Applied Physics Letters   Early Career Editorial Advisory Board  

2022年7月 - 現在   

一般社団法人レーザー学会   レーザー学会学術講演会　プログラム委員会F 委員  

2022年6月 - 2023年3月   

公益社団法人 応用物理学会   機関誌企画・編集委員会  

2022年4月 - 2024年3月   

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022)   Symposium Program Committee  

2021年10月 - 2023年3月   

一般社団法人ワイドギャップ半導体学会   企画委員  

2021年7月 - 2023年3月   

応用物理学会東海支部   庶務幹事補佐  

2019年4月 - 2021年3月   

SSDM2019実行委員会   実行委員  

2018年8月 - 2019年12月   

ISPLASMA 2019 実行委員会   実行委員  

2018年4月 - 2019年3月   

第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会   現地担当幹事  

2018年1月 - 2018年12月   

ISPLASMA 2018 実行委員会   実行委員  

2017年10月 - 2018年3月   

The International Workshop on UV Materials and Devices 2017 ( IWUMD2017)   IWUMD 実行委員（寄付・展示委員  

2017年2月 - 2018年3月   

応用物理学会東海支部   幹事  

2017年 - 現在   

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018   プログラム委員会・庶務委員  

2016年10月 - 2019年3月   

第40回論文賞

2023年12月   日本結晶成長学会   深紫外線レーザーダイオードにおける室温連続振の実現

張 梓懿, 久志本 真希, 吉川 陽, 笹岡 千秋, 天野 浩

第22回IEEE EDS Japan Joint Chapter Student Award

2023年12月   IEEE Electron Devices Society Japan Joint Chapter   Demonstration of AlN-based Vertical p-n Diodes with Dopant-Free Distributed-Polarization Doping

T. Kumabe, A. Yoshikawa, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Arai, J. Suda, H. Amano

Best Student Award

2023年11月   ICNS-14  

Tatsuhiro Tanaka, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

2023堀場雅夫賞 特別賞

2023年10月   株式会社堀場製作所   微細構造計測に向けた小型深紫外レーザー光源の開発

久志本 真希

第1回ダイバーシティ＆インクルージョン賞 女性研究者研究奨励賞

2023年3月   公益社団法人　応用物理学会   未踏波長帯域深紫外レーザーダイオードに関する研究

久志本　真希

第42回（2020年度）応用物理学会論文賞

2020年9月   公益社団法人　応用物理学会  

張梓懿、久志本真希、酒井忠慶、杉山直治、Leo J. Schowalter、笹岡千秋、天野浩

平成２９年度ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞

2017年7月   ナノ構造・エピタキシャル成長分科会   Optically pumped lasing properties of (1-101) InGaN/GaN stripe multiquantum wells

久志本真希

第37回（2014年秋季）応用物理学会「講演奨励賞」

2015年3月   公益社団法人　応用物理学会   (001)Si基板上半極性面InGaN光共振器の 誘導放出特性

久志本真希

電子情報通信学会東海支部学生研究奨励賞(博士)

2014年6月   一般社団法人電子情報通信学会東海支部  

久志本真希

日本結晶成長学会ナノエピ分科会　発表奨励賞

2013年6月   日本結晶成長学会ナノエピ分科会   加工Si基板上(1-101)InGaN/GaN MQWストライプ結晶の光学特性

久志本真希

電子情報通信学会電子デバイス研究会 論文発表奨励賞

2012年6月   電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ電子デバイス研究専門委員会   Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

久志本真希

単結晶AlN基板を用いたUV-C波長域レーザーダイオード 査読有り

張 梓懿，久志本 真希，吉川 陽，笹岡 千秋，Leo J. SCHOWALTER，天野 浩

レーザー研究（「高出力短波長光源開発とその応用技術の進展」特集号）   Vol. 52 巻 ( No. 1 )   2024年1月

Using low-temperature growth to resolve the composition pulling effect of UV-C LEDs 査読有り

Yoshikawa, A; Zhang, ZY; Kushimoto, M; Aoto, K; Sasaoka, C; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   123 巻 ( 22 )   2023年11月

A Review on the Progress of AlGaN Tunnel Homojunction Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes

Nagata, K; Matsubara, T; Saito, Y; Kataoka, K; Narita, T; Horibuchi, K; Kushimoto, M; Tomai, S; Katsumata, S; Honda, Y; Takeuchi, T; Amano, H

CRYSTALS   13 巻 ( 3 )   2023年3月

Key temperature-dependent characteristics of AlGaN-based UV-C laser diode and demonstration of room-temperature continuous-wave lasing 査読有り

Zhang, ZY; Kushimoto, M; Yoshikawa, A; Aoto, K; Sasaoka, C; Schowalter, LJ; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   121 巻 ( 22 )   2022年11月

Local stress control to suppress dislocation generation for pseudomorphically grown AlGaN UV-C laser diodes 査読有り

Kushimoto, M; Zhang, ZY; Yoshikawa, A; Aoto, K; Honda, Y; Sasaoka, C; Schowalter, LJ; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   121 巻 ( 22 )   2022年11月

Continuous-wave lasing of AlGaN-based ultraviolet laser diode at 274.8 nm by current injection 査読有り

Zhang, ZY; Kushimoto, M; Yoshikawa, A; Aoto, K; Schowalter, LJ; Sasaoka, C; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 4 )   2022年4月

Sputtered polycrystalline MgZnO/Al reflective electrodes for enhanced light emission in AlGaN-based homojunction tunnel junction DUV-LED 査読有り

Matsubara, T; Nagatat, K; Kushimoto, M; Tomai, S; Katsumata, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 4 )   2022年4月

Structural design optimization of 279 nm wavelength AlGaN homojunction tunnel junction deep-UV light-emitting diode 査読有り

Nagata, K; Anada, S; Miwa, H; Matsui, S; Boyama, S; Saito, Y; Kushimoto, M; Honda, Y; Takeuchi, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 4 )   2022年4月

Visualization of depletion layer in AlGaN homojunction p-n junction 査読有り

Nagata, K; Anada, S; Saito, Y; Kushimoto, M; Honda, Y; Takeuchi, T; Yamamoto, K; Hirayama, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 3 )   2022年3月

Threshold increase and lasing inhibition due to hexagonal-pyramid-shaped hillocks in AlGaN-based DUV laser diodes on single-crystal AlN substrate 招待有り 査読有り

