10 )   2012年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.1143/APEX.5.101301

    Web of Science

    Scopus

  123. Over-700-nm Critical Thickness of AlN Grown on 6H-SiC(0001) by Molecular Beam Epitaxy

    Okumura Hironori, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   5 巻 ( 10 )   2012年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.1143/APEX.5.105502

    Web of Science

    Scopus

  124. Enhancement and control of carrier lifetimes in p-type 4H-SiC epilayers

    Hayashi T.

    Journal of Applied Physics   112 巻 ( 6 )   2012年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.4748315

    Scopus

  125. 4H-SiC pn Photodiodes with Temperature-Independent Photoresponse up to 300 degrees C

    Watanabe Naoki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   5 巻 ( 9 )   2012年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.1143/APEX.5.094101

    Web of Science

    Scopus

  126. Breakdown characteristics of 12-20 kV-class 4H-SiC PiN diodes with improved junction termination structures

    Niwa H.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs     頁: 381 - 384   2012年8月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  

    DOI: 10.1109/ISPSD.2012.6229101

    Scopus

  127. Fundamental study on junction termination structures for ultrahigh-voltage SiC PiN diodes

    Niwa H.

    IMFEDK 2012 - 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai     頁: 56 - 57   2012年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IMFEDK 2012 - 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  

    DOI: 10.1109/IMFEDK.2012.6218579

    Scopus

  128. 21.7 kV 4H-SiC PiN Diode with a Space-Modulated Junction Termination Extension

    Niwa Hiroki, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   5 巻 ( 6 )   2012年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.1143/APEX.5.064001

    Web of Science

    Scopus

  129. Lattice mismatch and crystallographic tilt induced by high-dose ion-implantation into 4H-SiC

    Sasaki S., Suda J., Kimoto T.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   111 巻 ( 10 )   2012年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.4720435

    Web of Science

    Scopus

  130. AlN/GaN Short-Period Superlattice Coherently Grown on 6H-SiC(0001) Substrates by Molecular Beam Epitaxy

    Kikuchi Ryosuke, Okumura Hironori, Kaneko Mitsuaki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   5 巻 ( 5 )   2012年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.1143/APEX.5.051002

    Web of Science

    Scopus

  131. Current Transport Characteristics of Quasi-AlxGa1-xN/SiC Heterojunction Bipolar Transistors with Various Band Discontinuities

    Okuda Takafumi, Miyake Hiroki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 4 )   2012年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.04DP09

    Web of Science

    Scopus

  132. Analytical model for reduction of deep levels in SiC by thermal oxidation

    Kawahara Koutarou, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   111 巻 ( 5 )   2012年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.3692766

    Web of Science

    Scopus

  133. High temperature annealing of n-type 4H-SiC: Impact on intrinsic defects and carrier lifetime

    Zippelius Bernd, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   111 巻 ( 3 )   2012年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.3681806

    Web of Science

    Scopus

  134. Growth of Nitrogen-Polar 2H-AlN on Step-Height-Controlled 6H-SiC(000(1)over-bar) Substrate by Molecular-Beam Epitaxy

    Okumura Hironori, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 巻 ( 2 )   2012年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.02BH02

    Web of Science

    Scopus

  135. Space-modulated junction termination extension for ultrahigh-voltage p-i-n diodes in 4H-SiC

    Feng G.

    IEEE Transactions on Electron Devices   59 巻 ( 2 ) 頁: 414 - 418   2012年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2011.2175486

    Scopus

  136. Breakdown Characteristics of 12-20 kV-class 4H-SiC PiN Diodes with Improved Junction Termination Structures

    Niwa Hiroki, Feng Gan, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    2012 24TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD)     頁: 381 - 384   2012年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  137. Defect Electronics in SiC and Fabrication of Ultrahigh-Voltage Bipolar Devices

    Kimoto T., Suda J., Feng G., Miyake H., Kawahara K., Niwa H., Okuda T., Ichikawa S., Nishi Y.

    GALLIUM NITRIDE AND SILICON CARBIDE POWER TECHNOLOGIES 2   50 巻 ( 3 ) 頁: 25 - 35   2012年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ECS Transactions  

    DOI: 10.1149/05003.0025ecst

    Web of Science

    Scopus

  138. Experimental Study on Various Junction Termination Structures Applied to 15 kV 4H-SiC PiN Diodes

    Niwa Hiroki, Feng Gan, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2   717-720 巻   頁: 973 - 976   2012年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.973

    Web of Science

    Scopus

  139. Enhanced Current Gain (> 250) in 4H-SiC Bipolar Junction Transistors by A Deep-Level-Reduction Process

    Miyake Hiroki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2   717-720 巻   頁: 1117 - 1122   2012年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.1117

    Web of Science

    Scopus

  140. Elimination of Deep Levels in Thick SiC Epilayers by Thermal Oxidation and Proposal of the Analytical Model

    Kawahara Koutarou, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2   717-720 巻   頁: 241 - 246   2012年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.241

    Web of Science

    Scopus

  141. Doping-Induced Lattice Mismatch and Misorientation in 4H-SiC Crystals

    Sasaki S., Suda J., Kimoto T.

    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2   717-720 巻   頁: 481 - 484   2012年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.481

    Web of Science

    Scopus

  142. On the Formation of Intrinsic Defects in 4H-SiC by High Temperature Annealing Steps

    Zippelius B., Suda J., Kimoto T.

    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2   717-720 巻   頁: 247 - 250   2012年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.247

    Web of Science

    Scopus

  143. 4H-SiC bipolar junction transistors with record current gains of 257 on (0001) and 335 on (000-1)

    Miyake H.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs     頁: 292 - 295   2011年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  

    DOI: 10.1109/ISPSD.2011.5890848

    Scopus

  144. Epitaxial growth and defect control of SiC for high-voltage power devices

    Kimoto T.

    Journal of the Vacuum Society of Japan   54 巻 ( 6 ) 頁: 362 - 368   2011年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of the Vacuum Society of Japan  

    DOI: 10.3131/jvsj2.54.362

    Scopus

  145. Reliability of nitrided gate oxides for N- and P-type 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor devices

    Noborio M.

    Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 9 PART 1 )   2011年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.090201

    Scopus

  146. Nonradiative recombination at threading dislocations in 4H-SiC epilayers studied by micro-photoluminescence mapping

    Feng Gan, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   110 巻 ( 3 )   2011年8月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.3622336

    Web of Science

    Scopus

  147. 4H-SiC BJTs With Record Current Gains of 257 on (0001) and 335 on (0001)

    Miyake Hiroki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   32 巻 ( 7 ) 頁: 841 - 843   2011年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Electron Device Letters  

    DOI: 10.1109/LED.2011.2142291

    Web of Science

    Scopus

  148. Anomalously low Ga incorporation in high Al-content AlGaN grown on (11(2)over-bar0) non-polar plane by molecular beam epitaxy

    Ueta Shunsaku, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   208 巻 ( 7 ) 頁: 1498 - 1500   2011年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science  

    DOI: 10.1002/pssa.201001033

    Web of Science

    Scopus

  149. Impacts of reduction of deep levels and surface passivation on carrier lifetimes in p-type 4H-SiC epilayers

    Hayashi T.

    Journal of Applied Physics   109 巻 ( 11 )   2011年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.3583657

    Scopus

  150. Lifetime-Killing Defects in 4H-SiC Epilayers and Lifetime Control by Low-Energy Electron Irradiation

    Kimoto T.

