2021/05/22 更新

写真a

クロサワ マサシ
黒澤 昌志
KUROSAWA Masashi
所属
大学院工学研究科 物質科学専攻 物質デバイス機能創成学 講師
大学院工学研究科
工学部 物理工学科
職名
講師
連絡先
メールアドレス
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学位 4

  1. 博士(工学) ( 2012年3月   九州大学 ) 

  2. 修士(工学) ( 2009年3月   九州大学 ) 

  3. 学士(工学) ( 2007年3月   九州大学 ) 

  4. 準学士(工学) ( 2005年3月   茨城工業高等専門学校 ) 

研究分野 2

  1. ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

  2. ナノテク・材料 / 結晶工学

現在の研究課題とSDGs 1

  1. 14族半導体薄膜の結晶成長

経歴 11

  1. 名古屋大学 大学院工学研究科 物質科学専攻 講師

    2017年4月 - 現在

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    国名:日本国

  2. 名古屋大学   高等研究院   講師

    2017年1月 - 2020年3月

  3. 名古屋大学 大学院工学研究科 結晶材料工学専攻 講師

    2017年1月 - 2017年3月

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    国名:日本国

  4. 科学技術振興機構(JST) 戦略的創造研究推進事業 さきがけ研究者

    2015年12月 - 2019年3月

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    国名:日本国

  5. 名古屋大学 未来材料・システム研究所 材料創製部門 特任講師

    2015年10月 - 2016年12月

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    国名:日本国

  6. 名古屋大学   高等研究院   特任講師

    2015年5月 - 2016年12月

  7. 名古屋大学 エコトピア科学研究所 グリーンコンバージョン部門 特任講師

    2015年5月 - 2015年9月

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    国名:日本国

  8. 名古屋大学 エコトピア科学研究所 グリーンコンバージョン部門 研究機関研究員

    2015年4月

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    国名:日本国

  9. 名古屋大学   高等研究院   研究員

    2015年4月

  10. 日本学術振興会 特別研究員(PD)

    2012年4月 - 2015年3月

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    国名:日本国

  11. 日本学術振興会 特別研究員(DC1)

    2009年4月 - 2012年3月

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    国名:日本国

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学歴 4

  1. 九州大学   システム情報科学府   電気電子工学専攻

    - 2012年3月

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    国名: 日本国

  2. 九州大学   システム情報科学府   電子デバイス工学専攻

    - 2009年3月

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    国名: 日本国

  3. 九州大学   工学部   電気情報工学科

    - 2007年3月

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    国名: 日本国

  4. 茨城工業高等専門学校   電気工学科

    - 2005年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 4

  1. 日本表面真空学会

  2. 電子情報通信学会

  3. 応用物理学会

  4. 日本熱電学会

委員歴 8

  1. 応用物理学会東海地区若手チャプター   副代表庶務、web担当  

    2021年 - 現在   

  2. 応用物理学会東海支部   庶務幹事補佐  

    2021年 - 現在   

  3. 第82回応用物理学会秋季学術講演会   現地実行委員  

    2021年   

  4. 応用物理学会東海地区若手チャプター   コアメンバー  

    2018年 - 現在   

  5. 応用物理学会フォノンエンジニアリング研究会   実行委員  

    2018年 - 現在   

  6. 2016年真空・表面科学合同講演会委員会   委員  

    2016年   

  7. ISCSI-VII/ISTDM2016   実行委員  

    2016年   

  8. 文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター   専門調査員  

    2014年4月 - 2015年3月   

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受賞 11

  1. MNC2017 Award for Outstanding Paper

    2018年11月   MNC Organizing Committee  

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  2. 第38回応用物理学会優秀論文賞

    2016年9月   応用物理学会シリコンテクノロジー分科会  

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    受賞国:日本国

  3. SSDM Paper Award 2015

    2015年9月   SSDM  

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    受賞国:日本国

  4. Best Paper Award of IWJT 2015

    2015年6月   15th International Workshop on Junction Technology 2015 (IWJT 2015)  

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    受賞国:日本国

  5. 第6回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 研究奨励賞

    2015年3月   応用物理学会シリコンテクノロジー分科会  

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    受賞国:日本国

  6. 第12回日本表面科学会中部支部研究会 講演奨励賞

    2012年12月   日本表面科学会中部支部  

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    受賞国:日本国

  7. 2012年応用物理学会結晶工学分科会 分科会発表奨励賞

    2012年11月   応用物理学会結晶工学分科会  

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    受賞国:日本国

  8. 第2回(平成23年度)九州大学大学院システム情報科学府優秀学生表彰

    2012年3月   九州大学大学院システム情報科学府同窓会  

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    受賞国:日本国

  9. 第29回(2010年秋季)応用物理学会講演奨励賞

    2010年3月   応用物理学会  

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    受賞国:日本国

  10. 第10回(2004年度)東京支部学生会講演奨励賞

    2005年5月   電子情報通信学会  

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    受賞国:日本国

  11. 2004年度 精励賞(学業の部)

    2005年3月   茨城工業高等専門学校  

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    受賞国:日本国

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論文 121

  1. Close-spaced evaporation of CaGe2 films for scalable GeH film formation 査読有り

    K. O. Hara, S. Kunieda, J. Yamanaka, K. Arimoto, M. Itoh, and M. Kurosawa

    Materials Science in Semiconductor Processing     頁: Vol. 132, pp. 105928-1〜6   2021年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2021.105928

  2. No external load measurement strategy for micro thermoelectric generator based on high-performance Si1-x-yGexSny film 査読有り

    Y. Peng, S. Zhu, H. Lai, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, S. Tanemura, B. Peng, and L. Miao

    Journal of Materiomics     頁: In-press   2020年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jmat.2020.12.002

  3. Silicon‐based low-dimensional materials for Thermal Conductivity Suppression: Recent Advances and New Strategies to High Thermoelectric Efficiency 査読有り

    H. Lai, Y. Peng, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, T. Takeuchi, and L. Miao

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 60, No. SA, pp. SA0803-1〜15   2020年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abbb69

  4. Evaluation of Strain-Shift Coefficients for SiSn by Raman Spectroscopy 査読有り

    R. Yokogawa, M. Kurosawa, and A. Ogura

    ECS Transactions     頁: Vol. 98, No. 5, pp. 291-300   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/09805.0291ecst

  5. Hydrogen Desorption from Silicane and Germanane Crystals: Toward Creation of Free-Standing Monolayer Silicene and Germanene 査読有り

    M. Araidai, M. Itoh, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

    Journal of Applied Physics     頁: Vol. 128, Issue 12, pp. 125301-1〜5   2020年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0018855

  6. Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design 査読有り

    O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

    ECS Transactions     頁: Vol. 98, No. 5, pp. 149-156   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/09805.0149ecst

  7. Realizing high thermoelectric performance in p-type Si1-x-yGexSny thin films at ambient temperature by Sn modulation doping 査読有り

    Y. Peng, H. Lai, C. Liu, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, T. Takeuchi, S. Zaima, S. Tanemura, and L. Miao

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 117, Issue 5, pp. 053903-1〜5   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0012087

  8. Design of a Planar-type Uni-leg SiGe Thermoelectric Generator 査読有り

    S. Koike, R. Yanagisawa, M. Kurosawa, and M. Nomura

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 59, No. 7, pp. 074003-1〜5   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab9d5e

  9. Continuous Growth of Germanene and Stanene Lateral Heterostructures 査読有り

    T. Ogikubo, H. Shimazu, Y. Fujii, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, G. L. Lay, J. Yuhara

    Advanced Materials Interfaces     頁: Vol. 7, No. 10, pp. 1902132-1〜7   2020年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/admi.201902132

  10. Preparation and thermoelectric characterization of phosphorus-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 査読有り

    H. Kobayashi, R. Akaishi, S. Kato, M. Kurosawa, N. Usami, and Y. Kurokawa

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 59, No. SG, pp. SGGF09-1〜6   2020年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab6346

  11. Formation of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface 査読有り

    M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 59, No. SG, pp. SGGK15-1〜6   2020年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab69de

  12. 分子線エピタキシー法によるSi1-xSnx薄膜の形成

    丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第25回)     頁: pp. 125-128   2020年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  13. 多結晶Si1-x-yGexSny三元混晶薄膜の熱電特性制御

    中塚理, 彭英, 苗蕾, 高杰, 刘呈燕, 黒澤昌志, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第25回)     頁: pp. 117-120   2020年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  14. Semi-ballistic thermal conduction in polycrystalline SiGe nanowires 査読有り

    N. Okamoto, R. Yanagisawa, A. Roman, Md. M. Alam, K. Sawano, M. Kurosawa, and M. Nomura

    Applied Physics Letters     頁: Vol.115, Issue 25, pp. 253101-1〜4   2019年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5130659

  15. Development of Germanium-Tin-Related Semiconductor Heterostructures for Energy Band Design in Electronic and Optoelectronic Applications 査読有り

    O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, S. Shibayama, and S. Zaima

    ECS Transactions     頁: Vol. 92, Issue 4, pp. 41-46   2019年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/09204.0041ecst

  16. Realizing High Thermoelectric Performance at Ambient Temperature by Ternary Alloying in Polycrystalline Si1-x-yGexSny Thin Films with Boron Ion Implantation 査読有り

    Y. Peng, L. Miao, J. Gao, C. Liu, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Scientific Reports     頁: Vol. 9, No.1, pp.14342-1〜9   2019年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-019-50754-4

  17. ゲルマニウム錫Ⅳ族混晶薄膜の結晶成長と電子物性 招待有り 査読有り

    中塚理, 黒澤昌志

    応用物理     頁: Vol. 88, No. 9, pp. 597-603   2019年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.11470/oubutsu.88.9_597

  18. Formation and Optoelectronic Property of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double Heterostructure on Boron-Ion-Implanted Ge(001) Substrate 査読有り

    M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 58, No. SI, pp. SIIB23-1〜6   2019年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab1b62

  19. Operation of thin-film thermoelectric generator of Ge-rich poly-Ge1-xSnx on SiO2 fabricated by a low thermal budget process 査読有り

    K. Takahashi, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa

    Applied Physics Express     頁: Vol. 12, No. 5, pp. 051016-1〜6   2019年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1882-0786/ab1969

  20. GaSb(001)基板上に形成したSi1-xSnx薄膜の結晶構造評価

    丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第24回)     頁: pp. 71-74   2019年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  21. ノンドープ組成傾斜SiGeワイヤの微小ゼーベック係数測定

    熊田剛大, 中村俊貴, 富田基裕, 中田壮哉, 高橋恒太, 黒澤昌志, 渡邉孝信

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第24回)     頁: pp. 197-200   2019年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  22. 高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価

    福田雅大, 坂下満男, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第24回)     頁: pp. 265-268   2019年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  23. Synthesis of heavily Ga-doped Si1-xSnx/Si heterostructures and their valence-band-offset determination 査読有り

    M. Kurosawa, Y. Inaishi, R. Tange, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 58, No. SA, pp. SAAD02-1〜4   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/aaeb36

  24. Germanene Epitaxial Growth by Segregation through Ag(111) Thin Films on Ge(111) 査読有り

    J. Yuhara, H. Shimazu, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, M. Nakatake, and G. Le Lay

    ACS Nano     頁: Vol. 12, Issue 11, pp. 11632-11637   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsnano.8b07006

  25. Optoelectronic properties of High-Si-content-Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double-Heterostructure 査読有り

    M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Semiconductor Science and Technology     頁: Vol. 33, No. 12, pp. 124018-1〜9   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/aaebb5

  26. Ultra-thin Germanium-Tin on Insulator structure through the direct bonding technique 査読有り

    T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Oka, M. Kurosawa, Y. Imai, O. Nakatsuka, and N. Uchida

    Semiconductor Science and Technology     頁: Vol. 33, No. 12, pp. 124002-1〜5   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/aae620

  27. Evaluation of Laterally Graded Silicon Germanium Wires for Thermoelectric Devices Fabricated by Rapid Melting Growth 査読有り

    R. Yokogawa, S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Watanabe, and A. Ogura

    ECS Transactions     頁: Vol. 86, Issue 7, pp. 87-93   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/08607.0087ecst

  28. A New Application of Ge1-xSnx: Thermoelectric Materials 査読有り

    M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    ECS Transactions     頁: Vol. 86, issue 7, pp. 321-328   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/08607.0321ecst

  29. エネルギーハーベスティング応用に向けたIV族混晶(Ge1-xSnx)薄膜の結晶成長 招待有り 査読有り

    黒澤昌志

    日本熱電学会学会誌     頁: Vol. 15, No.1, pp.26-31   2018年8月

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    記述言語:日本語  

  30. Growth of two-dimensional Ge crystal by annealing of heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N2 ambient 査読有り

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 57, No. 6S1, pp. 06HD08-1〜5   2018年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06HD08

  31. Segregated SiGe Ultrathin Layer Formation and Surface Planarization on Epitaxial Ag(111) by Annealing of Ag/SiGe(111) with Different Ge/(Si+Ge) Compositions 査読有り

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 57, No. 4S, pp. 04FJ05-1〜6   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FJ05

  32. Dopant behavior in heavily doped polycrystalline Ge1-xSnx layers prepared with pulsed laser annealing in water 査読有り

    K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 57, No. 4S, pp. 04FJ02-1〜6   2018年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FJ02

  33. High n-type Sb dopant activation in Ge-rich poly-Ge1-xSnx layers on SiO2 using pulsed laser annealing in flowing water 査読有り

    K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 112, Issue 6, pp. 062104-1〜5   2018年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4997369

  34. Self-organized lattice-matched epitaxy of Si1-xSnx alloys on (001)-oriented Si, Ge, and InP substrates 査読有り

    M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 111, Issue 19, pp. 192106-1〜4   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4995812

  35. Control of Ge1-x-ySixSny layer lattice constant for energy band alignment in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructures 査読有り

    M. Fukuda, K. Watanabe, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Semiconductor Science and Technology     頁: Vol. 32, No. 10, pp. 104008-1〜8   2017年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6641/aa80ce

  36. First-principles study on adsorption structures and electronic states of stanene on α-alumina surface 査読有り

    M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 56, No. 9, pp. 095701-1〜4   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.095701

  37. Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films 査読有り

    M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    ECS Transactions     頁: Vol. 80, Issue 4, pp. 253-258   2017年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/08004.0253ecst

  38. エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成

    伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

    電子情報通信学会 信学技報     頁: Vol. 117, No. 101, pp. 43-48   2017年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  39. Evaluation of energy band offset of Si1-xSnx semiconductors by numerical calculation using density functional theory 査読有り

    Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 56, No. 4S, pp.04CR10-1〜5   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.04CR10

  40. Low-temperature crystallization of Ge-rich GeSn layers on Si3N4 substrate 査読有り

    I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Materials Science in Semiconductor Processing     頁: Vol. 70, pp. 151-155   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2016.12.038

  41. 水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化

    高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第22回)     頁: pp. 67-70   2017年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  42. Hydrogen-surfactant-mediated epitaxy of Ge1-x Snx layer and its effects on crystalline quality and photoluminescence property 査読有り

    O. Nakatsuka, S. Fujinami, T. Asano, T. Koyama, M. Kurosawa, M. Sakashita, H. Kishida, and S. Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 56, No. 1S, pp. 01AB05-1〜6   2016年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.01AB05

  43. Solid-phase crystallization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers and characterization of their crystalline and optical properties 査読有り

    S. Yano, T. Yamaha, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 56, No. 1S, pp. 01AB02-1〜7   2016年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.01AB02

  44. Large single-crystal Ge-on-insulator by thermally-assisted (~400C) Si-seeded-pulse-laser annealing 査読有り

    T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, and M. Miyao

    Materials Science in Semiconductor Processing     頁: Vol. 70, pp. 8-11   2016年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2016.10.033

  45. Formation and characterization of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny double heterostructures with strain-controlled Ge1-x-ySixSny layers 査読有り

    M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Materials Science in Semiconductor Processing     頁: Vol. 70, pp. 156-161   2016年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2016.10.024

  46. Thermoelectric Properties of Ge-Rich GeSn Films Grown on Insulators 査読有り

    M. Kurosawa, K. Liu, M. Izawa, I. Tsunoda, and S. Zaima

    ECS Transactions     頁: Vol. 75, Issue 8, pp. 481-487   2016年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/07508.0481ecst

  47. 金属誘起層交換法によるAg上Si, Ge極薄膜の形成 ーシリセン, ゲルマネンの創製を目指してー 招待有り 査読有り

    黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明

    表面科学     頁: Vol. 37, No. 8, pp. 374-379   2016年8月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1380/jsssj.37.374

  48. Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys 査読有り

    Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 55, No. 8S2, pp. 08PE04-1〜4   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.08PE04

  49. Surface-segregated Si and Ge ultrathin films formed by Ag-induced layer exchange process 査読有り

    M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 55, No. 8S1, pp. 08NB07-1〜5   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.08NB07

  50. Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価

    志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    電子情報通信学会 信学技報     頁: Vol. 116, No. 1, pp. 23-26   2016年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  51. Growth of ultrahigh-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer and its impact on controlling Schottky barrier height of metal/Ge contact 査読有り

    A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 55, No. 4S, pp. 04EB12-1〜6   2016年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.04EB12

  52. Effect of in situ Sb doping on crystalline and electrical characteristics of n-type Ge1-xSnx epitaxial layer 査読有り

    J. Jeon, T. Asano, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 55, No. 4S, pp. 04EB13-1〜5   2016年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.04EB13

  53. Low thermal budget n-type doping into Ge(001) surface using ultraviolet laser irradiation in phosphoric acid solution 査読有り

    K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 108, Issue 5, pp. 052104-1〜4   2016年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4941236

  54. 界面エネルギー制御による絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長

    吉川勲, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回)     頁: pp. 21-24   2016年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  55. Si1–xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析

    長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回)     頁: pp. 17-20   2016年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  56. Mobility Behavior of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Grown on Insulators 査読有り

    T. Ohmura, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Transaction of the Materials Research Society of Japan     頁: Vol. 40, No. 4, pp. 351-354   2015年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.14723/tmrsj.40.351

  57. Defect and dislocation structures in low-temperature-grown Ge and Ge1-xSnx epitaxial layers on Si(110) substrates 査読有り

    S. Kidowaki, T. Asano, Y. Shimura, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Thin Solid Films     頁: Vol. 598, 1 January 2016, pp. 72–81   2015年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2015.11.048

  58. Reduction of Schottky barrier height at metal/n-Ge interface by introducing an ultra-high Sn content Ge1-xSnx interlayer 査読有り

    A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 107, Issue 21, pp. 212103-1〜5   2015年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4936275

  59. Challenges of Energy Band Engineering with New Sn-Related Group IV Semiconductor Materials for Future Integrated Circuits 査読有り

    S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawaa, W. Takeuchi, M. Sakashita

    ECS Transactions     頁: Vol. 69, Issue 10, pp. 89-98   2015年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/06910.0089ecst

  60. High hole mobility tin-doped polycrystalline germanium layers formed on insulating substrates by low-temperature solid-phase crystallization 査読有り

    W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 107, Issue 2, pp.022103-1〜4   2015年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4926507

  61. Growth and Application of GeSn-Related Group-IV Semiconductor Materials 招待有り 査読有り

    S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita

    Science and Technology of Advanced Materials     頁: Vol.16, Issue 4, pp. 043502-1〜22   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1468-6996/16/4/043502

  62. Characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge fine structures by synchrotron X-ray microdiffraction 査読有り

    S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 106, Issue 18, pp. 182104-1〜5   2015年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4921010

  63. Near-infrared light absorption by polycrystalline SiSn alloys grown on insulating layers 査読有り

    M. Kurosawa, M. Kato, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 106, Issue 17, pp. 171908-1〜5   2015年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4919451

  64. 高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 〜直接遷移構造化を目指して〜

    黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    電子情報通信学会 信学技報     頁: Vol. 115, No. 18, pp. 35-37   2015年4月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  65. Formation, crystalline structure, and optical properties of Ge1-x-ySnxCy ternary alloy layers 査読有り

    T. Yamaha, K. Terasawa, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 54, Issue 4S, pp. 04DH08-1〜6   2015年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.04DH08

  66. Effect of Sn on crystallinity and electronic property of low temperature grown polycrystalline-Si1-x-yGexSny layers on SiO2 査読有り

    T. Yamaha, M. Kurosawa, T. Ohmura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Solid State Electronics     頁: Vol. 110, pp. 54-58   2015年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.sse.2015.01.005

  67. Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1-x-ySixSny layers on Ge(001) substrates 査読有り

    T. Asano, T. Terashima, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Solid State Electronics     頁: Vol. 110, pp. 49-53   2015年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.sse.2015.01.006

  68. Sn/Ge コンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減

    鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第20回研究会)     頁: pp. 59-62   2015年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  69. Operation of inverter and ring oscillator of ultrathin-body poly-Ge CMOS 査読有り

    Y. Kamata, M. Koike, E. Kurosawa, M. Kurosawa, H. Ota, O. Nakatsuka, S. Zaima, and T. Tezuka

    Applied Physics Express     頁: Vol. 7, No. 12, pp.121302-1〜4   2014年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.7.121302

  70. Comprehensive study of Al-induced layer-exchange growth for orientation-controlled Si crystals on SiO2 substrates 査読有り

    M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

    Journal of Applied Physics     頁: Vol. 116, Issue17, pp.173510-1〜8   2014年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4901262

  71. Epitaxial Growth of GeSn Layers on (001), (110), and (111) Si and Ge Substrates 査読有り

    O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and S. Zaima

    ECS Transactions     頁: Vol. 64, Issue 6, pp. 793-799   2014年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/06406.0793ecst

  72. Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減

    鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 中塚理, 黒澤昌志, 加藤公彦, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明

    電子情報通信学会 信学技報      頁: vol. 114, no. 88, pp. 11-16   2014年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  73. 絶縁膜上における IV 族半導体の低温形成 〜低融点 Sn の活用〜

    黒澤昌志, 田岡紀之, 池上浩, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    電子情報通信学会 信学技報      頁: vol. 114, no. 88, pp. 91-95   2014年6月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  74. Dynamics Analysis of Rapid-Melting Growth Using SiGe on Insulator 査読有り

    R. Matsumura, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

    Thin Solid Films     頁: Vol. 557, pp. 125–128   2014年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.08.129

  75. Coherent Lateral-Growth of Ge over Insulating Film by Rapid-Melting-Crystallization 査読有り

    T. Sadoh, M. Kurosawa, K. Toko, and M. Miyao

    Thin Solid Films     頁: Vol. 557, pp. 135–138   2014年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.08.127

  76. Influence of Ge Substrate Orientation on Crystalline Structures of Ge1-xSnx Epitaxial Layers 査読有り

    T. Asano, S. Kidowaki, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Thin Solid Films     頁: Vol. 557, pp. 159–163   2014年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.10.087

  77. Formation and characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge microstructures 査読有り

    S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

    Thin Solid Films     頁: Vol. 557, pp. 164–168   2014年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.08.126

  78. Reduction of Schottky Barrier Height for n-type Ge Contact by using Sn Electrode 査読有り

    A. Suzuki, S. Asaba, J. Yokoi, K. Kato, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 53, Issue 4S, pp. 04EA06-1〜5   2014年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.04EA06

  79. Giant-lateral-growth of SiGe stripes on insulating-substrate by self-organized-seeding and melt-back-growth in solid-liquid coexisting region 査読有り

    R. Matsumura, R. Kato, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

    Electrochemical and Solid-State Letters     頁: Vol. 3, Isuue 5, pp. P61-P64   2014年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/2.003405ssl

  80. Large grain growth of Ge-rich Ge1-xSnx (x=0.02) on insulating surfaces using pulsed laser annealing in flowing water 査読有り

    M. Kurosawa, N. Taoka, H. Ikenoue, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 104, Issue 6, pp. 061901-1〜4   2014年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4864627

  81. Characterization of Local Strain Structures in Heteroepitaxial Ge1-xSnx/Ge Microstructures by using Microdiffraction Method 査読有り

    S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

    ECS Transactions     頁: Vol. 58, Issue 9, pp. 185-192   2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/05809.0185ecst

  82. Low-Temperature Metal-Induced Crystallization of Orientation-Controlled SiGe on Insulator for Flexible Electronics 査読有り

    T. Sadoh, J.-H. Park, M. Kurosawa, and M. Miyao

    ECS Transactions     頁: Vol. 58, Issue 9, pp. 213-221   2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/05809.0213ecst

  83. Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications: Challenges and Opportunitiesi 査読有り

    O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima

    ECS Transactions     頁: Vol. 58, Issue 9, pp. 149-155   2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/05809.0149ecst

  84. Liquid-Sn-driven lateral growth of poly-GeSn on insulator assisted by surface oxide layer 査読有り

    M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 103, Issue 11, pp. 101904-1〜4   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4820405

  85. Nucleation-controlled gold-induced crystallization for selective formation of Ge(100) and (111) on insulator at low-temperature (~250oC) 査読有り

    J.-H. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 103, Issue 8, pp. 082102-1〜4   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4819015

  86. Temperature dependent Al-induced crystallization of amorphous Ge thin films on SiO2 substrates 査読有り

    K. Toko, N. Fukata, K. Nakazawa, M. Kurosawa, N. Usami, M. Miyao, T. Suemasu

    Journal of Crystal Growth     頁: Vol. 372, pp. 189–192   2013年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.03.031

  87. High-quality formation of multiply stacked SiGe-on-insulator structures by temperature-modulated successive rapid-melting-growth 査読有り

    Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 102, Issue 2, pp. 092102-1〜4   2013年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4794409

  88. Atomically-coherent-coalescence of two growth-fronts in Ge stripes on insulator by rapid-melting lateral-crystallization 査読有り

    M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, I. Mizushima, and M. Miyao

    ECS Journal of Solid State Science and Technology     頁: Vol. 2, Issue 3, pp. P54-P57   2012年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/2.005303jss

  89. Growth-rate-dependent laterally graded SiGe profiles on insulator by cooling-rate controlled rapid-melting-growth 査読有り

    R. Matsumura, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, I. Mizushima, and M. Miyao

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 101, Issue 24, pp. 241904-1〜5   2012年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4769998

  90. Formation of Large Grain SiGe on Insulator by Si Segregation in Seedless-Rapid-Melting Process 査読有り

    R. Kato, M. Kurosawa, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao

    ECS Transactions     頁: Vol. 50, Issue 9, pp. 431-436   2012年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/05009.0431ecst

  91. (Invited) Hybrid-Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si Platform by SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting Growth --- A Road to Artificial Crystal --- 査読有り

    M. Miyao, M. Kurosawa, K. Toko, Y. Tojo, and T. Sadoh

    ECS Transactions     頁: Vol. 50, Issue 5, pp. 59-70   2012年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/05005.0059ecst

  92. Formation of Graded SiGe on Insulator by Segregation-Controlled Rapid-Melting- Growth 査読有り

    R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

    ECS Transactions     頁: Vol. 50, Issue 9, pp. 747-751   2012年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/05009.0747ecst

  93. Formation of Large-Grain Ge(111) Films on Insulator by Gold-Induced Layer-Exchange Crystallization at Low Temperature Poster Session 査読有り

    J.-H. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh

    ECS Transactions     頁: Vol. 50, Issue 9, pp. 475-480   2012年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/05009.0475ecst

  94. Single-crystalline laterally-graded GeSn on insulator structures by segregation controlled rapid-melting growth 査読有り

    M. Kurosawa, Y. Tojo, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 101, Issue 9, pp. 091905-1〜4   2012年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4748328

  95. Highly (111)-oriented Ge thin films on insulators formed by Al-induced crystallization 査読有り

    K. Toko, M. Kurosawa, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, M. Miyao, and T. Suemasu

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 101, Issue 7, pp. 072106-1〜3   2012年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4744962

  96. Enhanced Interfacial-Nucleation in Al-Induced Crystallization for (111) Oriented Si1-xGex (0<x<1) Films on Insulating Substrates 査読有り

    M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao

    ECS Journal of Solid State Science and Technology     頁: Vol. 1, Issue 3, pp. P144-P147   2012年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/2.010203jss

  97. SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI(Ge on Insulator)の形成―人工単結晶への道― 招待有り 査読有り

    宮尾正信,佐道泰造,都甲薫,黒澤昌志

    応用物理     頁: Vol. 81, No. 5, pp. 410-414   2012年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.11470/oubutsu.81.5_410

  98. Hybrid-orientation Ge-on-insulator structures on (100) Si platform by Si micro-seed formation combined with rapid-melting growth 査読有り

    M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 100, Issue 17, pp. 172107-1〜5   2012年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4705733

  99. 界面酸化膜挿入型 Au 誘起層交換成長法による大粒径 Ge(111)/絶縁膜の低温成長-界面酸化膜厚依存性-

    鈴木恒晴, パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 宮尾正信, 佐道泰造

    電子情報通信学会 信学技報      頁: vol. 112, no. 18, pp. 71-73   2012年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  100. 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 〜Si偏析効果による大粒径化〜

