2024/04/11 更新

写真a

クシモト マキ
久志本 真希
KUSHIMOTO Maki
所属
大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス工学 講師
大学院担当
大学院工学研究科
学部担当
工学部 電気電子情報工学科
職名
講師

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2016年3月   名古屋大学 ) 

研究分野 1

  1. ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

現在の研究課題とSDGs 1

  1. 深紫外発光素子

委員歴 18

  1. 第43 回電子材料シンポジウム実行委員会   企業展示委員  

    2024年3月 - 現在   

  2. International Workshop on Nitride Semiconductors 2024   Program committee  

    2024年2月 - 現在   

  3. International Workshop on UV Materials and Devices 2024 ( IWUMD2024)   International Program Committee  

    2023年7月 - 現在   

  4. 一般社団法人ワイドギャップ半導体学会   企画幹事  

    2023年4月 - 現在   

  5. The 21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy   Technical Program Committee  

    2023年3月 - 現在   

  6. Applied Physics Letters   Early Career Editorial Advisory Board  

    2022年7月 - 現在   

  7. 一般社団法人レーザー学会   レーザー学会学術講演会 プログラム委員会F 委員  

    2022年6月 - 2023年3月   

  8. 公益社団法人 応用物理学会   機関誌企画・編集委員会  

    2022年4月 - 2024年3月   

  9. International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022)   Symposium Program Committee  

    2021年10月 - 2023年3月   

  10. 一般社団法人ワイドギャップ半導体学会   企画委員  

    2021年7月 - 2023年3月   

  11. 応用物理学会東海支部   庶務幹事補佐  

    2019年4月 - 2021年3月   

  12. SSDM2019実行委員会   実行委員  

    2018年8月 - 2019年12月   

  13. ISPLASMA 2019 実行委員会   実行委員  

    2018年4月 - 2019年3月   

  14. 第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会   現地担当幹事  

    2018年1月 - 2018年12月   

  15. ISPLASMA 2018 実行委員会   実行委員  

    2017年10月 - 2018年3月   

  16. The International Workshop on UV Materials and Devices 2017 ( IWUMD2017)   IWUMD 実行委員(寄付・展示委員  

    2017年2月 - 2018年3月   

  17. 応用物理学会東海支部   幹事  

    2017年 - 現在   

  18. International Workshop on Nitride Semiconductors 2018   プログラム委員会・庶務委員  

    2016年10月 - 2019年3月   

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受賞 16

  1. 2022 Harold M. Manasevit Young Investigator Award

    2022年7月   the American Association for Crystal Growth  

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:ドイツ連邦共和国

  2. 令和4年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰 若手科学者賞

    2022年4月   文部科学省   極微小深紫外半導体レーザーに関する研究

    久志本 真希

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    受賞区分:国内外の国際的学術賞  受賞国:日本国

  3. 令和元年度赤﨑賞

    2020年7月   国立大学法人東海国立大学機構   極微小深紫外半導体レーザーダイオードの実現

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    受賞国:日本国

  4. 第45回 応用物理学会 優秀論文賞

    2024年3月   応用物理学会   Continuous-wave lasing of AlGaN-based ultraviolet laser diode at 274.8 nm by current injection

    張梓懿,久志本真希,吉川陽,青戸孝,Leo J.Schowalter,笹岡千秋,天野浩

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    受賞区分:学会誌・学術雑誌による顕彰  受賞国:日本国

  5. 第40回論文賞

    2023年12月   日本結晶成長学会   深紫外線レーザーダイオードにおける室温連続振の実現

    張 梓懿, 久志本 真希, 吉川 陽, 笹岡 千秋, 天野 浩

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    受賞区分:学会誌・学術雑誌による顕彰  受賞国:日本国

  6. 第22回IEEE EDS Japan Joint Chapter Student Award

    2023年12月   IEEE Electron Devices Society Japan Joint Chapter   Demonstration of AlN-based Vertical p-n Diodes with Dopant-Free Distributed-Polarization Doping

    T. Kumabe, A. Yoshikawa, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Arai, J. Suda, H. Amano

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞 

  7. The IDW '23 Best Paper Award

    2023年12月   The International Display Workshops   Development of Room Temperature Continuous-Wave Deep Ultraviolet Laser Diodes

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Leo J Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞 

  8. Best Student Award

    2023年11月   ICNS-14  

    Tatsuhiro Tanaka, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞 

  9. 2023堀場雅夫賞 特別賞

    2023年10月   株式会社堀場製作所   微細構造計測に向けた小型深紫外レーザー光源の開発

    久志本 真希

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    受賞区分:出版社・新聞社・財団等の賞  受賞国:日本国

  10. 第1回ダイバーシティ&インクルージョン賞 女性研究者研究奨励賞

    2023年3月   公益社団法人 応用物理学会   未踏波長帯域深紫外レーザーダイオードに関する研究

    久志本 真希

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  11. 第42回(2020年度)応用物理学会論文賞

    2020年9月   公益社団法人 応用物理学会  

    張梓懿、久志本真希、酒井忠慶、杉山直治、Leo J. Schowalter、笹岡千秋、天野浩

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    受賞区分:学会誌・学術雑誌による顕彰  受賞国:日本国

  12. 平成29年度ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞

    2017年7月   ナノ構造・エピタキシャル成長分科会   Optically pumped lasing properties of (1-101) InGaN/GaN stripe multiquantum wells

    久志本真希

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  13. 第37回(2014年秋季)応用物理学会「講演奨励賞」

    2015年3月   公益社団法人 応用物理学会   (001)Si基板上半極性面InGaN光共振器の 誘導放出特性

    久志本真希

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  14. 電子情報通信学会東海支部学生研究奨励賞(博士)

    2014年6月   一般社団法人電子情報通信学会東海支部  

    久志本真希

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  15. 日本結晶成長学会ナノエピ分科会 発表奨励賞

    2013年6月   日本結晶成長学会ナノエピ分科会   加工Si基板上(1-101)InGaN/GaN MQWストライプ結晶の光学特性

    久志本真希

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  16. 電子情報通信学会電子デバイス研究会 論文発表奨励賞

    2012年6月   電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ電子デバイス研究専門委員会   Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

    久志本真希

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

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論文 59

  1. Study on Degradation of Deep-Ultraviolet Laser Diode 査読有り

    Zhang, ZY; Yoshikawa, A; Kushimoto, M; Sasaoka, C; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE     2024年2月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssa.202300946

    Web of Science

  2. Demonstration of AlGaN-on-AlN p-n Diodes With Dopant-Free Distributed Polarization Doping 査読有り

    Kumabe, T; Yoshikawa, A; Kawasaki, S; Kushimoto, M; Honda, Y; Arai, M; Suda, J; Amano, H

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES     2024年2月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/TED.2024.3367314

    Web of Science

  3. Impact of unintentionally formed compositionally graded layer on carrier injection efficiency in AlGaN-based deep-ultraviolet laser diodes 査読有り

    Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Maki Kushimoto, Koji Aoto, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano

    Applied Physics Letters   124 巻 ( 6 )   2024年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  4. Demonstration of AlN-based Vertical p-n Diodes with Dopant-free Distributed Polarization Doping 査読有り

    Takeru Kumabe, Akira Yoshikawa, Seiya Kawasaki, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Manabu Arai, Jun Suda, and Hiroshi Amano

    IEEE Transactions on Electron Devices     2024年2月

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    記述言語:英語  

  5. Impact of unintentionally formed compositionally graded layer on carrier injection efficiency in AlGaN-based deep-ultraviolet laser diodes 査読有り

    Zhang, ZY; Yoshikawa, A; Kushimoto, M; Aoto, K; Sasaoka, C; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   124 巻 ( 6 )   2024年2月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/5.0184543

    Web of Science

  6. 単結晶AlN基板を用いたUV-C波長域レーザーダイオード 査読有り

    張 梓懿,久志本 真希,吉川 陽,笹岡 千秋,Leo J. SCHOWALTER,天野 浩

    レーザー研究(「高出力短波長光源開発とその応用技術の進展」特集号)   Vol. 52 巻 ( No. 1 )   2024年1月

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    記述言語:日本語  

  7. Using low-temperature growth to resolve the composition pulling effect of UV-C LEDs 査読有り

    Yoshikawa, A; Zhang, ZY; Kushimoto, M; Aoto, K; Sasaoka, C; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   123 巻 ( 22 )   2023年11月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/5.0183320

    Web of Science

  8. A Review on the Progress of AlGaN Tunnel Homojunction Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes

    Nagata, K; Matsubara, T; Saito, Y; Kataoka, K; Narita, T; Horibuchi, K; Kushimoto, M; Tomai, S; Katsumata, S; Honda, Y; Takeuchi, T; Amano, H