    Silicon Carbide   1 巻   頁: 267 - 286   2011年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Silicon Carbide  

    DOI: 10.1002/9783527629053.ch10

    Scopus

  151. 4H-SiC MISFETs with Nitrogen-Containing Insulators

    Noborio M.

    Silicon Carbide   2 巻   頁: 235 - 265   2011年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Silicon Carbide  

    DOI: 10.1002/9783527629077.ch10

    Scopus

  152. Bandgap shift by quantum confinement effect in < 100 > Si-nanowires derived from threshold-voltage shift of fabricated metal-oxide-semiconductor field effect transistors and theoretical calculations

    Yoshioka Hironori, Morioka Naoya, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   109 巻 ( 6 )   2011年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.3559265

    Web of Science

    Scopus

  153. Quantum-confinement effect on holes in silicon nanowires: Relationship between wave function and band structure

    Morioka Naoya, Yoshioka Hironori, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   109 巻 ( 6 )   2011年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.3552593

    Web of Science

    Scopus

  154. Improvement of Current Gain in 4H-SiC BJTs by Surface Passivation With Deposited Oxides Nitrided in N2O or NO

    Miyake Hiroki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   32 巻 ( 3 ) 頁: 285 - 287   2011年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Electron Device Letters  

    DOI: 10.1109/LED.2010.2101575

    Web of Science

    Scopus

  155. Origin of Etch Hillocks Formed on On-Axis SiC(000(1)over-bar) Surfaces by Molten KOH Etching

    Suda Jun, Shoji Haruki, Kimoto Tsunenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 3 )   2011年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.038002

    Web of Science

    Scopus

  156. Reduction of Threading Dislocation Density in 2H-AlN Grown on 6H-SiC(0001) by Minimizing Unintentional Active-Nitrogen Exposure before Growth

    Okumura Hironori, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 巻 ( 2 )   2011年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.1143/APEX.4.025502

    Web of Science

    Scopus

  157. Temperature and injection level dependencies and impact of thermal oxidation on carrier lifetimes in p-type and n-type 4H-SiC epilayers

    Hayashi T.

    Journal of Applied Physics   109 巻 ( 1 )   2011年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.3524266

    Scopus

  158. 4H-SiC Bipolar Junction Transistors with Record Current Gains of 257 on (0001) and 335 on (000-1)

    Miyake Hiroki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    2011 IEEE 23RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD)     頁: 292 - 295   2011年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  159. Fabrication of Electrostatic-actuated Single-crystalline 4H-SiC Bridge Structures by Photoelectrochemical Etching

    Watanabe Naoki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    MICROMACHINING AND MICROFABRICATION PROCESS TECHNOLOGY XVI   7926 巻   2011年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering  

    DOI: 10.1117/12.874543

    Web of Science

    Scopus

  160. Thermo-optic Coefficients of SiC, GaN, and AlN up to 512 degrees C from Infrared to Ultraviolet Region for Tunable Filter Applications

    Watanabe Naoki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    MICROMACHINING AND MICROFABRICATION PROCESS TECHNOLOGY XVI   7926 巻   2011年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering  

    DOI: 10.1117/12.874531

    Web of Science

    Scopus

  161. Tight-binding study of size and geometric effects on hole effective mass of silicon nanowires

    Moriokaa N.

    2010 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2010     2010年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:2010 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2010  

    DOI: 10.1109/SNW.2010.5562567

    Scopus

  162. Impacts of recombination at the surface and in the substrate on carrier lifetimes of n-type 4H-SiC epilayers

    Kimoto Tsunenobu, Hiyoshi Toru, Hayashi Toshihiko, Suda Jun

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   108 巻 ( 8 )   2010年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.3498818

    Web of Science

    Scopus

  163. Accurate measurement of quadratic nonlinear-optical coefficients of gallium nitride

    Abe M.

    Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics   27 巻 ( 10 ) 頁: 2026 - 2034   2010年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics  

    DOI: 10.1364/JOSAB.27.002026

    Scopus

  164. Nearly ideal current-voltage characteristics of schottky barrier diodes formed on hydride-vapor-phase-epitaxy-grown GaN free-standing substrates

    Suda J.

    Applied Physics Express   3 巻 ( 10 )   2010年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.1143/APEX.3.101003

    Scopus

  165. Demonstration of Common-Emitter Operation in AlGaN/SiC Heterojunction Bipolar Transistors

    Miyake Hiroki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   31 巻 ( 9 ) 頁: 942 - 944   2010年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Electron Device Letters  

    DOI: 10.1109/LED.2010.2052012

    Web of Science

    Scopus

  166. Reduction of deep levels generated by ion implantation into n-and p-type 4H-SiC

    Kawahara K.

    Journal of Applied Physics   108 巻 ( 3 )   2010年8月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.3456159

    Scopus

  167. Sources of Epitaxial Growth-Induced Stacking Faults in 4H-SiC

    Feng Gan, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS   39 巻 ( 8 ) 頁: 1166 - 1169   2010年8月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Electronic Materials  

    DOI: 10.1007/s11664-010-1192-6

    Web of Science

    Scopus

  168. Deep levels induced by reactive ion etching in n- and p-type 4H-SiC

    Kawahara K.

    Journal of Applied Physics   108 巻 ( 2 )   2010年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.3460636

    Scopus

  169. Electrical characterization and reliability of nitrided-gate insulators for N- and P-Type 4H-SiC MIS devices

    Noborio M.

    Materials Science Forum   645-648 巻   頁: 825 - 828   2010年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.825

    Scopus

  170. Enhancement of initial layer-by-layer growth and reduction of threading dislocation density by optimized Ga pre-irradiation in molecular-beam epitaxy of 2H-AlN on 6H-SiC (0001)

    Okumura Hironori, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 7-8   7 巻 ( 7-8 ) 頁: 2094 - 2096   2010年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics  

    DOI: 10.1002/pssc.200983579

    Web of Science

    Scopus

  171. Enhancement of Carrier Lifetimes in n-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Improved Surface Passivation

    Kimoto Tsunenobu, Nanen Yuichiro, Hayashi Toshihiko, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   3 巻 ( 12 )   2010年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.1143/APEX.3.121201

    Web of Science

    Scopus

  172. Influence of Effective Fixed Charges on Short-Channel Effects in SiC Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

    Noborio Masato, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 巻 ( 2 )   2010年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1143/JJAP.49.024204

    Web of Science

    Scopus

  173. Nonpolar 4H-Polytype AlN/AlGaN Multiple Quantum Well Structure Grown on 4H-SiCd(1(1)over-bar00)

    Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   3 巻 ( 5 )   2010年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.1143/APEX.3.051001

    Web of Science

    Scopus

  174. Nondestructive Visualization of Individual Dislocations in 4H-SiC Epilayers by Micro Photoluminescence Mapping

    Feng Gan, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 巻 ( 9 )   2010年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1143/JJAP.49.090201

    Web of Science

    Scopus

  175. Non-destructive detection and visualization of extended defects in 4H-SiC epilayers

    Feng Gan, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    B - SILICON CARBIDE 2010-MATERIALS, PROCESSING AND DEVICES   1246 巻   頁: 37 - 42   2010年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Research Society Symposium Proceedings  

    DOI: 10.1557/PROC-1246-B03-02

    Web of Science

    Scopus

  176. Lifetime-killing defects in 4H-SiC epilayers and lifetime control by low-energy electron irradiation

    Kimoto Tsunenobu, Danno Katsunori, Suda Jun

    SILICON CARBIDE, VOL 1: GROWTH, DEFECTS, AND NOVEL APPLICATIONS     頁: 267 - 286   2010年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  177. Temperature and injection level dependencies of carrier lifetimes in p-type and n-type 4H-SiC epilayers

    Hayashi T.