    加藤立奨,黒澤昌志,横山裕之,佐道泰造,宮尾正信

    電子情報通信学会 信学技報      頁: vol. 112, no. 18, pp. 61-62   2012年4月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  101. Enhancement of SiN-Induced Compressive and Tensile Strains in Si Free-Standing Microstructures by Modulation of SiN Network Structures 査読有り

    T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, M. Miyao

    Thin Solid Films     頁: Vol. 520, Issue 8, pp. 3276–3278   2012年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.088

  102. Low Temperature (~250oC) Layer Exchange Crystallization of Si1-xGex (x= 1-0) on Insulator for Advanced Flexible Devices 査読有り

    J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh

    Thin Solid Films     頁: Vol. 520, Issue 8, pp. 3293–3295   2012年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.087

  103. Au-catalyst induced low temperature (~250oC) layer exchange crystallization for SiGe on insulator 査読有り

    J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh

    ECS Transactions     頁: Vol. 35, Issue 5, pp. 39-42   2011年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/1.3570774

  104. Lateral-liquid phase epitaxy of (101) Ge-on-insulator from Si template by metal-induced crystallization 査読有り

    M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh, and M. Miyao

    ECS Transactions     頁: Vol. 35, Issue 5, pp. 51-54   2011年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/1.3570776

  105. Low-temperature (~250oC) Cu-induced lateral crystallization of Ge on insulator 査読有り

    T. Sadoh, M. Kurosawa, T. Hagihara, K. Toko, and M. Miyao

    Electrochemical and Solid-State Letters     頁: Vol. 17, Issue 7, pp. H274-H276   2011年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/1.3582794

  106. Au-induced low-temperature (~250oC) crystallization of Si on insulator through layer-exchange process 査読有り

    J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh

    Electrochemical and Solid-State Letters     頁: Vol. 14, Issue 6, pp. H232-H234   2011年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/1.3562275

  107. SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting-Growth of High-Mobility Ge-on-Insulator 査読有り

    T. Sadoh, K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sakane, Y. Ohta, N. Kawabata, H. Yokoyama, and M. Miyao

    Key Engineering Materials     頁: Vol. 470, pp. 8-13   2011年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/KEM.470.8

  108. Al-Induced Oriented-Crystallization of Si Films on Quartz and Its Application to Epitaxial-Template for Ge Growth 査読有り

    M. Kurosawa, K. Toko, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao

    Solid State Electronics     頁: Volume 60, Issue 1, pp. 7–12   2011年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.sse.2011.01.033

  109. Dehydrogenation-enhanced large strain (~1.6%) in free-standing Si microstructures covered with SiN stress liners 査読有り

    M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

    Electrochemical and Solid-State Letters     頁: Vol. 14, Issue 4, pp. H174-H176   2011年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/1.3551465

  110. Selective-mapping of uniaxial and biaxial strains in SOI micro-structures by polarized micro-probe Raman spectroscopy 査読有り

    M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 98, Issue 1, pp. 012110-1-3   2011年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3535606

  111. High-mobility defect-free Ge single-crystals by rapid melting growth on insulating substrates 査読有り

    M. Miyao, K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sakane, Y. Ohta, N. Kawabata, H. Yokoyama, and T. Sadoh

    Proceeding of ICSICT2010 (IEEE)     頁: pp.827-830   2010年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/ICSICT.2010.5667440

  112. Low-temperature (<250oC) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique 査読有り

    J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh

    Proceeding of TENCON2010 (IEEE)     頁: pp.2196-2198   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TENCON.2010.5686705

  113. (100) orientation-controlled Ge giant-stripes on insulating substrates by rapid-melting growth combined with Si micro-seed technique 査読有り

    K. Toko, M. Kurosawa, H. Yokoyama, N. Kawabata, T. Sakane, Y. Ohta, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao

    Applied Physics Express     頁: Vol. 3, No. 7, pp. 075603-1-3    2010年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.3.075603

  114. ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム 

    川畑直之, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信 

    電子情報通信学会 信学技報      頁: Vol. 110, No. 15, pp. 13-17    2010年4月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  115. Al-Induced Low-Temperature Crystallization of Si1-xGex (0<x<1) by Controlling Layer Exchange Process 査読有り

    M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

    Thin Solid Films     頁: Vol. 518,Issue 6, Supplement 1, pp. S174-S178    2010年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2009.10.082

  116. Stress-enhancement in free-standing Si pillars through non-equilibrium dehydrogenation in SiN:H stress-liners by UV-light irradiation 査読有り

    T. Tanaka, T. Sadoh, M. Kurosawa, M. Tanaka, M. Yamaguchi, S. Suzuki, T. Kitamura, and M. Miyao

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 95, Issue 26, pp. 262103-1-3    2009年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3278596

  117. Orientation-controlled Si thin films on insulating substrates by Al-induced crystallization combined with interfacial-oxide layer modulation 査読有り

    M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao

    Applied Physics Letters     頁: Vol. 95, Issue 13, pp. 132103-1-3    2009年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3241076

  118. アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長 

    黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信 

    電子情報通信学会 信学技報      頁: Vol. 109, No. 20, pp. 19-23    2009年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  119. Interfacial-Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si1-xGex (x: 0-1) on Insulating Substrate 査読有り

    M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: Vol. 48, No. 3, pp. 03B002-1-5    2009年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.48.03B002

  120. Ge Fraction Dependence of Al-induced Crystallization of SiGe at Low Temperatures 査読有り

    M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao

    Journal of the Korean Physical Society     頁: Vol. 54, No. 1, pp. 451-454    2009年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3938/jkps.54.451

  121. Low-Temperature Oriented-Growth in [CoPt/MgO]n Multi-Layer 査読有り

    T. Sadoh, M. Kurosawa, M. Kimura, K Ueda, M. Koyanagi, and M. Miyao

    Thin Solid Films     頁: Vol. 517, Issue 1, pp. 430-433    2008年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2008.08.057

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書籍等出版物 1

  1. 共晶系で生じる析出現象を応用したIV族系ナノシート形成技術

    黒澤昌志, 大田晃生

    「ポストグラフェン材料の創製と用途開発最前線」-二次元ナノシートの物性評価、構造解析、合成、成膜プロセス技術、応用展開-(柚原淳司 監修), エヌ・ティー・エス  2020年4月  ( ISBN:978-4-86043-657-5

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    記述言語:日本語

講演・口頭発表等 399

  1. 多結晶SiGe薄膜を用いた平面型ユニレグ熱電デバイスの作製と評価

    小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, 野村政宏

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  2. Si(001)基板上におけるSi1−xSnx薄膜のエピタキシャル成長

    黒澤昌志, 丹下龍志, 中塚理

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  3. 近接蒸着法によるCaGe2成膜とゲルマナンへの変換

    原康祐, 國枝慎, 山中淳二, 有元圭介, 伊藤麻維, 黒澤昌志

    第68回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  4. SiGe薄膜熱電発電デバイス出力の膜厚依存性

    小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, 野村政宏

    日本機械学会 熱工学コンファレンス2020 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  5. Evaluation of Strain-Shift Coefficients for SiSn by Raman Spectroscopy 国際会議

    R. Yokogawa, M. Kurosawa, and A. Ogura

    PRiME 2020 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  6. Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductors for Energy Band Design 国際会議

    O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

    PRiME 2020 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  7. Size effect of silicon nanocrystals on Seebeck coefficient of phosphorus-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 国際会議

    H. Kobayashi, S. Kato, M. Kurosawa, K. Gotoh, N. Usami, and Y. Kurokawa

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2020 (SSDM2020) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  8. Ge1-xSnx溶融成長時に生じる偏析現象の理解

    中尾天哉, 西島泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  9. 多結晶SiGe薄膜を用いた平面型ユニレグ熱電デバイスの設計

    小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, 野村政宏

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  10. 多層ゲルマナンフレークからの水素脱離

    伊藤麻維, 洗平昌晃, 大田晃生, 中塚理, 黒澤昌志

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  11. GaAs(001)基板上におけるGe1−x−ySixSny 薄膜のエピタキシャル成長

    中田壮哉, 詹天卓, 富田基裕, 渡邉孝信, 中塚理, 黒澤昌志

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  12. 絶縁膜上における極薄Ge薄膜の固相成長

    大石遼, 黒澤昌志, 中塚理

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  13. UVラマン分光法による単結晶Si1-xSnxの歪換算係数導出

    横川凌, 丹下龍志, 黒澤昌志, 小椋厚志

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  14. 絶縁膜上における極薄Ge1−xSnx薄膜の固相成長

    大石遼, 中塚理, 黒澤昌志

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  15. Ge1−xSnx細線の偏析溶融成長:冷却速度の影響

    中尾天哉, 西嶋泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  16. SbドープGe1−x−ySixSny三元混晶薄膜の熱電物性制御

    中田壮哉, 詹天卓, 富田基裕, 渡邉孝信, 中塚理, 黒澤昌志

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  17. GaドープSi1-xSnx薄膜で観測した巨大ゼーベック熱電能の理解

    佐藤啓, 洗平昌晃, 中塚理, 黒澤昌志

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  18. 近接蒸着法によるCaSi2とCaGe2の成膜

    原康祐, 瀧澤周平, 山中淳二, 黒澤昌志, 有元圭介

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  19. 多結晶SiGe薄膜を用いた熱電変換デバイスの設計

    小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, 野村政宏

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  20. 多結晶Si1-x-yGexSny三元混晶薄膜の熱電特性制御

    中塚理, 彭英, 苗蕾, 高杰, 刘呈燕, 黒澤昌志, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第25回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年1月 - 2020年2月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  21. 分子線エピタキシー法による Si1-xSnx 薄膜の形成

    丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第25回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年1月 - 2020年2月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  22. In-situ Sb Doping into Ge1−xSnx Epitaxial Layer toward Enhancement of Photoluminescence Intensity 国際会議

    M. Fukuda, J. Jeon, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  23. Crystal Growth and Characterization of Group-IV Alloy Semiconductor Heterostructures for Future Electronic Devices 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita and S. Zaima

    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  24. Improvement of thermoelectric properties of Si1-x-yGexSny thin films by ion implantation and rapid thermal annealing 国際会議

    Y. Peng, L. Miao, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  25. Theoretical Investigation of Self-organization Behavior of Si0.5Sn0.5 Nano-particles 国際会議

    Y. Nagae, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  26. Thermoelectric properties of silicon germanium wires with a composition gradient 国際会議

    M. Nakata, O. Nakatsuka, M. Tomita, T. Watanabe, and M. Kurosawa

    International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development Satellite (iLIM-s) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  27. Optoelectronic Property of GeSn and GeSiSn Heterostructure 国際会議

    M. Fukuda, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, S. Zaima, and O. Nakatsuka

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  28. Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing 国際会議

    M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

    32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  29. 白金二窒化物薄膜の超高圧合成と物性

    飯塚友規,丹羽健,黒澤昌志, 佐々木拓也,中塚理,長谷川正

    第60回高圧討論会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  30. Preparation of Ge1-xSnx-based Uni-leg Thermoelectric Generator 国際会議

    M. Kurosawa, M. Tomita, and T. Watanabe

    The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  31. Temperature dependence of thermoelectric properties of Ge1−xSnx layers grown by molecular beam epitaxy 国際会議

    M. Kurosawa, M. Nakata, K. Ide, T. Katase, and T. Kamiya

    The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  32. Power-conscious Energy Harvester Based on Si-CMOS Technology 国際会議

    T. Watanabe, M. Tomita, Z. Tianzhuo, and M. Kurosawa

    The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  33. 高濃度SbドープによるGe1-xSnxのフォトルミネッセンス発光強度の増大

    福田雅大, 全智禧, 坂下満男, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  34. イオン注入法を用いた面内組成傾斜n型Si1-xGex細線の形成

    中田壮哉, 西嶋大樹, 清水智, 角田功, 富田基裕, 渡邊孝信, 中塚理, 黒澤昌志

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  35. 偏析溶融成長法により形成した絶縁膜上Ge1-xSnx細線の電気特性評価

    中尾天哉, 西嶋泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志

    第80回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  36. Evaluation of Anisotropic Stress for Laterally Graded Silicon Germanium Wires by Raman Spectroscopy 国際会議

    R. Yokogawa, K. Takahashi, M. Kurosawa, M. Tomita, T. Watanabe, and A. Ogura

    18th Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVII) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  37. Influence of Dopant on Thermoelectric Properties of Si-rich Poly-Si1-xSnx Layers Grown on Insulators 国際会議

    K. Sato, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  38. First-Principles Study on Formation of Freestanding Silicene and Germanene 国際会議

    M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  39. Preparation and thermoelectric characterization of phosphorus-doped silicon nanocrystals/silicon oxide multilayers 国際会議

    H. Kobayashi, R. Akaishi, S. Kato, M. Kurosawa, N. Usami, and Y. Kurokawa

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  40. Growth of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface 国際会議

    M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM2019) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  41. Germanene epitaxial growth by a segregation method on Ag(111) thin films 国際会議

    J. Yuhara, H. Shimazu, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, M. Nakatake, and G. Le Lay

    From the NanoWorld to StarDust (NW2SD) International Conference 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  42. GeSn and GeSiSn Heterostructures for Optoelectronic Applications 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and S. Zaima

    2019 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  43. 組成傾斜シリコンゲルマニウム細線へのイオン注入ドーピング

    中田壮哉, 西嶋大樹, 清水智, 角田功, 富田基裕, 渡邊孝信, 中塚理, 黒澤昌志

    第3回応用物理学会フォノンエンジニアリング研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  44. 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成

    小林征登, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 田岡紀之, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  45. Development and challenges of group-IV alloy semiconductors for nanoelectronic applications 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Shibayama

    11th International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-11) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:中華人民共和国  

  46. Tin-Incorporation Effect on Thermoelectric Properties of p-type Polycrysalline Si1-xGex layers grown on SiO2 国際会議

    Y. Peng, L. Miao, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    11th International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-11) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  47. Semi-ballistic thermal phonon transport in Si1-xGex nanowires 国際会議

    N. Okamoto, R. Yanagisawa, M. M. Alam, K. Sawano, M. Kurosawa, and M. Nomura

    Compound Semiconductor Week 2019 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  48. 架橋ゲルマネン形成に関する第一原理計算

    洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

    日本表面真空学会2019年度関東支部講演大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年4月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  49. 急速溶融成長法で作製されたSiGeワイヤの熱電特性

