2021/03/24 更新

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プリストフセク マーコス
PRISTOVSEK Markus
PRISTOVSEK Markus
所属
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 国際客員部 特任教授
職名
特任教授
連絡先
メールアドレス

学位 2

  1. Habilitation ( 2011年11月   Technische Universität Berlin ) 

  2. 博士 ( 2000年11月   ベルリン工業大学 ) 

経歴 6

  1. ケンブリージ大学

    2012年10月 - 2016年12月

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    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)

  2. ベルリン工業大学

    2003年11月 - 2012年9月

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    国名:ドイツ連邦共和国

  3. フェルディナンド・ブラウン高周波工業研究所、ベルリン

    2003年3月 - 2003年11月

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    国名:ドイツ連邦共和国

  4. 国立研究開発法人物質・材料研究機構   JSPS特別研究員

    2001年10月 - 2003年1月

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    国名:日本国

  5. 国立研究開発法人物質・材料研究機構

    2000年11月 - 2001年10月

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    国名:日本国

  6. ベルリン工業大学

    1996年4月 - 2000年10月

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    国名:ドイツ連邦共和国

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論文 127

  1. Increasing the Luminescence Efficiency of Long-Wavelength (In,Ga)N Quantum Well Structures by Electric Field Engineering Using an (Al,Ga)N Capping Layer

    Vichi Stefano, Robin Yoann, Sanguinetti Stefano, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    PHYSICAL REVIEW APPLIED   14 巻 ( 2 )   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevApplied.14.024018

    Web of Science

  2. Pulsed-flow growth of polar, semipolar and nonpolar AlGaN

    Dinh Duc V, Hu Nan, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

    JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C   8 巻 ( 25 ) 頁: 8668-8675   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/d0tc01369b

    Web of Science

  3. Indium incorporation and optical properties of polar, semipolar and nonpolar InAlN

    Dinh Duc V, Hu Nan, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   35 巻 ( 3 )   2020年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/ab63f1

    Web of Science

  4. Analysis of trimethylgallium decomposition by high-resolution mass spectrometry

    Ye Zheng, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 2 )   2020年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab6fb0

    Web of Science

  5. Scalable synthesis of multilayer h-BN on AlN by metalorganic vapor phase epitaxy: nucleation and growth mechanism

    Yang Xu, Nitta Shugo, Pristovsek Markus, Liu Yuhuai, Liao Yaqiang, Kushimoto Maki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    2D MATERIALS   7 巻 ( 1 )   2020年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/2053-1583/ab46e6

    Web of Science

  6. Untwinned semipolar (10(1)over-bar3) AlxGa1-xN layers grown on m-plane sapphire

    Dinh Duc V., Hu Nan, Amano Hiroshi, Honda Yoshio, Pristovsek Markus

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   34 巻 ( 12 )   2019年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/ab4d2c

    Web of Science

  7. Aluminium incorporation in polar, semi- and non-polar AlGaN layers: a comparative study of x-ray diffraction and optical properties

    Duc V Dinh, Hu Nan, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

    SCIENTIFIC REPORTS   9 巻   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-019-52067-y

    Web of Science

  8. Ammonia decomposition and reaction by high-resolution mass spectrometry for group III - Nitride epitaxial growth

    Ye Zheng, Nitta Shugo, Nagamatsu Kentaro, Fujimoto Naoki, Kushimoto Maki, Deki Manato, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   516 巻   頁: 63-66   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.03.025

    Web of Science

  9. Controlling the orientations of directional sputtered non- and semi-polar GaN/AlN layers

    Nan Hu, Dinh Duc V., Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab1252

    Web of Science

  10. Monolithic integration of tricolor micro-LEDs and color mixing investigation by analog and digital dimming

    Robin Yoann, Hemeret Francois, D'Inca Gillian, Pristovsek Markus, Trassoudaine Agnes, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab06ae

    Web of Science

  11. Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation (vol 508, pg 58, 2019)

    Liu Zhibin, Nitta Shugo, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Sitar Zlatko, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   514 巻   頁: 13-13   2019年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.058

    Web of Science

  12. Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE

    Nagamatsu Kentaro, Ando Yuto, Kono Tsukasa, Cheong Heajeong, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   512 巻   頁: 78-83   2019年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.013

    Web of Science

  13. Nonpolar m-plane AlxGa1-xN layers grown on m-plane sapphire by MOVPE

    Duc V Dinh, Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   512 巻   頁: 100-104   2019年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.020

    Web of Science

  14. Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Liu Zhibin, Nitta Shugo, Usami Shigeyoshi, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   509 巻   頁: 50-53   2019年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.12.007

    Web of Science

  15. Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation

    Liu Zhibin, Nitta Shugo, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   508 巻   頁: 58-65   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.12.028

    Web of Science

  16. How to obtain metal-polar untwinned high-quality (10-13) GaN on m-plane sapphire

    Hu Nan, Dinh Duc V., Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   507 巻   頁: 205-208   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.11.013

    Web of Science

  17. MOVPE growth and high-temperature annealing of (10(1)over-bar0) AlN layers on (10(1)over-bar0) sapphire

    Dinh Duc V., Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   502 巻   頁: 14-18   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.09.001

    Web of Science

  18. What is red? On the chromaticity of orange-red InGaN/GaN based LEDs

    Robin Y., Pristovsek M., Amano H., Oehler F., Oliver R. A., Humphreys C. J.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   124 巻 ( 18 )   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5047240

