講演・口頭発表等 - 出来 真斗
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GaN-MOSデバイスにおける界面準位評価とその低減 招待有り
出来真斗、安藤悠人、本田善央、天野浩
第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2022年9月25日
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ワイドギャップ材料を用いた低消費電力デバイスの実現 招待有り
出来真斗
R025先進薄膜界面機能創成委員会 第20回研究会 2024年8月22日 日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会
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窒化ガリウムを用いたMOSFETの低消費電力化 招待有り
出来真斗
2024年度応用物理学会中国四国支部研究会 2024年12月7日 応用物理学会中国四国支部
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Evaluation of Switching Characteristics of High Breakdown Voltage GaN-PSJ Transistors at Liquid Nitrogen Temperature 国際会議
Manato Deki, Hirotaka Kawarabayashi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
AIAA AVIATION FORUM 2023年6月16日
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High efficiency and high power electric propulsion system for airplane by superconductivity-6: Demonstration of dynamic characteristics of GaN-PSJ power transistors at low temperatures 国際会議
Kawarabayashi Hirotaka, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
ASC2022 2022年10月25日
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FG構造を用いたGaN-MOSキャパシタのフラットバンド電圧シフト
李 熙根, 出来 真斗, 陸 順, 渡邉 浩崇, 藤元 直樹, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月22日
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貫通転位密度の異なる自立 GaN 基板上にN/Mg イオン注入により作製した p-n 接合ダイオードの電気特性
伊藤 佑太, 權 熊, 川崎 晟也, 渡邉 浩崇, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 田中 敦之, 天野 浩
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月24日
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フリーホイールダイオードを内蔵したソース接続分極超接合トランジスタの飽和電流増加構造の検討
小久保 瑛斗, 渡邉 浩崇, 出来 真斗, 田中 敦之, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月24日
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Fabrication of GaN Polarization Super Junction (PSJ) FET with built-in freewheeling diode 国際会議
Eito Kokubo, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023） 2023年12月2日
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"Nanoscale Temperature Sensing Using Praseodymium Ions Implanted in Gallium Nitride Semiconductors" 国際会議
Shin-ichiro Sato, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023） 2023年12月2日
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Electrical characteristics of Al2O3/LT-AlN/GaN MIS capacitors fabricated by in situ growth 国際会議
Ren Obata, Takeru Kumabe, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023） 2023年12月2日
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Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題
伊藤 佑太, 渡邉 浩崇, 出来 真斗, 新田 州吾, 田中 敦之, 本田 善夫, 天野 浩
"電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) / 電子デバイス研究会(ED) / 電子部品・材料研究会(CPM) " 2023年11月30日
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Lateral p-type GaN Schottky barrier diode using annealed Mg ohmic contact layer on low-Mg-concentration p-GaN 国際会議
Shun Lu, Manato Deki, Takeru Kumabe, Jia Wang, Kazuki Ohnishi, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14) 2023年11月13日
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15 GHz GaN Hi-Lo IMPATT diodes with pulsed peak power of 25.5 W 国際会議
Seiya Kawasaki, Takeru Kumabe, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Manabu Arai and Hiroshi Amano
14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14) 2023年11月16日
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HVPE 法及びMOVPE法により成長させた低Mg濃度p型GaNの準位
大原 悠樹, 出来 真斗, 陸 順, 大西 一生, 渡邉 浩崇, 本田 善央, 天野 浩
第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会 2023年11月3日
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Highly effective activation of Mg-diffused p-type GaN using Mg/GaN mixed crystal
Yuta Itoh, Masaya Takeda, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Atsushi Tanaka, and Hiroshi Amano
第42回電子材料シンポジウム（EMS42） 2023年10月13日
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Analysis of single ion induced signals in gallium nitrides toward deterministic single-ion implantation 国際会議
T. Fujita, S.-I. Sato, M. Deki, H. Watanabe, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, and H. Tsuchida
26th International Conference on Ion Beam Analysis, 18th International Conference on Particle Induced X-ray Emission (IBA-PIXE2023) 2023年10月13日
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フリーホイールダイオードを内蔵したソース接続PSJトランジスタのシミュレーション及び作製
小久保 瑛斗, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月23日
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マイクロ波帯Hi-Lo型GaN IMPATTダイオードにおけるLo層ドナー濃度が入出力特性に与える影響
川崎 晟也, 隈部 岳瑠, 出来 真斗, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 本田 善央, 新井 学, 天野 浩
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月21日
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Optical Activation of Praseodymium Ions Implanted in GaN after Ultra-High Pressure Annealing 国際会議
Shin Ito, Shinichiro Sato, Michal Boćkowski, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kenichi Yoshida, Hideki Minagawa, Naoto Hagura
21st International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-21) 2023年9月7日