    CRYSTALS   13 巻 ( 3 )   2023年3月

  9. Key temperature-dependent characteristics of AlGaN-based UV-C laser diode and demonstration of room-temperature continuous-wave lasing 査読有り

    Zhang, ZY; Kushimoto, M; Yoshikawa, A; Aoto, K; Sasaoka, C; Schowalter, LJ; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   121 巻 ( 22 )   2022年11月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/5.0124480

    Web of Science

  10. Local stress control to suppress dislocation generation for pseudomorphically grown AlGaN UV-C laser diodes 査読有り

    Kushimoto, M; Zhang, ZY; Yoshikawa, A; Aoto, K; Honda, Y; Sasaoka, C; Schowalter, LJ; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   121 巻 ( 22 )   2022年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/5.0124512

    Web of Science

  11. Continuous-wave lasing of AlGaN-based ultraviolet laser diode at 274.8 nm by current injection 査読有り

    Zhang, ZY; Kushimoto, M; Yoshikawa, A; Aoto, K; Schowalter, LJ; Sasaoka, C; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 4 )   2022年4月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac6198

    Web of Science

  12. Sputtered polycrystalline MgZnO/Al reflective electrodes for enhanced light emission in AlGaN-based homojunction tunnel junction DUV-LED 査読有り

    Matsubara, T; Nagatat, K; Kushimoto, M; Tomai, S; Katsumata, S; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 4 )   2022年4月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac5acf

    Web of Science

  13. Structural design optimization of 279 nm wavelength AlGaN homojunction tunnel junction deep-UV light-emitting diode 査読有り

    Nagata, K; Anada, S; Miwa, H; Matsui, S; Boyama, S; Saito, Y; Kushimoto, M; Honda, Y; Takeuchi, T; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 4 )   2022年4月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac60c7

    Web of Science

  14. Visualization of depletion layer in AlGaN homojunction p-n junction 査読有り

    Nagata, K; Anada, S; Saito, Y; Kushimoto, M; Honda, Y; Takeuchi, T; Yamamoto, K; Hirayama, T; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 3 )   2022年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac53e2

    Web of Science

  15. Threshold increase and lasing inhibition due to hexagonal-pyramid-shaped hillocks in AlGaN-based DUV laser diodes on single-crystal AlN substrate 招待有り 査読有り

    Kushimoto, M; Zhang, ZY; Honda, Y; Schowalter, LJ; Sasaoka, C; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( 1 )   2022年1月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac3a1d

    Web of Science

  16. Improving light output power of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes by optimizing the optical thickness of p-layers 査読有り

    Matsukura, Y; Inazu, T; Pernot, C; Shibata, N; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 8 )   2021年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac154c

    Web of Science

  17. Reduction in operating voltage of AlGaN homojunction tunnel junction deep-UV light-emitting diodes by controlling impurity concentrations 査読有り

    Nagata, K; Makino, H; Miwa, H; Matsui, S; Boyama, S; Saito, Y; Kushimoto, M; Honda, Y; Takeuchi, T; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 8 )   2021年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac0fb6

    Web of Science

  18. Impact of heat treatment process on threshold current density in AlGaN-based deep-ultraviolet laser diodes on AlN substrate 査読有り

    Kushimoto, M; Zhang, ZY; Sugiyama, N; Honda, Y; Schowalter, LJ; Sasaoka, C; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 5 )   2021年5月

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  19. Development of UV-C laser diodes on AlN substrate 招待有り

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano

    Proc. SPIE   11686 巻   頁: 116860P   2021年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  20. Decrease in the injection efficiency and generation of midgap states in UV-C LEDs: a model based on rate equations 招待有り 国際共著

    F. Piva, C. De Santi, M. Buffolo, M. Deki, M. Kushimoto, H. Amano, H. Tomozawa, N. Shibata, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini

    Proc. SPIE   11686 巻   頁: 116860   2021年3月

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    記述言語:英語  

  21. Modeling the degradation mechanisms of AlGaN-based UV-C LEDs: from injection efficiency to mid-gap state generation 査読有り 国際共著

    Piva F., De Santi C., Deki M., Kushimoto M., Amano H., Tomozawa H., Shibata N., Meneghesso G., Zanoni E., Meneghini M.

    PHOTONICS RESEARCH   8 巻 ( 11 ) 頁: 1786-1791   2020年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1364/PRJ.401785

    Web of Science

  22. AlN 基板上 AlGaN ヘテロ構造 UVC レーザーダイオード 招待有り 査読有り

    久志本 真希

    日本結晶成長学会誌   47 巻 ( 3 ) 頁: 47-3-03   2020年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   出版者・発行元:日本結晶成長学会誌  

  23. Space charge profile study of AlGaN-based p-type distributed polarization doped claddings without impurity doping for UV-C laser diodes 査読有り

    Zhang Ziyi, Kushimoto Maki, Horita Masahiro, Sugiyama Naoharu, Schowalter Leo J., Sasaoka Chiaki, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 15 )   2020年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0027789

    Web of Science

  24. Design and characterization of a low-optical-loss UV-C laser diode 査読有り

    Zhang Ziyi, Kushimoto Maki, Sakai Tadayoshi, Sugiyama Naoharu, Schowalter Leo J., Sasaoka Chiaki, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 9 ) 頁: .   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  25. Impact of high-temperature implantation of Mg ions into GaN 査読有り

    Takahashi Masahiro, Tanaka Atsushi, Ando Yuto, Watanabe Hirotaka, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Shima Kohei, Kojima Kazunobu, Chichibu Shigefusa F., Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 5 ) 頁: .   2020年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  26. Experimental observation of high intrinsic thermal conductivity of AlN 査読有り

    Cheng Zhe, Koh Yee Rui, Mamun Abdullah, Shi Jingjing, Bai Tingyu, Huynh Kenny, Yates Luke, Liu Zeyu, Li Ruiyang, Lee Eungkyu, Liao Michael E., Wang Yekan, Yu Hsuan Ming, Kushimoto Maki, Luo Tengfei, Goorsky Mark S., Hopkins Patrick E., Amano Hiroshi, Khan Asif, Graham Samuel

    PHYSICAL REVIEW MATERIALS   4 巻 ( 4 )   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.4.044602

    Web of Science

  27. On-wafer fabrication of etched-mirror UV-C laser diodes with the ALD-deposited DBR

    Sakai Tadayoshi, Kushimoto Maki, Zhang Ziyi, Sugiyama Naoharu, Schowalter Leo J., Honda Yoshio, Sasaoka Chiaki, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   116 巻 ( 12 )   2020年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5145017

    Web of Science

  28. Effect of Annealing on the Electrical and Optical Properties of MgZnO Films Deposited by Radio Frequency Magnetron Sputtering

    Kushimoto Maki, Sakai Tadayoshi, Ueoka Yoshihiro, Tomai Shigekazu, Katsumata Satoshi, Deki Manato, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE     2020年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201900955

    Web of Science

  29. Scalable synthesis of multilayer h-BN on AlN by metalorganic vapor phase epitaxy: nucleation and growth mechanism

    Yang Xu, Nitta Shugo, Pristovsek Markus, Liu Yuhuai, Liao Yaqiang, Kushimoto Maki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    2D MATERIALS   7 巻 ( 1 )   2020年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/2053-1583/ab46e6

    Web of Science

  30. Role of defects in the mid-term degradation of UV-B LEDs investigated by optical and DLTS measurements

    Piva, F; De Santi, C; Deki, M; Kushimoto, M; Amano, H; Tomozawa, H; Shibata, N; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M

    GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XV   11280 巻   2020年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1117/12.2544704

    Web of Science

  31. Dielectric Ruduced Surface Field Effect on Vertical GaN-on-GaN Nanowire Schottky Barrier Diodes 査読有り 国際共著 国際誌

    Liao, YQ; Chen, T; Wang, J; Ando, Y; Yang, X; Watanabe, H; Hirotani, J; Kushimoto, M; Deki, M; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Chen, KJ; Amano, H

    PROCEEDINGS OF THE 2020 32ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD 2020)     頁: 349 - 352   2020年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/ispsd46842.2020.9170101

    Web of Science

  32. Suppression of Green Luminescence of Mg-Ion-Implanted GaN by Subsequent Implantation of Fluorine Ions at High Temperature

    Takahashi Masahiro, Tanaka Atsushi, Ando Yuto, Watanabe Hirotaka, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Shima Kohei, Kojima Kazunobu, Chichibu Shigefusa F., Chen Kevin J., Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS     2019年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201900554