    Web of Science

  19. Simultaneous Growth of Various InGaN/GaN Core-Shell Microstructures for Color Tunable Device Applications

    Robin Yoann, Liao Yaqiang, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   215 巻 ( 21 )   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201800361

    Web of Science

  20. Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy

    Nagamatsu Kentaro, Ando Yuto, Ye Zheng, Barry Ousmane, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 10 )   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.105501

    Web of Science

  21. High-temperature thermal annealing of nonpolar (10(1)over-bar0) AlN layers sputtered on (1 0(1)over-bar0) sapphire

    Dinh Duc V, Hu Nan, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   498 巻   頁: 377-380   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.07.015

    Web of Science

  22. Reduction of Residual Impurities in Homoepitaxial m-Plane (10(1)over-bar0) GaN by Using N-2 Carrier Gas in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    Barry Ousmane I., Lekhal Kaddour, Bae Si-Young, Lee Ho-Jun, Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS   12 巻 ( 8 )   2018年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssr.201800124

    Web of Science

  23. Insight into the performance of multi-color InGaN/GaN nanorod light emitting diodes

    Robin Y., Bae S. Y., Shubina T. V., Pristovsek M., Evropeitsev E. A., Kirilenko D. A., Davydov V. Yu., Smirnov A. N., Toropov A. A., Jmerik V. N., Kushimoto M., Nitta S., Ivanov S. V., Amano H.

    SCIENTIFIC REPORTS   8 巻   2018年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-018-25473-x

    Web of Science

  24. Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Yang Xu, Nitta Shugo, Pristovsek Markus, Liu Yuhuai, Nagamatsu Kentaro, Kushimoto Maki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 5 )   2018年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.051002

    Web of Science

  25. Growth of hexagonal boron nitride on sapphire substrate by pulsed-mode metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Yang Xu, Nitta Shugo, Nagamatsu Kentaro, Bae Si-Young, Lee Ho-Jun, Liu Yuhuai, Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   482 巻   頁: 1-8   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.10.036

    Web of Science

  26. Structural and optical properties of Gd implanted GaN with various crystallographic orientations 査読有り

    Mackova A., Malinsky P., Jagerova A., Sofer Z., Klimova K., Sedmidubsky D., Pristovsek M., Mikulics M., Lorincik J., Boettger R., Akhmadaliev S.

    THIN SOLID FILMS   638 巻   頁: 63-72   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2017.07.036

    Web of Science

  27. Surface reconstructions of (0001) AlN during metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Pristovsek Markus, Bellman Konrad, Mehnke Frank, Stellmach Joachim, Wernicke Tim, Kneissl Michael

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   254 巻 ( 8 )   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201600711

    Web of Science

  28. Effects of Wavelength and Defect Density on the Efficiency of (In, Ga) N-Based Light-Emitting Diodes 査読有り

    Pristovsek Markus, Bao An, Oliver Rachel A., Badcock Tom, Ali Muhammad, Shields Andrew

    PHYSICAL REVIEW APPLIED   7 巻 ( 6 )   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevApplied.7.064007

    Web of Science

  29. Radiative recombination mechanisms in polar and non-polar InGaN/GaN quantum well LED structures 査読有り

    Badcock T. J., Ali M., Zhu T., Pristovsek M., Oliver R. A., Shields A. J.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   109 巻 ( 15 )   2016年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4964842

    Web of Science

  30. Determination of axial and lateral exciton diffusion length in GaN by electron energy dependent cathodoluminescence 査読有り

    Hocker Matthias, Maier Pascal, Jerg Lisa, Tischer Ingo, Neusser Gregor, Kranz Christine, Pristovsek Markus, Humphreys Colin J., Leute Robert A. R., Heinz Dominik, Rettig Oliver, Scholz Ferdinand, Thonke Klaus

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   120 巻 ( 8 )   2016年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4961417

    Web of Science

  31. Deoxidation of (001) III-V semiconductors in metal-organic vapour phase epitaxy 査読有り

    Kaspari Christian, Pristovsek Markus, Richter Wolfgang

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   120 巻 ( 8 )   2016年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4961414

    Web of Science

  32. Structural and optical properties of (11(2)over-bar2) InGaN quantum wells compared to (0001) and (11(2)over-bar0) 査読有り

    Pristovsek Markus, Han Yisong, Zhu Tongtong, Oehler Fabrice, Tang Fengzai, Oliver Rachel A., Humphreys Colin J., Tytko Darius, Choi Pyuck-Pa, Raabe Dierk, Brunner Frank, Weyers Markus

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   31 巻 ( 8 )   2016年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0268-1242/31/8/085007

    Web of Science

  33. The impact of the surface on step-bunching and diffusion of Ga on GaAs (001) in metal-organic vapour phase epitaxy 査読有り

    Pristovsek Markus, Poser Florian, Richter Wolfgang

    MATERIALS RESEARCH EXPRESS   3 巻 ( 7 )   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/2053-1591/3/7/075902

    Web of Science

  34. Toward defect-free semi-polar GaN templates on pre-structured sapphire 査読有り

    Han Yisong, Caliebe Marian, Hage Fredrik, Ramasse Quentin, Pristovsek Markus, Zhu Tongtong, Scholz Ferdinand, Humphreys Colin

