2021/05/06 更新

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ニッタ シュウゴ
新田 州吾
NITTA Shugo
所属
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 特任准教授
職名
特任准教授

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2003年3月   名城大学 ) 

研究キーワード 1

  1. 窒化物半導体

経歴 4

  1. 豊田合成株式会社

    2008年1月 - 2015年9月

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    国名:日本国

  2. エルシード株式会社

    2006年4月 - 2008年1月

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    国名:日本国

  3. 名城大学研究員

    2005年12月 - 2006年3月

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    国名:日本国

  4. 日本イー・エム・シー株式会社

    2003年4月 - 2005年11月

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    国名:日本国

学歴 3

  1. 名城大学   理工学研究科   電気電子工学専攻

    2000年4月 - 2003年3月

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    国名: 日本国

  2. 名城大学   理工学研究科   電気電子工学専攻

    1998年4月 - 2000年3月

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    国名: 日本国

  3. 名城大学   理工学部   電気電子工学科

    1994年4月 - 1998年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 2

  1. 応用物理学会   会員

  2. 日本結晶成長学会   会員

 

論文 53

  1. Etching-induced damage in heavily Mg-doped p-type GaN and its suppression by low-bias-power inductively coupled plasma-reactive ion etching

    Kumabe Takeru, Ando Yuto, Watanabe Hirotaka, Deki Manato, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SB )   2021年5月

  2. Experimental demonstration of GaN IMPATT diode at X-band

    Kawasaki Seiya, Ando Yuto, Deki Manato, Watanabe Hirotaka, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Arai Manabu, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 4 )   2021年4月

  3. Progress in Modeling Compound Semiconductor Epitaxy: Unintentional Doping in GaN MOVPE

    Kangawa Yoshihiro, Kusaba Akira, Kempisty Pawel, Shiraishi Kenji, Nitta Shugo, Amano Hiroshi

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   21 巻 ( 3 ) 頁: 1878 - 1890   2021年3月

  4. Fabrication of GaN cantilever on GaN substrate by photo-electrochemical etching

    Yamada Takehiro, Ando Yuto, Watanabe Hirotaka, Furusawa Yuta, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Suda Jun, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 3 )   2021年3月

  5. Suppression of the regrowth interface leakage current in AlGaN/GaN HEMTs by unactivated Mg doped GaN layer

    Liu T., Watanabe H., Nitta S., Wang J., Yu G., Ando Y., Honda Y., Amano H., Tanaka A., Koide Y.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   118 巻 ( 7 )   2021年2月

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  6. Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride (vol 10, pg 2614, 2020)

    Sato Shin-Ichiro, Deki Manato, Watanabe Hirotaka, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Nishimura Tomoaki, Gibson Brant C., Greentree Andrew D., Amano Hiroshi, Ohshima Takeshi

    OPTICAL MATERIALS EXPRESS   11 巻 ( 2 ) 頁: 524 - 524   2021年2月

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  7. Electrical properties of GaN metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with Al2O3/GaN interfaces formed on vicinal Ga-polar and nonpolar surfaces

    Ando Yuto, Nagamatsu Kentaro, Deki Manato, Taoka Noriyuki, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Nakamura Tohru, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 24 )   2020年12月

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  8. State-of-the-art and prospects for intense red radiation from core-shell InGaN/GaN nanorods

    Evropeitsev Evgenii A., Kazanov Dmitrii R., Robin Yoann, Smirnov Alexander N., Eliseyev Ilya A., Davydov Valery Yu., Toropov Alexey A., Nitta Shugo, Shubina Tatiana V., Amano Hiroshi

    SCIENTIFIC REPORTS   10 巻 ( 1 )   2020年11月

  9. Epitaxial Combination of Two-Dimensional Hexagonal Boron Nitride with Single-Crystalline Diamond Substrate

    Yang Xu, Pristovsek Markus, Nitta Shugo, Liu Yuhuai, Honda Yoshio, Koide Yasuo, Kawarada Hiroshi, Amano Hiroshi

    ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES   12 巻 ( 41 ) 頁: 46466 - 46475   2020年10月

  10. Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride

    Sato Shin-Ichiro, Deki Manato, Watanabe Hirotaka, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Nishimura Tomoaki, Gibson Brant C., Greentree Andrew D., Amano Hiroshi, Ohshima Takeshi

    OPTICAL MATERIALS EXPRESS   10 巻 ( 10 ) 頁: 2614 - 2623   2020年10月

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  11. Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures

    Sato Shin-ichiro, Deki Manato, Nishimura Tomoaki, Okada Hiroshi, Watanabe Hirotaka, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Ohshima Takeshi