    熊田剛大, 中村俊貴, 富田基裕, 中田壮哉, 高橋恒太, 黒澤昌志, 渡邉孝信

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  50. ヘテロエピタキシャルAl/Ge(111)上に偏析した極薄Geの化学分析

    小林征登, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 田岡紀之, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  51. 温度と組成に依存するSi1-xGexナノワイヤ中の準弾道的熱輸送

    岡本昂, 柳澤亮人, Md. Mahfuz Alam, 澤野憲太郎, 黒澤昌志, 野村政宏

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  52. 液浸ラマン分光法による組成傾斜SiGeワイヤの異方性二軸応力分布評価

    横川凌, 高橋恒太, 富田基裕, 黒澤昌志, 渡邉孝信, 小椋厚志

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  53. ノンドープ組成傾斜SiGeワイヤの微小ゼーベック係数測定

    熊田剛大, 中村俊貴, 富田基裕, 中田壮哉, 高橋恒太, 黒澤昌志, 渡邉孝信

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第24回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  54. GaSb(001)基板上に形成したSi1-xSnx薄膜の結晶構造評価

    丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第24回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  55. 高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価

    福田雅大, 坂下満男, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第24回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  56. 偏析法によりAg(111)表面上に創製されたゲルマネンの構造評価

    志満津宏樹, 柚原淳司, 仲武昌史, 伊藤公一, 大田晃生, 洗平昌晃, 黒澤昌志, Guy Le Lay

    第18回日本表面真空学会中部支部学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  57. Ge 2D Crystal Growth on Hetero-epitaxial Ag/Ge(111) by N2 Annealing 国際会議

    A. Ohta, K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  58. GeSn-related group-IV semiconductor heterostructures for electronic and optoelectronic applications 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima

    12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  59. エピタキシャルAl/Ge(111)の形成と真空中熱処理による表面平坦化およびGe析出

    小林征登, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 田岡紀之, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

    第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  60. GaSb(001)基板上におけるSi1-xSnx薄膜の固相成長

    丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  61. First-Principles Study on Hydrogen Adsorption and Desorption of Silicene and Germanene 国際会議

    M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  62. Formation and Optoelectronic Characterization of Strain-relaxed Ge1−x−ySixSny/Ge1−xSnx/Ge1−x−ySixSny Double-heterostructure 国際会議

    M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  63. Thermoelectric Performance of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Ternary Alloy Layer Prepared with Ion Implantation 国際会議

    Y. Peng, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, J. Gao, L. Miao, and S. Zaima

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  64. 次世代半導体デバイスに向けたIV族混晶薄膜の形成と物性制御

    高橋恒太, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    第10回半導体材料・デバイスフォーラム 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  65. First-principles study on hydrogen adsorption-desorption property and simulated STM Images of germanene

    M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

    第2回 ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会 

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    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  66. Why chose a diffusion method towards creation of silicene & germanene?

    M. Kurosawa, A. Ohta, and M. Araidai

    第2回 ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  67. Two dimensional Ge crystal growth by annealing of Metal/Ge stack

    A. Ohta, K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    第2回 ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  68. Composition and Strain Engineering of New Group-IV Thermoelectric Materials 国際会議

    M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    AiMES 2018 Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月 - 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:メキシコ合衆国  

  69. Evaluation of Laterally Graded Silicon Germanium Wires for Thermoelectric Devices fabricated by Rapid Melting Growth 国際会議

    R. Yokogawa, S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Watanabe, and A. Ogura

    AiMES 2018 Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月 - 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:メキシコ合衆国  

  70. Formation of laterally graded SixGe1-x stripes for thermoelectric generator 国際会議

    M. Nakata, K. Takahashi, T. Nishijima, S. Shimizu, I. Tsunoda, O. Nakatsuka, S. Zaima, T. Watanabe, and M. Kurosawa

    The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-3) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  71. 真空蒸着によるGe(111)上のAlヘテロエピタキシャル成長

    小林征登, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  72. スマートウォッチを支える熱電デバイスについて考える

    黒澤昌志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  73. 溶融成長法によるGe1-xSnx細線の形成と電気特性評価

    髙橋恒太, 今井祐太, 西嶋泰樹, 清水智, 黒澤昌志, 角田功, 中塚理, 財満鎭明

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  74. 熱電特性評価に向けた組成傾斜SixGe1-x細線の形成

    中田壮哉, 髙橋恒太, 西嶋泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 財満鎭明, 渡邉孝信, 黒澤昌志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  75. SiO2上に形成したGe1-xSnx多結晶薄膜の熱電特性評価

    今井志明, 髙橋恒太, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  76. GaSb基板上におけるSi1-xSnx薄膜の結晶成長

    丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  77. 高Si組成歪緩和Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造の形成および光電特性評価

    福田雅大, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  78. Ag(111)表面上に偏析したGe原子が形成する二次元構造

    志満津宏樹, 柚原淳司, 仲武昌史, 伊藤公一, 大田晃生, 洗平昌晃, 黒澤昌志

    日本物理学会 2018年秋季大会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  79. IV族混晶薄膜の結晶成長と熱電デバイスへの応用

    黒澤昌志

    第68回フロンティア材料研究所学術講演会「革新的エナジーハーベスティングに向けた創エネルギー材料とデバイスの研究開発」 

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    開催年月日: 2018年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  80. Thin film growth and characterization of group-IV alloy semiconductors for future nanoelectronic applications 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, and S. Zaima

    9th International Conference on Physics and Its Applications (ICOPIA) 

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    開催年月日: 2018年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:インドネシア共和国  

  81. 単結晶p型Ge0.95Sn0.05薄膜の熱電特性におけるドメインサイズの効果

    今井志明, 髙橋恒太, 内田紀行, 前田辰郎, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志

    第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  82. 多結晶Ge1-xSnx薄膜熱電素子の低温形成

    髙橋恒太, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志

    第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  83. Engineering optoelectronic properties of high-Sn-content GeSn, GeSiSn, and SiSn thin films 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Fukuda, M. Sakashita, W. Takeuchi, and S. Zaima

    IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series 2018 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  84. GeSn-based thin film thermoelectric generators 国際会議

    M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC'2018) 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:フランス共和国  

  85. Engineering electronic properties of GeSn-related group-IV thin films for nanoelectronic applications 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

    2018 E-MRS Spring Meeting 

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    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:フランス共和国  

  86. Optoelectronic Characterization of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double-Heterostructure with High-Si-Content Ge1-x-ySixSny Layer 国際会議

    M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    1st Joint ISTDM/ICSI 2018 Conference 

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    開催年月日: 2018年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  87. Ultra-thin GeSn on Insulator structure through the direct bonding technique 国際会議

    T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, M. Kurosawa, Y. Imai, O. Nakatsuka, and N. Uchida

    1st Joint ISTDM/ICSI 2018 Conference 

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    開催年月日: 2018年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  88. 革新的多機能センサモジュール実現に向けた新しいIV族混晶熱電物質の創製 〜ド素人が熱電の分野に飛び込んで〜

    黒澤昌志

    " 日本熱電学会 第23回研究会「注目の熱電プロジェクト」 

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    開催年月日: 2018年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  89. ゲルマネンの水素吸脱着に関する第一原理計算

    洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

    日本物理学会 第73回年次大会(2018年) 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  90. 熱電デバイス用組成傾斜SiGeワイヤの構造評価

    横川凌, 橋本修一郎, 高橋恒太, 大場俊輔, 富田基裕, 黒澤昌志, 渡邉孝信, 小椋厚志

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  91. IV族混晶のマイクロ熱電発電デバイス応用

    渡邉孝信, 橋本修一郎, 富田基裕, 黒澤昌志, 池田浩也

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  92. 熱処理によるエピタキシャルAg/Ge(111)構造の表面平坦化とGe析出量制御

    伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  93. Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造の光電特性評価

    福田雅大, Denis Rainko, 坂下満男, 黒澤昌志, Dan Buca, 中塚理, 財満鎭明

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  94. ドーパント種が水中パルスレーザアニールによるGe1-xSnx薄膜への高濃度ドーピングに及ぼす効果

    髙橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  95. Domain size effects on thermoelectric properties of p-type Ge0.95Sn0.05 layers grown on GaAs and Si substrates 国際会議

    Y. Imai, K. Takahashi, N. Uchida, T. Maeda, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa

    2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2018) 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  96. Thermoelectric Characteristics of Rapid-Melting-Grown SiGe Wires Measured by Peltier Cooling Experiment 国際会議

    S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, T. Terada, M. Ogasawara, M. Tomita, M. Kurosawa, and T. Watanabe

    2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2018) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  97. Low thermal budget fabrication of poly-Ge1-xSnx thin film thermoelectric generator 国際会議

    K. Takahashi, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa

    2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2018) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  98. Heavily p-type doping to Si1-xSnx layers grown on SOI substrates 国際会議

    Y. Inaishi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    ISPlasma2018/IC-PLANTS2018 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  99. Crystal growth of GeSn-based materials and its application for thin-film thermoelectric generators 国際会議

    M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    2017 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2017) 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(基調)  

    国名:台湾  

  100. Ultrathin Ge Growth on Flat Ag Surface in Hetero-Epitaxial Ag/Ge Structure by Annealing 国際会議

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    The 30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  101. Ultrathin Ge Growth on Ag Surface by Annealing of Hetero-Epitaxial Ag/Ge(111) 国際会議

    A. Ohta, K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  102. Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films 国際会議

    M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    232nd Electrochemical Society Meeting 

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    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  103. Characterization of Crystallinity and Energy Band Alignment of Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Heterostructure 国際会議

    M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月 - 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  104. Crystal Growth of Ultrathin Si and Ge Layers on Ag Surfaces 国際会議

    M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima

    The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2) 

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    開催年月日: 2017年9月 - 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  105. Heavy n- and p-type doping for polycrystalline Ge1-xSnx layers using pulsed laser annealing in water 国際会議

    K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月 - 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  106. Numerical calculation of energy band offset of Si1–xSnx by density functional calculation 国際会議

    Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

    The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月 - 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  107. Fabrication and Thermoelectric Mechanism Study of Flexible Si1-xGex Superlattice Films 国際会議

    Y. Peng, L. Miao, C. Li, R. Huang, D. Urushihara, T. Asaka, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月 - 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  108. Growth of 2D Crystal of Group-IV Elements on Epitaxial Ag(111) 国際会議

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  109. Dopants behavior in polycrystallization of heavily doped Ge1-xSnx layer using pulsed laser annealing in water 国際会議

    K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  110. Sb-doping effect on thermal and electrical properties of Ge-rich Ge1-xSnx layers 国際会議

    T. Iwahashi, M. Kurosawa, N. Uchida, Y. Ohishi, T. Maeda, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  111. 新しいIV族混晶熱電材料:Ge1-xSnx

    黒澤昌志, 今井志明, 岩橋泰正, 高橋恒太, 中塚理, 財満鎭明

    第14回日本熱電学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  112. 混晶組成および歪制御によるGe1-xSnx/Ge1-x-ySixSnyヘテロ構造のエネルギーバンド構造制御

    福田雅大, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  113. 熱電材料応用を目指した新しい IV 族混晶(Ge1-xSnx, Si1-xSnx)の開発

    黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  114. 低温MBE法により形成したp型単結晶Ge1-xSnx薄膜の熱電特性

    今井志明, 髙橋恒太, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  115. 水中パルスレーザアニール法により形成した高濃度ドープp型/n型多結晶Ge1-xSnx薄膜の熱電特性

    髙橋恒太, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  116. 歪SOI基板上に形成したSi1-xSnx薄膜への高濃度p型ドーピング

    稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  117. 熱処理によるAg/Ge構造の表面平坦化とGe析出量制御

    伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  118. 層状化合物CaGe2を前駆体に用いたゲルマネン形成の試み

    黒澤昌志, 淺枝駿冴, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  119. 新しいIV族多元混晶薄膜の結晶成長とデバイス応用

    黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    2017年真空・表面科学合同講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  120. Synthesis of p- and n-type Ge1-xSnx thin films toward new group-IV thermoelectric materials 国際会議

    M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, A. Ohta, N. Uchida, Y. Ohishi, T. Maeda, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    2017 Annual International Conference on Thermoelectrics (2017ICT) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月 - 2017年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  121. エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成

    伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  122. Control of lattice constant of Ge1-x-ySixSny layer for energy band engineering in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructure 国際会議

    M. Fukuda, K. Watanabe, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

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    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  123. Solid phase epitaxy of Si1-xSnx layers on various substrates 国際会議

    M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  124. Formation of heavily Sb and Ga doped poly-Ge1-xSnx layers on insulator using pulsed laser annealing in water 国際会議

    K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  125. アモルファス絶縁膜上におけるIV族二次元結晶の電子状態

    洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

    日本物理学会 第72回年次大会(2017年) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  126. 熱電素子応用を目指したn型Ge0.94Sn0.06単結晶薄膜の基礎物性評価

    岩橋泰正, 黒澤昌志, 内田紀行, 大石佑治, 前田辰郎, 中塚理, 財満鎭明

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  127. 水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnxへの高濃度ドーピング

    高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  128. GaドープSi1-xSnx薄膜の結晶成長と電気特性評価

    稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  129. Ge上にエピタキシャル成長したAg(111)表面の平坦化および化学構造評価

    伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  130. Geバッファ層導入によるSi(001)基板上への歪緩和Ge1-x-ySixSny層の形成

    渡邉千皓, 福田雅大, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  131. Impact of Thermal Annealing on Mophology and Chemical Bonding Features at Epitaxial Ag(111) Surface Grown on Ge(111) 国際会議

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  132. Chemical Analysis of Epitaxial Ag(111) Surface Formed on Group-IV Semiconductor 国際会議

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

    10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  133. Solid phase crystallization of Ge0.98Sn0.02 layers on various insulating substrates 国際会議

    I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  134. 絶縁膜上にあるIV族二次元結晶の電子状態解析

    洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

    科学技術交流財団 第3回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  135. 絶縁基板上におけるIV族半導体薄膜の結晶方位制御技術:二次元物質への展開

    黒澤昌志, 洗平昌晃, 伊藤公一, 大田晃生, 財満鎭明

    科学技術交流財団 第3回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  136. 水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化

    高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第22回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  137. GeSiSn/GeSn/GeSiSn積層構造の形成および結晶物性の評価

    福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 藤浪俊介, 志村洋介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    第16回 日本表面科学会中部支部学術講演会 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  138. First-Principles Study on Germanene and Stanene on α-Alumina 国際会議

    M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

    24th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM24) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  139. IV族半導体上に蒸着したAg薄膜の化学構造評価と反応制御

    伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

    2016年真空・表面科学合同講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  140. Si(001)基板上に形成したn型Ge1-xSnx薄膜の熱電特性評価

    岩橋泰正, 黒澤昌志, 財満鎭明

    2016年真空・表面科学合同講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  141. Si(001)基板上におけるSi1-xSnx薄膜の固相エピタキシャル成長

    稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    2016年真空・表面科学合同講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  142. Formation of heavily Sb doped poly-Ge1-xSnx layer using pulsed laser annealing in water 国際会議

    K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    JSPS Meeting 2016 : Workshop on "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  143. Growth of SiSn heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) 国際会議

    M. Kurosawa, M. Kato, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    JSPS Meeting 2016 : Workshop on "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  144. Si および SiGe 上に形成した Ag 表面の化学分析

    伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

    第 4 回 応用物理学会スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  145. GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重ヘテロ構造形成およびGeSiSn層の歪が結晶性へ与える影響

    福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 志村洋介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    第 4 回 応用物理学会スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  146. Low temperature crystallization of SiSn binary alloys 国際会議

    M. Kurosawa, M. Kato, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 1st International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-1) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  147. Electronic States of two-dimensional crystals of group IV element on α-Al2O3(0001) surfaces 国際会議

    M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

    13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:イタリア共和国  

  148. Thermoelectric properties of Ge-rich GeSn films grown on insulators 国際会議

    M. Kurosawa, K. Liu, M. Izawae, I. Tsunoda, and S. Zaima

    PRiME 2016/230th Electrochemical Society (ECS) Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  149. Heavy Sb-doping for poly-GeSn on insulator using pulsed laser annealing in water 国際会議

    K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2016 (SSDM2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  150. Investigation of effects of inner stress with Sn incorporation on energy band of Si1–xSnx using density functional theory and photoelectron spectroscopy 国際会議

    Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2016 (SSDM2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  151. Challenges in Engineering Materials Properties for GeSn Nanoelectronics 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita

    E-MRS Fall Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:ポーランド共和国  

  152. Si1–xSnx価電子帯端オフセットの第一原理計算

    長江祐樹, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  153. アルミナ表面上のゲルマネンおよびスタネンの電子状態

    洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

    日本物理学会 2016年秋季大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  154. Operation of inverter and ring oscillator of ultrathin-body poly-Ge CMOS

    鎌田善己, 小池正浩, 黒澤悦男, 黒澤昌志, 太田裕之, 中塚理, 財満鎭明, 手塚勉

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  155. GeSn系IV族半導体薄膜におけるSn導入の制御と効果

    志村洋介, 池進一, Gencarelli Federica, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, Loo Roger, 中塚理, 財満鎭明

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  156. 絶縁膜上に形成したp型poly-GeSn薄膜の熱電特性評価

    黒澤昌志, 劉坤, 井澤桃香, 角田功, 財満鎭明

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  157. 水中パルスレーザアニールを用いた多結晶GeSnへの高濃度n型ドーピング

    高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  158. Orientation Controlled Artificial Nano-crystals for Hybrid-formation of (111), (110), and (100) Ge-on-Insulator Structures 国際会議

    M. Miyao, M. Kurosawa, and T. Sadoh

    XIII International Conference on Nanostructured Materials (NANO 2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:カナダ  

  159. Growth and applications of GeSn-related group-IV semiconductor materials 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, A. Suzuki, K. Takahashi, Y. Nagae, M. Kurosawa, W. Takeuchi, Y. Shimura, and M. Sakashita

    2016 IEEE Photonics Society Summer Topicals Meeting Series 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  160. Formation and Characterization of GeSiSn/GeSn/GeSiSn Double-Heterostructure with Strain-controlled GeSiSn layer 国際会議

    M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    8th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  161. Interfacial Energy Controlled Low-Temperature Crystallization of Ge-rich GeSn on Insulating Substrate 国際会議

    I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    8th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  162. Development of GeSn thin film technology for electronic and optoelectronic applications 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, Y. Shimura, M. Sakashita, and S. Zaima

    2016 EMN Summer Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:メキシコ合衆国  

  163. Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価

    志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  164. Theoretical Studies on Electronic Structures of Silicene Ribbon and Silicene on Insulator 国際会議

    K. Shiraishi, A. Hattori, S. Tanaya, M. Araidai, A. Ohta, M. Kurosawa, Y. Hatsugai, M. Sato, and Y. Tanaka

    International SYMPOSIUM on Two-Dimensional Layered Materials and Art: Two Worlds Meet 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:フランス共和国  

  165. GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重ヘテロ構造の結晶性に対するGeSiSn層の歪の影響

    福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 藤浪俊介, 志村洋介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  166. 絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析

    洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

    日本物理学会 第71回年次大会(2016年) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  167. Characterization of Chemical Bonding Features of Ultrathin Ge Layer Grown by Ag-Induced Layer-Exchange Method 国際会議

    A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, and S. Miyazaki

    ISPlasma2016/IC-PLANTS2016 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  168. Solid phase crystalization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers and characteriziation of its crystalline and optical properties 国際会議

    S. Yano, T. Yamaha, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    ISPlasma2016/IC-PLANTS2016 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  169. Impact of Atomic Hydrogen Irradiation on Epitaxial Growth of Ge1-xSnx and its Crystalline Property 国際会議

    S. Fujinami, T. Asano, T. Koyama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, H. Kishida, S. Zaima

    ISPlasma2016/IC-PLANTS2016 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  170. 界面エネルギー制御による絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長

    吉川勲, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回) 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  171. Si1–xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析

    長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  172. Formation of poly-Si1-x-ySnxCy ternary alloy layer and characteriziation of its crystalline and optical properties 国際会議

    S. Yano, T. Yamaha, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  173. Formation of GeSn layer sandwiched with strain-controlled GeSiSn layers 国際会議

    M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  174. Control of Schottky barrier height at metal/Ge interface by insertion of Ge1-xSnx layer 国際会議

    A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

    9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  175. Phosphorus doping into Ge with low electrical damage by liquid immersion laser doping 国際会議

    K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  176. Crystalline and Electrical Properties of in-situ Sb-Doped Ge1-xSnx Epitaxial Layers 国際会議

    J. Jeon, T. Asano, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  177. InP(001)基板上における高 Sn 組成 Si1-xSnx 層の固相エピタキシャル成長

    加藤元太, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    第15回 日本表面科学会中部支部 学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  178. First-principles study on two-dimensional crystals of group IV element on insulating film 国際会議

    M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

    23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23) 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  179. Si and Ge Ultrathin Films by Ag-Induced Layer-Exchange Growth 国際会議

    M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima

    23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  180. 絶縁膜上のIV族系二次元結晶に関する第一原理計算

    洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

    2015年真空・表面科学合同講演会 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  181. Ag誘起層交換成長法によるSi極薄膜の形成

    黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明

    2015年真空・表面科学合同講演会 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  182. Control of Schottky barrier height of metal/Ge interface by SnxGe1-x interlayer 国際会議

    A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, S. Zaima

    International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS'15) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  183. Silicon-tin semiconductors for near-infrared optoelectronic device applications 国際会議

    M. Kurosawa, M. Kato, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS'15) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  184. Calculation of Si1-xSnx Energy Band Structures by using Density Functional Theory Considering Atomic Configuration 国際会議

    Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS'15) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  185. Electrical characteristics of Ge pn-junction diodes prepared by using liquid immersion laser doping 国際会議

    K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS'15) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  186. X-ray microdiffraction characterization of local strain distribution in GeSn/Ge nanostructures 国際会議

    S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

    International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS'15) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  187. 固相成長法による Si1-x-ySnxCy 薄膜の形成および結晶・光学物性評価

    矢野翔大, 山羽隆, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 志村洋介, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2015 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  188. 超高 Sn 組成 SnxGe1-x エピタキシャル層の形成および金属/SnxGe1-x/Geコンタクトの電気伝導特性の制御

    鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2015 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  189. 密度汎関数法による Si1–xSnx 価電子帯端準位の理論予測および実験的妥当性

    長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2015 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  190. In-situ Sb ドープ Ge1-xSnx エピタキシャル層の結晶性および電気的特性

    全智禧, 浅野孝典, 志村洋介, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2015 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  191. Crystal growth and energy band engineering of group-IV semiconductor thin films for nanoelectronic applications 国際会議

    O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, Y. Shimura, M. Sakashita, and S. Zaima

    International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN2015) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  192. Recent Progress of Silicon Tin Alloys for Advanced Semiconductor Devices 国際会議

    M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN2015) 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  193. Evaluation of energy band structure of Si1-xSnx by density functional theory calculation and photoelectron spectroscopy 国際会議

    Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

    2015 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2015 IWDTF)  

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  194. Ge基板上への超高Sn組成Ge1−xSnxエピタキシャル層の形成およびGe1−xSnx界面層が金属/Geコンタクトのショットキー障壁高さに及ぼす影響

    鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明

    応用物理学会 結晶工学分科会主催 第4回結晶工学未来塾 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  195. Challenges of energy band engineering with new Sn-related group IV semiconductor materials for future integrated circuits 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita

    228th Electrochemical Society (ECS) Meeting 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  196. Impact of ultra-high Sn content SnxGe1−x interlayer on reducing Schottky barrier height at metal/n-Ge interface 国際会議

    A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015) 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  197. Crystal Growth of GeSn-related Group-IV Thin Films for Integrating on Si Nanoelectronics Platform 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Asano, T. Yamaha, Shinichi Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  198. Influence of in-situ Sb-Doping on Crystalline and Electrical Characteristics of n-type Ge1-xSnx Epitaxial Layer 国際会議

    J. Jeon, T. Asano, W. Takeuchi, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  199. Ge1-xSnxエピタキシャル層の結晶性および電気的特性にin-situ Sbドーピングが及ぼす影響

    全智禧, 浅野孝典, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  200. Si1-xSnx薄膜の固相エピタキシャル成長に与えるSn組成の効果

    加藤元太, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  201. GeSn多結晶膜の移動度に与える下地絶縁膜の効果

    吉川勲, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  202. Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ接合の形成および結晶性評価

    福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 藤浪俊介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  203. Si1-x-ySnxCy三元混晶薄膜のエピタキシャル成長および結晶性評価

    山羽隆, 矢野翔太, 髙橋恒太, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  204. 固相成長法によるSi1-x-ySnxCy多結晶薄膜の形成および結晶構造評価

    矢野翔大, 山羽隆, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  205. Reduction of Schottky barrier height with Sn/Ge contact 国際会議

    A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

    JSPS International Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration" 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:フランス共和国  

  206. Development of polycrystalline Sn-related group-IV semiconductor thin films --Aiming for 3D-IC-- 国際会議

    M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015) 

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    開催年月日: 2015年6月 - 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:大韓民国  

  207. Formation of Ge pn-junction diode by phosphorus doping with liquid immersion laser irradiation 国際会議

    K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    15th International Workshop on Junction Technology (IWJT2015) 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  208. Solid Phase Epitaxy of High Sn Content Si1-xSnx layer (x>0.2) on Ge Substrates for Optical Communication Applications 国際会議

    M. Kato, Y. Nagae, M. Kurosawa, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:カナダ  

  209. Large Single-Crystal Ge-on-Insulator by Thermally-Assisted Si-Seeded-Pulse-Laser Annealing (≤400oC) 国際会議

    T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, and M. Miyao

    9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:カナダ  

  210. Thermophysical characterizations of Ge1-xSnx epitaxial layers aiming for thermoelectric devices 国際会議

    M. Kurosawa, M. Fukuda, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:カナダ  

  211. 高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 〜直接遷移構造化を目指して〜

    黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会  

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    開催年月日: 2015年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  212. 固相成長法による高SnC組成Ge1-x-ySnxCy三元混晶薄膜の形成および結晶構造評価

    〇小田裕貴, 山羽隆, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  213. GGA+U法によるSi1-xSnx材料物性の精密予測

    〇長江祐樹, 黒澤昌志, 加藤元太, 柴山茂久, 中塚理, 財満鎭明

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  214. リン酸溶液中レーザドーピングにおけるGe基板面方位の効果

    高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  215. GeSn多結晶薄膜の進展 〜3D-ICを目指して〜

    黒澤昌志, 池上浩, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  216. 熱電素子応用を目指したGeSn単結晶薄膜の熱物性評価

    黒澤昌志, 福田雅大, 高橋恒太, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  217. 積層チャネル3D-IC向け極薄Body Poly-Ge p-&n-MISFETsを用いたCMOSインバーターとリング発振器の作製および動作実証

    鎌田善己, 小池正浩, 黒澤悦男, 黒澤昌志, 太田裕之, 中塚理, 財満鎭明, 手塚勉

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  218. Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減

    鈴木陽洋, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─(第20回記念研究会) 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  219. Formation of strain-free Si1-x-yGexSny layers on Ge surfaces by using solid-liquid coexisting annealing 国際会議

    M. Kato, M. Kurosawa, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  220. Crystal growth of Si1-xSnx alloys with high Sn contents 国際会議

    M. Kurosawa, M. Kato, Y. Nagae, T. Yamaha, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  221. Growth and characterization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy thin films for solar cell application 国際会議

    T. Yamaha, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6) 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  222. Growth and Characterization of Ternary Alloy Ge1-x-ySnxCy Layers 国際会議

    T. Yamaha, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima

    JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ベルギー王国  

  223. Development of metal/Ge contacts for engineering Schottky barriers 国際会議

    O. Nakatsuka, Y. Deng, A. Suzuki, S. Shibayama, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima

    JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ベルギー王国  

  224. Study of Local Strain Distribution in Ge1−xSnx/Ge Fine Structures by using Synchrotron X-ray Microdiffraction 国際会議

    S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

    JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ベルギー王国  

  225. Sn/Ge界面の結晶構造およびショットキー障壁高さのGe面方位依存性

    鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2014 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  226. リン酸溶液中レーザドーピングにより低温形成したGe pnダイオードの電気的特性

    髙橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2014 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  227. GeSnC 三元混晶薄膜の結晶成長および光学特性評価

    山羽隆, 小田裕貴, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2014 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  228. 固相エピタキシャル成長法を用いた高Sn組成 SiSn層の形成

    加藤元太, 黒澤昌志, 山羽隆, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2014 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  229. Low Schottky barrier height contacts with Sn electrode for various orientation n-Ge substrates 国際会議

    A. Suzuki, D. Yunsheng, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    Advanced Metallization Conference 2014 (ADMETA Plus 2014) 

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    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  230. Poly & Epitaxial Crystallization of Silicon-Tin Binary Alloys for Future Optoelectronics 国際会議

    M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    16th International Conference on Thin Films (ICTF16) 