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   253 巻 ( 5 ) 頁: 834-839   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201552636

    Web of Science

  35. Comparative study of (0001) and (11(2)over-bar2) InGaN based light emitting diodes 査読有り

    Pristovsek Markus, Humphreys Colin J., Bauer Sebastian, Knab Manuel, Thonke Klaus, Kozlowski Grzegorz, O'Mahony Donagh, Maaskant Pleun, Corbett Brian

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FJ10

    Web of Science

  36. MOVPE growth and indium incorporation of polar, semipolar (11(2)over-bar2) and (20(2)over-bar21) InGaN 査読有り

    Dinh Duc V., Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   253 巻 ( 1 ) 頁: 93-98   2016年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201552274

    Web of Science

  37. Optimizing GaN (11(2)over-bar2) hetero-epitaxial templates grown on (10(1)over-bar0) sapphire 査読有り

    Pristovsek Markus, Frentrup Martin, Han Yisong, Humphreys Colin J.

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   253 巻 ( 1 ) 頁: 61-66   2016年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201552263

    Web of Science

  38. Breakdown of the Green Gap in (0001) InGaN LEDs 査読有り

    Pristovsek Markus, Oliver Rachel A., Badcock Tom, Ali Muhammad, Shields Andrew

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)     頁: .   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  39. Development of semipolar (11-22) LEDs on GaN templates 査読有り

    Corbett B., Quan Z., Dinh D. V., Kozlowski G., O'Mahony D., Akhter M., Schulz S., Parbrook P., Maaskant P., Caliebe M., Hocker M., Thonke K., Scholz F., Pristovsek M., Han Y., Humphreys C. J., Brunner F., Weyers M., Meyer T. M., Lymperakis L.

    LIGHT-EMITTING DIODES: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS FOR SOLID STATE LIGHTING XX   9768 巻   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1117/12.2204758

    Web of Science

  40. Effect of heterostructure design on carrier injection and emission characteristics of 295 nm light emitting diodes 査読有り

    Mehnke Frank, Kuhn Christian, Stellmach Joachim, Kolbe Tim, Lobo-Ploch Neysha, Rass Jens, Rothe Mark-Antonius, Reich Christoph, Ledentsov Nikolay Jr., Pristovsek Markus, Wernicke Tim, Kneissl Michael

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   117 巻 ( 19 )   2015年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4921439

    Web of Science

  41. Low defect large area semi-polar (11(2)over-bar2) GaN grown on patterned (113) silicon 査読有り

    Pristovsek Markus, Han Yisong, Zhu Tongtong, Frentrup Martin, Kappers Menno J., Humphreys Colin J., Kozlowski Grzegorz, Maaskant Pleun, Corbett Brian

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   252 巻 ( 5 ) 頁: 1104-1108   2015年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201451591

    Web of Science

  42. Origin of faceted surface hillocks on semi-polar (11(2)over-bar2) GaN templates grown on pre-structured sapphire 査読有り

    Han Yisong, Caliebe Marian, Kappers Menno, Scholz Ferdinand, Pristovsek Markus, Humphreys Colin

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   415 巻   頁: 170-175   2015年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.12.040

    Web of Science

  43. Surface and crystal structure of nitridated sapphire substrates and their effect on polar InN layers 査読有り

    Skuridina D., Dinh D. V., Pristovsek M., Lacroix B., Chauvat M. -P., Ruterana P., Kneissl M., Vogt P.

    APPLIED SURFACE SCIENCE   307 巻   頁: 461-467   2014年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2014.04.057

    Web of Science

  44. Polarity determination of polar and semipolar (11(2)over-bar2) InN and GaN layers by valence band photoemission spectroscopy 査読有り

    Skuridina D., Dinh D. V., Lacroix B., Ruterana P., Hoffmann M., Sitar Z., Pristovsek M., Kneissl M., Vogt P.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   114 巻 ( 17 )   2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4828487

    Web of Science

  45. Role of nitridation on polarity and growth of InN by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Dinh Duc V., Skuridina D., Solopow S., Pristovsek M., Vogt P., Kneissl M.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   376 巻   頁: 17-22   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.04.034

    Web of Science

  46. Nucleation and Coalescence of Indium Rich InGaN Layers on Nitridated Sapphire in Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Dinh Duc V., Solopow Sergej, Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JD03

    Web of Science

  47. Surface Transitions During InGaN Growth on GaN(0001) in Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Pristovsek Markus, Kadir Abdul, Kneissl Michael

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JB23

    Web of Science

  48. Wavelength limits for InGaN quantum wells on GaN 査読有り

    Pristovsek Markus

    APPLIED PHYSICS LETTERS   102 巻 ( 24 )   2013年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4811560

    Web of Science

  49. Growth mode transition and relaxation of thin InGaN layers on GaN (0001) 査読有り

    Pristovsek Markus, Kadir Abdul, Meissner Christian, Schwaner Tilman, Leyer Martin, Stellmach Joachim, Kneissl Michael, Ivaldi Francesco, Kret Slawomir

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   372 巻   頁: 65-72   2013年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.03.012

    Web of Science

  50. Energetics of Quantum Dot Formation and Relaxation of InGaAs on GaAs(001) 査読有り

    Pristovsek Markus, Kremzow Raimund, Kneissl Michael

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 4 )   2013年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.041201

    Web of Science

  51. Structural and optical properties of semipolar (11(2)over-bar2) AlGaN grown on (10(1)over-bar0) sapphire by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Stellmach J., Mehnke F., Frentrup M., Reich C., Schlegel J., Pristovsek M., Wernicke T., Kneissl M.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   367 巻   頁: 42-47   2013年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.01.006

    Web of Science

  52. Interface and Surface Dielectric Anisotropies of GaP/Si(100) 査読有り

    Supplie O., Hannappel T., Pristovsek M., Doescher H.