    Materials Science Forum   645-648 巻   頁: 199 - 202   2010年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.199

    Scopus

  178. Characterization of major in-grown stacking faults in 4H-SiC epilayers

    Feng Gan, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER   404 巻 ( 23-24 ) 頁: 4745 - 4748   2009年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physica B: Condensed Matter  

    DOI: 10.1016/j.physb.2009.08.189

    Web of Science

    Scopus

  179. Demonstration of SiC heterojunction bipolar transistors with AlN/GaN short-period superlattice widegap emitter

    Miyake H.

    Device Research Conference - Conference Digest, DRC     頁: 281 - 282   2009年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Device Research Conference - Conference Digest, DRC  

    DOI: 10.1109/DRC.2009.5354933

    Scopus

  180. In situ gravimetric monitoring of thermal decomposition and hydrogen etching rates of 6H-SiC(0001) Si face

    Akiyama K.

    Japanese Journal of Applied Physics   48 巻 ( 9 Part 1 ) 頁: 0955051 - 0955054   2009年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1143/JJAP.48.095505

    Scopus

  181. Electrostatic-Actuated Suspended Ribbon Structure Fabricated in Single-Crystalline SiC by Selective Photoelectrochemical Etching

    Suda Jun, Watanabe Naoki, Fukunaga Katsuhiko, Kimoto Tsunenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 巻 ( 11 )   2009年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1143/JJAP.48.111101

    Web of Science

    Scopus

  182. Enhanced Drain Current of 4H-SiC MOSFETs by Adopting a Three-Dimensional Gate Structure

    Nanen Yuichiro, Yoshioka Hironori, Noborio Masato, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   56 巻 ( 11 ) 頁: 2632 - 2637   2009年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2009.2030437

    Web of Science

    Scopus

  183. Accurate Measurements of second-order nonlinear optical coefficients of 6H and 4H silicon carbide

    Sato H.

    Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics   26 巻 ( 10 ) 頁: 1892 - 1896   2009年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics  

    DOI: 10.1364/JOSAB.26.001892

    Scopus

  184. 4H-SiC MISFETs with nitrogen-containing insulators

    Noborio M.

    Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science   206 巻 ( 10 ) 頁: 2374 - 2390   2009年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science  

    DOI: 10.1002/pssa.200925247

    Scopus

  185. A New Class of Step-and-Terrace Structure Observed on 4H-SiC(0001) after High-Temperature Gas Etching

    Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   2 巻 ( 10 )   2009年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.1143/APEX.2.101603

    Web of Science

    Scopus

  186. Anomalously Large Difference in Ga Incorporation for AlGaN Grown on the (11(2)over-bar0) and (1(1)over-bar00) Planes under Group-III-Rich Conditions

    Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   2 巻 ( 9 )   2009年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    DOI: 10.1143/APEX.2.091003

    Web of Science

    Scopus

  187. P-Channel MOSFETs on 4H-SiC {0001} and Nonbasal Faces Fabricated by Oxide Deposition and N2O Annealing

    Noborio Masato, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   56 巻 ( 9 ) 頁: 1953 - 1958   2009年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Transactions on Electron Devices  

    DOI: 10.1109/TED.2009.2025909

    Web of Science

    Scopus

  188. Mobility oscillation by one-dimensional quantum confinement in Si-nanowire metal-oxide-semiconductor field effect transistors

    Yoshioka Hironori, Morioka Naoya, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   106 巻 ( 3 )   2009年8月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.3187803

    Web of Science

    Scopus

  189. 1580-V-40-m Omega . cm(2) Double-RESURF MOSFETs on 4H-SiC (000(1)over-bar)

    Noborio Masato, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   30 巻 ( 8 ) 頁: 831 - 833   2009年8月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Electron Device Letters  

    DOI: 10.1109/LED.2009.2023540

    Web of Science

    Scopus

  190. Temperature and doping dependencies of electrical properties in Al-doped 4H-SiC epitaxial layers

    Koizumi Atsushi, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   106 巻 ( 1 )   2009年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.3158565

    Web of Science

    Scopus

  191. Observation of novel defect structure in 2H-AlN grown on 6H-SiC(0001) substrates with 3-bilayer-height step-and-terrace structures

    Okumura Hironori, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   206 巻 ( 6 ) 頁: 1187 - 1189   2009年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science  

    DOI: 10.1002/pssa.200880934

    Web of Science

    Scopus

  192. Triple Shockley type stacking faults in 4H-SiC epilayers

    Feng Gan, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   94 巻 ( 9 )   2009年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.3095508

    Web of Science

    Scopus

  193. Systematic Investigation of c-Axis Tilt in GaN and AlGaN Grown on Vicinal SiC(0001) Substrates

    Suda Jun, Miyake Hiroki, Amari Koichi, Nakano Yuki, Kimoto Tsunenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 巻 ( 2 )   2009年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1143/JJAP.48.020202

    Web of Science

    Scopus

  194. 5 kV lateral double RESURF MOSFETs on 4H-SiC (000-1)C face

    Noborio M.

    Materials Science Forum   615 617 巻   頁: 757 - 760   2009年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.757

    Scopus

  195. Bevel mesa combined with implanted junction termination structure for 10 kV SiC PiN diodes

    Hiyoshi T.

    Materials Science Forum   600-603 巻   頁: 995 - 998   2009年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/3-908453-11-9.995

    Scopus

  196. Accurate measurements of second-order nonlinear-optical coefficients of silicon carbide

    Sato H.

    Materials Science Forum   615 617 巻   頁: 315 - 318   2009年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.315

    Scopus

  197. Determination of the thermo-optic coefficients of GaN and AlN up to 515 degrees C

    Watanabe Naoki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2   6 巻 ( SUPPL. 2 ) 頁: S776 - S779   2009年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics  

    DOI: 10.1002/pssc.200880937

    Web of Science

    Scopus

  198. Enhanced channel mobility in 4H-SiC MISFETs by utilizing deposited SiN/SiO<inf>2</inf> stack gate structures

    Noborio M.

    Materials Science Forum   600-603 巻   頁: 679 - 682   2009年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/3-908453-11-9.679

    Scopus

  199. High channel mobility in P-channel MOSFETs fabricated on 4H-SiC (0001) and non-basal faces

    Noborio M.

    Materials Science Forum   615 617 巻   頁: 789 - 792   2009年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.789

    Scopus

  200. Improved on-current of 4H-SiC MOSFETs with a three-dimensional gate structure

    Nanen Y.

    Materials Science Forum   615 617 巻   頁: 753 - 756   2009年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.753

    Scopus

  201. Improved current gain in GaN/SiC Heterojunction Bipolar Transistors by insertion of ultra-thin AlN layer at emitter-junction

    Miyake H.

    Materials Science Forum   615 617 巻   頁: 979 - 982   2009年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.979

    Scopus

  202. Spatial profiling of planar defects in 4H-SiC epilayers using micro-photoluminescence mapping

    Feng G.