    Web of Science

  33. A 271.8 nm deep-ultraviolet laser diode for room temperature operation

    Zhang Ziyi, Kushimoto Maki, Sakai Tadayoshi, Sugiyama Naoharu, Schowalter Leo J., Sasaoka Chiaki, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 12 )   2019年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1882-0786/ab50e0

    Web of Science

  34. Stability and degradation of AlGaN-based UV-B LEDs: Role of doping and semiconductor defects

    Piva, F; De Santi, C; Deki, M; Kushimoto, M; Amano, H; Tomozawa, H; Shibata, N; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M

    MICROELECTRONICS RELIABILITY   100 巻   2019年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.microrel.2019.113418

    Web of Science

  35. V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate

    Tanaka Atsushi, Nagamatsu Kentaro, Usami Shigeyoshi, Kushimoto Maki, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Bockowski Michal, Amano Hiroshi

    AIP ADVANCES   9 巻 ( 9 )   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5114866

    Web of Science

  36. Origin of acceptor diffusion into silicon substrate during GaN growth by metal organic chemical vapor deposition

    Matsumoto Koji, Ono Toshiaki, Honda Yoshio, Torigoe Kazuhisa, Kushimoto Maki, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 7 )   2019年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab2657

    Web of Science

  37. Ammonia decomposition and reaction by high-resolution mass spectrometry for group III - Nitride epitaxial growth

    Ye Zheng, Nitta Shugo, Nagamatsu Kentaro, Fujimoto Naoki, Kushimoto Maki, Deki Manato, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   516 巻   頁: 63-66   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.03.025

    Web of Science

  38. Deeply and vertically etched butte structure of vertical GaN p-n diode with avalanche capability

    Fukushima Hayata, Usami Shigeyoshi, Ogura Masaya, Ando Yuto, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab106c

    Web of Science

  39. Narrow Excitonic Lines in Core-Shell Nanorods With InGaN/GaN Quantum Wells Intersected by Basal Stacking Faults

    Evropeitsev Evgeniy A., Robin Yoann, Shubina Tatiana V., Bae Si-Young, Nitta Shugo, Kirilenko Demid A., Davydov Valery Y., Smirnov Alexandr N., Toropov Alexey A., Kushimoto Maki, Ivanov Sergey V., Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   256 巻 ( 6 )   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201800648

    Web of Science

  40. Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation (vol 508, pg 58, 2019)

    Liu Zhibin, Nitta Shugo, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Sitar Zlatko, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   514 巻   頁: 13-13   2019年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.058

    Web of Science

  41. Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Liu, ZB; Nitta, S; Usami, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   509 巻   頁: 50 - 53   2019年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.12.007

    Web of Science

  42. Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation

    Liu, ZB; Nitta, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   508 巻   頁: 58 - 65   2019年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.12.028

    Web of Science

  43. Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown

    Fukushima, H; Usami, S; Ogura, M; Ando, Y; Tanaka, A; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 2 )   2019年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1882-0786/aafdb9

    Web of Science

  44. Localization and transient emission properties in InGaN/GaN quantum wells of different polarities within core- shell nanorods

    Robin, Y; Evropeitsev, EA; Shubina, TV; Kirilenko, DA; Davydov, VY; Smirnov, AN; Toropov, AA; Eliseyev, IA; Bae, SY; Kushimoto, M; Nitta, S; Ivanov, SV; Amano, H

    NANOSCALE   11 巻 ( 1 ) 頁: 193 - 199   2019年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c8nr05863f

    Web of Science

    PubMed

  45. Detailed study of effects of duration of pre-AIN-growth trimethylaluminum step on morphologies of GaN layers grown on silicon substrate by metal organic chemical vapor deposition

    Matsumoto, K; Ono, T; Honda, Y; Murakami, S; Kushimoto, M; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 9 )   2018年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.091001

    Web of Science

  46. Insight into the performance of multi-color InGaN/GaN nanorod light emitting diodes

    Robin, Y; Bae, SY; Shubina, TV; Pristovsek, M; Evropeitsev, EA; Kirilenko, DA; Davydov, VY; Smirnov, AN; Toropov, AA; Jmerik, VN; Kushimoto, M; Nitta, S; Ivanov, SV; Amano, H

    SCIENTIFIC REPORTS   8 巻   2018年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-018-25473-x

    Web of Science

    PubMed

  47. <i>m</i>-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle <i>m</i>-Plane GaN Substrates

    Tanaka, A; Ando, Y; Nagamatsu, K; Deki, M; Cheong, H; Ousmane, B; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   215 巻 ( 9 )   2018年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201700645

    Web of Science

  48. Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Yang, X; Nitta, S; Pristovsek, M; Liu, YH; Nagamatsu, K; Kushimoto, M; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 5 )   2018年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.11.051002

    Web of Science

  49. Reduction of Dislocations in GaN on Silicon Substrate Using In Situ Etching

    Matsumoto, K; Ono, T; Honda, Y; Yamamoto, T; Usami, S; Kushimoto, M; Murakami, S; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   255 巻 ( 5 )   2018年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201700387

    Web of Science

  50. Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate

    Usami, S; Ando, Y; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Sugawara, Y; Yao, YZ; Ishikawa, Y

    APPLIED PHYSICS LETTERS   112 巻 ( 18 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5024704

    Web of Science

  51. Effect of dislocations on the growth of p-type GaN and on the characteristics of p-n diodes

    Usami, S; Miyagoshi, R; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Kushimoto, M; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201600837

    Web of Science

  52. Facet dependence of leakage current and carrier concentration in m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE

    Tanaka, A; Barry, O; Nagamatsu, K; Matsushita, J; Deki, M; Ando, Y; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201600829

    Web of Science

  53. Orientation-controlled epitaxial lateral overgrowth of semipolar GaN on Si(001) with a directionally sputtered AlN buffer layer

    Lee, HJ; Bae, SY; Lekhal, K; Tamura, A; Suzuki, T; Kushimoto, M; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 547 - 551   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.116

    Web of Science

  54. Selective-area growth of vertically oriented GaN nanostructures with a hafnium pre-orienting layer

    Bae, SY; Lekhal, K; Lee, HJ; Mitsunari, T; Min, JW; Lee, DS; Kushimoto, M; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 110 - 113   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.10.032

    Web of Science

  55. Development of Sustainable Smart Society based on Transformative Electronics

    Ogura, M; Ando, Y; Usami, S; Nagamatsu, K; Kushimoto, M; Deki, M; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Kawai, H; Yagi, S; Amano, H

    2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     頁: .   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  56. Growth of semipolar (1-101) high-indium-content InGaN quantum wells 査読有り

    Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 5S ) 頁: 05FA10   2016年4月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FA10

  57. Study of radiation detection properties of GaN pn diode 査読有り

    Mutsuhito Sugiura, Maki Kushimoto, Tadashi Mitsunari, Kohei Yamashita, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Hidenori Mimura, Toru Aoki, and Takayuki Nakano

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 6S ) 頁: 05FJ02   2016年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FJ02

  58. Optically pumped lasing properties of (1-101) InGaN/GaN stripe multi quantum wells with ridge cavity structure on patterned (001) Si substrates 査読有り

    Maki Kushimoto, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Applied Physics Express   8 巻 ( 2 ) 頁: 22702   2015年1月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.8.022702

  59. Fabrication of InGaN/GaN multiple quantum wells on (1-101) GaN 査読有り

    T. Tanikawa, T. Sano, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8 ) 頁: 08JB05   2013年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JC05

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講演・口頭発表等 150

  1. Advancements in AlGaN-Based Laser Diodes on AlN Substrates 招待有り 国際会議

    M. Kushimoto, Z. Zhang, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

    21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI) 

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    開催年月日: 2024年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  2. Heterojunction contact layer UV LED with MgZnO:Ga as p-side contact layer 国際会議

    M. Kushimoto, T. Tanaka, Y. Honda, and H. Amano

    LEDIA2024 

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    開催年月日: 2024年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  3. 深紫外 AlGaN 系発光デバイスの技術進展: UVC-LD,深紫外 LED コンタクト層開発 招待有り

    久志本 真希 , 本田 善央 , 天野 浩

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月24日 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン  

  4. 分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証

    隈部 岳瑠, 吉川 陽, 川崎 晟也, 久志本 真希, 本田 善央, 新井 学, 須田 淳, 天野 浩

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月23日 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン  

  5. [第45回優秀論文賞受賞記念講演] 単結晶AlN基板を用いた深紫外波長域レーザーダイオード 招待有り

    張 梓懿

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月23日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン  