    2012 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)     頁: 137-+   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  53. Influence of group III and group V partial pressures on the size and density of InGaN quantum dots in MOVPE 査読有り

    Kadir Abdul, Bellmann Konrad, Simoneit Tino, Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   209 巻 ( 12 ) 頁: 2487-2491   2012年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201228238

    Web of Science

  54. Indium incorporation efficiency and critical layer thickness of (20(2)over-bar1) InGaN layers on GaN 査読有り

    Ploch Simon, Wernicke Tim, Frentrup Martin, Pristovsek Markus, Weyers Markus, Kneissl Michael

    APPLIED PHYSICS LETTERS   101 巻 ( 20 )   2012年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4767336

    Web of Science

  55. Topography of (20(2)over-bar1) AlGaN, GaN and InGaN layers grown by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Ploch Simon, Wernicke Tim, Thalmair Johannes, Lohr Matthias, Pristovsek Markus, Zweck Josef, Weyers Markus, Kneissl Michael

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   356 巻   頁: 70-74   2012年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.07.016

    Web of Science

  56. MOVPE growth of semipolar (11(2)over-bar2) AIN on m-plane (10(1)over-bar0) sapphire 査読有り

    Stellmach J., Frentrup M., Mehnke F., Pristovsek M., Wernicke T., Kneissl M.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   355 巻 ( 1 ) 頁: 59-62   2012年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.06.047

    Web of Science

  57. In situ access to the dielectric anisotropy of buried III-V/Si(100) heterointerfaces 査読有り

    Supplie Oliver, Hannappel Thomas, Pristovsek Markus, Doescher Henning

    PHYSICAL REVIEW B   86 巻 ( 3 )   2012年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.86.035308

    Web of Science

  58. Growth and characterizations of semipolar (11(2)over-bar2) InN 査読有り

    Dinh Duc V., Skuridina D., Solopow S., Frentrup M., Pristovsek M., Vogt P., Kneissl M., Ivaldi F., Kret S., Szczepanska A.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   112 巻 ( 1 )   2012年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4733997

    Web of Science

  59. Surface diffusion and layer morphology of (11(2)over-bar2) GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Ploch Simon, Wernicke Tim, Dinh Duc V., Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   111 巻 ( 3 )   2012年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3682513

    Web of Science

  60. Comparison study of N- and In-polar {0001} InN layers grown by MOVPE 査読有り

    Dinh Duc V., Pristovsek M., Solopow S., Skuridina D., Kneissl M.

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4   9 巻 ( 3-4 ) 頁: 977-981   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.201100093

    Web of Science

  61. Growth mechanism of InGaN quantum dots during metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Kadir Abdul, Meissner Christian, Schwaner Tilman, Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   334 巻 ( 1 ) 頁: 40-45   2011年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.08.003

    Web of Science

  62. Surface transition induced island formation on thin strained InGaN layers on GaN (0001) in metal-organic vapour phase epitaxy 査読有り

    Pristovsek Markus, Kadir Abdul, Meissner Christian, Schwaner Tilman, Leyer Martin, Kneissl Michael

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   110 巻 ( 7 )   2011年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3647782

    Web of Science

  63. Single phase {11(2)over-bar2} GaN on (10(1)over-bar0) sapphire grown by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Ploch Simon, Park Jae Bum, Stellmach Joachim, Schwaner Tilman, Frentrup Martin, Niermann Tore, Wernicke Tim, Pristovsek Markus, Lehmann Michael, Kneissl Michael

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   331 巻 ( 1 ) 頁: 25-28   2011年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.06.057

    Web of Science

  64. Influence of a GaN Cap Layer on the Morphology and the Physical Properties of Embedded Self-Organized InN Quantum Dots on GaN(0001) Grown by Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy 査読有り

    Ivaldi Francesco, Meissner Christian, Domagala Jaroslaw, Kret Slawomir, Pristovsek Markus, Hoegele Michael, Kneissl Michael

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 3 )   2011年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.031004

    Web of Science

  65. Crystal orientation of GaN layers on (10(1)over-bar0) m-plane sapphire 査読有り

    Frentrup Martin, Ploch Simon, Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   248 巻 ( 3 ) 頁: 583-587   2011年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201046489

    Web of Science

  66. High aluminium content and high growth rates of AlGaN in a close-coupled showerhead MOVPE reactor 査読有り

    Stellmach J., Pristovsek M., Savas Oe, Schlegel J., Yakovlev E. V., Kneissl M.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   315 巻 ( 1 ) 頁: 229-232   2011年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.06.036

    Web of Science

  67. Determination of the complex linear electro-optic coefficient of GaAs and InP 査読有り

    Pristovsek Markus

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   247 巻 ( 8 ) 頁: 1974-1978   2010年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.200983950