Kushimoto, M; Zhang, ZY; Honda, Y; Schowalter, LJ; Sasaoka, C; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( 1 )   2022年1月

Improving light output power of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes by optimizing the optical thickness of p-layers 査読有り

Matsukura, Y; Inazu, T; Pernot, C; Shibata, N; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 8 )   2021年8月

Reduction in operating voltage of AlGaN homojunction tunnel junction deep-UV light-emitting diodes by controlling impurity concentrations 査読有り

Nagata, K; Makino, H; Miwa, H; Matsui, S; Boyama, S; Saito, Y; Kushimoto, M; Honda, Y; Takeuchi, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 8 )   2021年8月

Impact of heat treatment process on threshold current density in AlGaN-based deep-ultraviolet laser diodes on AlN substrate 査読有り

Kushimoto, M; Zhang, ZY; Sugiyama, N; Honda, Y; Schowalter, LJ; Sasaoka, C; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 5 )   2021年5月

Development of UV-C laser diodes on AlN substrate 招待有り

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano

Proc. SPIE   11686 巻   頁： 116860P   2021年3月

Decrease in the injection efficiency and generation of midgap states in UV-C LEDs: a model based on rate equations 招待有り 国際共著

F. Piva, C. De Santi, M. Buffolo, M. Deki, M. Kushimoto, H. Amano, H. Tomozawa, N. Shibata, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini

Proc. SPIE   11686 巻   頁： 116860   2021年3月

Modeling the degradation mechanisms of AlGaN-based UV-C LEDs: from injection efficiency to mid-gap state generation 査読有り 国際共著

Piva F., De Santi C., Deki M., Kushimoto M., Amano H., Tomozawa H., Shibata N., Meneghesso G., Zanoni E., Meneghini M.

PHOTONICS RESEARCH   8 巻 ( 11 ) 頁： 1786-1791   2020年11月

AlN 基板上 AlGaN ヘテロ構造 UVC レーザーダイオード 招待有り 査読有り

久志本 真希

日本結晶成長学会誌   47 巻 ( 3 ) 頁： 47-3-03   2020年10月

Space charge profile study of AlGaN-based p-type distributed polarization doped claddings without impurity doping for UV-C laser diodes 査読有り

Zhang Ziyi, Kushimoto Maki, Horita Masahiro, Sugiyama Naoharu, Schowalter Leo J., Sasaoka Chiaki, Amano Hiroshi

APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 15 )   2020年10月

Design and characterization of a low-optical-loss UV-C laser diode 査読有り

Zhang Ziyi, Kushimoto Maki, Sakai Tadayoshi, Sugiyama Naoharu, Schowalter Leo J., Sasaoka Chiaki, Amano Hiroshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 9 ) 頁： .   2020年9月

Impact of high-temperature implantation of Mg ions into GaN 査読有り

Takahashi Masahiro, Tanaka Atsushi, Ando Yuto, Watanabe Hirotaka, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Shima Kohei, Kojima Kazunobu, Chichibu Shigefusa F., Amano Hiroshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 5 ) 頁： .   2020年5月

Experimental observation of high intrinsic thermal conductivity of AlN 査読有り

Cheng Zhe, Koh Yee Rui, Mamun Abdullah, Shi Jingjing, Bai Tingyu, Huynh Kenny, Yates Luke, Liu Zeyu, Li Ruiyang, Lee Eungkyu, Liao Michael E., Wang Yekan, Yu Hsuan Ming, Kushimoto Maki, Luo Tengfei, Goorsky Mark S., Hopkins Patrick E., Amano Hiroshi, Khan Asif, Graham Samuel

PHYSICAL REVIEW MATERIALS   4 巻 ( 4 )   2020年4月

On-wafer fabrication of etched-mirror UV-C laser diodes with the ALD-deposited DBR

Sakai Tadayoshi, Kushimoto Maki, Zhang Ziyi, Sugiyama Naoharu, Schowalter Leo J., Honda Yoshio, Sasaoka Chiaki, Amano Hiroshi

APPLIED PHYSICS LETTERS   116 巻 ( 12 )   2020年3月

Effect of Annealing on the Electrical and Optical Properties of MgZnO Films Deposited by Radio Frequency Magnetron Sputtering

Kushimoto Maki, Sakai Tadayoshi, Ueoka Yoshihiro, Tomai Shigekazu, Katsumata Satoshi, Deki Manato, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE     2020年1月

Scalable synthesis of multilayer h-BN on AlN by metalorganic vapor phase epitaxy: nucleation and growth mechanism

Yang Xu, Nitta Shugo, Pristovsek Markus, Liu Yuhuai, Liao Yaqiang, Kushimoto Maki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

2D MATERIALS   7 巻 ( 1 )   2020年1月

Role of defects in the mid-term degradation of UV-B LEDs investigated by optical and DLTS measurements

Piva, F; De Santi, C; Deki, M; Kushimoto, M; Amano, H; Tomozawa, H; Shibata, N; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M

GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XV   11280 巻   2020年

Dielectric Ruduced Surface Field Effect on Vertical GaN-on-GaN Nanowire Schottky Barrier Diodes 査読有り 国際共著 国際誌

Liao, YQ; Chen, T; Wang, J; Ando, Y; Yang, X; Watanabe, H; Hirotani, J; Kushimoto, M; Deki, M; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Chen, KJ; Amano, H

PROCEEDINGS OF THE 2020 32ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD 2020)     頁： 349 - 352   2020年

Suppression of Green Luminescence of Mg-Ion-Implanted GaN by Subsequent Implantation of Fluorine Ions at High Temperature

Takahashi Masahiro, Tanaka Atsushi, Ando Yuto, Watanabe Hirotaka, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Shima Kohei, Kojima Kazunobu, Chichibu Shigefusa F., Chen Kevin J., Amano Hiroshi

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS     2019年12月

A 271.8 nm deep-ultraviolet laser diode for room temperature operation

Zhang Ziyi, Kushimoto Maki, Sakai Tadayoshi, Sugiyama Naoharu, Schowalter Leo J., Sasaoka Chiaki, Amano Hiroshi

APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 12 )   2019年12月

V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate

Tanaka Atsushi, Nagamatsu Kentaro, Usami Shigeyoshi, Kushimoto Maki, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Bockowski Michal, Amano Hiroshi