    Materials Science Forum   615 617 巻   頁: 245 - 250   2009年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Materials Science Forum  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.245

    Scopus

  203. The temperature dependence of the refractive indices of GaN and AlN from room temperature up to 515 degrees C

    Watanabe Naoki, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   104 巻 ( 10 )   2008年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1063/1.3021148

    Web of Science

    Scopus

  204. N2O-grown oxides/4H-SiC (0001), (0338), and (1120) interface properties characterized by using p-type gate-controlled diodes

    Noborio Masato, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   93 巻 ( 19 )   2008年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    DOI: 10.1063/1.3028016

    Web of Science

    Scopus

  205. Surface Morphologies of 4H-SiC(11(2)over-bar0) and (1(1)over-bar00) Treated by High-Temperature Gas Etching

    Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 巻 ( 11 ) 頁: 8388 - 8390   2008年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    DOI: 10.1143/JJAP.47.8388

    Web of Science

    Scopus

  206. Improved Performance of 4H-SiC Double Reduced Surface Field Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors by Increasing RESURF Doses

    Noborio Masato, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   1 巻 ( 10 )   2008年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.1.101403

    Web of Science

  207. Improvement of Channel Mobility in Inversion-Type n-Channel GaN Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor by High-Temperature Annealing

    Yamaji Kazuki, Noborio Masato, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 巻 ( 10 ) 頁: 7784 - 7787   2008年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.47.7784

    Web of Science

  208. Impact of surface step heights of 6H-SiC (0001) vicinal substrates in heteroepitaxial growth of 2H-AlN

    Okumura H., Horita M., Kimoto T., Suda J.

    APPLIED SURFACE SCIENCE   254 巻 ( 23 ) 頁: 7858 - 7860   2008年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.02.165

    Web of Science

  209. Nonpolar 4H-AlN grown on 4H-SiC (1(1)over-bar00) with reduced stacking fault density realized by persistent layer-by-layer growth

    Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    APPLIED PHYSICS LETTERS   93 巻 ( 8 )   2008年8月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2976559

    Web of Science

  210. 4H-SiC MIS capacitors and MISFETs with deposited SiNx/SiO2 stack-gate structures

    Noborio Masato, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   55 巻 ( 8 ) 頁: 2054 - 2060   2008年8月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TED.2008.926644

    Web of Science

  211. Hydrogen implantation and annealing-induced exfoliation process in SiC wafers with various crystal orientations

    Senga Kei, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 巻 ( 7 ) 頁: 5352 - 5354   2008年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.47.5352

    Web of Science

  212. Lifetime-killing defects in 4H-SiC epilayers and lifetime control by low-energy electron irradiation

    Kimoto Tsunenobu, Danno Katsunori, Suda Jun

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   245 巻 ( 7 ) 頁: 1327 - 1336   2008年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.200844076

    Web of Science

  213. Characterization of stacking faults in 4H-SiC epilayers by room-temperature microphotoluminescence mapping

    Feng Gan, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   92 巻 ( 22 )   2008年6月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2937097

    Web of Science

  214. 4H-SiC double RESURF MOSFETs with a record performance by increasing RESURF dose

    Noborio Masato, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    ISPSD 08: PROCEEDINGS OF THE 20TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES & ICS     頁: 263 - 266   2008年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  215. Temperature dependence of electrical properties of NiO thin films for Resistive Random Access Memory

    Suzuki Ryota, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    MATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY FOR NONVOLATILE MEMORIES   1071 巻   頁: 69 - 74   2008年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  216. 4H-SiC lateral double RESURF MOSFETs with low ON resistance

    Noborio Masato, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   54 巻 ( 5 ) 頁: 1216 - 1223   2007年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TED.2007.894249

    Web of Science

  217. High-quality nonpolar 4H-AlN grown on 4H-SiC (11(2)over-bar20) substrate by molecular-beam epitaxy

    Horita Masahiro, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   89 巻 ( 11 )   2006年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2352713

    Web of Science

  218. Characterization of ZrB2(0001) surface prepared by ex situ HF solution treatment toward applications as a substrate for GaN growth

    Armitage R, Suda J, Kimoto T

    SURFACE SCIENCE   600 巻 ( 7 ) 頁: 1439 - 1449   2006年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.susc.2006.01.032

    Web of Science

  219. Epitaxy of nonpolar AlN on 4H-SiC (1-100) substrates

    Armitage R, Suda J, Kimoto T

    APPLIED PHYSICS LETTERS   88 巻 ( 1 )   2006年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2161809

    Web of Science

  220. Anisotropic etching of single crystalline SiC using molten KOH for SiC bulk micromachining

    Fukunaga Katsuhiko, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

    MICROMACHINING AND MICROFABRICATION PROCESS TECHNOLOGY XI   6109 巻   2006年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1117/12.647116

    Web of Science

  221. 1330 V, 67 m Omega center dot cm(2) 4H-SiC(0001) RESURF MOSFET

    Kimoto T, Kawano H, Suda J

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   26 巻 ( 9 ) 頁: 649 - 651   2005年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/LED.2005.854371

    Web of Science

  222. Experimental and theoretical investigations on short-channel effects in 4H-SiC MOSFETs

    Noborio M, Kanzaki Y, Suda J, Kimoto T

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   52 巻 ( 9 ) 頁: 1954 - 1962   2005年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TED.2005.854269

    Web of Science

  223. Design and Fabrication of RESURF MOSFETs on 4H-SiC(0001), (1120), and 6H-SiC(0001)

    Kimoto T, Kosugi H, Suda J, Kanzaki Y, Matsunami H

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   52 巻 ( 1 ) 頁: 112 - 117   2005年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TED.2004.841358

    Web of Science

  224. 1200 V-class 4H-SiC RIESURF MOSFETs with low on-resistances

    Kimoto T, Kawano H, Suda J

    PROCEEDINGS OF THE 17TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES & ICS     頁: 279 - 282   2005年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  225. Molecular beam epitaxy of GaN on lattice-matched ZrB2 substrates using low-temperature GaN and AlN nucleation layers

    Armitage R, Nishizono K, Suda J, Kimoto T

    GaN, AIN, InN and Their Alloys   831 巻   頁: 477 - 482   2005年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  226. Short-Channel Effects in 4H-SiC MOSFETs

    Noborio M, Kanzaki Y, Suda J, Kimoto T, Matsunami H

    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004   483 巻   頁: 821 - 824   2005年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  227. Molecular-beam epitaxy of III-N on novel ZrB2 substrates

    Suda J

    PHYSICS AND SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES XII   5349 巻   頁: 397 - 407   2004年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  228. Fabrication of SiC lateral super junction diodes with multiple stacking p- and n-layers

    Miura M, Nakamura S, Suda J, Kimoto T, Matsunami H

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   24 巻 ( 5 ) 頁: 321 - 323   2003年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/LED.2003.812561

    Web of Science

  229. Epitaxial growth of AlN on 6H-SiC (11(2)over-bar0) by molecular-beam epitaxy and effect of low-temperature buffer layer

    Onojima N, Suda J, Matsunami H

    GAN AND RELATED ALLOYS-2002   743 巻   頁: 139 - 144   2003年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  230. Growth of high-quality non-polar AlN on 4H-SiC(11-20) substrate by molecular-beam epitaxy

    Onojima N, Suda J, Kimoto T, Matsunami H

    5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS   0 巻 ( 7 ) 頁: 2502 - 2505   2003年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.200303396

    Web of Science

  231. Impact of SiC surface control on initial growth mode and crystalline quality of AlN grown by molecular-beam epitaxy

    Onojima N, Suda J, Kimoto T, Matsunami H

    5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS   0 巻 ( 7 ) 頁: 2529 - 2532   2003年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.200303358