    Web of Science

  68. Orientation control of GaN {1 1 (2)over-bar 2} and {1 0 (1)over-bar (3)over-bar} grown on (1 0 (1)over-bar 0) sapphire by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Ploch Simon, Frentrup Martin, Wernicke Tim, Pristovsek Markus, Weyers Markus, Kneissl Michael

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   312 巻 ( 15 ) 頁: 2171-2174   2010年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.04.043

    Web of Science

  69. Metalorganic vapor phase epitaxy of InN on GaN using tertiary-butylhydrazine as nitrogen source 査読有り

    Kremzow Raimund, Pristovsek Markus, Stellmach Joachim, Savas Oezguer, Kneissl Michael

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   312 巻 ( 12-13 ) 頁: 1983-1985   2010年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.03.019

    Web of Science

  70. Growth of semipolar (10(1)over-bar(3)over-bar) InN on m-plane sapphire using MOVPE 査読有り

    Dinh Duc V., Pristovsek M., Kremzow R., Kneissl M.

    PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS   4 巻 ( 5-6 ) 頁: 127-129   2010年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssr.201004043

    Web of Science

  71. Shape of indium nitride quantum dots and nanostructures grown by metal organic vapour phase epitaxy 査読有り

    Ploch Simon, Meissner Christian, Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2   6 巻   頁: S574-S577   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.200880938

    Web of Science

  72. Growth mode of InGaN on GaN (0001) in MOVPE 査読有り

    Pristovsek M., Stellmach J., Leyer M., Kneissl M.

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2   6 巻   頁: S565-S569   2009年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.200880915

    Web of Science

  73. Volmer-Weber growth mode of InN quantum dots on GaN by MOVPE 査読有り

    Meissner Christian, Ploch Simon, Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2   6 巻   頁: S545-S548   2009年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.200880872

    Web of Science

  74. Growth and characterization of manganese-doped InAsP 査読有り

    Pristovsek M., Meissner Ch., Kneissl M., Jakomin R., Vantaggio S., Tarricone L.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   310 巻 ( 23 ) 頁: 5028-5031   2008年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.08.020

    Web of Science

  75. Ripening of InAs quantum dots on GaAs (001) investigated with in situ scanning tunneling microscopy in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Kremzow Raimund, Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   310 巻 ( 23 ) 頁: 4751-4753   2008年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.047

    Web of Science

  76. The critical thickness of InGaN on (0001)GaN 査読有り

    Leyer M., Stellmach J., Meissner Ch., Pristovsek M., Kneissl M.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   310 巻 ( 23 ) 頁: 4913-4915   2008年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.08.021

    Web of Science

  77. Indium nitride quantum dot growth modes in metalorganic vapour phase epitaxy 査読有り

    Meissner Christian, Ploch Simon, Leyer Martin, Pristovsek Markus, Kneissl Michael

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   310 巻 ( 23 ) 頁: 4959-4962   2008年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.066

    Web of Science

  78. Properties of InMnP (001) grown by MOVPE 査読有り

    Pristovsek M., Philippou A., Raehmer B., Richter W.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   310 巻 ( 18 ) 頁: 4046-4049   2008年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.06.069

    Web of Science

  79. In-Situ Monitoring for Nano-Structure Growth in MOVPE 査読有り

    Pristovsek Markus, Richter Wolfgang

    SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES     頁: 67-86   2008年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  80. Segregation and desorption of antimony in InP (001) in MOVPE 査読有り

    Weeke S., Leyer M., Pristovsek M., Brunner F., Weyers M., Richter W.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   298 巻   頁: 159-162   2007年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.213

    Web of Science

  81. In situ scanning tunnelling microscopy during metal-organic vapour phase epitaxy 査読有り

    Pristovsek M., Raehmer B., Breusig M., Kremzow R., Richter W.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   298 巻   頁: 8-11   2007年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.061

    Web of Science

  82. Homoepitaxial growth rate measurement using in situ reflectance anisotropy spectroscopy 査読有り

    Kaspari Christian, Pristovsek Markus, Richter Wolfgang

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   298 巻   頁: 46-49   2007年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.039

    Web of Science

  83. In situ scanning tunneling microscopy during metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Raehmer Bert, Pristovsek Markus, Breusing Markus, Kremzow Raimund, Richter Wolfgang

    APPLIED PHYSICS LETTERS   89 巻 ( 6 )   2006年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2335580

    Web of Science

  84. InN growth on sapphire using different nitridation procedures 査読有り

    Drago M, Werner C, Pristovsek M, Pohl UW, Pichter W

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   203 巻 ( 7 ) 頁: 1622-1625   2006年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.200565414

    Web of Science

  85. Development of InN metalorganic vapor phase epitaxy using in-situ spectroscopic ellipsometry 査読有り

    Drago M, Werner C, Pristovsek M, Pohl UW, Richter W

    CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY   40 巻 ( 10-11 ) 頁: 993-996   2005年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/crat.200410474

    Web of Science

  86. A fast reflectance anisotropy spectrometer for in situ growth monitoring 査読有り

    Kaspari C, Pristovsek M, Richter W

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   242 巻 ( 13 ) 頁: 2561-2569   2005年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.200541143

    Web of Science

  87. Growth of strained GaAsSb layers on GaAs(001) by MOVPE 査読有り

    Pristovsek M, Zorn M, Zeimer U, Weyers M

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   276 巻 ( 3-4 ) 頁: 347-353   2005年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.11.420