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    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:クロアチア共和国  

  231. Epitaxial Growth of Gesn Layers on (001), (110), and (111) Si and Ge Substrates 国際会議

    O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and S. Zaima

    2014 ECS (Electrochemical Society) and SMEQ (Sociedad Mexicana de Electroquímica) Joint International Meeting 

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    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:メキシコ合衆国  

  232. Sn/Geコンタクトにおけるショットキー障壁高さのGe面方位依存性

    鈴木陽洋, 鄧云生, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  233. Al 誘起層交換成長の物理 〜Si の面方位制御を目指して〜

    黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  234. Si1-xSnx薄膜におけるバンドギャップナローウィングの初観測

    黒澤昌志, 柴山茂久, 加藤元太, 山羽隆, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  235. 固相エピタキシャル成長法による高Sn組成(>20%)SiSn薄膜の創製

    加藤元太, 黒澤昌志, 山羽隆, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  236. リン酸溶液中レーザドーピングによるGeダイオードの低温形成

    高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

    第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  237. Operations of CMOS Inverter and Ring Oscillator Composed of Ultra-Thin Body Poly-Ge p- and n-MISFETs for Stacked Channel 3D-IC 国際会議

    Y. Kamata, M. Koike, E. Kurosawa, M. Kurosawa, H. Ota, O. Nakatsuka, S. Zaima, and T. Tezuka

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2014 (SSDM2014) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  238. Sub-300oC fabrication of poly-GeSn junctionless tri-gate p-FETs enabling sequential 3D integration of CMOS circuits 国際会議

    M. Kurosawa, Y. Kamata, H. Ikenoue, N. Taoka, O. Nakatsuka, T. Tezuka, and S. Zaima

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2014 (SSDM2014) 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  239. Mobility Behavior of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Grown on Insulators 国際会議

    T. Ohmura, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    15th IUMRS-International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2014) 

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    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  240. Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減

    鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 中塚理, 黒澤昌志, 加藤公彦, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会  

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  241. 絶縁膜上における IV 族半導体の低温形成 〜低融点 Sn の活用〜

    黒澤昌志, 田岡紀之, 池上浩, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会  

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  242. Epitaxial Growth and Crystalline Properties of Ge1-x-ySixSny Layers on Ge(001) Substrates 国際会議

    T. Asano, T. Terashima, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)  

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:シンガポール共和国  

  243. Ultralow-Temperature Catalyst-Induced-Crystallization of SiGe on Plastic for Flexible Electronics 国際会議

    T. Sadoh, J.-H. Park, M. Kurosawa, and M. Miyao

    International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)  

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:シンガポール共和国  

  244. Low temperature growth of SiSn polycrystals with high Sn contents on insulating layers 国際会議

    M. Kurosawa, M. Kato, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)  

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:シンガポール共和国  

  245. Impact of Sn Incorporation on Low Temperature Growth of Polycrystalline-Si1-xGex Layers on Insulators 国際会議

    T. Yamaha, T. Ohmura, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)  

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:シンガポール共和国  

  246. Crystal Growth of Sn-related Group-IV Alloy Thin Films for Advanced Si Nanoelectronics 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Kurosawa, T. Asano, T. Yamaha, and W. Takeuchi

    International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)  

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:シンガポール共和国  

  247. Growth and Crystalline Properties of Ge1-x-ySnxCy Ternary Alloy Thin Films on Ge(001) Substrate 国際会議

    K. Terasawa, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka,O. Nakatsuka, E. Kamiyama, R. Matsutani, R. Suwa, K. Kashima, K. Izunome, K. Sueoka, and S. Zaima

    International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)  

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:シンガポール共和国  

  248. Formation and Electrical Properties of Metal/Ge1-xSnx Contacts 国際会議

    O. Nakatsuka, T. Nishimura, A. Suzuki, K. Kato, D. Yunsheng, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima

    14th International Workshop on Junction Technology 

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    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  249. 水中レーザ結晶化によるpoly-GeSnの大粒径成長とデバイス応用

    黒澤昌志, 池上浩, 鎌田善己, 田岡紀之, 中塚理, 手塚勉, 財満鎭明

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  250. X線マイクロ回折法による埋め込みGe1-xSnx/Ge微細構造内部の局所歪評価

    池進一, 守山佳彦, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 今井康彦, 木村滋 , 手塚勉, 財満鎭明

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  251. 液相SnへのGe優先溶融を利用したSiGeSn薄膜の極低温エピタキシャル成長

    加藤元太, 黒澤昌志, 山羽隆, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  252. Si添加によるSnドット化抑制と層交換成長への応用

    黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  253. 固相エピタキシー法により形成したGe1-x-ySnxCy三元混晶薄膜の結晶構造

    小田裕貴, 山羽隆, 寺澤謙吾, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  254. 高C組成Ge1-x-ySnxCy薄膜の結晶成長および結晶性評価

    山羽隆, 寺澤謙吾, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    第61回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  255. Substrate Orientation Dependence of Crystalline Structures of Epitaxial GeSn Layers 国際会議

    T. Asano, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    7th International WorkShop on New Group IVSemiconductor Nanoelectronics  

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    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  256. Sn-assisted low temperature crystallization of polycrystalline Ge1-xSnx thin-films on insulating surfaces 国際会議

    M. Kurosawa, T. Yamaha, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, H. Ikenoue, and S. Zaima

    7th International WorkShop on New Group IVSemiconductor Nanoelectronics  

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    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  257. Si(110)上Ge1-xSnxエピタキシャル薄膜の成長機構および転位構造

    木戸脇翔平,浅野孝典, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理,財満鎭明

    第13回 日本表面科学会中部支部 学術講演会 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  258. 低温固相成長GeへのSn導入による正孔移動度の向上

    竹内和歌奈, 田岡紀之, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

    第13回 日本表面科学会中部支部 学術講演会 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  259. 高輝度放射光X線マイクロ回折法によるGe1−xSnx/Ge微細構造内部の局所歪評価

    池進一, 守山佳彦, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 今井康彦, 木村滋, 手塚勉, 財満鎭明

    第13回 日本表面科学会中部支部 学術講演会 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  260. Sn-related Group-IV Semiconductor Materials for Electronic and Optoelectronic Applications 国際会議

    O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

    The 3rd International Conference on Nanoteck & Expo 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  261. 非晶質SiGe混晶薄膜の結晶化に対するSn導入効果

    山羽隆, 黒澤昌志, 荒平貴光, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  262. Ge1-xSnx エピタキシャル層の結晶性が発光特性に及ぼす影響

    保崎航也,小山剛史,黒澤昌志,田岡紀之,中塚理,岸田英夫,財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  263. Ge1-x-ySixSny/n-Ge(001)低欠陥ヘテロ接合形成と電気的特性

    朝羽俊介, 山羽隆, 寺島辰也, 黒澤昌志, 坂下満男, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  264. Sn/n型Ge接合界面におけるフェルミレベルピニング変調

    鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 加藤公彦, 黒澤昌志, 坂下満男, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  265. Ge1-x-ySnxCy 混晶薄膜のエピタキシャル成長および結晶構造評価

    寺澤謙吾, 山羽隆, 小田裕貴, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  266. GeSiSn/n-Ge(001)ヘテロ接合型太陽電池の作製および光電特性評価

    朝羽俊介, 山羽隆, 寺島辰也, 黒澤昌志, 坂下満男, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    第5回薄膜太陽電池セミナー2013 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  267. 多接合型太陽電池応用に向けたGe1-x-ySnxCy三元混晶薄膜の結晶成長

    寺澤謙吾, 山羽隆, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    第5回薄膜太陽電池セミナー2013 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  268. Ge1-x-ySnxCy三元混晶薄膜の結晶成長および結晶構造評価

    寺澤謙吾, 山羽隆, 小田裕貴, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

    2013年応用物理学会結晶工学分科会 第2回結晶工学未来塾 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  269. Ge(001)基板上に成長した Ge1-xSnx エピタキシャル層の結晶構造および光学特性

    保崎航也,小山剛史,黒澤昌志,田岡紀之,中塚理,岸田英夫,財満鎭明

    2013年応用物理学会結晶工学分科会 第2回結晶工学未来塾 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  270. Characterization of Local Strain Structures in Heteroepitaxial Ge1−xSnx/Ge Microstructures by using Microdiffraction Method 国際会議

    S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

    224th Electrochemical Society (ECS) Meeting  

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    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  271. Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications: Challenges and Opportunitiesi 国際会議

    O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima

    224th Electrochemical Society (ECS) Meeting  

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    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  272. Low-Temperature Metal-Induced Crystallization of Orientation-Controlled SiGe on Insulator for Flexible Electronics 国際会議

    T. Sadoh, J.-H. Park, M. Kurosawa, and M. Miyao

    224th Electrochemical Society (ECS) Meeting  

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    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  273. Engineering of Energy Band Structure with Epitaxial Ge1-x- ySixSny/n-Ge Hetero Junctions for Solar Cell Applications 国際会議

    S. Asaba, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2013 (SSDM2013) 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  274. Hybrid-Formation of Single- Crystalline Ge(Si, Sn)-on- Insulator Structures by Self- Organized Melting-Growth 国際会議

    M. Miyao, R. Matsumura, M. Kurosawa, K. Toko, and T. Sadoh

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2013 (SSDM2013) 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  275. Large grain growth of poly-GeSn on insulator by pulsed laser annealing in water 国際会議

    M. Kurosawa, N. Taoka, H. Ikenoue, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2013 (SSDM2013) 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  276. Reduction of Schottky Barrier Height for n-type Ge Contact by using Sn Electrode 国際会議

    A. Suzuki, S. Asaba, J. Yokoi, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, K. Kato, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2013 (SSDM2013) 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  277. Sn/n型Geコンタクトにおけるショットキー障壁高さの低減

    鈴木陽洋,朝羽俊介,横井淳,中塚理,黒澤昌志,坂下満男,田岡紀之,財満鎭明

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  278. Sn導入による非晶質SiGe混晶薄膜の低温結晶化

    山羽隆,荒平貴光,黒澤昌志,田岡紀之,中塚理,財満鎭明

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  279. 過飽和状態制御による多結晶Si1-xSnx/絶縁膜の大粒径成長

    黒澤昌志,荒平貴光,山羽隆,田岡紀之,中塚理,財満鎭明

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  280. 高Sn組成Ge1-xSnxエピタキシャル層の光学特性

    保崎航也,小山剛史,黒澤昌志,田岡紀之,中塚理,岸田英夫,財満鎭明

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  281. GOI基板上に形成したGe1-xSnxエピタキシャル層の電気特性評価

    大村拓磨,浅野孝典,黒澤昌志,田岡紀之,坂下満男,中塚理,財満鎭明

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  282. Potential of GeSn and GeSiSn for Future Nanoelectronic Device Applications 国際会議

    S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, and M. Sakashita

    JSPS Core-to Core Program Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  283. Influence of Ge Substrate Orientation on Crystalline Structures of Ge1−xSnx Epitaxial Layers 国際会議

    T. Asano, S. Kidowaki, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)  

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  284. Lateral Growth Enhancement of Poly-Ge1−xSnx on SiO2 using a Eutectic Reaction 国際会議

    M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima

    8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)  

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  285. 3-Dimensionally-Graded SiGe-on-Insulator Stacked Structures by Successive Rapid-Melting Growth 国際会議

    Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko,T. Sadoh, and M. Miyao

    8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)  

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  286. Formation and Characterization of Locally Strained Ge1−xSnx/Ge Microstructures 国際会議

    S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

    8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)  

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  287. Coherent Lateral-Growth of Ge over Insulating Film by Rapid-Melting-Crystallization 国際会議

    T. Sadoh, M. Kurosawa, K. Toko, and M. Miyao

    8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  288. Dynamics Analysis of Rapid-Melting Growth using SiGe on Insulator 国際会議

    R. Matsumura, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

    8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  289. Si1-xGex/絶縁膜(x:0~1)の金属触媒成長 ―成長低温化と結晶方位制御―

    佐道泰造, パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 都甲薫, 宮尾正信

    2013年(平成25年) 第60回応用物理学会 春季学術講演会  

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  290. SiGeミキシング誘起溶融成長法における成長速度の解析―電気的特性の横方向分布との相関―

    松村亮,東條友樹,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信

    2013年(平成25年) 第60回応用物理学会 春季学術講演会  

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  291. 水中レーザーアニール法による多結晶Ge1-xSnx薄膜の低温形成

    黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 池上浩, 財満鎭明

    2013年(平成25年) 第60回応用物理学会 春季学術講演会  

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  292. Ge1-x-ySixSny エピタキシャル層/n-Ge(001)ヘテロ接合の電気的特性

    朝羽俊介,山羽隆,黒澤昌志,坂下満男,田岡紀之,中塚理,財満鎭明

    2013年(平成25年) 第60回応用物理学会 春季学術講演会  

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  293. Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル成長に与える基板面方位効果

    黒澤昌志, 木戸脇翔平,浅野孝典, 田岡紀之, 中塚理,財満鎭明

    2013年(平成25年) 第60回応用物理学会 春季学術講演会  

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  294. Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル成長に与えるSn導入効果

    木戸脇翔平,浅野孝典, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理,財満鎭明

    2013年(平成25年) 第60回応用物理学会 春季学術講演会  

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  295. Ge1−xSnx/Ge微細構造による局所歪構造の形成と評価

    池進一, 守山佳彦, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 今井康彦, 木村滋, 手塚勉, 財満鎭明

    2013年(平成25年) 第60回応用物理学会 春季学術講演会  

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  296. 圧縮歪Ge1-xSnxエピタキシャル層の電気伝導特性

    浅野孝典,黒澤昌志,田岡紀之,坂下満男,中塚理,財満鎭明

    2013年(平成25年) 第60回応用物理学会 春季学術講演会  

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  297. Crystalline Properties of Ge1-xSnx Epitaxial Layers on Ge(110) 国際会議

    T. Asano, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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    開催年月日: 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  298. Feasibility of Ge Device Fabrication by Low Temperature Processes on ULSI Circuits 国際会議

    N. Taoka, M. Kurosawa, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

    6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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    開催年月日: 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  299. Low temperature crystallization of group-IV semiconductors induced by eutectic metals (Al, Sn) 国際会議

    M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima

    6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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    開催年月日: 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  300. Sn誘起横方向成長法によるGe1-xSnx/SiO2構造の低温形成

    黒澤昌志,田岡紀之,坂下満男,中塚理,宮尾正信,財満鎭明

    第12回 日本表面科学会中部支部 学術講演会 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  301. 次世代フレキシブルデバイス実現に向けた絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長