AIP ADVANCES   9 巻 ( 9 )   2019年9月

Stability and degradation of AlGaN-based UV-B LEDs: Role of doping and semiconductor defects

Piva, F; De Santi, C; Deki, M; Kushimoto, M; Amano, H; Tomozawa, H; Shibata, N; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M

MICROELECTRONICS RELIABILITY   100 巻   2019年9月

Origin of acceptor diffusion into silicon substrate during GaN growth by metal organic chemical vapor deposition

Matsumoto Koji, Ono Toshiaki, Honda Yoshio, Torigoe Kazuhisa, Kushimoto Maki, Amano Hiroshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 7 )   2019年7月

Ammonia decomposition and reaction by high-resolution mass spectrometry for group III - Nitride epitaxial growth

Ye Zheng, Nitta Shugo, Nagamatsu Kentaro, Fujimoto Naoki, Kushimoto Maki, Deki Manato, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   516 巻   頁： 63-66   2019年6月

Deeply and vertically etched butte structure of vertical GaN p-n diode with avalanche capability

Fukushima Hayata, Usami Shigeyoshi, Ogura Masaya, Ando Yuto, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

Narrow Excitonic Lines in Core-Shell Nanorods With InGaN/GaN Quantum Wells Intersected by Basal Stacking Faults

Evropeitsev Evgeniy A., Robin Yoann, Shubina Tatiana V., Bae Si-Young, Nitta Shugo, Kirilenko Demid A., Davydov Valery Y., Smirnov Alexandr N., Toropov Alexey A., Kushimoto Maki, Ivanov Sergey V., Amano Hiroshi

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   256 巻 ( 6 )   2019年6月

Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation (vol 508, pg 58, 2019)

Liu Zhibin, Nitta Shugo, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Sitar Zlatko, Amano Hiroshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   514 巻   頁： 13-13   2019年5月

Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Liu, ZB; Nitta, S; Usami, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   509 巻   頁： 50 - 53   2019年3月

Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation

Liu, ZB; Nitta, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   508 巻   頁： 58 - 65   2019年2月

Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown

Fukushima, H; Usami, S; Ogura, M; Ando, Y; Tanaka, A; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 2 )   2019年2月

Localization and transient emission properties in InGaN/GaN quantum wells of different polarities within core- shell nanorods

Robin, Y; Evropeitsev, EA; Shubina, TV; Kirilenko, DA; Davydov, VY; Smirnov, AN; Toropov, AA; Eliseyev, IA; Bae, SY; Kushimoto, M; Nitta, S; Ivanov, SV; Amano, H

NANOSCALE   11 巻 ( 1 ) 頁： 193 - 199   2019年1月

Detailed study of effects of duration of pre-AIN-growth trimethylaluminum step on morphologies of GaN layers grown on silicon substrate by metal organic chemical vapor deposition

Matsumoto, K; Ono, T; Honda, Y; Murakami, S; Kushimoto, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 9 )   2018年9月

Insight into the performance of multi-color InGaN/GaN nanorod light emitting diodes

Robin, Y; Bae, SY; Shubina, TV; Pristovsek, M; Evropeitsev, EA; Kirilenko, DA; Davydov, VY; Smirnov, AN; Toropov, AA; Jmerik, VN; Kushimoto, M; Nitta, S; Ivanov, SV; Amano, H

SCIENTIFIC REPORTS   8 巻   2018年5月

<i>m</i>-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle <i>m</i>-Plane GaN Substrates

Tanaka, A; Ando, Y; Nagamatsu, K; Deki, M; Cheong, H; Ousmane, B; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   215 巻 ( 9 )   2018年5月

Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Yang, X; Nitta, S; Pristovsek, M; Liu, YH; Nagamatsu, K; Kushimoto, M; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 5 )   2018年5月

Reduction of Dislocations in GaN on Silicon Substrate Using In Situ Etching

Matsumoto, K; Ono, T; Honda, Y; Yamamoto, T; Usami, S; Kushimoto, M; Murakami, S; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   255 巻 ( 5 )   2018年5月

Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate

Usami, S; Ando, Y; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Sugawara, Y; Yao, YZ; Ishikawa, Y

APPLIED PHYSICS LETTERS   112 巻 ( 18 )   2018年4月

Effect of dislocations on the growth of p-type GaN and on the characteristics of p-n diodes

Usami, S; Miyagoshi, R; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Kushimoto, M; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

Facet dependence of leakage current and carrier concentration in m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE

Tanaka, A; Barry, O; Nagamatsu, K; Matsushita, J; Deki, M; Ando, Y; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

Orientation-controlled epitaxial lateral overgrowth of semipolar GaN on Si(001) with a directionally sputtered AlN buffer layer

Lee, HJ; Bae, SY; Lekhal, K; Tamura, A; Suzuki, T; Kushimoto, M; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 547 - 551   2017年6月

Selective-area growth of vertically oriented GaN nanostructures with a hafnium pre-orienting layer

Bae, SY; Lekhal, K; Lee, HJ; Mitsunari, T; Min, JW; Lee, DS; Kushimoto, M; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 110 - 113   2017年6月

Development of Sustainable Smart Society based on Transformative Electronics

Ogura, M; Ando, Y; Usami, S; Nagamatsu, K; Kushimoto, M; Deki, M; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Kawai, H; Yagi, S; Amano, H

2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     頁： .   2017年

Growth of semipolar (1-101) high-indium-content InGaN quantum wells 査読有り

Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 5S ) 頁： 05FA10   2016年4月

Study of radiation detection properties of GaN pn diode 査読有り

Mutsuhito Sugiura, Maki Kushimoto, Tadashi Mitsunari, Kohei Yamashita, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Hidenori Mimura, Toru Aoki, and Takayuki Nakano

Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 6S ) 頁： 05FJ02   2016年3月

Optically pumped lasing properties of (1-101) InGaN/GaN stripe multi quantum wells with ridge cavity structure on patterned (001) Si substrates 査読有り

Maki Kushimoto, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Applied Physics Express   8 巻 ( 2 ) 頁： 22702   2015年1月

Fabrication of InGaN/GaN multiple quantum wells on (1-101) GaN 査読有り

T. Tanikawa, T. Sano, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8 ) 頁： 08JB05   2013年5月

Demonstration of AlN-based Vertical p-n Diodes with Dopant-Free Distributed-Polarization Doping 国際会議