    Web of Science

  88. InN growth and annealing investigations using in-situ spectroscopic ellipsometry 査読有り

    Drago M, Schmidtling T, Werner C, Pristovsek M, Pohl UW, Richter W

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   272 巻 ( 1-4 ) 頁: 87-93   2004年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.08.040

    Web of Science

  89. Nitrogen-arsenic exchange process and investigation of the nitrided GaAs surfaces in MOVPE 査読有り

    Hoffmann V, Poser F, Kaspari C, Weeke S, Pristovsek M, Richter W

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   272 巻 ( 1-4 ) 頁: 30-36   2004年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.10.029

    Web of Science

  90. Structural analysis by reflectance anisotropy spectroscopy: As and Sb on GaAs(110) 査読有り

    Pulci O, Fleischer K, Pristovsek M, Tsukamoto S, Del Sole R, Richter W

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   16 巻 ( 39 ) 頁: S4367-S4374   2004年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1081/0953-8984/16/39/011

    Web of Science

  91. In situ study of low-temperature growth and Mn, Si, Sn doping of GaAs (001) in molecular beam epitaxy 査読有り

    Pristovsek M, Tsukamoto S

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   265 巻 ( 3-4 ) 頁: 425-433   2004年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.02.101

    Web of Science

  92. In situ study of GaAs growth mechanisms using tri-methyl gallium and tri-ethyl gallium precursors in metal-organic vapour phase epitaxy 査読有り

    Pristovsek M, Zorn M, Weyers M

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   262 巻 ( 1-4 ) 頁: 78-83   2004年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.10.044

    Web of Science

  93. Lateral short range ordering of step bunches in InGaAs/GaAs superlattices 査読有り

    Hanke M, Schmidbauer M, Kohler R, Kirmse H, Pristovsek M

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   95 巻 ( 4 ) 頁: 1736-1739   2004年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1640786

    Web of Science

  94. Gallium-rich reconstructions on GaAs(001) 査読有り

    Pristovsek M, Tsukamoto S, Ohtake A, Koguchi N, Orr BG, Schmidt WG, Bernholc J

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   240 巻 ( 1 ) 頁: 91-98   2003年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  95. In situ scanning tunneling microscopy of InAs quantum dots on GaAs(001) during molecular beam epitaxial growth 査読有り

    Bell GR, Pristovsek M, Tsukamoto S, Orr BG, Arakawa Y, Koguchi N

    SURFACE SCIENCE   544 巻 ( 2-3 ) 頁: 234-240   2003年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.susc.2003.08.021

    Web of Science

  96. Structure of Ga-stabilized GaAs(001) surfaces at high temperatures 査読有り

    Ohtake A, Tsukamoto S, Pristovsek M, Koguchi N

    APPLIED SURFACE SCIENCE   212 巻   頁: 146-150   2003年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0169-4332(03)00039-4

    Web of Science

  97. Ga-rich GaAs(001) surfaces observed by STM during high-temperature annealing in MBE 査読有り

    Tsukamoto S, Pristovsek M, Ohtake A, Orr BG, Bell GR, Ohno T, Koguchi N

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   251 巻 ( 1-4 ) 頁: 46-50   2003年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  98. Influence of the reconstruction of GaAs (001) on the electro-optical bulk properties 査読有り

    Pristovsek M, Tsukamoto S, Han B, Zettler JT, Richter W

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   248 巻   頁: 254-258   2003年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  99. Novel organopalladium material formed on a sulfur-terminated GaAs(001) surface 査読有り

    Arisawa M, Tsukamoto S, Shimoda M, Pristovsek M, Nishida A

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   41 巻 ( 11A ) 頁: L1197-L1199   2002年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.41.L1197

    Web of Science

  100. Structure analysis of the Ga-stabilized GaAs(001)-c(8x2) surface at high temperatures 査読有り

    Ohtake A, Tsukamoto S, Pristovsek M, Koguchi N, Ozeki M

    PHYSICAL REVIEW B   65 巻 ( 23 )   2002年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.65.233311

    Web of Science

  101. Real-time calibration of wafer temperature, growth rate and composition by optical in-situ techniques during AlxGa1-xAs growth in MOVPE 査読有り

    Haberland K, Kaluza A, Zorn M, Pristovsek M, Hardtdegen H, Weyers M, Zettler JT, Richter W

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   240 巻 ( 1-2 ) 頁: 87-97   2002年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  102. In-situ determination of the carrier concentration of (001) GaAs by Reflectance Anisotropy Spectroscopy 査読有り

    Pristovsek M, Tsukamoto S, Koguchi N, Han B, Haberland K, Zettler JT, Richter W, Zorn M, Weyers M

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH   188 巻 ( 4 ) 頁: 1423-1429   2001年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  103. In situ investigation of GaAs (001) intrinsic carbon p-doping in metal-organic vapour phase epitaxy 査読有り

    Pristovsek M, Han B, Zettler JT, Richter W

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   221 巻   頁: 149-155   2000年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  104. Surface structure of ordered InGaP(001): The (2x4) reconstruction 査読有り

    Vogt P, Ludge K, Zorn M, Pristovsek M, Braun W, Richter W, Esser N

    PHYSICAL REVIEW B   62 巻 ( 19 ) 頁: 12601-12604   2000年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  105. Diffusion of Ga on the GaAs (113) surface in the [1(1)over-bar-0] direction during MOVPE growth 査読有り