    黒澤昌志,田岡紀之,坂下満男,中塚理,宮尾正信,財満鎭明

    2012年応用物理学会結晶工学分科会 第1回結晶工学未来塾 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  302. Formation of large-grain Ge(111) films on insulator by gold-induced layer-exchange crystallization at low temperature 国際会議

    J.-H. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh

    222th Electrochemical Society (ECS) Meeting 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  303. Formation of Graded SiGe on Insulator by Segregation-Controlled Rapid-Melting- Growth 国際会議

    R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

    222th Electrochemical Society (ECS) Meeting 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  304. Formation of Large Grain SiGe on Insulator by Si Segregation in Seedless-Rapid-Melting Process 国際会議

    R. Kato, M. Kurosawa, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao

    222th Electrochemical Society (ECS) Meeting 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  305. Hybrid-Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si Platform by SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting Growth --- A Road to Artificial Crystal --- 国際会議

    M. Miyao, M. Kurosawa, K. Toko, and T. Sadoh

    222th Electrochemical Society (ECS) Meeting 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  306. Laterally Graded SiGe-on-Insulator with Universal Si Profile by Cooling-Rate-Controlled Rapid-Melting-Growth 国際会議

    R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, M. Miyao

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2012 (SSDM2012) 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  307. Temperature dependent Al-induced crystallization of amorphous Ge thin films on glass substrates 国際会議

    K. Toko, M. Kurosawa, N. Fukata, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, M. Miyao, and T. Suemasu

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2012 (SSDM2012) 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  308. High Mobility Poly-GeSn Layer Formed by Low Temperature Solid Phase Crystallization 国際会議

    W. Takeuchi,N. Taoka, M. Kurosawa, M. Fukutome, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2012 (SSDM2012) 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  309. Si Segregation Behavior in Giant SiGe Stripes on Insulator during Rapid-Melting-Growth 国際会議

    R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

    IUMRS Intarnational Conference on Electronic Materials (IUMRS-CEM2012) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  310. Stripe-Length Dependent Laterally Graded SiGe Profiles by Rapid-Melting-Growth 国際会議

    R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

    E-MRS 2012 Fall Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  311. Defect Free Multi-Structures of [SiGe/Insulator]2 on Si (100) platform 国際会議

    Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao

    E-MRS 2012 Fall Meeting 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  312. Al誘起成長法によるGe薄膜/ガラスの(111)面方位制御

    都甲薫,黒澤昌志,深田直樹,齋藤徳之,吉澤徳子,宇佐美徳隆,宮尾正信,末益崇

    2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  313. Sn触媒を用いた非晶質Ge薄膜/絶縁膜の低温成長

    黒澤昌志,田岡紀之,坂下満男,中塚理,宮尾正信,財満鎭明

    2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  314. 低温固相結晶化による高移動度poly-GeSn層の形成

    竹内和歌奈,田岡紀之,黒澤昌志,福留誉司,坂下満男,中塚理,財満鎭明

    2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  315. 大粒径SiGe結晶/絶縁膜のシードレス溶融成長

    加藤立奨,黒澤昌志,松村亮,東條友樹,佐道泰造,宮尾正信

    2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  316. SiGe溶融成長によるSGOI構造の濃度制御 -Si濃度分布に与える冷却速度効果-

    松村亮,東條友樹,横山裕之,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信

    2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  317. (111)-Oriented Large-Grain Ge on Insulator by Gold-Induced Crystallization Combined with Interfacial Layer Insertion 国際会議

    J.-H. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh

    International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays 2012 (AM-FPD'12) 

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    開催年月日: 2012年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  318. Multi-Layered SiGe-on-Insulator Structures by Rapid-Melting-Growth 国際会議

    Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao

    2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012) 

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    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  319. 界面酸化膜挿入型 Au 誘起層交換成長法による大粒径 Ge(111)/絶縁膜の低温成長 -界面酸化膜厚依存性-

    鈴木恒晴, パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 宮尾正信, 佐道泰造

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  320. 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 〜Si偏析効果による大粒径化〜

    加藤立奨,黒澤昌志,横山裕之,佐道泰造,宮尾正信

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  321. Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)結晶/絶縁膜の形成: 界面酸化膜挿入効果

    パク・ジョンヒョク,鈴木恒晴,黒澤昌志,宮尾正信,佐道泰造

    2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  322. 溶融成長法による面方位ハイブリッドGOI構造の創製 〜Si基板上へのGe(100), (110), (111)混載〜

    黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  323. 溶融横方向成長による傾斜構造GeSn/絶縁膜の形成

    黒澤昌志, 東條友樹, 松村亮, 宮尾正信 

    2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会  

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  324. 溶融GOIの成長フロント衝突領域におけるコヒーレント格子整合

    佐道泰造, 黒澤昌志, 加藤立奨, 東條友樹, 大田康晴, 都甲薫, 宮尾正信

    2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  325. 全率固溶型SiGe混晶におけるシードレス溶融成長

    加藤立奨,黒澤昌志,横山裕之,佐道泰造,宮尾正信

    2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  326. 溶融成長法によるSGOI(SiGe on Insulator)多段構造の形成 -Ge/SiO2/SiGe/SiN/Si(100)構造-

    東條友樹,横山裕之,松村亮,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信

    2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  327. レーザーアニール法によるGOI(Ge on Insulator)構造の形成

    横山裕之,東條友樹,黒澤昌志,佐道泰造,部家彰,松尾直人,宮尾正信

    2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  328. SiGeミキシング誘起溶融法における成長流の可視化 -SiGe偏析の活用-

    東條友樹,松村亮,横山裕之,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信

    2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  329. 溶融 SiGe成長による濃度傾斜型SGOI構造の形成 ―成長速度と偏析現象―

    松村亮,東條友樹,横山裕之,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信

    2012年(平成24年)春季 第59回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  330. Orientation-controlled SiGe on insulator for system on panel 国際会議

    M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao 

    International Thin-Film Transistor Conference 2012 (ITC'12) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ポルトガル共和国  

  331. 界面変調型Au誘起層交換法による大粒径Ge結晶/絶縁膜の方位制御成長

    鈴木恒晴, パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 宮尾正信, 佐道泰造

    平成23年度 応用物理学会九州支部学術講演会 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  332. Catalytic-growth of Si-based thin-films for advanced semiconductor devices 国際会議

    M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao 

    Taiwan Association for Coatings and Thin Films Technology 2011 (TACT2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:台湾  

  333. Orientation-Controlled Large-Grain Ge on Insulator by Au-Induced Layer-Exchange crystallization with Al2O3 Interfacial Layers 国際会議

    T. Suzuki, J.-H. Park, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh 

    15th International Conference on Thin Films (ICTF-15) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  334. Hybrid-Formation of (100), (110), and (111) Ge-on-Insulator Structures on (100) Si Platform 国際会議

    M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao 

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2011 (SSDM2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  335. 溶融SiGeの偏析成長による濃度傾斜型SGOI構造の形成

    松村亮,東條友樹,横山裕之,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信

    2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  336. 溶融GOI層の非直線成長とひずみ発生

    加藤立奨,黒澤昌志,横山裕之,東條友樹,佐道泰造,宮尾正信

    2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  337. SiGeミキシング誘起溶融成長法による網目状GOI層のコヒーレント成長

    東條友樹,横山裕之,加藤立奨,黒澤昌志,都甲薫,佐道泰造,宮尾正信

    2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  338. Low temperature (~250oC) Layer Exchange Crystallization of Si1-xGex (x=0-1) on insulator for Advanced Flexible Devices 国際会議

    J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh 

    7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)  

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    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ベルギー王国  

  339. Single-crystalline (110)-oriented Ge strips on insulating substrates by SiGe-mixing triggered rapid-melting-growth from artificial Si-micro-seeds 国際会議

    M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh, and M. Miyao 

    7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ベルギー王国  

  340. Enhancement of SiN-Induced Compressive and Tensile Strains in Si-Pillars by Modulation of SiN Network Structures 国際会議

    T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, M. Miyao

    7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:ベルギー王国  

  341. Low temperature (~250oC) crystallization of poly-SiGe films by gold-induced layer-exchange technique for flexible electronics 国際会議

    J.-H. Park, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh 

    2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年6月 - 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  342. Low-temperature formation of (111)Si1-xGex (0<x<1) on insulator by Al-induced crystallization 国際会議

    M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao 

    2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2011) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年6月 - 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  343. Au-catalyst induced low temperature (~250C) layer exchange crystallization for SiGe on insulator  国際会議

    J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh 

    219th Electrochemical Society (ECS) Meeting  

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    開催年月日: 2011年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:カナダ  

  344. Lateral-liquid phase epitaxy of (101) Ge-on-insulator from Si template by metal-induced crystallization  国際会議

    M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh, and M. Miyao 

    219th Electrochemical Society (ECS) Meeting  

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    開催年月日: 2011年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:カナダ  

  345. AIC初期過程におけるSi0.5Ge0.5薄膜の微細構造解析

    犬塚純平,光原昌寿,板倉賢,西田稔,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信

    2011年(平成23年)春季 第58回応用物理学関係連合講演会  

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  346. 偏光ラマン分光法によるIV族半導体のひずみ評価〜1軸・2軸ひずみの分離とその応用〜

    黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2011年(平成23年)春季 第58回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  347. SiGeミキシング誘起溶融成長法とMILC法の重畳による人工単結晶GOI(110)の創製

    黒澤昌志, 川畑直之, 加藤立奨, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2011年(平成23年)春季 第58回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  348. SiGeミキシング誘起溶融成長法で形成したGOI細線のひずみ評価

    加藤立奨, 黒澤昌志, 都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2011年(平成23年)春季 第58回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  349. 金属誘起反応を用いたSi1-xGex/絶縁膜(x:0~1)の低温結晶成長

    佐道泰造, 黒澤昌志, 川畑直之, パク・ジョンヒョク, 都甲薫, 宮尾正信 

    2011年(平成23年)春季 第58回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  350. エキシマレーザアニールによるSiN誘起ローカル歪みの増強

    佐道泰造, 黒澤昌志, 部家彰, 松尾直人, 宮尾正信

    2011年(平成23年)春季 第58回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  351. 次世代フレキシブルデバイスの為の多結晶Si1-xGex(x=0-1)/絶縁膜の極低温層交換成長(~250oC)

    パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 川畑直之, 宮尾正信, 佐道泰造

    2011年(平成23年)春季 第58回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  352. Si1-xGex (0<x<1) oriented-growth on transparent-insulating-substrates by Al-induced layer-exchange crystallization  国際会議

    M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao 

    International Thin-Film Transistor Conference 2011 (ITC'11)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  353. Gold-Induced Crystallization of Si at Low-Temperature (<250C) for Flexible Electronics  国際会議

    J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh 

    International Conference on Enabling Science and Nanotechnology (ESciNano 2010)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:マレーシア  

  354. Al誘起結晶化初期過程におけるSiGe薄膜の微細構造解析 

    犬塚純平, 光原昌寿, 板倉賢, 西田稔, 池田賢一, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信 

    平成22年度 応用物理学会九州支部学術講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  355. フレキシブルデバイス実現に向けたSi及びGe結晶/絶縁膜の極低温成長(~250℃) 

    パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 川畑直之, 宮尾正信, 佐道泰造 

    平成22年度 応用物理学会九州支部学術講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  356. Low-temperature (<250C) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique  国際会議

    J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh 

    IEEE Region 10 International Conference 2010 (TENCON2010)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  357. Layer-Exchange-Induced Low-temperature crystallization (<250oC) of Si on insulator 国際会議

    J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh 

    The 4th International Workshop on Electrical Engineering  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  358. High-mobility Defect-free Ge Single-crystals by Rapid Melting Growth on Insulating Substrates 国際会議

    M. Miyao, K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sakane, Y. Ohta, N. Kawabata, H. Yokoyama, and T. Sadoh 

    International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:中華人民共和国  

  359. Au誘起層交換成長法によるGe結晶/絶縁膜の極低温形成(~250℃) 

    パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 川畑直之, 宮尾正信, 佐道泰造 

    平成22年度(第63回) 電気関係学会九州支部連合大会  

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  360. Single-Crystalline (100) Ge Stripes with High-Mobilities Formed on Insulating Substrates by Rapid-Melting-Growth with Artificial Single-Crystal Si Seeds  国際会議

    K. Toko, H. Yokoyama, M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao 

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2010 (SSDM 2010)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  361. Uniaxial and Biaxial Strain Distribution Mapping in SOI Micro-Structures by Polarized Raman Spectroscopy  国際会議

    M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao 

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2010 (SSDM 2010)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  362. Defect-Free GOI (Ge on Insulator) by SiGe Mixing-Triggered Liquid-Phase Epitaxy 国際会議

    M. Miyao, K. Toko, M. Kurosawa, and T. Sadoh 

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2010 (SSDM 2010)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  363. Au誘起層交換成長法による多結晶Si/絶縁膜の極低温形成(~250℃) 

    パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 川畑直之, 宮尾正信, 佐道泰造 

    2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  364. 偏光ラマン分光法による局所ひずみ軸のダイレクト評価

    黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  365. Al誘起層交換法によるSiGe結晶の配向成長機構 

    川畑直之, 黒澤昌志, パク・ジョンヒョク, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  366. SiGe Mixing-Triggered Melting-Growth for Orientation-Controlled Ge on Transparent Insulating Substrates  国際会議

    K. Toko, T. Tanaka, H. Yokoyama, M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao 

    International SiGe Technology and Device Meeting 2010 (ISTDM'10)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:スウェーデン王国  

  367. Al-Induced Oriented-Crystallization of Si Films on Quartz and Its Application to Epitaxial-Template for Ge Growth  国際会議

    M. Kurosawa, N. Kawabata, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao 

    International SiGe Technology and Device Meeting 2010 (ISTDM'10)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スウェーデン王国  

  368. ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム 

    川畑直之, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信 

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  369. 人工単結晶核を用いたSiGeミキシング誘起溶融成長法 ―GOI (Ge on Insulator)の方位制御― 

    横山裕之, 川畑直之, 坂根尭, 大田康晴, 田中貴規, 黒澤昌志, 都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  370. 絶縁膜上におけるSi単結晶粒の方位制御とSiGeミキシング誘起横方向Geエピタキシャル成長 

    黒澤昌志, 川畑直之, 都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  371. Al誘起結晶化Si0.5Ge0.5薄膜の微細構造解析 

    犬塚純平, 板倉賢, 西田稔, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  372. Al誘起層交換成長法により形成したSiGe/絶縁膜の配向性制御 