  6. Demonstration of AlN-based Vertical p-n Diodes with Dopant-Free Distributed-Polarization Doping 国際会議

    T. Kumabe, A. Yoshikawa, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Arai, J. Suda, and H. Amano

    69th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)  2023年12月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  7. Development of Room Temperature Continuous-Wave Deep Ultraviolet Laser Diodes 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Leo J Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    30th International Display Workshops (IDW '23)  2023年12月7日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  8. 深紫外線レーザーダイオードにおける室温連続発振の実現 招待有り

    張 梓懿, 久志本 真希, 吉川 陽, 笹岡 千秋, 天野 浩

    第52回結晶成長国内会議(JCCG-52)  2023年12月5日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:ウインクあいち  

  9. Study on degradation of deep ultraviolet laser diode 国際会議

    Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Akira Yoshikawa, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月16日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  10. Demonstration of continuous wave lasing of deep UV Laser diodes on Single-crystal AlN substrate 国際会議

    Yoshio Honda, Yuta Furusawa, Ryoko Tsukamoto, Yoshiki Saito, Koji Okuno, Kengo Nagata, Shinya Boyama, Atsushi Miyazaki, Maki Kushimoto, and Hiroshi Amano

    14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月13日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  11. Demonstration of UV-C LEDs utilizing p-GaN/MgZnO:Ga hetero-tunnel junction 国際会議

    Tatsuhiro Tanaka, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月17日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  12. Recent Progress of Deep Ultraviolet Laser Diodes on AlN substrate 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Leo J Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月14日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  13. Recent developments in high efficiency for deep UV LEDs 招待有り 国際会議

    Yoshiki Saito, Kengo Nagata, Atsushi Miyazaki, Shinya Boyama, Koji Okuno, Masaki Oya, Keita Kataoka, Tetsuo Narita, Kayo Horibuchi, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Hisanori Ishiguro, Tetsuya Takeuchi, Kohei Shima, Shigefusa F Chichibu

    14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月17日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  14. Realization of AlN electron blocking layer with abrupt interface and its subsequent improvement in UV-C light-emitting device characteristics 国際会議

    Akira Yoshikawa, Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Koji Aoto, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月13日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  15. Demonstration of continuous wave lasing of deep UV Laser diodes on Single-crystal AlN substrate 招待有り 国際会議

    Z. Zhang, M.Kushimoto, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

    The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2023)  2023年6月8日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  16. CW operation of UV-C laser diodes 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto

    The 6th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD Ⅵ)  2023年6月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(基調)  

  17. Breakthrough technologies to realize room-temperature continuous-wave deep-ultraviolet laser diodes 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto

    SKM DPG conference  2023年3月29日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  18. [第1回ダイバーシティ&インクルージョン賞 女性研究者研究奨励賞 受賞記念講演] 未踏波長帯域深紫外レーザーダイオード 招待有り

    久志本真希

    第70回 応用物理学会 春季学術講演会  2023年3月16日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:上智大学四谷キャンパス/オンライン  

  19. Current-injected continuous-wave AlGaN-based UVC laser diodes 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    SPIE Photonics West 2023  2023年2月1日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年1月 - 2023年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  20. AlN基板を用いた深紫外半導体レーザー 招待有り

    久志本真希

    2022年度 結晶・評価WG研究会(第2回) /第45回CIRFEセミナー  2022年12月20日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年12月

    記述言語:日本語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    開催地:名古屋大学 研究共同館Ⅱ 2Fホール /オンライン  

  21. Realization of continuous-wave lasing of AlGaN-based UVC laser diode 招待有り 国際会議

    Ziyi Zhang,Maki Kushimoto

    The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS2022)  2022年11月17日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  22. Sputtered polycrystalline MgZnO/Al reflective electrodes for AlGaN-based homojunction tunnel junction deep-ultraviolet LEDs 国際会議

    Tatsuhiro Tanaka, Taichi Matsubara, Kengo Nagata, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022)  2022年10月24日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  23. Shortest wavelength AlGaN based semiconductor lasers 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto

    40th SPP Physics Conference  2022年10月20日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  24. Fabrication of GaN/AlN Resonant tunneling diodes by MOVPE 国際会議

    D. Iwata, T. Kumabe, H. Watanabe, M. Kushimoto, M. Deki, S. Nitta, A. Tanaka, Y. Honda, H. Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2022)  2022年10月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  25. Continuous-wave lasing of AlGaN-based UVC laser diode by current injection 国際会議

    Z. Zhang, M. Kushimoto, A. Yoshikawa, K. Aoto, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2022)  2022年10月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  26. Analysis of the cause of threshold rise of UV-C LD on AlN substrate 国際会議

    M.Kushimoto, Z. Zhang, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2022)  2022年10月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  27. 深紫外レーザーダイオードの連続波発振 招待有り

    久志本 真希, 張 梓懿, 吉川 陽, 青戸 孝至, 本田 善央, ショーワルター レオ, 笹岡 千秋, 天野 浩

    第83回 応用物理学会 秋季学術講演会  2022年9月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東北大学 川ノ内キャンパス(オンライン)  

  28. 異なるキャリア濃度を有するn型GaNに対する多光子励起 PECエッチングの調査

    丹羽 ののか,川崎 晟也, 隈部 岳瑠, 渡邉 浩崇, 古澤 優太, 田中 敦之, 出来 真斗, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

    第83回 応用物理学会 秋季学術講演会  2022年9月23日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学 川ノ内キャンパス(オンライン)  

  29. Toward AlGaN-based deep-ultraviolet LDs - Demonstration of the shortest wavelength LD and realization of CW operation 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto

    The 20th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy(ICMOVPE XX)  2022年7月14日 

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    開催年月日: 2022年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  30. Approaches to low threshold current density in deep UV laser diodes on AlN substrate 招待有り 国際会議

    M. Kushimoto, Z. Zhang, L. J. Schowalter, Y. Honda, C. Sasaoka, and H. Amano

    Compound Semiconductor Week 2022(CSW2022)  2022年6月1日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  31. High-efficiency AlGaN homojunction tunnel-junction deep-UV LEDs 招待有り 国際会議

    Kengo Nagata, Taichi Matsubara, Satoshi Anada, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Kazuo Yamamoto, Tsukasa Hirasama, and Hiroshi Amano

    5th International Workshop on UV Materials and Devices(IWUMD 2022)  2022年5月26日 

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    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  32. Reduction of Threshold Current Density in UV-C LDs Fabricated on AlN Substrates 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    2022 MRS Spring Meeting  2022年5月23日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  33. Development of reflective electrodes for deep-ultraviolet LEDs using polycrystalline MgZnO structural films 国際会議

    Maki Kushimoto, Taichi Matsubara, Kengo Nagata, Tatsuhiro Tanaka, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)  2022年4月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  34. Potential distribution analysis of AlGaN homojunction tunnel-junction by electron holography 国際会議

    Kengo Nagata, Satoshi Anada, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Kazuo Yamamoto, Tsukasa Hirayama, and Hiroshi Amano

    9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)  2022年4月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  35. Development of high efficiency AlGaN tunnel junction deep-UV LEDs 招待有り 国際会議

    Kengo Nagata, Taichi Matsubara, Maki Kushimoto, Yoshiki Saito, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, and Hiroshi Amano

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Sciense(ISPlasma2022 / IC-PLANTS2022)  2022年3月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  36. MOVPE法を用いたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの作製

    岩田大暉, 隈部岳瑠, 渡邉 浩崇, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年2月22日 

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    開催年月日: 2022年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学/オンライン  

  37. 多光子励起OBICを用いたGaN縦型p-nダイオード駆動中におけるキャリア濃度分布測定手法の提案

    八木誠,川崎晟也,隈部岳瑠,安藤悠人,田中敦之,出来真斗,久志本真希,新田州吾,本田善央,天野浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年2月23日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学/オンライン  

  38. Emission uniformity of UVC laser diodes on AlN substrates 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    SPIE Photonics West 2022   2022年2月21日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  39. AlN基板上UV-C レーザーダイオード

    久志本 真希、張 梓懿、本田 善央、レオ ショーワルター、笹岡 千秋、天野 浩

    一般社団法人レーザー学会学術講演会第42回年次大会  2022年1月14日 

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    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン開催  

  40. UV-C LDs fabricated on AlN Substrates 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity  2022年1月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  41. 最短波長UVC-LD の実現とその周辺技術 招待有り

    久志本 真希,張 梓懿,本田 善央,レオ ショーワルター,笹岡 千秋,天野 浩

    一般社団法人ワイドギャップ半導体学会第4回研究会  2021年12月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン開催  