T. Kumabe, A. Yoshikawa, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Arai, J. Suda, and H. Amano

69th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)  2023年12月12日 

Development of Room Temperature Continuous-Wave Deep Ultraviolet Laser Diodes 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Leo J Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

30th International Display Workshops (IDW '23)  2023年12月7日 

深紫外線レーザーダイオードにおける室温連続発振の実現 招待有り

張 梓懿, 久志本 真希, 吉川 陽, 笹岡 千秋, 天野 浩

第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）  2023年12月5日 

Study on degradation of deep ultraviolet laser diode 国際会議

Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Akira Yoshikawa, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月16日 

Demonstration of continuous wave lasing of deep UV Laser diodes on Single-crystal AlN substrate 国際会議

Yoshio Honda, Yuta Furusawa, Ryoko Tsukamoto, Yoshiki Saito, Koji Okuno, Kengo Nagata, Shinya Boyama, Atsushi Miyazaki, Maki Kushimoto, and Hiroshi Amano

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月13日 

Demonstration of UV-C LEDs utilizing p-GaN/MgZnO:Ga hetero-tunnel junction 国際会議

Tatsuhiro Tanaka, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月17日 

Recent Progress of Deep Ultraviolet Laser Diodes on AlN substrate 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Leo J Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月14日 

Recent developments in high efficiency for deep UV LEDs 招待有り 国際会議

Yoshiki Saito, Kengo Nagata, Atsushi Miyazaki, Shinya Boyama, Koji Okuno, Masaki Oya, Keita Kataoka, Tetsuo Narita, Kayo Horibuchi, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Hisanori Ishiguro, Tetsuya Takeuchi, Kohei Shima, Shigefusa F Chichibu

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月17日 

Realization of AlN electron blocking layer with abrupt interface and its subsequent improvement in UV-C light-emitting device characteristics 国際会議

Akira Yoshikawa, Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Koji Aoto, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月13日 

Demonstration of continuous wave lasing of deep UV Laser diodes on Single-crystal AlN substrate 招待有り 国際会議

Z. Zhang, M.Kushimoto, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2023)  2023年6月8日 

CW operation of UV-C laser diodes 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto

The 6th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD Ⅵ)  2023年6月6日 

Breakthrough technologies to realize room-temperature continuous-wave deep-ultraviolet laser diodes 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto

SKM DPG conference  2023年3月29日 

[第1回ダイバーシティ＆インクルージョン賞 女性研究者研究奨励賞 受賞記念講演] 未踏波長帯域深紫外レーザーダイオード 招待有り

久志本真希

第70回　応用物理学会　春季学術講演会  2023年3月16日 

Current-injected continuous-wave AlGaN-based UVC laser diodes 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

SPIE Photonics West　2023  2023年2月1日 

AlN基板を用いた深紫外半導体レーザー 招待有り

久志本真希

2022年度　結晶・評価WG研究会(第２回) /第45回CIRFEセミナー  2022年12月20日 

Realization of continuous-wave lasing of AlGaN-based UVC laser diode 招待有り 国際会議

Ziyi Zhang，Maki Kushimoto

The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS2022）  2022年11月17日 

Sputtered polycrystalline MgZnO/Al reflective electrodes for AlGaN-based homojunction tunnel junction deep-ultraviolet LEDs 国際会議

Tatsuhiro Tanaka, Taichi Matsubara, Kengo Nagata, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022)  2022年10月24日 

Shortest wavelength AlGaN based semiconductor lasers 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto

40th SPP Physics Conference  2022年10月20日 

Fabrication of GaN/AlN Resonant tunneling diodes by MOVPE 国際会議

D. Iwata, T. Kumabe, H. Watanabe, M. Kushimoto, M. Deki, S. Nitta, A. Tanaka, Y. Honda, H. Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2022)  2022年10月12日 

Continuous-wave lasing of AlGaN-based UVC laser diode by current injection 国際会議

Z. Zhang, M. Kushimoto, A. Yoshikawa, K. Aoto, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2022)  2022年10月12日 

Analysis of the cause of threshold rise of UV-C LD on AlN substrate 国際会議

M.Kushimoto, Z. Zhang, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2022)  2022年10月12日 

深紫外レーザーダイオードの連続波発振 招待有り

久志本 真希, 張 梓懿, 吉川 陽, 青戸 孝至, 本田 善央, ショーワルター レオ, 笹岡 千秋, 天野 浩

第83回　応用物理学会　秋季学術講演会  2022年9月22日 

異なるキャリア濃度を有するn型GaNに対する多光子励起 PECエッチングの調査

丹羽 ののか，川崎 晟也, 隈部 岳瑠, 渡邉 浩崇, 古澤 優太, 田中 敦之, 出来 真斗, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

第83回　応用物理学会　秋季学術講演会  2022年9月23日 

Toward AlGaN-based deep-ultraviolet LDs - Demonstration of the shortest wavelength LD and realization of CW operation 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto

The 20th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy(ICMOVPE XX)  2022年7月14日 

Approaches to low threshold current density in deep UV laser diodes on AlN substrate 招待有り 国際会議

M. Kushimoto, Z. Zhang, L. J. Schowalter, Y. Honda, C. Sasaoka, and H. Amano

Compound Semiconductor Week 2022(CSW2022)  2022年6月1日 

High-efficiency AlGaN homojunction tunnel-junction deep-UV LEDs 招待有り 国際会議

Kengo Nagata, Taichi Matsubara, Satoshi Anada, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Kazuo Yamamoto, Tsukasa Hirasama, and Hiroshi Amano

5th International Workshop on UV Materials and Devices(IWUMD 2022)  2022年5月26日 

Reduction of Threshold Current Density in UV-C LDs Fabricated on AlN Substrates 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

2022 MRS Spring Meeting  2022年5月23日 

Development of reflective electrodes for deep-ultraviolet LEDs using polycrystalline MgZnO structural films 国際会議

Maki Kushimoto, Taichi Matsubara, Kengo Nagata, Tatsuhiro Tanaka, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)  2022年4月22日 

Potential distribution analysis of AlGaN homojunction tunnel-junction by electron holography 国際会議

Kengo Nagata, Satoshi Anada, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Kazuo Yamamoto, Tsukasa Hirayama, and Hiroshi Amano