    Pristovsek M, Menhal H, Zettler JT, Richter W

    APPLIED SURFACE SCIENCE   166 巻 ( 1-4 ) 頁: 433-436   2000年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  106. Dynamic study of the surfaces of (001) gallium arsenide in metal-organic vapor-phase epitaxy during arsenic desorption 査読有り

    Pristovsek M, Trepk T, Klein M, Zettler JT, Richter W

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   87 巻 ( 3 ) 頁: 1245-1250   2000年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  107. Atomic structure and composition of the (2X4) reconstruction of InGaP(001) 査読有り

    Vogt P, Ludge K, Zorn M, Pristovsek M, Braun W, Richter W, Esser N

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   18 巻 ( 4 ) 頁: 2210-2214   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  108. (2x4) GaP(001) surface: Atomic structure and optical anisotropy 査読有り

    Frisch AM, Schmidt WG, Bernholc J, Pristovsek M, Esser N, Richter W

    PHYSICAL REVIEW B   60 巻 ( 4 ) 頁: 2488-2494   1999年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  109. GaP(001) and InP(001): Reflectance anisotropy and surface geometry 査読有り

    Esser N, Schmidt WG, Bernholc J, Frisch AM, Vogt P, Zorn M, Pristovsek M, Richter W, Bechstedt F, Hannappel T, Visbeck S

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   17 巻 ( 4 ) 頁: 1691-1696   1999年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  110. Comparative study of the GaAs (113), (115), (001), ((1)over-bar(1)over-bar(5)over-bar), ((1)over-bar(1)over-bar(3)over-bar), and (110) surfaces by atomic force microscopy, low energy electron diffraction, and reflectance anisotropy spectroscopy 査読有り

    Pristovsek M, Menhal H, Schmidtling T, Esser N, Richter W

    MICROELECTRONICS JOURNAL   30 巻 ( 4-5 ) 頁: 449-453   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  111. Photoluminescence scanning near-field optical microscopy on III-V quantum dots 査読有り

    Pahlke D, Poser F, Steimetz E, Pristovsek M, Esser N, Richter W

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH   170 巻 ( 2 ) 頁: 401-410   1998年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  112. Real-time monitoring of MOVPE device growth by reflectance anisotropy spectroscopy and related optical techniques 査読有り

    Zettler JT, Haberland K, Zorn M, Pristovsek M, Richter W, Kurpas P, Weyers M

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   195 巻 ( 1-4 ) 頁: 151-162   1998年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  113. Reconstructions of the GaAs (1 1 3) surface 査読有り

    Pristovsek M, Menhal H, Wehnert T, Zettler JT, Schmidtling T, Esser N, Richter W, Setzer C, Platen J, Jacobi K

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   195 巻 ( 1-4 ) 頁: 1-5   1998年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  114. In situ characterization of GaAs growth in nitrogen atmosphere during MOVPE: a comparison to hydrogen atmosphere 査読有り

    Hardtdegen H, Pristovsek M, Menhal H, Zettler JT, Richter W, Schmitz D

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   195 巻 ( 1-4 ) 頁: 211-216   1998年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  115. Atomic structure of InP(001)-(2x4): A dimer reconstruction 査読有り

    Schmidt WG, Bechstedt F, Esser N, Pristovsek M, Schultz C, Richter W

    PHYSICAL REVIEW B   57 巻 ( 23 ) 頁: 14596-14599   1998年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  116. Response of the surface dielectric function to dynamic surface modifications: application of reflectance anisotropy spectroscopy and spectroscopic ellipsometry 査読有り

    Zettler JT, Pristovsek M, Trepk T, Shkrebtii A, Steimetz E, Zorn M, Richter W

    THIN SOLID FILMS   313 巻   頁: 537-543   1998年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  117. Ellipsometric and reflectance-anisotropy measurements on rotating samples 査読有り

    Haberland K, Hunderi O, Pristovsek M, Zettler JT, Richter W

    THIN SOLID FILMS   313 巻   頁: 620-624   1998年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  118. Structure of InP (001) surfaces prepared by decapping and by ion bombardment and annealing 査読有り

    Pahlke D, Kinsky J, Schultz C, Pristovsek M, Zorn M, Esser N, Richter W

    PHYSICAL REVIEW B   56 巻 ( 4 ) 頁: R1661-R1663   1997年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  119. Optical anisotropies of InP(001) surfaces 査読有り

    Goletti C, Esser N, ReschEsser U, Wagner V, Foeller J, Pristovsek M, Richter W

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   81 巻 ( 8 ) 頁: 3611-3615   1997年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  120. In situ surface passivation of III-V semiconductors in MOVPE by amorphous As and P layers 査読有り

    Knorr K, Pristovsek M, ReschEsser U, Esser N, Zorn M, Richter W

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   170 巻 ( 1-4 ) 頁: 230-236   1997年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  121. Scanning-tunneling-microscopy study of InP(001) surfaces prepared by UHV decapping of metal-organic vapor-phase-epitaxy-grown samples 査読有り

    Esser N, ReschEsser U, Pristovsek M, Richter W

    PHYSICAL REVIEW B   53 巻 ( 20 ) 頁: 13257-13259   1996年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  122. Real time diagnostics of semiconductor surface modifications by reflectance anisotropy spectroscopy 査読有り