  42. Sputtered polycrystalline MgZnO as transparent electrode in AlGaN-based homojunction tunnel junction deep-ultraviolet light-emitting diode for significant emission enhancement 国際会議

    Taichi Matsubara, Kengo Nagata, Maki Kushimoto1, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021(ICMaSS2021)  2021年11月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  43. Reduction of operating voltage of AlGaN homo junction tunnel junction deep UV light emitting diode by controlling impurity concentrations 国際会議

    Kengo Nagata, Hiroaki Makino, Hiroshi Miwa, Shinichi Matsui, Shinya Boyama, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Hiroshi Amano

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021(ICMaSS2021)  2021年11月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  44. Reducing the Threshold Current Density of Deep UV LDs on AlN Substrate 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Yoshio Honda, Leo Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    The IEEE Photonics Conference (IPC 2021)  2021年10月20日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  45. 電子線ホログラフィーを用いたAlGaNホモ接合トンネルジャンクションの電位分布解析

    永田 賢吾, 穴田 智史, 齋藤 義樹, 久志本 真希, 本田 善央, 竹内 哲也, 天野 浩, 山本 和生, 平山 司

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン開催  

  46. 深紫外LEDの発光出力向上に向けた多結晶スパッタリングMgZnO透明電極

    松原 太一, 永田 賢吾, 久志本 真希, 本田 善央, 天野 浩

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン開催  

  47. AlGaNホモ接合 トンネルジャンクション深紫外 LED の低電圧駆動 (2)

    永田 賢吾, 三輪 浩士, 松井 慎一, 坊山 晋也, 齋藤 義樹, 久志本 真希, 本田 善央, 竹内 哲也, 天野 浩

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン開催  

  48. Development of UV-C laser diode on AlN substrate using distributed polarization doped p-side cladding layer 招待有り 国際会議

    Chiaki Sasaoka, Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Leo J. Schowalter, and Hiroshi Amano

    Lester Eastman Conference on High Performance Devices ( LEC 2021)  2021年8月4日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  49. Deep UV Laser Diode with Compositionally Graded AlGaN p-cladding Layer 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano

    CLEO 2021  2021年5月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  50. UV-C laser diode with distributed polarization doped p-cladding layer 招待有り 国際共著 国際会議

    M. Kushimoto, Z. Zhang, T. Sakai, N. Sugiyama, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

    2021 MRS Spring Meeting  2021年4月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  51. Development of polarization doped UVC LDs on AlN substrates 招待有り 国際共著 国際会議

    M. Kushimoto, Z. Zhang, T. Sakai, N. Sugiyama, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

    CSW-2021  2021年5月13日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  52. AlGaNホモ接合トンネルジャンクション深紫外LEDの低電圧駆動

    永田 賢吾, 牧野 浩明, 三輪 浩士, 松井 慎一, 坊山 晋也, 齋藤 義樹, 久志本 真希, 本田 善央, 竹内 哲也, 天野 浩

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン開催   国名:日本国  

  53. 高温スパッタリングにより成膜したMgZnO透明電極材料の電気的及び光学的特性

    松原 太一 , 久志本 真希 , 渡邉 浩崇, 古澤 優太, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン開催   国名:日本国  

  54. Development of UV-C laser diodes on AlN substrate 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano

    SPIE PHOTONICS WEST  2021年3月6日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  55. Electrical and Optical Characteristics of Al-doped MgZnO Deposited by RF Magnetron Cosputtering 国際会議

    Taichi Matsubara, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  2021年3月1日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  56. Electrically injected AlGaN based deep-ultraviolet laser diodes 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    IPC 2020  2020年9月28日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:カナダ  

  57. GaN-on-GaN Vertical Nanowire Power Schottky Barrier Diode Fabricated by Top-down Approach 国際会議

    Yaqiang Liao, Tao Chen, Jia Wang, Yuto Ando, Xu Yang, Hirotaka Watanabe, Jun Hirotani, Maki Kushimoto, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kevin J. Chen, and Hiroshi Amano

    ISPSD 2020  2020年9月17日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:オーストリア共和国  

  58. Demonstration of a deep-ultraviolet laser diode on single crystal AlN substrate operating under current injection at room temperature 招待有り

    Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Naoharu Sugiyama, Leo.J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン開催   国名:日本国  

  59. AlGaN 系深紫外光デバイスの開発 -レーザーダイオードと透明導電膜 - 招待有り

    久志本 真希, 出来 真斗, 本田 善央, 天野 浩

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン開催   国名:日本国  

  60. 次世代深紫外光源に向けた透明導電膜と UV−C LD 招待有り

    久志本 真希

    第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会  2020年7月31日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン開催   国名:日本国  

  61. 272 nm deep-ultraviolet laser diode fabricated on high-quality AlN substrate 招待有り 国際会議

    C. Sasaoka, Z. Zhang, M. Kushimoto, T. Sakai, N. Sugiyama, L. J. Schowalter, and H. Amano

    ALPS 2020  2020年4月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  62. 表面積制御によるマイクロプレート型多色発光LEDの同時成長

    蔡 文トウ, 久志本 真希, 出来 真斗,田中 敦之,新田 州吾,本田 善央,天野 浩

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学四谷キャンパス   国名:日本国  

  63. ALD 法によりDBR を形成されたAlGaN UVC LD の室温パルス発振

    酒井 忠慶, 久志本 真希, 張 梓懿, 杉山 直治, 本田 善央, 笹岡 千秋, 天野 浩

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学四谷キャンパス   国名:日本国  

  64. GaN 縦型p-n ダイオードにおける2 光子吸収光電流の測定

    川崎晟也,安藤悠人,田中敦之,塚越真悠子,谷川智之,出来真斗,久志本真希,新田州吾,本田善央,天野浩

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学四谷キャンパス   国名:日本国  

  65. p-GaN エピ層中に Si イオン注入により形成した n-GaN の電気特性評価

    三浦史也、安藤 悠人,高橋 昌大,出来 真斗, 田中 敦之,渡邉 浩崇,久志本 真希,新田 州吾,本田 善央,天野 浩

    先進パワー半導体分科会第6回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:広島国際会議場   国名:日本国  

  66. ゲート電極形成プロセスがAl2O3/GaN界面およびチャネル特性に与える影響

    安藤悠人、中村徹、出来真斗、田岡紀之、田中敦之、渡邉浩崇、久志本真希、新田州吾、本田善央、山田永、清水三聡、天野浩

    先進パワー半導体分科会第6回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:広島国際会議場   国名:日本国  

  67. Crystal structure of MgZnO deposited by RF sputtering 国際会議

    Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Okinawa, Japan   国名:日本国  

  68. Photoelectrochemical Etching for GaN MEMS

    Takehiro Yamada, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    EMS-38 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:THE KASHIHARA(奈良県橿原市)   国名:日本国  

  69. Effect of interface state density on channel mobility in GaN lateral MISFET 国際会議

    Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hisashi Yamada, Mitsuaki Shimizu, and Hiroshi Amano

    SemiconNano 2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kobe, Japan   国名:日本国  

  70. GaN横型MISFETにおけるチャネル移動度に対する界面準位密度の影響2

    安藤 悠人,中村 徹, 出来 真斗, 田岡 紀之1, 田中 敦之, 渡邉 浩崇 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 山田 永, 清水 三聡, 天野 浩

    応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  71. GaNパワーデバイスの実用化に向けた準備状況について

    田中敦之、安藤悠人、高橋昌大、三浦史也、川崎晟也、渡邉浩崇、久志本真希、出来真斗、新田州吾、本田善央、天野浩

    応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  72. エッチング法を用いたAlGaN UV-C レーザーの光共振器作製

    酒井 忠慶, 久志本 真希, 本田 善央, 天野 浩

    応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  73. GaNへの高温Mg/Fイオン共注入によるグリーンルミネッセンスの抑制

    高橋 昌大,田中 敦之,安藤 悠人,渡邉 浩崇,出来 真斗,久志本 真希,新田 州吾,本田 善央,Kevin J. Chen,天野 浩

    応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  74. Effects of annealing process on electrical conductivity of MgZnO 国際会議

    Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    The international workshop on UV materials and devices (IWUMD-2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:St. Petersburg, Russia  

  75. High-Resolution Observation of In-Plane Carrier Concentration Nonuniformity in Vertical GaN p-n Diode Using Franz-Keldysh Effect and Avalanche Multiplication 国際会議

    Seiya Kawasaki, Hayata Fukushima, Shigeyosihi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya, Japan   国名:日本国  