9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)  2022年4月22日 

Development of high efficiency AlGaN tunnel junction deep-UV LEDs 招待有り 国際会議

Kengo Nagata, Taichi Matsubara, Maki Kushimoto, Yoshiki Saito, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, and Hiroshi Amano

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Sciense(ISPlasma2022 / IC-PLANTS2022)  2022年3月10日 

MOVPE法を用いたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの作製

岩田大暉, 隈部岳瑠, 渡邉 浩崇, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年2月22日 

多光子励起OBICを用いたGaN縦型p-nダイオード駆動中におけるキャリア濃度分布測定手法の提案

八木誠，川崎晟也，隈部岳瑠，安藤悠人，田中敦之，出来真斗，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年2月23日 

Emission uniformity of UVC laser diodes on AlN substrates 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

SPIE Photonics West 2022   2022年2月21日 

AlN基板上UV-C レーザーダイオード

久志本 真希、張 梓懿、本田 善央、レオ ショーワルター、笹岡 千秋、天野 浩

一般社団法人レーザー学会学術講演会第42回年次大会  2022年1月14日 

UV-C LDs fabricated on AlN Substrates 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity  2022年1月12日 

最短波長UVC-LD の実現とその周辺技術 招待有り

久志本 真希，張 梓懿，本田 善央，レオ ショーワルター，笹岡 千秋，天野 浩

一般社団法人ワイドギャップ半導体学会第4回研究会  2021年12月10日 

Reduction of operating voltage of AlGaN homo junction tunnel junction deep UV light emitting diode by controlling impurity concentrations 国際会議

Kengo Nagata, Hiroaki Makino, Hiroshi Miwa, Shinichi Matsui, Shinya Boyama, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Hiroshi Amano

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021(ICMaSS2021)  2021年11月6日 

Sputtered polycrystalline MgZnO as transparent electrode in AlGaN-based homojunction tunnel junction deep-ultraviolet light-emitting diode for significant emission enhancement 国際会議

Taichi Matsubara, Kengo Nagata, Maki Kushimoto1, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021(ICMaSS2021)  2021年11月6日 

Reducing the Threshold Current Density of Deep UV LDs on AlN Substrate 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Yoshio Honda, Leo Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

The IEEE Photonics Conference (IPC 2021)  2021年10月20日 

電子線ホログラフィーを用いたAlGaNホモ接合トンネルジャンクションの電位分布解析

永田 賢吾, 穴田 智史, 齋藤 義樹, 久志本 真希, 本田 善央, 竹内 哲也, 天野 浩, 山本 和生, 平山 司

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

深紫外LEDの発光出力向上に向けた多結晶スパッタリングMgZnO透明電極

松原 太一, 永田 賢吾, 久志本 真希, 本田 善央, 天野 浩

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

AlGaNホモ接合 トンネルジャンクション深紫外 LED の低電圧駆動 （2）

永田 賢吾, 三輪 浩士, 松井 慎一, 坊山 晋也, 齋藤 義樹, 久志本 真希, 本田 善央, 竹内 哲也, 天野 浩

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

Development of UV-C laser diode on AlN substrate using distributed polarization doped p-side cladding layer 招待有り 国際会議

Chiaki Sasaoka, Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Leo J. Schowalter, and Hiroshi Amano

Lester Eastman Conference on High Performance Devices ( LEC 2021)  2021年8月4日 

Deep UV Laser Diode with Compositionally Graded AlGaN p-cladding Layer 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano

CLEO 2021  2021年5月12日 

UV-C laser diode with distributed polarization doped p-cladding layer 招待有り 国際共著 国際会議

M. Kushimoto, Z. Zhang, T. Sakai, N. Sugiyama, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

2021 MRS Spring Meeting  2021年4月18日 

Development of polarization doped UVC LDs on AlN substrates 招待有り 国際共著 国際会議

M. Kushimoto, Z. Zhang, T. Sakai, N. Sugiyama, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

CSW-2021  2021年5月13日 

AlGaNホモ接合トンネルジャンクション深紫外LEDの低電圧駆動

永田 賢吾, 牧野 浩明, 三輪 浩士, 松井 慎一, 坊山 晋也, 齋藤 義樹, 久志本 真希, 本田 善央, 竹内 哲也, 天野 浩

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日 

高温スパッタリングにより成膜したMgZnO透明電極材料の電気的及び光学的特性

松原 太一 , 久志本 真希 , 渡邉 浩崇, 古澤 優太, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日 

Development of UV-C laser diodes on AlN substrate 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano

SPIE PHOTONICS WEST  2021年3月6日 

Electrical and Optical Characteristics of Al-doped MgZnO Deposited by RF Magnetron Cosputtering 国際会議

Taichi Matsubara, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  2021年3月1日 

Electrically injected AlGaN based deep-ultraviolet laser diodes 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

IPC 2020  2020年9月28日 

GaN-on-GaN Vertical Nanowire Power Schottky Barrier Diode Fabricated by Top-down Approach 国際会議

Yaqiang Liao, Tao Chen, Jia Wang, Yuto Ando, Xu Yang, Hirotaka Watanabe, Jun Hirotani, Maki Kushimoto, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kevin J. Chen, and Hiroshi Amano

ISPSD 2020  2020年9月17日 

Demonstration of a deep-ultraviolet laser diode on single crystal AlN substrate operating under current injection at room temperature 招待有り

Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Naoharu Sugiyama, Leo.J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

AlGaN 系深紫外光デバイスの開発 -レーザーダイオードと透明導電膜 - 招待有り

久志本 真希, 出来 真斗, 本田 善央, 天野 浩

第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月10日 

次世代深紫外光源に向けた透明導電膜と UV−C LD 招待有り

久志本 真希

第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会  2020年7月31日 

272 nm deep-ultraviolet laser diode fabricated on high-quality AlN substrate 招待有り 国際会議

C. Sasaoka, Z. Zhang, M. Kushimoto, T. Sakai, N. Sugiyama, L. J. Schowalter, and H. Amano

ALPS 2020  2020年4月22日 

表面積制御によるマイクロプレート型多色発光LEDの同時成長

蔡　文トウ, 久志本 真希, 出来 真斗，田中 敦之，新田 州吾，本田 善央，天野 浩

第67回応用物理学会春季学術講演会 

ALD 法によりDBR を形成されたAlGaN UVC LD の室温パルス発振

酒井 忠慶, 久志本 真希, 張 梓懿, 杉山 直治, 本田 善央, 笹岡 千秋, 天野 浩

第67回応用物理学会春季学術講演会 

GaN 縦型p-n ダイオードにおける2 光子吸収光電流の測定

川崎晟也，安藤悠人，田中敦之，塚越真悠子，谷川智之，出来真斗，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩

第67回応用物理学会春季学術講演会 

p-GaN エピ層中に Si イオン注入により形成した n-GaN の電気特性評価

三浦史也、安藤 悠人，高橋 昌大，出来 真斗, 田中 敦之，渡邉 浩崇，久志本 真希，新田 州吾，本田 善央，天野 浩

先進パワー半導体分科会第6回講演会 

ゲート電極形成プロセスがAl2O3/GaN界面およびチャネル特性に与える影響

安藤悠人、中村徹、出来真斗、田岡紀之、田中敦之、渡邉浩崇、久志本真希、新田州吾、本田善央、山田永、清水三聡、天野浩

先進パワー半導体分科会第6回講演会 

Crystal structure of MgZnO deposited by RF sputtering 国際会議

Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019) 

Photoelectrochemical Etching for GaN MEMS

Takehiro Yamada, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

EMS-38 

Effect of interface state density on channel mobility in GaN lateral MISFET 国際会議

Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hisashi Yamada, Mitsuaki Shimizu, and Hiroshi Amano

SemiconNano 2019 

GaN横型MISFETにおけるチャネル移動度に対する界面準位密度の影響2

安藤 悠人,中村 徹, 出来 真斗, 田岡 紀之1, 田中 敦之, 渡邉 浩崇 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 山田 永, 清水 三聡, 天野 浩

応用物理学会秋季学術講演会 

GaNパワーデバイスの実用化に向けた準備状況について

田中敦之、安藤悠人、高橋昌大、三浦史也、川崎晟也、渡邉浩崇、久志本真希、出来真斗、新田州吾、本田善央、天野浩

応用物理学会秋季学術講演会 

GaNへの高温Mg/Fイオン共注入によるグリーンルミネッセンスの抑制

高橋 昌大，田中 敦之，安藤 悠人，渡邉 浩崇，出来 真斗，久志本 真希，新田 州吾，本田 善央，Kevin J. Chen，天野 浩

応用物理学会秋季学術講演会 

エッチング法を用いたAlGaN UV-C レーザーの光共振器作製

酒井 忠慶, 久志本 真希, 本田 善央, 天野 浩

応用物理学会秋季学術講演会 

Effects of annealing process on electrical conductivity of MgZnO 国際会議

Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

The international workshop on UV materials and devices (IWUMD-2019) 

High-Resolution Observation of In-Plane Carrier Concentration Nonuniformity in Vertical GaN p-n Diode Using Franz-Keldysh Effect and Avalanche Multiplication 国際会議

Seiya Kawasaki, Hayata Fukushima, Shigeyosihi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 

Effect of Post-metallization Annealing on Interface Properties of Al2O4/GaN Fabricated on c- and m-plane Free-standing GaN Substrates 国際会議

Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 

Effect of Post-metallization Annealing on Interface Properties of Al2O3/GaN Fabricated on c- and m-plane Free-standing GaN Substrates 国際会議

Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 

Interface properties of lateral MISFETs fabricated on m- and c-plane 国際会議

Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 

Fabrication of GaN-on-GaN Vertical Nanowire Schottky Barrier Diode by Top-down Approach 国際会議

Yaqiang Liao, Jia Wang, Yuto Ando, Xu Yang, Jun Hirotani, Maki Kushimoto, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kevin J. Chen, and Hiroshi Amano

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 

Suppression of green luminescence by co-implantation of Mg/F ions into GaN at high temperature 国際会議

M. Takahashi, A. Tanaka, S. Usami, Y. Ando, H. Watanabe, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 

GaN 基板上横型MIS FET における移動度の面方位依存性

安藤 悠人, 中村 徹, 出来 真斗, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

第11回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

Two-dimensional h-BN multilayer grown on AlN by metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議

Xu Yang, Shugo Nitta, Markus Pristovsek, Yuhuai Liu, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

The 4th International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2DC4) 

Mg composition control of co-sputtered MgZnO thin films toward the application of deep-UV transparent electrode 国際会議

Tadayoshi Sakai, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications 

RFスパッタ法を用いたMgZnOの熱処理効果

久志本真希，酒井 忠慶、出来 真斗、本田 善央、天野 浩

第66回　応用物理学会春季学術講演会 

飛行時間型質量分析法を用いたトリメチルアルミニウムとアンモニアの気相反応分析

大山　武浩、叶　正、久志本　真希、新田　州吾、本田　善央、天野　浩大山　武浩、叶　正、久志本　真希、新田　州吾、本田　善央、天野　浩

第66回　応用物理学会春季学術講演会 

深紫外透明電極応用に向けたMgZnO 薄膜の吸収端制御

酒井 忠慶, 久志本 真希, 出来 真斗, 本田 善央, 天野 浩

第66回　応用物理学会春季学術講演会 

Optical properties of AlGaN based UVC laser structures on annealed AlN template 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Yang Xu, Yuhuai Liu, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

The international workshop on UV materials and devices (IWUMD-2018) 

RF スパッタ法を用いた紫外透過 MgZnO 透明導電膜の作製 招待有り

久志本真希，酒井忠慶、古澤優太、出来真斗、本田善央、天野浩

日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第110回研究会・特別公開シンポジウム 

深紫外透明電極応用に向けたMgZnO薄膜の組成制御

酒井忠慶、久志本真希、出来真斗、本田善央, 天野浩

日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第110回研究会・特別公開シンポジウム 

GaN中転位の三次元観察と転位がパワーデバイスに与える影響 招待有り

田中敦之, 宇佐美茂佳, 安藤悠人,　永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

第65回応用物理学会春季学術講演会 

GaN表面への酸化プロセスがALD-Al2O3/GaN界面の電気特性に与える影響 招待有り

出来真斗、曾根和詩、永松謙太郎、田中敦之、久志本真希、新田州吾、本田善央、天野浩

第65回応用物理学会春季学術講演会 

Mesa depth dependence of breakdown voltage of GaN pn diode 国際会議

Hayata Fukushima, Yuto Ando, Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

ISPlasma2018 

Comparison of In incorporation in axial InGaN quantum wells on GaN and InGaN nanorods grown by lasma assisted molecular beam epitaxy 国際会議