    Web of Science

  232. Lattice relaxation of AlN buffer on surface-treated SiC in molecular-beam epitaxy for growth of high-quality GaN

    Suda J, Miura K, Honaga M, Onojima N, Nishi Y, Matsunami H

    GAN AND RELATED ALLOYS-2002   743 巻   頁: 311 - 316   2003年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  233. Surface control of ZrB2 (0001) substrate for molecular-beam epitaxy of GaN

    Suda J, Yamashita H, Armitage R, Kimoto T, Matsunami H

    GAN AND RELATED ALLOYS - 2003   798 巻   頁: 369 - 374   2003年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  234. Effects of 6H-SiC surface reconstruction on lattice relaxation of AlN buffer layers in molecular-beam epitaxial growth of GaN

    Suda J, Miura K, Honaga M, Nishi Y, Onojima N, Matsunami H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   81 巻 ( 27 ) 頁: 5141 - 5143   2002年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1533855

    Web of Science

  235. Growth of AlN (11(2)over-bar0) on 6H-SiC (11(2)over-bar0) by molecular-beam epitaxy

    Onojima N, Suda J, Matsunami H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   41 巻 ( 12A ) 頁: L1348 - L1350   2002年12月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.41.L1348

    Web of Science

  236. Heteroepitaxial growth of group-III nitrides on lattice-matched metal boride ZrB2 (0001) by molecular beam epitaxy

    Suda J, Matsunami H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   237 巻   頁: 1114 - 1117   2002年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  237. Lattice relaxation process of AlN growth on atomically flat 6H-SiC substrate in molecular beam epitaxy

    Onojima N, Suda J, Matsunami H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   237 巻   頁: 1012 - 1016   2002年4月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  238. Scanning capacitance and spreading resistance microscopy of SiC multiple-pn-junction structure

    Suda J, Nakamura S, Miura M, Kimoto T, Matsunami H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   41 巻 ( 1AB ) 頁: L40 - L42   2002年1月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.41.L40

    Web of Science

  239. Scanning capacitance microscopy of SiC multiple PN junction structure grown by cold-wall chemical vapor deposition

    Suda J, Nakamura S, Miura M, Kimoto T, Matsunami H

    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS   389-3 巻   頁: 659 - 662   2002年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  240. Selective area growth of cubic GaN on 3C-SiC (001) by metalorganic molecular beam epitaxy

    Suda J, Kurobe T, Nakamura S, Matsunami H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   39 巻 ( 11A ) 頁: L1081 - L1083   2000年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  241. GaP/Si heterojunction with ohmic conduction fabricated by wafer fusion technique

    Soeno A, Kajita D, Suda J, Matsunami H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   39 巻 ( 9AB ) 頁: L905 - L907   2000年9月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  242. Preferential growth mode of cubic GaN by metalorganic molecular beam epitaxy on sapphire (0001) substrates

    Suda J, Kurobe T, Masuda T, Matsunami H

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   176 巻 ( 1 ) 頁: 503 - 507   1999年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  243. Growth evolution of cubic-GaN on sapphire (0001) substrate by metalorganic molecular beam epitaxy

    Suda J, Kurobe T, Matsunami H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   201 巻   頁: 437 - 440   1999年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  244. Preferential growth of cubic GaN on sapphire (0001) substrates by metal organic molecular beam epitaxy

    Kurobe T, Sekiguchi Y, Suda J, Yoshimoto M, Matsunami H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   73 巻 ( 16 ) 頁: 2305 - 2307   1998年10月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  245. Optical properties of light-hole excitons in ZnSSe/ZnMgSSe tensile-strained quantum wells

    Suda J, Ogawa M, Sakurai K, Kawakami Y, Fujita S, Fujita S

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   184 巻   頁: 863 - 866   1998年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  246. Hydrogen sulfide treatment of GaAs substrate and its effects on initial stage of ZnSe growth

    Suda J, Tokutome R, Kawakami Y, Fujita S, Fujita S

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   175 巻   頁: 593 - 597   1997年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  247. Surface reconstruction and morphology of hydrogen sulfide treated GaAs (001) substrate

    Suda J, Kawakami Y, Fujita S, Fujita S

    CONTROL OF SEMICONDUCTOR SURFACES AND INTERFACES   448 巻   頁: 15 - 20   1997年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  248. (2x6) surface reconstruction of GaAs (001) obtained by hydrogen sulfide irradiation

    Suda J, Kawakami Y, Fujita S, Fujita S

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   35 巻 ( 11B ) 頁: L1498 - L1500   1996年11月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  249. Growth of p-type ZnSe by metalorganic molecular beam epitaxy using metal Zn and dimethylselenide

    Suda J, Tsuka M, Honda D, Funato M, Kawakami Y, Fujita S, Fujita S

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS   25 巻 ( 2 ) 頁: 223 - 227   1996年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  250. The role of defects on radiative transitions in nitrogen doped ZnSe

    Hauksson IS, Suda J, Tsuka M, Kawakami Y, Fujita S, Fujita S

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   159 巻 ( 1-4 ) 頁: 329 - 333   1996年2月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  251. GROWTH OF ZNSE/ZNMGSSE QUANTUM-WELL STRUCTURES BY METALORGANIC MOLECULAR-BEAM EPITAXY UNDER IN-SITU OBSERVATION OF REFLECTION HIGH-ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION INTENSITY OSCILLATION

    SUDA J, KAWAKAMI Y, FUJITA S, FUJITA S

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   150 巻 ( 1-4 ) 頁: 738 - 742   1995年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  252. OPTICAL-PROPERTIES OF ZNSE/ZNMGSSE SINGLE QUANTUM-WELLS GROWN BY METALORGANIC MOLECULAR-BEAM EPITAXY

    SUDA J, KAWAKAMI Y, FUJITA S, FUJITA S

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   33 巻 ( 7B ) 頁: L986 - L989   1994年7月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  253. GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH OF (ZN,MG)(S,SE) USING BIS-METHYLCYCLOPENTADIENYL-MAGNESIUM AND HYDROGEN-SULFIDE

    SUDA J, KAWAKAMI Y, FUJITA S, FUJITA S

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   33 巻 ( 3A ) 頁: L290 - L293   1994年3月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  254. GAS-SOURCE MBE OF ZNMGSSE LAYERS

    FUJITA S, SUDA J, KAWAKAMI Y, FUJITA S

    II-VI BLUE/GREEN LASER DIODES   2346 巻   頁: 40 - 47   1994年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

▼全件表示

科研費 20

  1. 炭化珪素基板上へのⅢ族窒化物の超高品質コヒーレント成長の基礎とデバイス応用

    2012年4月 - 2016年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(B)

    須田 淳

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

    SiC基板上への高Al組成窒化物半導体のコヒーレント成長の基礎を築き、デバイス応用への展開を目指して研究を行った。高Al組成AlGaNの成長として、組成や構造のデジタル的な制御が可能な、AlN/GaN短周期超格子に着目した。さまざまな構造・成長条件のAlN/GaN短周期超格子の臨界膜厚の解明、緩和メカニズムの解明を行い、GaNモル分率20%の規則混晶のコヒーレント成長に成功した。また、3BLのGaNを成長すると格子緩和がはじまることを明らかにした。極薄GaNの格子緩和はゆっくりと生じることを利用して、SiC基板上に圧縮、引っ張り歪みを持つAlNを成長する方法も提案した。