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   479 巻   頁: 7 - 12   2020年9月

  12. Low interface state densities at Al2O3/GaN interfaces formed on vicinal polar and non-polar surfaces

    Ando Yuto, Nagamatsu Kentaro, Deki Manato, Taoka Noriyuki, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Nakamura Tohru, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 10 )   2020年9月

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  13. Thermodynamic analysis of the gas phase reaction of Mg-doped GaN growth by HVPE using MgO

    Kimura Tomoya, Ohnishi Kazuki, Amano Yuki, Fujimoto Naoki, Araidai Masaaki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Kangawa Yoshihiro, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 8 )   2020年8月

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  14. Change of high-voltage conduction mechanism in vertical GaN-on-GaN Schottky diodes at elevated temperatures

    Sandupatla Abhinay, Arulkumaran Subramaniam, Ng Geok Ing, Ranjan Kumud, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 7 )   2020年7月

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  15. Halide vapor phase epitaxy of p-type Mg-doped GaN utilizing MgO

    Ohnishi Kazuki, Amano Yuki, Fujimoto Naoki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 6 )   2020年6月

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  16. Lattice bow in thick, homoepitaxial GaN layers for vertical power devices

    Liu Qiang, Fujimoto Naoki, Shen Jian, Nitta Shugo, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Sitar Zlatko, Bockowski Michal, Kumagai Yoshinao, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   539 巻   2020年6月

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  17. Impact of high-temperature implantation of Mg ions into GaN

    Takahashi Masahiro, Tanaka Atsushi, Ando Yuto, Watanabe Hirotaka, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Shima Kohei, Kojima Kazunobu, Chichibu Shigefusa F., Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 5 )   2020年5月

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  18. Vertical GaN-on-GaN Schottky Diodes as alpha-Particle Radiation Sensors

    Sandupatla Abhinay, Arulkumaran Subramaniam, Ing Ng Geok, Nitta Shugo, Kennedy John, Amano Hiroshi

    MICROMACHINES   11 巻 ( 5 )   2020年5月

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  19. Tungsten carbide layers deposited on graphite substrates via a wet powder process as anti-parasitic-reaction coatings for reactor components in GaN growth

    Nakamura Daisuke, Kimura Taishi, Itoh Kenji, Fujimoto Naoki, Nitta Shugo, Amano Hiroshi

    CRYSTENGCOMM   22 巻 ( 15 ) 頁: 2632 - 2641   2020年4月

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  20. Suppression of Green Luminescence of Mg-Ion-Implanted GaN by Subsequent Implantation of Fluorine Ions at High Temperature

    Takahashi Masahiro, Tanaka Atsushi, Ando Yuto, Watanabe Hirotaka, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Shima Kohei, Kojima Kazunobu, Chichibu Shigefusa F., Chen Kevin J., Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2020年4月

  21. Analysis of trimethylgallium decomposition by high-resolution mass spectrometry

    Ye Zheng, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 2 )   2020年2月

  22. Improved breakdown voltage in vertical GaN Schottky barrier diodes on free-standing GaN with Mg-compensated drift layer

    Abhinay S., Arulkumaran S., Ng G. I., Ranjan K., Deki M., Nitta S., Honda Y., Amano H.

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 1 )   2020年1月

  23. Scalable synthesis of multilayer h-BN on AlN by metalorganic vapor phase epitaxy: nucleation and growth mechanism

    Yang Xu, Nitta Shugo, Pristovsek Markus, Liu Yuhuai, Liao Yaqiang, Kushimoto Maki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    2D MATERIALS   7 巻 ( 1 )   2020年1月

  24. Dielectric Ruduced Surface Field Effect on Vertical GaN-on-GaN Nanowire Schottky Barrier Diodes

    Liao Yaqiang, Chen Tao, Wang Jia, Ando Yuto, Yang Xu, Watanabe Hirotaka, Hirotani Jun, Kushimoto Maki, Deki Manato, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Chen Kevin J., Amano Hiroshi

    PROCEEDINGS OF THE 2020 32ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD 2020)     頁: 349 - 352   2020年

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  25. Low leakage Mg-compensated GaN Schottky diodes on free-standing GaN substrate for high energy alpha-particle detection

    Sandupatia A., Arulkurnaran S., Ranjan K., Ng G. I, Murumu P. P., Kennedy J., Deki M., Nitta S., Honda Y., Amano H.

