講演・口頭発表等 - 出来 真斗
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m面GaN SBDの漏れ電流のファセット依存性
バリー １オースマネー、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩
第64回応用物理学会春季学術講演会
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GaN自立基板上PNダイオードの逆方向リークと転位の関係
宇佐美 茂佳、 安藤 悠人、 田中 敦之、 永松 謙太郎、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩
第64回応用物理学会春季学術講演会
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絶対吸収率と光電流測定とを組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量
宇佐美 茂佳、 小島 一信、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 秩父 重英、 天野 浩
第64回応用物理学会春季学術講演会
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Morphology control of InGaN layer on GaN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
Zhibin Liu, Ryosuke Miyagoshi, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
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窒化ホウ素を用いたGaN-MISキャパシタの作製と電気特性評価
松下 淳矢、永松 謙太郎、Xu Yang、田中 敦之、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩
先進パワー半導体分科会第3回講演会
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自立基板上のn--GaN へのMg イオン注入によるp 型層の形成
HE Shang、曾根和詩、田中敦之、宇佐美茂佳、永松謙太郎、宮本直樹、永山勉、出来真斗、本田善央、天野浩
先進パワー半導体分科会第3回講演会
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2次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型GaN-HBTの作製
安藤 悠人、小倉 昌也、松下 淳矢、宇佐美 茂佳、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩
先進パワー半導体分科会第三回講演会
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Facet distribution of leakage current and carrier concentration in m-plane
Atsushi Tanaka, Ousmane 1 Barry, Kentaro Nagamatsu, Junya Matsushita, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
IWN2016
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Effect of dislocation on the growth of p-type GaN and device characteristics
Shigeyoshi Usami, Ryosuke Miyagoshi, Kentaro Nagamatsu, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Manato Deki, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
IWN2016