  2. 炭化珪素半導体の欠陥制御と超高耐圧ロバスト素子への応用

    2009年4月 - 2014年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(S)

    木本 恒暢

      詳細を見る

    電力系統や高圧電源に用いられる高効率電力変換用パワーデバイスの実現を目指し、炭化珪素(SiC)半導体に関する材料科学と超高耐圧デバイスの基礎研究を遂行した。主な成果として、高純度結晶の作製、拡張欠陥の構造および物性の解明、拡張欠陥の非破壊高速検出、深い準位の物性解明、キャリア寿命キラー欠陥の大幅な低減とキャリア寿命の増大、キャリア寿命制御、超高耐圧を可能とする接合終端構造および設計指針の提示、絶縁破壊機構に関する考察、固体素子として最高の超高耐圧(20kV以上) SiC PiNダイオードおよびバイポーラトランジスタの作製、特性解析と高温動作(300℃)の実証を達成した。

  3. 超高耐圧ロバスト素子を目指した炭化珪素半導体の欠陥制御に関する研究

    2009年4月 - 2010年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(A)

    木本 恒暢

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者 

  4. 新しい結晶構造を持つ窒化アルミニウムの物性制御と深紫外発光デバイスへの展開

    2008年4月 - 2011年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(B)

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

  5. イオン注入および埋め込み再成長を利用したSiC超接合パワーMOSFETの研究

    2006年4月 - 2009年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(A)

    木本 恒暢

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者 

  6. ヘテロバレント・ヘテロポリタイプSiC上III族窒化物結晶成長の総合的理解と制御

    2004年4月 - 2007年3月

    科学研究費補助金  若手研究(A)

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

  7. InGaNの非混和性を積極的に利用したDERI法による転位の不活性化

    研究課題/研究課題番号:26600090  2014年4月 - 2017年3月

    名西 やす之

      詳細を見る

    担当区分:連携研究者 

    InGaNは青色発光ダイオードの活性層として利用されているが、In組成を増やし緑、赤、さらに赤外領域の発光、受光デバイスに利用しようとすると、転位などの影響が顕著となり、特性が著しく劣化する。 本研究では、研究代表者が中心になって独自に開発した高品質InN結晶成長技術(DERI法)を利用して、InGaNの非混和性を積極的に利用し、転位近傍にバンドギャップの広い極微ナノ構造を作成し、転位の影響を抑制して、InNおよび全混晶組成のInGaNをデバイスとして利用するための検討を行った。コンダクティブAFMを用いてナノ領域のリーク電流を測定する手法により、リーク電流の抑制を確認する成果を得た。

  8. 炭化珪素基板上へのⅢ族窒化物の超高品質コヒーレント成長の基礎とデバイス応用

    研究課題/研究課題番号:24360009  2012年4月 - 2016年3月

    須田 淳

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

    配分額:18590000円 ( 直接経費:14300000円 、 間接経費:4290000円 )

    SiC基板上への高Al組成窒化物半導体のコヒーレント成長の基礎を築き、デバイス応用への展開を目指して研究を行った。高Al組成AlGaNの成長として、組成や構造のデジタル的な制御が可能な、AlN/GaN短周期超格子に着目した。さまざまな構造・成長条件のAlN/GaN短周期超格子の臨界膜厚の解明、緩和メカニズムの解明を行い、GaNモル分率20%の規則混晶のコヒーレント成長に成功した。また、3BLのGaNを成長すると格子緩和がはじまることを明らかにした。極薄GaNの格子緩和はゆっくりと生じることを利用して、SiC基板上に圧縮、引っ張り歪みを持つAlNを成長する方法も提案した。

  9. 温度に依存しない感度特性を持つ500℃まで動作可能な炭化珪素紫外光検出器の実現

    研究課題/研究課題番号:24656230  2012年4月 - 2014年3月

    須田 淳

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

    配分額:4030000円 ( 直接経費:3100000円 、 間接経費:930000円 )

    500℃という高温でも動作可能な紫外線検出器は、発電・化学プラントのモニタリングやエンジンのリアルタイム燃焼制御用のセンサーなどに貢献しうるデバイスである。現在、光センサーに用いられているシリコン(Si)は禁制帯幅が1.12eVと小さいため200℃を超える動作は不可能である。本研究ではSiに比べて3倍の禁制帯幅、3.26eVを有する炭化珪素(4H-SiC)を用いて高温動作可能な紫外線検出器の実現を目指した。検出器の設計に必要なSiCの屈折率や光吸収係数などを明らかにし、また、検出感度低下の原因となるリーク電流の低減方法を確立し、500℃で動作可能なSiC光検出器の試作に成功した。

  10. 炭化珪素半導体の欠陥制御と超高耐圧ロバスト素子への応用

    研究課題/研究課題番号:21226008  2009年5月 - 2014年3月

    木本 恒暢

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者 

    電力系統や高圧電源に用いられる高効率電力変換用パワーデバイスの実現を目指し、炭化珪素(SiC)半導体に関する材料科学と超高耐圧デバイスの基礎研究を遂行した。主な成果として、高純度結晶の作製、拡張欠陥の構造および物性の解明、拡張欠陥の非破壊高速検出、深い準位の物性解明、キャリア寿命キラー欠陥の大幅な低減とキャリア寿命の増大、キャリア寿命制御、超高耐圧を可能とする接合終端構造および設計指針の提示、絶縁破壊機構に関する考察、固体素子として最高の超高耐圧(20kV以上) SiC PiNダイオードおよびバイポーラトランジスタの作製、特性解析と高温動作(300℃)の実証を達成した。

  11. 超高耐圧ロバスト素子を目指した炭化珪素半導体の欠陥制御に関する研究

    研究課題/研究課題番号:21246051  2009年

    木本 恒暢

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者 

    超高耐圧素子の作製に必要な高純度・厚膜SiCエピタキシャル成長層の形成と欠陥評価について研究を行った。得られた成果は以下のとおりである。
    (1)独自の化学気相堆積法により、70-90μm/hの高速で70-160μmの厚膜SiCエピタキシャル成長層を形成することに成功した。成長層の表面は原子レベルで平坦であり、残留不純物密度が約1E13/cm3という高純度結晶を得た。また、SiCパワーデバイスの信頼性に悪影響を及ぼす基底面転位(基板から伝播)の密度が、成長速度の上昇と共に減少することを見出した。
    (2)フォトルミネッセンス(PL)のマッピング測定により、SiC成長層中に存在するin-grown積層欠陥を高速・非破壊に検出できることを示した。SiC成長層中に存在する主要なin-grown積層欠陥には3種類あり、高分解能断面電子顕微鏡(TEM)観察により、各々の欠陥構造を原子レベルで明らかにした。さらに、成長初期プロセスの改良により、積層欠陥密度を大幅に低減することに成功した。
    (3)n型SiC成長層に存在する点欠陥(深い準位)をショットキー障壁容量の過渡特性解析(DLTS)により評価した。伝導帯底から約0.6eVおよび1.5eVのエネルギー位置に主要な電子トラップが存在すること、およびこれらの点欠陥は1700℃の高温熱処理を施すことにより、密度を大幅に低減できることを明らかにした。

  12. SiCの2次非線形光学定数精密測定

    研究課題/研究課題番号:20560038  2008年 - 2010年

    庄司 一郎

      詳細を見る

    担当区分:連携研究者 

    次世代の高出力可視光発生波長変換材料として期待されるSiCの2次非線形光学定数の精密測定を行った.複数の製造業者で作製された4Hと6Hの2種類の結晶多形,(0001)と(11-20)の2種類の面方位の高品質試料に対し,回転型メーカーフリンジ法とウェッジ法の2種類の測定法を用い,基本波波長1.064μmで測定し,厳密な解析を行った.その結果,製造業者・面方位・測定法によらず一致した正確な値が得られた.また,4H-SiCのd33は6H-SiCのd33より6 %小さいことがわかった.今回明らかとなったSiCの2次非線形光学定数は,今後,SiCを用いた高出力高効率波長変換デバイスを精密に設計するうえで不可欠となる.