  76. Effect of Post-metallization Annealing on Interface Properties of Al2O4/GaN Fabricated on c- and m-plane Free-standing GaN Substrates 国際会議

    Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya, Japan   国名:日本国  

  77. Effect of Post-metallization Annealing on Interface Properties of Al2O3/GaN Fabricated on c- and m-plane Free-standing GaN Substrates 国際会議

    Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya, Japan   国名:日本国  

  78. Interface properties of lateral MISFETs fabricated on m- and c-plane 国際会議

    Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    The 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Washington DC, USA   国名:アメリカ合衆国  

  79. Fabrication of GaN-on-GaN Vertical Nanowire Schottky Barrier Diode by Top-down Approach 国際会議

    Yaqiang Liao, Jia Wang, Yuto Ando, Xu Yang, Jun Hirotani, Maki Kushimoto, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kevin J. Chen, and Hiroshi Amano

    The 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Washington DC, USA   国名:アメリカ合衆国  

  80. Suppression of green luminescence by co-implantation of Mg/F ions into GaN at high temperature 国際会議

    M. Takahashi, A. Tanaka, S. Usami, Y. Ando, H. Watanabe, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

    The 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Washington DC, USA   国名:アメリカ合衆国  

  81. GaN 基板上横型MIS FET における移動度の面方位依存性

    安藤 悠人, 中村 徹, 出来 真斗, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

    第11回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

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    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:広島大学  東広島キャンパス 学士会館レセプションホール   国名:日本国  

  82. Two-dimensional h-BN multilayer grown on AlN by metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議

    Xu Yang, Shugo Nitta, Markus Pristovsek, Yuhuai Liu, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    The 4th International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2DC4) 

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    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hangzhou, China   国名:中華人民共和国  

  83. Mg composition control of co-sputtered MgZnO thin films toward the application of deep-UV transparent electrode 国際会議

    Tadayoshi Sakai, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications 

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    開催年月日: 2019年4月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Yokohama, Japan   国名:日本国  

  84. RFスパッタ法を用いたMgZnOの熱処理効果

    久志本真希,酒井 忠慶、出来 真斗、本田 善央、天野 浩

    第66回 応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学大岡山キャンパス   国名:日本国  

  85. 飛行時間型質量分析法を用いたトリメチルアルミニウムとアンモニアの気相反応分析

    大山 武浩、叶 正、久志本 真希、新田 州吾、本田 善央、天野 浩大山 武浩、叶 正、久志本 真希、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

    第66回 応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学大岡山キャンパス   国名:日本国  

  86. 深紫外透明電極応用に向けたMgZnO 薄膜の吸収端制御

    酒井 忠慶, 久志本 真希, 出来 真斗, 本田 善央, 天野 浩

    第66回 応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学大岡山キャンパス   国名:日本国  

  87. Optical properties of AlGaN based UVC laser structures on annealed AlN template 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Yang Xu, Yuhuai Liu, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    The international workshop on UV materials and devices (IWUMD-2018) 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Kunming City, Yunnan, China   国名:日本国  

  88. RF スパッタ法を用いた紫外透過 MgZnO 透明導電膜の作製 招待有り

    久志本真希,酒井忠慶、古澤優太、出来真斗、本田善央、天野浩

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第110回研究会・特別公開シンポジウム 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京大学   国名:日本国  

  89. 深紫外透明電極応用に向けたMgZnO薄膜の組成制御

    酒井忠慶、久志本真希、出来真斗、本田善央, 天野浩

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第110回研究会・特別公開シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京大学   国名:日本国  

  90. GaN中転位の三次元観察と転位がパワーデバイスに与える影響 招待有り

    田中敦之, 宇佐美茂佳, 安藤悠人, 永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:早稲田大学, 東京   国名:日本国  

  91. GaN表面への酸化プロセスがALD-Al2O3/GaN界面の電気特性に与える影響 招待有り

    出来真斗、曾根和詩、永松謙太郎、田中敦之、久志本真希、新田州吾、本田善央、天野浩

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学, 東京   国名:日本国  

  92. Mesa depth dependence of breakdown voltage of GaN pn diode 国際会議

    Hayata Fukushima, Yuto Ando, Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    ISPlasma2018 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya, Japan   国名:日本国  

  93. Comparison of In incorporation in axial InGaN quantum wells on GaN and InGaN nanorods grown by lasma assisted molecular beam epitaxy 国際会議

    Tasuya Hattori,Maki Kushimoto,Shugo Nitta,Yoshio Honda,Hiroshi Amano

    ISPlasma2018 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya, Japan   国名:日本国  

  94. Development of Sustainable Smart Society by Transformative Electronics 招待有り 国際会議

    M. Ogura, Y. Ando, S. Usami, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek, H. Kawai, S. Yagi, H. Amano

    2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2017) 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地: Las Vegas, Nevada, USA   国名:アメリカ合衆国  

  95. -c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究

    河野 司, 久志本真希, 永松謙太郎, 新田州吾, 本田善央, 天野 浩

    電子情報通信学会 電子デバイス研究会 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋工業大学   国名:日本国  

  96. In situ and ex situ optical characterization of nitride semiconductor crystal for advanced optical and power electronic devices 招待有り 国際会議

    S. Nitta, Z. Liu, S. Usami, Z. Ye, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, Y. Honda, M. Pristovsek, and H. Amano

    Optics 2017 / 8th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics & Photonics 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地: Las Vegas, Nevada, USA   国名:アメリカ合衆国  

  97. m 面窒化ガリウム基板を用いた金属-酸化膜-半導体キャパシタの界面準位と絶縁破壊電界

    第36回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  98. 分子線エピタキシー法により成長させたGaN およびInGaN ナノロッド上の軸上InGaN 量子井戸におけるIn の取り込みの比較

    第36回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  99. GaN 自立基板上pn ダイオードのリーク電流と転位の関係

    第36回電子材料シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  100. m 面オフ角GaN 基板を用いたMOVPE とMOVPE 層上のSBD

    第36回電子材料シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  101. 異なるGaN ⾃⽴基板上縦型PN ダイオードのキラー転位解析

    宇佐美 茂佳、福島 颯太、安藤 悠⼈、⽥中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真⽃、新⽥ 州吾、本⽥ 善央、天野 浩

    ⽇本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電⼦デバイス 第162委員会 100 回記念特別公開シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ロワジールホテル豊橋   国名:日本国  

  102. GaN パワーデバイスの周辺耐圧構造の検討

    福島 颯太、安藤 悠⼈、宇佐美 茂佳、⽥中 敦之、永松 謙太郎、出来 真⽃、久志本 真希、新⽥ 州吾、本⽥ 善央、天野 浩

    ⽇本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電⼦デバイス 第162委員会 100 回記念特別公開シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ロワジールホテル豊橋   国名:日本国  

  103. オフ⽅向の異なるホモエピタキシャルm ⾯ショットキーバリアダイオードの作製

    安藤 悠⼈、永松 謙太郎、⽥中 敦之、宇佐美 茂佳、出来 真⽃、Barry Ousmane、久志本 真希、新⽥ 州吾、本⽥ 善央、天野 浩

    ⽇本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電⼦デバイス 第162委員会 100 回記念特別公開シンポジウム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ロワジールホテル豊橋   国名:日本国  

  104. Semipolar InGaN optical devices on patterned Si substrates 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Takafumi Suzuki, Daiki Ito, Yoshio Honda and Hiroshi Amano

    The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Banff, Alberta, Canada   国名:カナダ  

  105. Evaluation of internal quantum efficiency of LED by photocurrent measurement 招待有り 国際会議

    Shigeyoshi Usami, Kazunobu Kojima, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Shigefusa Chichibu, Hiroshi Amano

    The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Banff, Alberta, Canada   国名:カナダ  

  106. Blue LEDs and Transformative Electronics for Establishing Sustainable Smart Society 国際会議

    "S. Usami, Z. Ye, X. Yang, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek, H. Amano

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2017)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Kyoto, Japan   国名:日本国  

  107. Crystal Plane Dependence of Interface States Density in c- and m-plane GaN MOS Capacitors 国際会議

    M. Deki, K.Nagamatsu, A. Tanaka, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2017)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya, Japan   国名:日本国  

  108. Deep Levels in Homoepitaxial m-plane GaN Schottky Barrier Diodes 国際会議

    "M. Deki, Y. Ando, K.Nagamatsu, A. Tanaka, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