Tasuya Hattori,Maki Kushimoto,Shugo Nitta,Yoshio Honda,Hiroshi Amano

ISPlasma2018 

Development of Sustainable Smart Society by Transformative Electronics 招待有り 国際会議

M. Ogura, Y. Ando, S. Usami, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek, H. Kawai, S. Yagi, H. Amano

2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2017) 

-c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究

河野　司, 久志本真希, 永松謙太郎, 新田州吾, 本田善央, 天野　浩

電子情報通信学会 電子デバイス研究会 

In situ and ex situ optical characterization of nitride semiconductor crystal for advanced optical and power electronic devices 招待有り 国際会議

S. Nitta, Z. Liu, S. Usami, Z. Ye, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, Y. Honda, M. Pristovsek, and H. Amano

Optics 2017 / 8th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics & Photonics 

m 面窒化ガリウム基板を用いた金属-酸化膜-半導体キャパシタの界面準位と絶縁破壊電界

第36回電子材料シンポジウム 

分子線エピタキシー法により成長させたGaN およびInGaN ナノロッド上の軸上InGaN 量子井戸におけるIn の取り込みの比較

第36回電子材料シンポジウム 

GaN 自立基板上pn ダイオードのリーク電流と転位の関係

第36回電子材料シンポジウム 

m 面オフ角GaN 基板を用いたMOVPE とMOVPE 層上のSBD

第36回電子材料シンポジウム 

異なるGaN ⾃⽴基板上縦型PN ダイオードのキラー転位解析

宇佐美 茂佳、福島 颯太、安藤 悠⼈、⽥中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真⽃、新⽥ 州吾、本⽥ 善央、天野 浩

⽇本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電⼦デバイス 第１６２委員会 100 回記念特別公開シンポジウム 

GaN パワーデバイスの周辺耐圧構造の検討

福島 颯太、安藤 悠⼈、宇佐美 茂佳、⽥中 敦之、永松 謙太郎、出来 真⽃、久志本 真希、新⽥ 州吾、本⽥ 善央、天野 浩

⽇本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電⼦デバイス 第１６２委員会 100 回記念特別公開シンポジウム 

オフ⽅向の異なるホモエピタキシャルm ⾯ショットキーバリアダイオードの作製

安藤 悠⼈、永松 謙太郎、⽥中 敦之、宇佐美 茂佳、出来 真⽃、Barry Ousmane、久志本 真希、新⽥ 州吾、本⽥ 善央、天野 浩

⽇本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電⼦デバイス 第１６２委員会 100 回記念特別公開シンポジウム 

Semipolar InGaN optical devices on patterned Si substrates 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto, Takafumi Suzuki, Daiki Ito, Yoshio Honda and Hiroshi Amano

The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017) 

Evaluation of internal quantum efficiency of LED by photocurrent measurement 招待有り 国際会議

Shigeyoshi Usami, Kazunobu Kojima, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Shigefusa Chichibu, Hiroshi Amano

The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017) 

Blue LEDs and Transformative Electronics for Establishing Sustainable Smart Society 国際会議

"S. Usami, Z. Ye, X. Yang, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek, H. Amano

International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2017)  

Crystal Plane Dependence of Interface States Density in c- and m-plane GaN MOS Capacitors 国際会議

M. Deki, K.Nagamatsu, A. Tanaka, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2017)  

Deep Levels in Homoepitaxial m-plane GaN Schottky Barrier Diodes 国際会議

"M. Deki, Y. Ando, K.Nagamatsu, A. Tanaka, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

10th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors 

転位密度の異なるGaN自立基板上PNダイオードのキラー転位解析

宇佐美 茂佳、福島 颯太、安藤 悠人、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

第78回応用物理学会　秋季学術講演会 

The effect of the environment temperature of the wafer on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Zhibin Liu、Shugo Nitta、Shigeyoshi Usami、Kentaro Nagamatsu、Maki Kushimoto、Manato Deki、Yoshio Honda、Hiroshi Amano

第78回応用物理学会　秋季学術講演会 

オフ角の異なるm 面GaN 基板上Si ドープ厚膜SBD

安藤 悠人、永松 謙太郎、田中 敦之、宇佐美 茂佳、バリー ウスマン1、出来 真斗、久志本 真希、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

第78回応用物理学会　秋季学術講演会 

Development of Sustainable Smart Society via Transformative Electronics 国際会議

H. Amano, Y. Robin, S. Y. Bae, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, T. Nishitani, D. Sato, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek

The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017) 

Crystal Plane Dependence of Interface States Density in c- and m-plane GaN MOS Capacitors 国際会議

Manato Deki, Kazushi Sone, Junya Matsushita, Kentarou Nagamatsu, Atsushi Tanaka, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

ICNS-12 

Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on free-standing GaN substrate 国際会議

Shigeyoshi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

ICNS-12 

Reduction of Dislocation in GaN on Silicon Substrate Using In-situ Etching 国際会議

Koji Matsumoto, Toshiaki Ono, Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Shigeyoshi Usami, Maki Kushimoto, Satoshi Murakami, Hiroshi Amano

ICNS-12 

m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE layer on several off-angled GaN substrate 国際会議

Atsushi Tanaka, Ousmane 1 Barry, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

ICNS-12 

異なるInGaN膜厚の(1-101)GaN基板上太陽電池の作製

久志本真希、宇佐美茂佳、出来真斗、本田善央、天野浩

第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

成長法の異なるGaN自立基板上PNダイオードのキラー転位解析

宇佐美茂佳,安藤悠人、福島颯太、田中敦之、永松謙太郎、出来真斗、久志本真希、新田州吾、本田善央、天野浩

第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

m 面GaN 基板上 厚膜GaN-SBD の逆方向リーク電流

安藤悠人, 永松謙太郎, 田中敦之, 宇佐美茂佳, 出来真斗,　久志本真希, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

Growth of III-Nitride Nanorods for Future Optoelectronics Applications 国際会議

Hiroshi Amano, Tatsuya Hattori, Yoann Robin, Kaddour Lekhal, Si-Young Bae, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Yasuhisa Ushida, Geoffrey Avit, Agnès Trassoudaine

18th International Conference on Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN18)  