    川畑直之, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  373. SiGeミキシング誘起溶融成長法による無欠陥/高移動度GOI (Ge on Insulator)の形成 

    都甲薫, 田中貴規, 大田康晴, 坂根尭, 横山裕之, 黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  374. SiGe Mixing-Triggered Liquid-Phase Epitaxy for Defect-Free GOI (Ge on Insulator) 国際会議

    K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao 

    5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  375. Interfacial Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si on Insulator for Epitaxial Template  国際会議

    M. Kurosawa, N. Kawabata, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao 

    5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  376. Orientation-controlled poly-SiGe on insulator by Aluminum-induced crystallization  国際会議

    M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao 

    International Thin-Film Transistor Conference 2010 (ITC'10)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  377. High mobility of single-crystalline Ge stripes on insulator by SiGe mixing triggered liquid-phase epitaxy  国際会議

    K. Toko, H. Yokoyama, M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao 

    2009 Materials Research Society Fall Meeting  

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    開催年月日: 2009年11月 - 2009年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  378. Orientation-Controlled poly-Si on glass by Al-induced layer exchange technique  国際会議

    M. Kurosawa, N. Kawabata, H. Yokoyama, Y. Ohta, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao 

    2009 Materials Research Society Fall Meeting  

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年11月 - 2009年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  379. Orientation Control of Large Grain Poly-Si on Glass by Interfacial Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization  国際会議

    M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao 

    International Conference on Solid State Devices and Materials 2009 (SSDM 2009)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  380. Al誘起層交換法による高配向Si薄膜/ガラスの低温形成

    川畑直之, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信 

    第17回 電子情報通信学会九州支部 学生会講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  381. Al-Induced Low Temperature Crystallization of Si1-xGex (0<x<1) by Interfacial Al Oxide Layer Control  国際会議

    M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao 

    6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  382. アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長 

    黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信 

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会  

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    開催年月日: 2009年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  383. 金属触媒誘起横方向成長法による多結晶Geの極低温成長 

    佐道泰造, 萩原貴嗣, 黒澤昌志, 都甲薫, 権丈淳 

    2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月 - 2009年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  384. 界面酸化膜制御によるSi1-xGex (0≦x≦1)混晶のAl誘起層交換成長 

    黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月 - 2009年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  385. Si/Ge多層構造のAl誘起層交換成長とSi-Geミキシング 

    黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月 - 2009年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  386. AIC法で作製したSi0.5Ge0.5薄膜の微細構造解析 

    犬塚純平, 板倉賢, 西田稔, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月 - 2009年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  387. UV照射アニールによるSiN誘起ローカル歪みの増強 

    田中貴規, 田中政典, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信, 山口真典, 鈴木信二, 北村徳秀 

    2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月 - 2009年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  388. AIC法により作製したSiGe薄膜の微細構造評価 

    犬塚純平, 板倉賢, 西田稔, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信 

    第50回日本顕微鏡学会 九州支部総会・学術講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  389. Si/Ge多層構造に於けるAl誘起層交換成長とSi/Ge相互拡散 

    黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2008年(平成20年)秋季 第69回応用物理学会学術講演会  

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  390. Interfacial-Oxide Controlled Al-Induced Crystallization of Si1-xGex (x: 0-1) on Insulating Substrate 国際会議

    M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao

    International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices 2008 (AM-FPD'08)  

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  391. Low-Temperature (111)-Oriented SiGe Growth on Insulating Substrate by Al-Induced Crystallization 国際会議

    T. Sadoh, Y. Tsumura, M. Kurosawa, and M. Miyao

    International SiGe Technology and Device Meeting 2008 (ISTDM'08)  

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    開催年月日: 2008年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:台湾  

  392. MgO/Si構造上における非晶質Geの固相成長

    榎本雄志, 黒澤昌志, 松本達也, 上田公二, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2008年(平成20年)春季 第55回応用物理学関係連合講演会  

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  393. SiGeのAl誘起層交換成長に与える界面酸化膜効果

    黒澤昌志, 津村宜孝, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2008年(平成20年)春季 第55回応用物理学関係連合講演会  

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  394. Ge Fraction Dependence of Al-induced Crystallization of SiGe at Low-Temperature 国際会議

    M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao

    International Thin-Film Transistor Conference 2008 (ITC'08)  

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    開催年月日: 2008年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:大韓民国  

  395. Orientation Control of CoPt Thin Film by MgO Template  国際会議

    T. Matsumoto, M. Kurosawa, K. Ueda, T. Sadoh, and M. Miyao

    International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2007 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  396. Si(100)基板上に於けるMgO薄膜の結晶化 

    黒澤昌志, 松本達也, 上田公二, 権丈淳, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会  

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  397. [CoPt/MgO]n薄膜多層構造に於けるCoPt配向機構の検討 

    松本達也, 黒澤昌志, 上田公二, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会  

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  398. 非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長に於ける触媒種効果(Ni, Co, Cu, Pd) 

    萩原貴嗣,黒澤昌志, 菅野裕士, 権丈淳, 佐道泰造, 宮尾正信 

    2007年(平成19年)春季 第54回応用物理学関係連合講演会  

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  399. 水晶振動子膜厚計の製作とその評価

    黒澤昌志, 若松孝

    平成16年度電子情報通信学会東京支部学生会研究発表会 

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    開催年月日: 2005年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 16

  1. ゲルマニウムスズ薄膜のフォノンドラッグ熱電能に関する研究

    2021年4月 - 2022年3月

    東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所 共同利用研究(一般B) 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  2. 再考:絶縁膜上の固相成長 〜極薄ゲルマニウム層の移動度はなぜ低いのか?〜

    2020年6月 - 2021年3月

    2020年度 キオクシア奨励研究 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  3. インターカレーションを駆使したゲルマニウムナノシートの電子物性制御

    2019年8月 - 2022年7月

    第27回 立松財団研究助成(区分:A2. 基礎工学研究助成) 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  4. 再考:絶縁膜上の固相成長 〜極薄ゲルマニウム層の移動度はなぜ低いのか?〜

    2019年7月 - 2020年3月

    2019年度 キオクシア(旧 東芝メモリ)奨励研究 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  5. プレーナ型スケーラブル熱電発電機構の実証と展開 (分担)

    研究課題番号:JPMJCR19Q5  2019年4月 - 2022年3月

    戦略的創造研究推進事業 CREST (ステップアップ) 

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

  6. Crystal growth of group-IV alloys and its applications

    2018年6月 - 2018年7月

    池谷科学技術振興財団 研究者海外派遣助成 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  7. IV族元素による新奇二次元物質創生ユニット

    2018年4月 - 2020年3月

    名古屋大学 研究大学強化促進事業 若手新分野創成研究ユニット・フロンティア 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  8. ゲルマニウムスズ薄膜のフォノンドラッグ熱電能に関する研究

    2018年4月 - 2019年3月

    東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所 共同利用研究(一般B) 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  9. Synthesis of p- and n-type Ge1-xSnx thin films toward new group-IV thermoelectric materials

    2017年7月 - 2017年8月

    日本科学協会 平成29年度海外発表促進助成 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  10. IV族半導体混晶を用いた新規機能性材料およびデバイスの開発

    2016年8月 - 2021年3月

    大学間連携研究事業「学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト」(六研プロジェクト) 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  11. 革新的多機能センサモジュール実現に向けた新しいIV族混晶熱電物質の創製

    研究課題番号:JPMJPR15R2  2015年12月 - 2019年3月

    戦略的創造研究推進事業 さきがけ 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  12. IV族二次元結晶の成長メカニズム解明とスイッチング動作実証

    2015年7月 - 2016年6月

    第31回 公益財団法人 村田学術振興財団 研究助成 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  13. シリコン系量子閉じ込め構造を利用した近赤外光デバイスの開発

    2015年7月 - 2016年3月

    中部科学技術センター学術奨励研究助成 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  14. IV族元素による新奇二次元物質創生ユニット

    2015年4月 - 2018年3月

    名古屋大学 研究大学強化促進事業 若手新分野創成研究ユニット 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  15. サーモエレクトロニクスを志向したゲルマニウム錫ナノ構造体の開発

    2015年4月 - 2016年2月

    平成27年度 笹川科学研究助成 学術研究部門 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  16. 次世代フレキシブルディスプレイを目指したシリコンゲルマニウム錫/絶縁膜の高品質形成

    2014年4月 - 2015年3月

    池谷科学技術振興財団 単年度研究助成 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

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科研費 9

  1. IV族混晶バンドエンジニアリングを基軸とした巨大熱電能の制御とデバイス応用

    研究課題/研究課題番号:21H01366  2021年4月 - 2024年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(B)

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    担当区分:研究代表者 

  2. IV族混晶結晶粒界で生じる特異なキャリア・フォノン散乱の機構解明と制御

    研究課題/研究課題番号:20H05188  2020年4月 - 2022年3月

    科学研究費補助金  新学術領域研究(公募研究)

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    担当区分:研究代表者 

  3. 直接遷移型シリコンスズ創出に向けたボンドエンジニアリング構築への挑戦

    研究課題/研究課題番号:19K21971  2019年6月 - 2021年3月

    科学研究費補助金  挑戦的研究(萌芽)

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    担当区分:研究代表者 

  4. フォノン・電子輸送制御したDirac電子超格子の創製とSi系熱電デバイス開発(分担)

    研究課題/研究課題番号:19H00853  2019年4月 - 2024年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(A)

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    担当区分:研究分担者 

  5. ゲルマニウム系二次元ハニカム結晶の自己 組織化形成と結晶構造・電子状態制御(分担)

    研究課題/研究課題番号:18K19020  2018年7月 - 2020年3月

    科学研究費補助金  挑戦的研究(萌芽)

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    担当区分:研究分担者 

  6. 超高速・省エネ動作を目指したゲルマニウムスズ・ナノワイヤMOSFETの創製

    研究課題/研究課題番号:17H04919  2017年4月 - 2020年3月

    科学研究費補助金  若手研究(A)

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    担当区分:研究代表者 

  7. シリコン系二次元ハニカム結晶の創製と電子物性の解明(分担)

    研究課題/研究課題番号:15K13943  2015年4月 - 2017年3月

    科学研究費補助金  挑戦的萌芽研究

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    担当区分:研究分担者 

  8. 面方位混載型・歪みゲルマニウム超薄膜の創製と超高速トランジスタへの応用

    研究課題/研究課題番号:12J04434  2012年4月 - 2015年3月

    科学研究費補助金  特別研究員奨励費

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    担当区分:研究代表者 

  9. ガラス上における歪みシリコンゲルマニウム擬似単結晶の創製と薄膜デバイスの高速化

    研究課題/研究課題番号:09J01769  2009年4月 - 2012年3月

    科学研究費補助金  特別研究員奨励費

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    担当区分:研究代表者 

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産業財産権 4

  1. 半導体薄膜の形成方法

    黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明, 池上浩

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    出願人:名古屋大学, 九州大学, ギガフォトン株式会社

    出願番号:PCT/JP2014/054515  出願日:2014年2月

    出願国:外国  

  2. 半導体結晶の製造方法、半導体結晶および半導体デバイス

    黒澤昌志, 中塚理, 田岡紀之, 坂下満男, 財満鎭明

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    出願人:名古屋大学

    出願番号:特願2014-030660  出願日:2014年2月

    出願国:国内  

  3. 半導体薄膜の形成方法

    黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明, 池上浩

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    出願人:名古屋大学, 九州大学, ギガフォトン株式会社

    出願番号:特願2013-042775  出願日:2013年3月

    出願国:国内  

  4. 半導体結晶,その製造方法,及び多層膜構造体

    黒澤昌志, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

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    出願人:名古屋大学

    出願番号:特願2013-024605  出願日:2013年2月

    出願国:国内  

 

担当経験のある科目 (本学) 21

  1. 基礎セミナーA

    2021

  2. 物理工学序論

    2021

  3. 電磁気学Ⅰ

    2021

  4. 応用物性

    2021

  5. 基礎セミナーA

    2020

  6. 半導体物性工学特論

    2020

  7. 電磁気学Ⅰ

    2020

  8. 応用物性

    2020

  9. 工場見学

    2019

  10. 物性物理学第4

    2019

  11. 電磁気学Ⅰ

    2019

  12. 半導体物性工学特論

    2018

  13. 電磁気学Ⅰ

    2018

  14. 物性物理学第4

    2018

  15. 半導体デバイス工学特論

    2017

  16. 物理工学序論

    2017

  17. 電磁気学Ⅰ

    2017

  18. 物性物理学第4

    2017

  19. 物性物理学第4

    2016

  20. 物性物理学第4

    2015

  21. 半導体デバイス工学特論

    2015

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担当経験のある科目 (本学以外) 12

  1. 制御実験

    2011年4月 - 2012年3月 九州電気専門学校)

  2. パワーエレクトロニクス

    2011年4月 - 2012年3月 九州電気専門学校)

  3. 自動制御工学

    2011年4月 - 2012年3月 九州電気専門学校)

  4. 制御実験

    2010年4月 - 2011年3月 九州電気専門学校)

  5. パワーエレクトロニクス

    2010年4月 - 2011年3月 九州電気専門学校)

  6. 自動制御工学

    2010年4月 - 2011年3月 九州電気専門学校)

  7. 制御実験

    2009年4月 - 2010年3月 九州電気専門学校)

  8. パワーエレクトロニクス

    2009年4月 - 2010年3月 九州電気専門学校)

  9. 自動制御工学

    2009年4月 - 2010年3月 九州電気専門学校)

  10. 制御実験

    2008年4月 - 2009年3月 九州電気専門学校)

  11. パワーエレクトロニクス

    2008年4月 - 2009年3月 九州電気専門学校)

  12. 制御実験

    2007年4月 - 2008年3月 九州電気専門学校)

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社会貢献活動 4

  1. 日本真空表面学会中部支部主催 第6回真空技術超入門講座

    役割:講師

    2019年10月

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    対象: 大学生, 大学院生, 研究者, 企業

    種別:講演会

  2. 日本真空学会東海支部主催 第5回真空技術超入門講座

    役割:講師

    2018年5月

     詳細を見る

    対象: 大学生, 大学院生, 研究者, 企業

    種別:講演会

  3. 日本真空学会東海支部主催 第3回真空技術超入門講座

    役割:講師

    2016年4月

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    対象: 大学生, 大学院生, 研究者, 企業

    種別:講演会

  4. 日本真空学会東海支部主催 第2回真空技術超入門講座

    役割:講師

    2015年4月

     詳細を見る

    対象: 大学生, 大学院生, 研究者, 企業

    種別:講演会