    2020 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM 2020)     2020年

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  26. Low Voltage High-Energy alpha-Particle Detectors by GaN-on-GaN Schottky Diodes with Record-High Charge Collection Efficiency

    Sandupatla Abhinay, Arulkumaran Subramaniam, Ranjan Kumud, Ng Geok Ing, Murmu Peter P., Kennedy John, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Deki Manato, Amano Hiroshi

    SENSORS   19 巻 ( 23 )   2019年12月

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  27. V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate

    Tanaka Atsushi, Nagamatsu Kentaro, Usami Shigeyoshi, Kushimoto Maki, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Bockowski Michal, Amano Hiroshi

    AIP ADVANCES   9 巻 ( 9 )   2019年9月

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  28. Indium Incorporation into InGaN Quantum Wells Grown on GaN Narrow Stripes

    Sarzynski Marcin, Grzanka Ewa, Grzanka Szymon, Targowski Grzegorz, Czernecki Robert, Reszka Anna, Holy Vaclav, Nitta Shugo, Liu Zhibin, Amano Hiroshi, Leszczynski Mike

    MATERIALS   12 巻 ( 16 )   2019年8月

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  29. Ammonia decomposition and reaction by high-resolution mass spectrometry for group III - Nitride epitaxial growth

    Ye Zheng, Nitta Shugo, Nagamatsu Kentaro, Fujimoto Naoki, Kushimoto Maki, Deki Manato, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   516 巻   頁: 63 - 66   2019年6月

  30. Direct evidence of Mg diffusion through threading mixed dislocations in GaN p-n diodes and its effect on reverse leakage current

    Usami Shigeyoshi, Mayama Norihito, Toda Kazuya, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   114 巻 ( 23 )   2019年6月

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  31. Computational fluid dynamics simulation study of the gas flow balance in a vertical HVPE reactor with a showerhead for low cost bulk GaN crystal growth

    Liu Qiang, Fujimoto Naoki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

  32. Deeply and vertically etched butte structure of vertical GaN p-n diode with avalanche capability

    Fukushima Hayata, Usami Shigeyoshi, Ogura Masaya, Ando Yuto, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

  33. Correlation between nanopipes formed from screw dislocations during homoepitaxial growth by metal-organic vapor-phase epitaxy and reverse leakage current in vertical p-n diodes on a free-standing GaN substrates

    Usami Shigeyoshi, Tanaka Atsushi, Fukushima Hayata, Ando Yuto, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

  34. Narrow Excitonic Lines in Core-Shell Nanorods With InGaN/GaN Quantum Wells Intersected by Basal Stacking Faults

    Evropeitsev Evgeniy A., Robin Yoann, Shubina Tatiana V., Bae Si-Young, Nitta Shugo, Kirilenko Demid A., Davydov Valery Y., Smirnov Alexandr N., Toropov Alexey A., Kushimoto Maki, Ivanov Sergey V., Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   256 巻 ( 6 )   2019年6月

  35. Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation (vol 508, pg 58, 2019)

    Liu Zhibin, Nitta Shugo, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Sitar Zlatko, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   514 巻   頁: 13 - 13   2019年5月

  36. Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE

    Nagamatsu Kentaro, Ando Yuto, Kono Tsukasa, Cheong Heajeong, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   512 巻   頁: 78 - 83   2019年4月

  37. GaN drift-layer thickness effects in vertical Schottky barrier diodes on free-standing HVPE GaN substrates

    Sandupatla A., Arulkumaran S., Ng G. I., Ranjan K., Deki M., Nitta S., Honda Y., Amano H.

    AIP ADVANCES   9 巻 ( 4 )   2019年4月

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  38. Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Liu Zhibin, Nitta Shugo, Usami Shigeyoshi, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   509 巻   頁: 50 - 53   2019年3月

  39. Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation

    Liu Zhibin, Nitta Shugo, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   508 巻   頁: 58 - 65   2019年2月

  40. Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown

    Fukushima Hayata, Usami Shigeyoshi, Ogura Masaya, Ando Yuto, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 2 )   2019年2月

  41. Localization and transient emission properties in InGaN/GaN quantum wells of different polarities within core- shell nanorods

    Robin Y., Evropeitsev E. A., Shubina T. V., Kirilenko D. A., Davydov V. Yu., Smirnov A. N., Toropov A. A., Eliseyev I. A., Bae S. Y., Kushimoto M., Nitta S., Ivanov S. V., Amano H.

    NANOSCALE   11 巻 ( 1 ) 頁: 193 - 199   2019年1月

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  42. Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy

    Nagamatsu Kentaro, Ando Yuto, Ye Zheng, Barry Ousmane, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 10 )   2018年10月

  43. Insight into the performance of multi-color InGaN/GaN nanorod light emitting diodes

    Robin Y., Bae S. Y., Shubina T. V., Pristovsek M., Evropeitsev E. A., Kirilenko D. A., Davydov V. Yu., Smirnov A. N., Toropov A. A., Jmerik V. N., Kushimoto M., Nitta S., Ivanov S. V., Amano H.