GaN自立基板上PNダイオードの逆方向リークと転位の関係

宇佐美 茂佳, 安藤 悠人, 田中 敦之, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

第64回応用物理学会春季学術講演会 

O2プラズマ処理およびO3酸化処理を行ったAl2O3/GaN構造の界面準位密度評価

曾根 和詩、 松下 淳矢、 安藤 悠人、 永松 謙太郎、 田中 敦之、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

第64回応用物理学会春季学術講演会 

2次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型GaNHBTの作製

安藤 悠人、 小倉 昌也、 松下 淳矢、 宇佐美 茂佳、 田中 敦之、 永松 謙太郎、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

第64回応用物理学会春季学術講演会 

Si基板上半極性(1-101)GaNストライプレーザー端面への反射膜作製

鈴木 崇文、 伊藤 大貴、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

第64回応用物理学会春季学術講演会 

絶対吸収率と光電流測定とを組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量

宇佐美 茂佳、 小島 一信、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 秩父 重英、 天野 浩

第64回応用物理学会春季学術講演会 

窒化ホウ素を用いたGaN -MIS キャパシタの作製 と電気特性評価

松下 淳矢，永松 謙太郎 ，Xu Yang，田中 敦之，久志本 真希，出来 真斗，新田 州吾，本田 善央，天野 浩

先進パワー半導体分科会 第４回講演会 

二次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型GaN-HBTの作製

安藤 悠人、小倉 昌也、松下 淳矢、宇佐美 茂佳、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

先進パワー半導体分科会 第４回講演会 

Facet Distribution of Leakage Current and Carrier Concentration in m-Plane GaN Schottky Barrier Diode Fabricated with MOVPE 国際会議

A. Tanaka, O. 1 Barry, K. Ngamatsu, J. Matsushita, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors 2016(IWN2016) 

Semipolar lasers on structured Si-Subtrates 招待有り 国際会議

Maki Kushimoto

Heimbach workshop2016 

窒化ホウ素を用いたGaN -MIS キャパシタの作製 と電気特性評価

松下 淳矢，永松 謙太郎 ，Xu Yang，田中 敦之，久志本 真希，出来 真斗，新田 州吾，本田 善央，天野 浩

第77回応用物理学会秋季学術講演会 

InGaN成長中のInウェッティングレイヤーのレーザー散乱による観察

山本 哲也,永松 謙太郎,久志本真希,出来真斗,新田 州吾,本田 善央,天野 浩

第77回応用物理学会秋季学術講演会 

GaN 自立基板上PIN ダイオードにおける順方向発光パターン解析

宇佐美 茂佳, 安藤 悠人, 田中 敦之, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

第77回応用物理学会秋季学術講演会 

InGaN surface roughness recovery by hydrogen treatment as monitored by in situ laser scattering 国際会議

Tetsuya Yamamoto, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) 

Si(001)基板上(1-101)高In 組成InGaN における積層欠陥の形成

久志本真希、本田善央、天野浩

第35 回電子材料シンポジウム 

Si基板上(1-101)高In組成InGaN結晶の緩和過程

久志本真希、本田善央、天野浩

第8回窒化物半導体結晶成長講演会 

Growth and characterization of semipolar (1-101)high-indium-content quantum wells on Si(001) 国際会議

Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides 

Lasing Properties of (1-101) InGaN/GaN Stripe Cavity Structure on Patterned (001) Si Substrate 国際会議

Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

The 3th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications 

Laser-based in situ monitoring of high In-content InGaN growth on GaN (0001) 国際会議

T.Mitsunari, T. Yamamoto, M. Kato, A. Tamura, S. Usami, M. Kushimoto, K. Yamashita, Y. Honda, Y. Lacroix, and H. Amano

10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices 

Optical gain spectra of (1-101) InGaN stripe cavity structures on a patterned (001) Si substrate 国際会議

Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors 2014(IWN2014) 

Growth of (1-101)InGaN stripes on patterned (001)Si substrate 国際会議

Yasukazu Sone, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

The 15th IUMRS-International Congerence in Asia 

Growth optimization of green InGaN multi-quantum well 国際会議

"T.Mitsunari1, A. Tamura1, S. Usami1, M. Kushimoto1, K. Yamashita1, Y. Honda1, Y. Lacroix3, and H. Amano1,2

Conference on LED and Its Industrial Application '14 

Light Emission Polarization Properties of (1-101) InGaN/GaN MQWs with Cavity Structure on Patterned Si Substrate 国際会議

M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10) 

Optical properties of semipolar (1-101) InGaN/GaN multiple quantum well with cavity structure on patterned Si substrae 国際会議

M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

The 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics, and Nanostructures(EDISON18) 

Optical polarization properties in semipolar (1-101) InGaN/GaN multiple quantum well on a patterned Si Substrate 国際会議

M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012) 

Fabrication of InGaN/GaN multiple quantum wells on (1-101) GaN 国際会議

T. Tanikawa, T. Sano, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012) 

Reduction of dislocations and residual stress in GaN grown on patterned Si substrate 国際会議

T. Tanikawa, T. Mitsunari, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

11th Akasaki Research Center Symposium 

AlN基板上UV-C LDのプロセス起因劣化 招待有り

笹岡千秋、久志本真希、張梓懿、天野浩

日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145 委員会　第172 回研究会  2021年10月1日 

単結晶AlN基板上AlGaNを用いた270nm帯CW半導体レーザー 招待有り

久志本 真希

光電相互変換第125委員会 5月26日研究会  2023年5月26日 

世界最短波長深紫外半導体レーザー 招待有り

久志本 真希

TRiSTAR第１期奥村フェロー主催研究セミナー  2023年5月12日 

第3回 光材料・応用技術研究会 招待有り

久志本 真希

第3回 光材料・応用技術研究会   2023年11月10日 

Automobile Engineering Laboratory I

2022

Automobile Engineering Laboratory I

2021

電気電子情報工学実験第１

2021

電気電子情報工学実験第２

2021

Automobile Engineering Laboratory I

2020

電気電子情報工学実験第１

2020

電気電子情報工学実験第２

2020

Automobile Engineering Laboratory I

2019

線形回路論及び演習

2019

電気電子情報工学実験第１

2019

線形回路論及び演習

2018

電気電子情報工学実験第１

2018

Automobile Engineering Laboratory I

2018

線形回路論及び演習

2017

物理学実験

2017

電気電子情報工学実験第１

2017

Automobile Engineering Laboratory I

2017