    10th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:フィンランド共和国  

  109. 転位密度の異なるGaN自立基板上PNダイオードのキラー転位解析

    宇佐美 茂佳、福島 颯太、安藤 悠人、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

    第78回応用物理学会 秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  110. The effect of the environment temperature of the wafer on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Zhibin Liu、Shugo Nitta、Shigeyoshi Usami、Kentaro Nagamatsu、Maki Kushimoto、Manato Deki、Yoshio Honda、Hiroshi Amano

    第78回応用物理学会 秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  111. オフ角の異なるm 面GaN 基板上Si ドープ厚膜SBD

    安藤 悠人、永松 謙太郎、田中 敦之、宇佐美 茂佳、バリー ウスマン1、出来 真斗、久志本 真希、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

    第78回応用物理学会 秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場   国名:日本国  

  112. Development of Sustainable Smart Society via Transformative Electronics 国際会議

    H. Amano, Y. Robin, S. Y. Bae, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, T. Nishitani, D. Sato, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek

    The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Kyoto, Japan   国名:日本国  

  113. Crystal Plane Dependence of Interface States Density in c- and m-plane GaN MOS Capacitors 国際会議

    Manato Deki, Kazushi Sone, Junya Matsushita, Kentarou Nagamatsu, Atsushi Tanaka, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    ICNS-12 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Strasburg,France   国名:フランス共和国  

  114. Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on free-standing GaN substrate 国際会議

    Shigeyoshi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    ICNS-12 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Strasburg,France   国名:フランス共和国  

  115. Reduction of Dislocation in GaN on Silicon Substrate Using In-situ Etching 国際会議

    Koji Matsumoto, Toshiaki Ono, Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Shigeyoshi Usami, Maki Kushimoto, Satoshi Murakami, Hiroshi Amano

    ICNS-12 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Strasburg,France   国名:フランス共和国  

  116. m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE layer on several off-angled GaN substrate 国際会議

    Atsushi Tanaka, Ousmane 1 Barry, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    ICNS-12 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Strasburg,France   国名:フランス共和国  

  117. 異なるInGaN膜厚の(1-101)GaN基板上太陽電池の作製

    久志本真希、宇佐美茂佳、出来真斗、本田善央、天野浩

    第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

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    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  118. 成長法の異なるGaN自立基板上PNダイオードのキラー転位解析

    宇佐美茂佳,安藤悠人、福島颯太、田中敦之、永松謙太郎、出来真斗、久志本真希、新田州吾、本田善央、天野浩

    第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  119. m 面GaN 基板上 厚膜GaN-SBD の逆方向リーク電流

    安藤悠人, 永松謙太郎, 田中敦之, 宇佐美茂佳, 出来真斗, 久志本真希, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

    第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  120. Growth of III-Nitride Nanorods for Future Optoelectronics Applications 国際会議

    Hiroshi Amano, Tatsuya Hattori, Yoann Robin, Kaddour Lekhal, Si-Young Bae, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Yasuhisa Ushida, Geoffrey Avit, Agnès Trassoudaine

    18th International Conference on Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN18)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  121. GaN自立基板上PNダイオードの逆方向リークと転位の関係

    宇佐美 茂佳, 安藤 悠人, 田中 敦之, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)   国名:日本国  

  122. O2プラズマ処理およびO3酸化処理を行ったAl2O3/GaN構造の界面準位密度評価

    曾根 和詩、 松下 淳矢、 安藤 悠人、 永松 謙太郎、 田中 敦之、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)   国名:日本国  

  123. 2次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型GaNHBTの作製

    安藤 悠人、 小倉 昌也、 松下 淳矢、 宇佐美 茂佳、 田中 敦之、 永松 謙太郎、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)   国名:日本国  

  124. Si基板上半極性(1-101)GaNストライプレーザー端面への反射膜作製

    鈴木 崇文、 伊藤 大貴、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)   国名:日本国  

  125. 絶対吸収率と光電流測定とを組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量

    宇佐美 茂佳、 小島 一信、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 秩父 重英、 天野 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)   国名:日本国  

  126. 窒化ホウ素を用いたGaN -MIS キャパシタの作製 と電気特性評価

    松下 淳矢,永松 謙太郎 ,Xu Yang,田中 敦之,久志本 真希,出来 真斗,新田 州吾,本田 善央,天野 浩

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場(茨城県つくば市)   国名:日本国  

  127. 二次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型GaN-HBTの作製

    安藤 悠人、小倉 昌也、松下 淳矢、宇佐美 茂佳、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場(茨城県つくば市)   国名:日本国  

  128. Facet Distribution of Leakage Current and Carrier Concentration in m-Plane GaN Schottky Barrier Diode Fabricated with MOVPE 国際会議

    A. Tanaka, O. 1 Barry, K. Ngamatsu, J. Matsushita, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2016(IWN2016) 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  129. Semipolar lasers on structured Si-Subtrates 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto

    Heimbach workshop2016 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  130. 窒化ホウ素を用いたGaN -MIS キャパシタの作製 と電気特性評価

    松下 淳矢,永松 謙太郎 ,Xu Yang,田中 敦之,久志本 真希,出来 真斗,新田 州吾,本田 善央,天野 浩

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ(新潟県新潟市)   国名:日本国  

  131. InGaN成長中のInウェッティングレイヤーのレーザー散乱による観察

    山本 哲也,永松 謙太郎,久志本真希,出来真斗,新田 州吾,本田 善央,天野 浩

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:朱鷺メッセ(新潟県新潟市)   国名:日本国  

  132. GaN 自立基板上PIN ダイオードにおける順方向発光パターン解析

    宇佐美 茂佳, 安藤 悠人, 田中 敦之, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ(新潟県新潟市)   国名:日本国  

  133. InGaN surface roughness recovery by hydrogen treatment as monitored by in situ laser scattering 国際会議

    Tetsuya Yamamoto, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya,Japan   国名:日本国  

  134. Si(001)基板上(1-101)高In 組成InGaN における積層欠陥の形成

    久志本真希、本田善央、天野浩

    第35 回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ラフォーレ琵琶湖   国名:日本国  

  135. Si基板上(1-101)高In組成InGaN結晶の緩和過程

    久志本真希、本田善央、天野浩

    第8回窒化物半導体結晶成長講演会 

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    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:京都大学   国名:日本国  

  136. Growth and characterization of semipolar (1-101)high-indium-content quantum wells on Si(001) 国際会議

    Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hamamatsu, Japan   国名:日本国  

  137. Lasing Properties of (1-101) InGaN/GaN Stripe Cavity Structure on Patterned (001) Si Substrate 国際会議

    Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    The 3th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications 

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    開催年月日: 2015年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama,Japan   国名:日本国  

  138. Laser-based in situ monitoring of high In-content InGaN growth on GaN (0001) 国際会議

    T.Mitsunari, T. Yamamoto, M. Kato, A. Tamura, S. Usami, M. Kushimoto, K. Yamashita, Y. Honda, Y. Lacroix, and H. Amano

    10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kaohsiung,Taiwan   国名:日本国  

  139. Optical gain spectra of (1-101) InGaN stripe cavity structures on a patterned (001) Si substrate 国際会議

    Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2014(IWN2014) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Wroclaw, Poland   国名:ポーランド共和国  

  140. Growth of (1-101)InGaN stripes on patterned (001)Si substrate 国際会議

    Yasukazu Sone, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    The 15th IUMRS-International Congerence in Asia 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Fukuoka,Japan   国名:日本国  

  141. Growth optimization of green InGaN multi-quantum well 国際会議

    "T.Mitsunari1, A. Tamura1, S. Usami1, M. Kushimoto1, K. Yamashita1, Y. Honda1, Y. Lacroix3, and H. Amano1,2

    Conference on LED and Its Industrial Application '14 

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    開催年月日: 2014年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama,Japan   国名:日本国  

  142. Light Emission Polarization Properties of (1-101) InGaN/GaN MQWs with Cavity Structure on Patterned Si Substrate 国際会議

    M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Washington DC, USA   国名:アメリカ合衆国  

  143. Optical properties of semipolar (1-101) InGaN/GaN multiple quantum well with cavity structure on patterned Si substrae 国際会議

    M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    The 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics, and Nanostructures(EDISON18) 

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Matsue, Japan   国名:日本国  

  144. Optical polarization properties in semipolar (1-101) InGaN/GaN multiple quantum well on a patterned Si Substrate 国際会議

    M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012) 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sapporo, Japan   国名:日本国  

  145. Fabrication of InGaN/GaN multiple quantum wells on (1-101) GaN 国際会議

    T. Tanikawa, T. Sano, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012) 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sapporo, Japan   国名:日本国  