    Zettler JT, Richter W, Ploska K, Zorn M, Rumberg J, Meyne C, Pristovsek M

    SEMICONDUCTOR CHARACTERIZATION     頁: 537-543   1996年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  123. Growth oscillations with monolayer periodicity monitored by ellipsometry during metalorganic vapor phase epitaxy of GaAs(001) 査読有り

    Zettler JT, Wethkamp T, Zorn M, Pristovsek M, Meyne C, Ploska K, Richter W

    APPLIED PHYSICS LETTERS   67 巻 ( 25 ) 頁: 3783-3785   1995年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  124. Reflectance anisotropy oscillations during MOCVD and MBE growth of GaAs (001) 査読有り

    Zettler JT, Rumberg J, Ploska K, Stahrenberg K, Pristovsek M, Richter W, Wassermeier M, Schutzendube P, Behrend J, Daweritz L

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH   152 巻 ( 1 ) 頁: 35-47   1995年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  125. Metalorganic vapour phase epitaxial growth on vicinal GaAs (001) surfaces studied by reflectance anisotropy spectroscopy 査読有り

    Ploska K, Pristovsek M, Richter W, Jonsson J, Kamiya I, Zettler JT

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH   152 巻 ( 1 ) 頁: 49-59   1995年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  126. SURFACE PROCESSES BEFORE AND DURING GROWTH OF GAAS(001) 査読有り

    PLOSKA K, ZETTLER JT, RICHTER W, JONSSON J, REINHARDT F, RUMBERG J, PRISTOVSEK M, ZORN M, WESTWOOD D, WILLIAMS RH

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   145 巻 ( 1-4 ) 頁: 44-52   1994年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  127. EFFICIENCY OF ARSENIC AND PHOSPHORUS PRECURSORS INVESTIGATED BY REFLECTANCE ANISOTROPY SPECTROSCOPY 査読有り

    KURPAS P, JONSSON J, RICHTER W, GUTSCHE D, PRISTOVSEK M, ZORN M

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   145 巻 ( 1-4 ) 頁: 36-43   1994年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

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講演・口頭発表等 14

  1. Where have all the carriers gone? The last barrier bound state model of LEDs 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    Seminar Friday at Osram Semiconductors 

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    開催年月日: 2015年10月8日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Osram Semiconductors, Regensburg, Germany   国名:ドイツ連邦共和国  

  2. Can semipolar LEDs realise their promise? 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    PolarCoN Winter School 2015 

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    開催年月日: 2015年3月3日 - 2015年3月5日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Reisenburg   国名:ドイツ連邦共和国  

  3. When the surface rules: topography, defects or facets, and the limit of in-situ monitoring 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 

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    開催年月日: 2013年8月11日 - 2013年8月13日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Warzaw   国名:ポーランド共和国  

  4. Low-cost high-efficiency GaN LEDs grown on 6-inch silicon 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2013) 

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    開催年月日: 2013年1月28日 - 2013年2月1日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  5. Growth of In(Ga)As and In(Ga)N Nanostructures by Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    Nichia Course 

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    開催年月日: 2011年5月29日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  6. Growth of InN by Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    Spring meeting of the European Material Research Society 

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    開催年月日: 2011年5月9日 - 2011年5月11日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nice   国名:フランス共和国  

  7. In-situ Monitoring of Doping with Reflectance Anisotropy Spectroscopy 招待有り

    PRISTOVSEK Markus

    3rd NanoCharm Workshop on Non-Destructive Real Time Process Control 

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    開催年月日: 2010年10月6日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  8. Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy of Nitride Semiconductors 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    IInd Rainbow-Workshop 

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    開催年月日: 2010年8月31日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スペイン  

  9. Advanced In-situ Monitoring of MOVPE 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    SemiconNano 2009 

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    開催年月日: 2009年8月9日 - 2009年8月14日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  10. Surface and thin film analysis during vapour phase epitaxial growth 招待有り

    PRISTOVSEK Markus

    13th International Summer School on Crystal Growth 

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    開催年月日: 2007年8月5日 - 2007年8月11日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Park City, Utah   国名:アメリカ合衆国  

  11. State of the Art of in-situ Monitoring in Metal Organic Vapour Phase Epitaxy 招待有り

    PRISTOVSEK Markus

    Anan Special Seminar 

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    開催年月日: 2007年8月1日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  12. In-situ STM in MOVPE: realtime, realspace in-situ monitoring 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    13th International Conference for Metal-organic Vapor Phase Epitaxy 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年5月22日 - 2006年5月26日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  13. In-situ Scanning Tunneling Microscopy in MOVPE - Promises, Challenges, Results 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    11th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy 

     詳細を見る

    開催年月日: 2005年5月5日 - 2005年5月8日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Lausanne   国名:スイス連邦  

  14. In-situ Determination of the Carrier Concentration of (001) GaAs by Reflectance Anisotropy Spectroscopy 招待有り 国際会議

    PRISTOVSEK Markus

    1st Optics of Surfaces and Interfaces 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年5月7日

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Bad Honnef   国名:ドイツ連邦共和国  

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産業財産権 1

  1. 高電子移動度トランジスタ装置、半導体多層膜ミラーおよび縦型ダイオード

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    出願番号:2020-009453  出願日:2020年1月23日

    特許番号/登録番号:C20180467JP#P01  登録日:2020年1月23日 

    出願国:国内