2021/03/29 更新

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イカラシ ノブユキ
五十嵐 信行
IKARASHI Nobuyuki
所属
名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 先端物性解析部 教授
職名
教授
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メールアドレス
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学位 1

  1. 博士(理学) ( 1997年9月   東京工業大学 ) 

研究キーワード 5

  1. 結晶欠陥

  2. デバイス物理

  3. 原子層物質

  4. 電子顕微鏡

  5. 半導体物性

研究分野 3

  1. その他 / その他  / デバイス物理学

  2. その他 / その他  / 物性解析

  3. その他 / その他  / 表面・界面

現在の研究課題とSDGs 1

  1. 超低消費電力デバイス

経歴 4

  1. 名古屋大学・教授

    2015年 - 現在

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    国名:日本国

  2. ルネサスエレクトロニクス

    2011年 - 2015年

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    国名:日本国

  3. 東京工業大・連携大学院准教授

    2008年 - 2015年

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    国名:日本国

  4. 日本電気株式会社

    1988年 - 2011年

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    国名:日本国

学歴 1

  1. 東京工業大学   理工学研究科   物理学

    - 1988年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 2

  1. 公益社団法人日本顕微鏡学会   代議員

    2003年4月 - 現在

  2. 公益社団法人 応用物理学会   会員

 

論文 26

  1. Enhanced activation of Mg ion-implanted GaN at decreasing annealing temperature by prolonging duration

    Nakashima Takuya, Kano Emi, Kataoka Keita, Arai Shigeo, Sakurai Hideki, Narita Tetsuo, Sierakowski Kacper, Bockowski Michal, Nagao Masahiro, Suda Jun, Kachi Tetsu, Ikarashi Nobuyuki

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 1 )   2021年1月

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  2. Wurtzite AlPyN1-y: a new III-V compound semiconductor lattice-matched to GaN (0001)

    Pristovsek Markus, van Dinh Duc, Liu Ting, Ikarashi Nobuyuki

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 11 )   2020年11月

  3. Progress on and challenges of p-type formation for GaN power devices

    Narita Tetsuo, Yoshida Hikaru, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Sakurai Hideki, Horita Masahiro, Bockowski Michal, Ikarashi Nobuyuki, Suda Jun, Kachi Tetsu, Tokuda Yutaka

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   128 巻 ( 9 )   2020年9月

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  4. Redistribution of Mg and H atoms in Mg-implanted GaN through ultra-high-pressure annealing

    Sakurai Hideki, Narita Tetsuo, Omori Masato, Yamada Shinji, Koura Akihiko, Iwinska Malgorzata, Kataoka Keita, Horita Masahiro, Ikarashi Nobuyuki, Bockowski Michal, Suda Jun, Kachi Tetsu

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 8 )   2020年8月

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  5. Defect evolution in Mg ions implanted GaN upon high temperature and ultrahigh N-2 partial pressure annealing: Transmission electron microscopy analysis

    Iwata Kenji, Sakurai Hideki, Arai Shigeo, Nakashima Takuya, Narita Tetsuo, Kataoka Keita, Bockowski Michel, Nagao Masaharu, Suda Jun, Kachi Tetsu, Ikarashi Nobuyuki

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   127 巻 ( 10 )   2020年3月

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  6. Overview of carrier compensation in GaN layers grown by MOVPE: toward the application of vertical power devices

    Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Tokuda Yutaka, Kogiso Tatsuya, Yoshida Hikaru, Ikarashi Nobuyuki, Iwata Kenji, Nagao Masahiro, Sawada Naoki, Horita Masahiro, Suda Jun, Kachi Tetsu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年1月

  7. Impacts of high temperature annealing above 1400 degrees C under N-2 overpressure to activate acceptors in Mg-implanted GaN

    Sakurai Hideki, Narita Tetsuo, Hirukawa Kazufumi, Yamada Shinji, Koura Akihiko, Kataoka Keita, Horita Masahiro, Ikarashi Nobuyuki, Bockowski Michal, Suda Jun, Kachi Tetsu

    PROCEEDINGS OF THE 2020 32ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD 2020)     頁: 321 - 324   2020年

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  8. Smectic Liquid-Crystalline Structure of Skyrmions in Chiral Magnet Co8.5Zn7.5Mn4(110) Thin Film

    Nagase T., Komatsu M., So Y. G., Ishida T., Yoshida H., Kawaguchi Y., Tanaka Y., Saitoh K., Ikarashi N., Kuwahara M., Nagao M.