  13. 新しい結晶構造を持つ窒化アルミニウムの物性制御と深紫外発光デバイスへの展開

    研究課題/研究課題番号:20360008  2008年 - 2010年

    須田 淳

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

    配分額:18590000円 ( 直接経費:14300000円 、 間接経費:4290000円 )

    深紫外線発光デバイス材料として期待されている半導体材料窒化アルミニウム(AlN)の結晶成長に関する研究を行った。AlNとして広く研究されているウルツ鉱構造ではなく、炭化珪素(SiC)基板の結晶構造を引き継ぐことで極めて品質の高い結晶が得られる4H-AlNについて研究を行った。高効率発光デバイス実現に必要な、AlGaN混晶成長技術、量子井戸作製技術に取り組み、(1-100)面ではAlGaN/AlN量子井戸構造、(11-20)面ではAlGaNの成長が困難なことを見出し、その解決としてGaN/AlN短周期超格子構造を提案し、その作製に成功した。

  14. 窒化物半導体の非線形光学定数の精密評価と内部電界による制御

    研究課題/研究課題番号:19032003  2007年 - 2008年

    近藤 高志

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者 

    バルク試料を用いた回転型メーカーフリンジ法とウェッジ法とを併用することでSiCとGaNのintrmsicな非線形光学定数(d=x^<(2)>/2)の精密測定をおこなった。また, MBE法によるGaN周期極性反転構造の作製と導波路作製に取り組んだ。
    1. SiCの非線形光学定数精密測定
    GaNエピタキシャル薄膜の非線形光学定数をはかる準備として, 基板材料となるSiCの非線形光学定数評価をおこなった。その結果は以下のとおり。6H-SiCの非線形光学定数は, d_<31>=6.7pm/V, d_<15>=6.5pm/V, d_<33>=-12.5pm/V。4H-SiCの非線形光学定数は, d_<31>=6.5pm/V, d_<15>=6.7pm/V, d_<33>=-11.7pm/V。両者は測定誤差の範囲内で一致しているが, 4H-SiCのd_<33>が若干小さく, 理想的四面体構造に対して予想されるd_<33>/d_<31>=-2からのずれが大きい。これは, 4H-SICが6H-SiCと比較して格子の歪みが大きいことを反映している。
    2. GaNの非線形光学定数精密測定
    液相成長のバルク試料とエピタキシャル成長自立基板を試料として用い, GaNのintrinsicな非線形光学定数の精密測定をおこない, 以下の結果が得られた。d_<31>=2.4pm/V, d_<15>=2.5pm/V, d_<33>=-3.8pm/V。GaNは理想的四面体構造からの歪みが大きく, その結果, d_<33>/d_<31>=-2の関係から大きくずれている。また, この結果は, エピタキシャル薄膜試料を用いて測定された既報の値と比較してかなり小さく, これまでの測定に内部電界と3次非線形光学効果の影響が混入していたことをうかがわせる。
    3. 周期極性反転GaN導波路の作製
    MBEによるGaNエピタキシャル膜の格子極性制御の再現性を確認した上で, 疑似位相整合波長変換デバイス作製に不可欠な周期極性反転GaNの作製をおこなった。また, 導波路デバイス作製プロセス開発の第一段階としてリフトオフによるリブ構造作製が可能であることを示した。

  15. イオン注入および埋め込み再成長を利用したSiC超接合パワーMOSFETの研究

    研究課題/研究課題番号:18206032  2006年 - 2008年

    木本 恒暢

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者 

    次世代の高性能パワーデバイスとして期待されるSiCパワーMOSFETの特性を極限まで向上させるため、多層pn接合の多次元空乏化を利用する超接合構造に着目した。イオン注入や埋め込み成長により形成したpn接合特性の解析、MOS界面特性の向上、高精度デバイスシミュレーションによる構造設計や微細加工技術を集約して、耐圧1580V、オン抵抗40mΩcm2という優れた性能を達成した。この特性はSiデバイスの理論限界より20倍優れている。

  16. ヘテロバレント・ヘテロポリタイプSiC上III族窒化物結晶成長の総合的理解と制御

    研究課題/研究課題番号:16686002  2004年 - 2006年

    須田 淳

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

    配分額:28600000円 ( 直接経費:22000000円 、 間接経費:6600000円 )

    ヘテロバレソト・ヘテロポリタイプな系である、AlN/SiCヘテロエピタキシャル成長についての系統的な研究を行った。無極性面方位に関しては、(1-100)面、(11-20)面を対象に研究を行った。4H-SiCを用いた場合に、SiCの4層周期の積層構造がAlNに転写され、AlNは4H構造を持つことが明らかになった。SiC表面の原子レベルの平坦化とAlN成長条件の最適化を行うことで、きわめて欠陥の少ない4H-AlNを成長することに成功した。無極性面方位に関しては、成長条件を適切に設定することで、本来ヘテロポリタイプであるAlN/SiC系をアイソポリタイプ化し、結晶欠陥を大幅に低減できることが明らかになった。このアイソポリタイプAlNをテンプレートとして、デバイス応用上重要なGaNの成長を行った。広範囲な成長条件の検討を行ったが、GaNのポリタイプは熱力学的に安定な2H構造になってしまうことが判明した。AlN/GaNの格子不整合がAlN/SiCの倍以上であることや、GaNそれ自体が4H構造となった場合エネルギー的に不安定になることが原因として考えられるが、現時点では不明である。2H構造GaNは4H構造AlNほどは高品質ではないが、他の無極性基板と同等の品質のものが得られることは確認している。極性面については、SiCのステツプェツジに起因する欠陥の極限までの低減を目指して研究を進めた。ウエハーレベルでのSiCのステップエッジの高さ制御技術をほぼ確立し、6H-SiCにおいてステップ高さ6層に制御した基板を作製し、この表面上にAlNを成長し、結晶欠陥の低減を確認した。

