講演・口頭発表等 - 髙見 誠一
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シリコン表面上への単原子層修飾に関する計算化学的検討
高見 誠一, 杉左近 潔, 山田 有場, 遠藤 明, 久保 百司, 宮本 明
化学工学会第64年会
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Composite monolayer of copper and silver on Au(111) prepared by sequential underpotential deposition 国際会議
Seiichi Takami, Paul E. Laibinis, G. Kane Jennings
The 216th American Chemical Society National Meeting
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異常成長プロジェクトの紹介と現状報告 招待有り
高見 誠一
化学工学会 第30回秋季大会
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H2OによるSi表面の単原子層酸化処理
高見 誠一, 江頭 靖幸, 小宮山 宏
第57回応用物理学会学術講演会
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シリコン表面の単分子層処理とCVD成膜の制御
高見 誠一, 江頭 靖幸, 小宮山 宏
化学工学会盛岡大会
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Monolayer Nitridation of Silicon Surfaces and Its Effects on Tungsten Chemical Vapor Deposition 国際会議
Seiichi Takami, Minoru Fujii, Takeyasu Saito, Yasuyuki Egashira, Hiroshi Komiyama
Advanced Metalization and Interconnct Systems for ULSI Applications in 1995 JAPAN SESSION
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Introducing VI B Group Elements for Monolayer Thickness onto a Silicon Surface 国際会議
S. Takami, Y. Egashira, H. Komiyama
化学工学会第28回秋季大会
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シリコン表面単原子層窒化処理によるCVD成膜初期過程の制御
高見 誠一, 藤井 実, 江頭 靖幸, 本間 格, 小宮山 宏
第42回応用物理学関係連合講演会
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シリコン表面の単原子層処理がCVDによる製膜の初期過程に与える影響
高見 誠一, 今井 敬, 江頭 靖幸, 本間 格, 小宮山 宏
化学工学会第27回秋季大会
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ジメチルヒドラジンによるSiの表面処理
高見 誠一, 江頭 靖幸, 本間 格, 小宮山 宏
第41回応用物理学関係連合講演会
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ジメチルヒドラジンによるシリコン表面のModification
高見 誠一, 江頭 靖幸, 本間 格, 小宮山 宏
化学工学会第26回秋季大会