    SCIENTIFIC REPORTS   8 巻   2018年5月

  44. m-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle m-Plane GaN Substrates

    Tanaka Atsushi, Ando Yuto, Nagamatsu Kentaro, Deki Manato, Cheong Heajeong, Ousmane Barry, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   215 巻 ( 9 )   2018年5月

  45. Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Yang Xu, Nitta Shugo, Pristovsek Markus, Liu Yuhuai, Nagamatsu Kentaro, Kushimoto Maki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 5 )   2018年5月

  46. Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate

    Usami Shigeyoshi, Ando Yuto, Tanaka Atsushi, Nagamatsu Kentaro, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Sugawara Yoshihiro, Yao Yong-Zhao, Ishikawa Yukari

    APPLIED PHYSICS LETTERS   112 巻 ( 18 )   2018年4月

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  47. Growth of hexagonal boron nitride on sapphire substrate by pulsed-mode metalorganic vapor phase epitaxy

    Yang Xu, Nitta Shugo, Nagamatsu Kentaro, Bae Si-Young, Lee Ho-Jun, Liu Yuhuai, Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   482 巻   頁: 1 - 8   2018年1月

  48. Decomposition of trimethylgallium and adduct formation in a metalorganic vapor phase epitaxy reactor analyzed by high-resolution gas monitoring system

    Nagamatsu Kentaro, Nitta Shugo, Ye Zheng, Nagao Hirofumi, Miki Shinichi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   254 巻 ( 8 )   2017年8月

  49. Facet dependence of leakage current and carrier concentration in m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE

    Tanaka Atsushi, Barry Ousmane, Nagamatsu Kentaro, Matsushita Junya, Deki Manato, Ando Yuto, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

  50. Effect of dislocations on the growth of p-type GaN and on the characteristics of p-n diodes

    Usami Shigeyoshi, Miyagoshi Ryosuke, Tanaka Atsushi, Nagamatsu Kentaro, Kushimoto Maki, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

  51. A-plane GaN growth on (11-20) 4H-SiC substrate with an ultrathin interlayer

    Sun Zheng, Song Peifeng, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 866 - 869   2017年6月

  52. Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (10(1)over-bar0) GaN homoepitaxial layers

    Barry Ousmane I., Tanaka Atsushi, Nagamatsu Kentaro, Bae Si-Young, Lekhal Kaddour, Matsushita Junya, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 552 - 556   2017年6月

  53. Development of Sustainable Smart Society based on Transformative Electronics

    Ogura M., Ando Y., Usami S., Nagamatsu K., Kushimoto M., Deki M., Tanaka A., Nitta S., Honda Y., Pristovsek M., Kawai H., Yagi S., Amano H.

    2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     2017年

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科研費 1

  1. アンモニア分解率向上による高In組成InGaN結晶の高品質化のための反応炉設計

    研究課題/研究課題番号:16K06260  2016年04月 - 2019年03月

    新田 州吾

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:4680000円 ( 直接経費:3600000円 、 間接経費:1080000円 )

    高In組成InGaNのMOVPE結晶成長時の低い成長温度によるアンモニア分解率低下に着目し検討を改善を試みた。成長基板と基板トレイの間にギャップを設け、ギャップを大きくすることにより基板表面に対して基板トレイ温度が相対的に上昇し、上流側の気相温度が上昇する効果があることをシミュレーションで確認した。これを実際に550nmの長波長で発光するInGaN量子井戸の結晶成長に適用したところ、ギャップの大きい基板トレイを用いることによりPL強度の増大、半値幅の低減、モフォロジーの改善がみられた。本手法は高In組成InGaNの高品質化を極めて容易な設計変更で実現できる技術として確立された。
    次世代の高効率LEDを用いた照明、ディスプレイ、光通信のために窒化物半導体による長波長LEDの研究開発に大きな期待がかかっている。しかし発光層として用いられるInGaNは、長波長化のためにIn組成を増大させると構造的欠陥が発生し、発光特性が大きく低下するため、実現は非常に困難である。本研究では組成増大に伴う欠陥発生の主要因であるアンモニア分解効率低下による実効V/Ⅲ比の低下を抑制するため、基板表面への供給前のアンモニアガスの加熱過程に着目した。既存のMOVPE装置の構成は従来のままで基板トレイの僅かな設計変更によりアンモニアの活性・分解を促進し、高品質な高In組成InGaN結晶成長を実現した。