  17. 多層Pη接合の多次元空乏化を利用した金属接点級SiCパワーデバイスの基礎研究

    研究課題/研究課題番号:16360153  2004年 - 2005年

    木本 恒暢

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者 

    本研究では、高い絶縁破壊電界を有するワイドギャップ半導体SiCの多層pn接合を用いた高耐圧・低損失パワーデバイスの構造設計とデバイス作製に関する基礎研究を行った。以下に本年度に得られた主な成果をまとめる。
    (1)デバイスシミュレーションによりpn接合の二次元空乏化時の電界分布を解析してデバイス端部での電界集中を緩和し、高い耐圧が得られる最適なドーピング密度とサイズを決定した。また、絶縁膜/SiC界面や表面電荷が空乏化や電界分布に与える影響を明らかにした。
    (2)二次元空乏化構造を従来のnp型から表面p型領域を有するpnp型(ダブルRESURF)にすることにより、耐圧の低下を招くことなくドーズ量を増すことができ、ドリフト抵抗を大幅に低減できることを見出した。さらに、この構造における最適ドーズ設計の指針を構築した。また、この構造の採用により、ゲート酸化膜の電界も緩和され、高耐圧化に有利であることを見出した。
    (3)高品質エピタキシャル成長、微細加工、イオン注入、MOS界面制御などの技術を集約して、pn接合の二次元空乏化を活用した横型SiC MOSFET(ダブルRESURF構造)を作製し、耐圧750V、オン抵抗52mΩcm^2という優れた特性を得た。本研究独自のダブルRESURF構造を採用することによって、ドリフト抵抗を従来の1/3以下に低減できることを実験的に示した。
    (4)異なるドーピング密度を有するpnp型の二次元空乏化構造を二重に形成する「二ゾーンダブルRESURF構造」を発案し、シミュレーションによる最適設計と試作を行った。二ゾーン化することで耐圧を大幅に増大できることを見出した。試作したSiC MOSFETは耐圧1380V、オン抵抗66mΩcm^2という世界最高の性能を示した。

  18. ワイドギャップ半導体SiCを用いた高耐圧・超高効率・高速パワーMOSFET

    研究課題/研究課題番号:13555094  2001年 - 2002年

    木本 恒暢

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者 

    本研究では、高い絶縁破壊電界を有するワイドギャップ半導体SiC(シリコンカーバイド)を用いたMOS界面の高品質化、微細加工プロセスと高耐圧横型MOSFETの作製を行った。以下に本研究で得られた主な成果をまとめる。
    1.SiC MOS界面の高品質化
    高い温度で熱酸化を行うことにより、6H-SiC(0001)面で78cm^2/Vs、4H-SiC(0001)面で22cm^2/Vsという従来と比べて約2倍の高いチャネル移動度を達成した。また、4H-SiC(1120)面および(0338)面では30〜40cm^2/Vsのチャネル移動度が得られ、やはり(0001)面よりMOS界面特性が優れていることが分かった。
    2.微細加工プロセス
    プラズマCVDで形成した厚いSiO_2膜をドライエッチングによりパターニングする技術を確立し、これをイオン注入用マスクに使用することによって、チャネル長1μm(従来は5μm)のSiC MOSFETを作製することに成功した。
    3.高耐圧横型SiC MOSFETの作製
    デバイスシミュレーションを駆使してRESURF型のSiC MOSFETの構造設計を行った。次に、エピタキシャル成長とイオン注入技術などの要素技術を集約してRESURF MOSFETを作製し、特性を評価した。耐圧1000V、オン抵抗0.1Ωcm^2という優れた特性を得た。この特性は、SiパワーMOSFETの理論限界を突破しており、SiCの有用性を実験的に実証することができた。

  19. ワイドギャップ半導体ヘテロ界面の電子物性制御とパワーデバイスの高性能化への展開

    研究課題/研究課題番号:13750010  2001年 - 2002年

    須田 淳

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

    配分額:2100000円 ( 直接経費:2100000円 )

    ワイドギャップ半導体六方晶シリコンカーバイド(SiC)は大きな絶縁破壊電界強度を持つため、既存のシリコン(Si)系半導体パワーデバイスでは理論的に実現不可能な超低損失デバイスを実現可能と期待されている。しかし、シリコン酸化膜(SiO_2)/SiC界面におけるチャネル電子移動度がバルクSiCの電子移動度に比べ極めて小さいため、チャネル抵抗がデバイスの抵抗の大半を占め、デバイスの高性能化を阻んでいる。本研究では、SiO_2に代わる新たな絶縁膜としてSiCと同じ六方晶で、しかも、格子定数がほぼ等しい窒化アルミニウム(AlN)を提案している。窒化アルミニウムとSiCの界面を制御することで、デバイスに利用可能なAlN/SiCヘテロ構造を実現することを目指して研究を進めてきた。今年度得られた結果は以下の通りである。
    1.SiC表面を、構造的観点および化学的観点で制御を行うことで、高品質AlN結晶成長を実現した。すなわちステップ高さの制御と、表面に存在する酸素の完全な除去および表面超構造の発現を行ったSiC上にAlNを成長することで、2次元レイヤーバイレイヤー成長を実現すると共に、結晶性の大幅な改善を実現した。この高品質AIN層の応用としてGaN成長層の為のバッファー層として使用したところ、GaN層の結晶性も大きく向上することを明らかにした。GaN系パワーデバイスへの応用が期待される。
    2.従来用いられてきたSiC(0001)面に加え、無極性面であるSiC(11-20)面上へのAlNの結晶成長を試みた。SiCの結晶方位情報をAlNは引き継いで成長する、すなわち、エピタキシャル成長を実現した。しかし、SiCのポリタイプはAlNに引き継がれず、SiCが6Hポリタイプであるのに対して、AlNは2Hポリタイプ(ウルツ鉱構造)であることが判明した。この現象は結成成長学的に新しい知見であると当時に、GaN系光デバイスで必要とされる、無極性面の実現の1方法を新たに提案するものとして意義がある。

  20. 有機金属分子線エピタキシー法による立方晶窒化ガリウムの結晶成長機構の解明と応用

    研究課題/研究課題番号:11750014  1999年 - 2000年

    奨励研究(A)

    須田 淳

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

    配分額:1000000円 ( 直接経費:1000000円 )

    トリエチルガリウム(TEGa)とrfプラズマ励起活性窒素(N^*)を原料に用いた有機金属分子線エピタキシャル(MOMBE)成長における、窒化ガリウム(GaN)の結晶成長機構を活用して新規な構造を作製することをめざして研究を進めた。
    立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)の(001)面方位を基板として用いて結晶成長を行ったところ、基板による構造引き込み効果により、サファイア基板上の場合よりもより広い成長条件で立方晶GaNが得られることが分かった。また、3C-SiC基板上においてはGaNの核形成が抑制されることが分かり、連続膜を得るためには低温バッファ層が不可欠であることが判明した。そこで、成長初期の核形成を制御すれば、任意の場所に立方晶の結晶を得ることができると考え、選択成長を試みることにした。
    3C-SiC基板を酸素雰囲気中で1000℃以上に加熱し、表面に酸化膜を形成した後、集束イオンビーム描画装置を用いて、酸化膜の一部を極微細な領域に限って除去し、真空トンネルを通じて直ちに結晶成長装置に搬送、GaNの結晶成長を行った。最適化した成長条件で、酸化膜の除去された開口部のみにGaNの核形成、結晶成長を起こすことに成功した。ただし、有機金属化学気相堆積(MOCVD)法で報告されているような横方向成長は確認されず、微小結晶が密集して存在する結晶成長形態であることが分かった。また、微小結晶は立方晶であり、{111}ファセットを側面に有していることが確認された。成長時間や開口部のサイズ調整などを行うことで、幾何学的に対称性を持つ微小結晶を平面に規則的に並べることができると考えられる。このような構造は、電子エミッタやフォトニック結晶などに応用可能と考えられる。

▼全件表示

 

担当経験のある科目 (本学) 10

  1. 線形代数学I

    2018

  2. 固体電子工学及び演習

    2018

  3. パワーデバイス工学特論

    2018

  4. 固体電子工学及び演習

    2021

  5. 量子理論

    2021

  6. パワーデバイス工学特論

    2021

  7. 線形代数学I

    2021

  8. 固体電子工学及び演習

    2020

  9. 固体電子工学及び演習

    2020

  10. 線形代数学I

    2019

▼全件表示