    PHYSICAL REVIEW LETTERS   123 巻 ( 13 )   2019年9月

  9. Gate Tuning of Synaptic Functions Based on Oxygen Vacancy Distribution Control in Four-Terminal TiO2-x Memristive Devices

    Nagata Zenya, Shimizu Takuma, Isaka Tsuyoshi, Tohei Tetsuya, Ikarashi Nobuyuki, Sakai Akira

    SCIENTIFIC REPORTS   9 巻   2019年7月

  10. Effects of plasma shield plate design on epitaxial GaN films grown for large-sized wafers in radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition

    Isobe Yasuhiro, Sakai Takayuki, Sugiyama Naoharu, Mizushima Ichiro, Suguro Kyoichi, Miyashita Naoto, Lu Yi, Wilson Amalraj Frank, Kumar Dhasiyan Arun, Ikarashi Nobuyuki, Kondo Hiroki, Ishikawa Kenji, Shimizu Naohiro, Oda Osamu, Sekine Makoto, Hori Masaru

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   37 巻 ( 3 )   2019年5月

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  11. Atomic resolution structural analysis of magnesium segregation at a pyramidal inversion domain in a GaN epitaxial layer

    Iwata Kenji, Narita Tetsuo, Nagao Masahiro, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Kachi Tetsu, Ikarashi Nobuyuki

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 3 )   2019年3月

  12. Demonstrative operation of four terminal memristive devices fabricated on reduced TiO2 single crystals

    Takeuchi Shotaro, Shimizu Takuma, Isaka Tsuyoshi, Tohei Tetsuya, Ikarashi Nobuyuki, Sakai Akira

    SCIENTIFIC REPORTS   9 巻   2019年2月

  13. Single-Step, Low-Temperature Simultaneous Formations and in Situ Binding of Tin Oxide Nanoparticles to Graphene Nanosheets by In-Liquid Plasma for Potential Applications in Gas Sensing and Lithium-Ion Batteries

    Borude Ranjit R., Sugiura Hirotsugu, Ishikawa Kenji, Tsutsumi Takayoshi, Kondo Hiroki, Ikarashi Nobuyuki, Hori Masaru

    ACS APPLIED NANO MATERIALS   2 巻 ( 2 ) 頁: 649 - 654   2019年2月

  14. Low-Temperature MoS2 Film Formation Using Sputtering and H2S Annealing

    Shimizu Jun'ichi, Ohashi Takumi, Matsuura Kentaro, Muneta Iriya, Kakushima Kuniyuki, Tsutsui Kazuo, Ikarashi Nobuyuki, Wakabayashi Hitoshi

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   7 巻 ( 1 ) 頁: 2 - 6   2019年

  15. Effect of N-2/H-2 plasma on GaN substrate cleaning for homoepitaxial GaN growth by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD)

    Amalraj Frank Wilson, Dhasiyan Arun Kumar, Lu Yi, Shimizu Naohiro, Oda Osamu, Ishikawa Kenji, Kondo Hiroki, Sekine Makoto, Ikarashi Nobuyuki, Hori Masaru

    AIP ADVANCES   8 巻 ( 11 )   2018年11月

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  16. Wide range doping control and defect characterization of GaN layers with various Mg concentrations

    Narita Tetsuo, Ikarashi Nobuyuki, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Kachi Tetsu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   124 巻 ( 16 )   2018年10月

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  17. Analysis of Ti valence states in resistive switching regions of a rutile TiO2-x four-terminal memristive device

    Yamaguchi Kengo, Takeuchi Shotaro, Tohei Tetsuya, Ikarashi Nobuyuki, Sakai Akira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

  18. Mechanism for High Hall-Effect Mobility in Sputtered-MoS2 Film Controlling Particle Energy

    Sakamoto Takuro, Ohashi Takumi, Matsuura Kentaro, Muneta Iriya, Kakushima Kuniyuki, Tsutsui Kazuo, Suzuki Yuuta, Ikarashi Nobuyuki, Wakabayashi Hitoshi

    2018 IEEE SOI-3D-SUBTHRESHOLD MICROELECTRONICS TECHNOLOGY UNIFIED CONFERENCE (S3S)     2018年

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  19. III-nitride core-shell nanorod array on quartz substrates

    Bae Si-Young, Min Jung-Wook, Hwang Hyeong-Yong, Lekhal Kaddour, Lee Ho-Jun, Jho Young-Dahl, Lee Dong-Seon, Lee Yong-Tak, Ikarashi Nobuyuki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    SCIENTIFIC REPORTS   7 巻   2017年3月

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  20. Low-carrier density sputtered-MoS2 film by H2S annealing for normally-off accumulation-mode FET

    Shimizu Jun'ichi, Ohashi Takumi, Matsuura Kentaro, Muneta Iriya, Kakushima Kuniyuki, Tsutsui Kazuo, Ikarashi Nobuyuki, Wakabayashi Hitoshi