  146. Reduction of dislocations and residual stress in GaN grown on patterned Si substrate 国際会議

    T. Tanikawa, T. Mitsunari, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

    11th Akasaki Research Center Symposium 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  147. AlN基板上UV-C LDのプロセス起因劣化 招待有り

    笹岡千秋、久志本真希、張梓懿、天野浩

    日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145 委員会 第172 回研究会  2021年10月1日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン開催  

  148. 単結晶AlN基板上AlGaNを用いた270nm帯CW半導体レーザー 招待有り

    久志本 真希

    光電相互変換第125委員会 5月26日研究会  2023年5月26日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン  

  149. 世界最短波長深紫外半導体レーザー 招待有り

    久志本 真希

    TRiSTAR第1期奥村フェロー主催研究セミナー  2023年5月12日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン  

  150. 第3回 光材料・応用技術研究会 招待有り

    久志本 真希

    第3回 光材料・応用技術研究会   2023年11月10日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:グランドエクシブ鳥羽/オンライン  

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科研費 3

  1. 極微小深紫外半導体レーザダイオードの高出力化と新世代製造システム

    研究課題/研究課題番号:21H04560  2021年4月 - 2026年3月

    科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    久志本 真希, 笹岡 千秋, 五十嵐 信行

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:41730000円 ( 直接経費:32100000円 、 間接経費:9630000円 )

    本研究提案は,深紫外レーザダイオード(LD)をレーザー加工用の基幹デバイスとして進化させ,すべてのものづくりの革新を目指すものである. 従来の加工用深紫外レーザ光源は,デバイスサイズとランニングコストが課題である.本研究では,深紫外LDの低閾値化および高出力化に向け,AlGaN量子井戸層やLD構造の光学特性の評価や,深紫外LD実現の鍵となった不純物無添加型分極ドーピングクラッド層,集積化が可能という特徴を持つオンウエハLD作製プロセスがLDの発光特性や電気特性に与える影響を検討し,従来の深紫外レーザ光源を代替する小型で低コストの加工用光源の実現に挑戦する.
    深紫外LDは不純物無添加型分極ドーピングクラッド層の導入によりレーザー発振を実現した。しかし、nsオーダーの短いパルス電流注入での発振にとどまっている。これは従来の窒化物半導体LDと比較して、閾値電流密度が非常に高いためである。そこで本年度は、深紫外LDにおける閾値上昇の要因を検討した。まずLDに含まれる六角形形状の異常成長に着目した。これらの領域を含んだ共振器では閾値電流密度が上昇する。これらの影響を検討するために、光学特性・電気特性・構造解析といった多角的な手法を用いて諸特性の解析を行った。その結果、異常成長領域はLEDモードでは非常に強い発光強度を持つことを示した。CL測定において発光層の発光波長や分布を観測したところ、異常成長の発光波長は長波長化すること、および発光強度は低減することが示された。そこでエミッション顕微鏡・コンダクティブAFMを用いて電気特性評価を行ったところ、異常成長領域への電流集中が観測された。以上のことから異常成長により電流注入不均一が発生し不均一な発光分布が局所的に形成されることや、異常成長領域のバンドギャップが小さいことで共振器内で吸収が発生することにより、閾値電流密度が上昇することが明らかとなった。次にプロセス起因で発生する発光不均一に着目した。これらデバイス作製中の熱処理プロセスで発生し、閾値電流密度を大きく上昇させる。これは応力解放により形成される可能性が高いと考えられたことから、構造解析や抑制可能なデバイス構造やプロセスの検討を実施した。この根本原因の解決は閾値電流密度の上昇を抑制し、高出力化を実現するために必須であることから、来年度も継続して実施予定である。
    本研究の目的である深紫外LD高出力化のためには、まず低閾値で発振可能なLDの作製が必須である。特に従来の窒化物半導体LDと比較して、ワイドバンドギャップであるAlGaNをベースとしたLD構造であることから、重大な課題である。本年度実施した検討により閾値電流密度の上昇の原因を明らかとすることができた。さらに閾値上昇原因の根本解決に向けた構造解析やデバイス検討も進捗している。以上のことから、低閾値化実現へと大きな前進が得られたと考えられ、おおむね順調に進展していると判断した。
    今回着目した活性層中の発光不均一形成はAlN基板を用いた高品質なAlGaN結晶である故に明らかになった現象である考えられる。これらの詳細を明らかとすることは、より短波長・長波長の深紫外LDの実現だけでなく、AlGaN系デバイスの設計やプロセス構築において重要な知見となる。そのため、引き続きデバイス構造やプロセス検討によるデバイス実証に加えて、有限要素法を用いた応力解析といった手法を取り入れて詳細を明らかとすることを目指す。またさらなる低閾値化の実現に向けて、構造解析や、光学特性評価装置の構築などを実施して詳細な評価を行っていく予定である。

  2. 半極性面InGaNを用いた長波長発光素子の作製

    研究課題/研究課題番号:17K17800  2017年4月 - 2020年3月

    科学研究費助成事業  若手研究(B)

    久志本 真希

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:4420000円 ( 直接経費:3400000円 、 間接経費:1020000円 )

    本研究では、Si基板上に成長させた半極性GaN結晶を用いて、黄色および赤色発光素子の発光効率の向上を検討した。
    (1-101)InGaN結晶は、従来の(0001)InGaN結晶に比べてIn取り込み効率が高いため、より高温での成長が可能である。また従来の(0001)InGaNと異なる緩和機構を有しており、In含有量が増加時に発生する欠陥を抑制することができる。更に活性層の下にInGaN層を挿入することで、TMIの供給や温度などの成長条件を変えることなく、InGaN層の厚さに応じてInGaN層の緩和率を制御することで、発光波長を容易に制御できることを示した。
    本手法はSi基板上に選択成長した半極性面GaN結晶特有の技術で、長波長の発光層の発光強度の向上が可能である。また成長基板として安価なSi基板を用いることや、選択成長を行うことから面内で発光波長が制御可能という特長を有する。これは近年研究が推進されているマイクロLEDディスプレイへの応用が期待される多色発光が可能なLED作製技術であり、GaN系LDの長波長化の実現につながる成長技術である。

  3. 半極性面窒化物半導体を用いた発光デバイスに関する研究

    研究課題/研究課題番号:14J03143  2014年4月 - 2016年3月

    科学研究費補助金 

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    担当区分:研究代表者 

 

担当経験のある科目 (本学) 22

  1. 固体電子工学及び演習

    2023

  2. 電気電子情報工学実験第2

    2023

  3. 量子理論

    2023

  4. 電気電子情報工学実験第2

    2022

  5. 電気電子情報工学実験第1

    2022

     詳細を見る

    受動回路

  6. Automobile Engineering Laboratory I

    2022

  7. 電気電子情報工学実験第2

    2021

  8. Automobile Engineering Laboratory I

    2021

  9. 電気電子情報工学実験第1

    2021

     詳細を見る

    受動回路

  10. Automobile Engineering Laboratory I

    2020

  11. 電気電子情報工学実験第1

    2020

     詳細を見る

    受動回路

  12. 電気電子情報工学実験第2

    2020

  13. Automobile Engineering Laboratory I

    2019

  14. 線形回路論及び演習

    2019

     詳細を見る

    演習担当

  15. 電気電子情報工学実験第1

    2019

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    R2 受動回路

  16. 線形回路論及び演習

    2018

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    演習担当

  17. 電気電子情報工学実験第1

    2018

     詳細を見る

    R2 受動回路

  18. Automobile Engineering Laboratory I

    2018

  19. 線形回路論及び演習

    2017

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    演習担当

  20. 物理学実験

    2017

  21. 電気電子情報工学実験第1

    2017

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    R1 電気計器及び測定値の取り扱い

  22. Automobile Engineering Laboratory I

    2017

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担当経験のある科目 (本学以外) 1

  1. 電子物理工学特別講義

    2022年9月 宮崎大学)

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    科目区分:学部専門科目 

 

社会貢献活動 1

  1. リフレッシュ理科教室

    役割:運営参加・支援

    応用物理学会東海支部  2017年4月 - 現在

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    対象: 小学生

    種別:セミナー・ワークショップ

メディア報道 2

  1. 窒化アルミニウム(AlN)系ウルトラワイドバンドギャップ半導体pn接合で理想的な特性を実現~AlN系電子デバイス実現に向けた大きな一歩~ インターネットメディア

    名古屋大学  2023年12月

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    執筆者:本人以外 

  2. ワイドギャップ半導体を用いた深紫外半導体レーザー インターネットメディア

    日本学術振興会 

     詳細を見る

    執筆者:本人