    2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)     頁: 222 - 223   2017年

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  21. In-situ electron holography of carrier accumulation at SiO2/InGaZnO4 interface, 査読有り

    Nobuyuki Ikarashi, Kisyoh Kaneko, Motofumi Saitoh, and Hiroshi Takeda

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻   頁: 031101   2014年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  22. In-situ electron holography of surface potential response to gate voltage application in a sub-30-nm gate-length metal-oxide-semiconductor field-effect transistor 査読有り

    Nobuyuki Ikarashi, Hiroshi Takeda, Koichi Yako, and Masami Hane

    Appl. Phys. Lett.   100 巻   頁: 101912   2012年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  23. Silicide formation process of Pt added Ni at low temperature: Control of NiSi2 formation 査読有り

    Nobuyuki Ikarashi and Koji Masuzaki,

    J. Appl. Phys.   109 巻   頁: 063506   2011年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  24. Direct Two-Dimensional Electrostatic Potential Cross-sectional Mapping of Sub-30-nm MOSFET under Operation Mode Using Electron Holography 査読有り

    Nobuyuki Ikarashi, Hiroshi Takeda, Koichi Yako, and Masami Hane

    IEEE International Electron Devices Meeting 2011 Tech. Digest     2011年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/IEDM.2011.6131499

  25. Electron holography for analysis of deep submicron devices: Present status and challenges 査読有り

    Nobuyuki Ikarashi, Akio Toda, Kazuya Uejima, Koichi Yako, Toyoji Yamamoto, Masami Hane, and Hiroshi Sato

    J. Vac. Sci. Technol. B   28 巻   頁: C1D5   2010年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  26. Atomic structure of a Ni diffused Si (001) surface layer: Precursor to formation of NiSi2 at low temperature 査読有り

    J. Appl. Phys   107 巻   頁: 033505   2010年

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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書籍等出版物 1

  1. Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices 査読有り 国際共著

    Kachi, T( 担当: 分担執筆 ,  範囲: Chapter 4 Structural Defects in Mg-Doped GaN: TEM Analysis)

    AIP Publishing  ( ISBN:978-0-7354-2270-4

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    総ページ数:224   記述言語:英語 著書種別:学術書

    DOI: 10.1063/9780735422698_004

講演・口頭発表等 2

  1. 高温アニールMgイオン注入GaN結晶の欠陥解析 国際共著

    中島 拓也 櫻井 秀樹 荒井重 岩田 研治 成田 哲 片岡 恵太 Bockowski M 長尾 全寛 須田 淳 加地 徹 五十嵐 信行

    第76学術講演会  2020年5月25日  顕微鏡学会

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    開催年月日: 2020年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:online   国名:日本国  

    高温アニールMgイオン注入GaN結晶の欠陥解

  2. Mgイオン注入GaN結晶の高温・超高圧アニールにより形成される結晶欠陥の透過型電子顕微鏡観察 国際共著

    中島 拓也 櫻井 秀樹 荒井重 岩田 研治 成田 哲 片岡 恵太 Bockowski M 長尾 全寛 須田 淳 加地 徹 五十嵐 信行

    学術講演会  2020年3月12日  応用物理学会

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:online   国名:日本国  

    Mgイオン注入GaN結晶の高温・超高圧アニールにより形成される結晶欠陥の透過型電子顕微鏡観察

共同研究・競争的資金等の研究課題 1

  1. 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体 国際共著

    2016年4月 - 2020年3月

    受託研究  受託研究

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    配分額:7800000円 ( 直接経費:7500000円 、 間接経費:300000円 )

科研費 1

  1. ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明

    研究課題/研究課題番号:20H00340  2020年4月 - 2025年3月

    梅田享英

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    担当区分:研究分担者 

    配分額:900000円 ( 直接経費:900000円 、 間接経費:90000円 )

    次世代パワーエレクトロニクスのキーデバイスとなるワイドギャップ半導体MOS(金属-酸化膜-半導体)型電界効果トランジスタ(MOSFET)について、その核心部となるMOS界面の界面欠陥の正体を解明する。ターゲットは炭化ケイ素4H-SiC、窒化ガリウムGaN、ダイヤモンドの代表的な3種類のMOS界面とし、正体を解明する手段として電流検出型電子スピン共鳴(EDMR)分光+第一原理計算を用いる。本研究により、長い間、正体不明のままだったワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の横断的解明が期待できる。これは日本が強みをもつ半導体パワーエレクトロニクス分野をさらに強化し発展させることにつながる。

 

担当経験のある科目 (本学) 4

  1. 真空電子工学

    2020

  2. 電磁気学I

    2015

  3. 粒子線工学特論

    2015

  4. 真空電子工学

    2015