2022/03/30 更新

写真a

デキ マナト
出来 真斗
DEKI Manato
所属
大学院工学研究科 共通 准教授
大学院担当
大学院工学研究科
学部担当
工学部
職名
准教授
連絡先
メールアドレス
外部リンク

学位 3

  1. 博士(工学) ( 2014年3月   徳島大学 ) 

  2. 修士 ( 2011年3月   徳島大学 ) 

  3. 学士 ( 2009年3月   高知工業高等専門学校 ) 

研究キーワード 5

  1. 窒化ガリウム

  2. パワーデバイス

  3. MOSデバイス

  4. イオン注入

  5. 炭化ケイ素

研究分野 2

  1. ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  2. ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

現在の研究課題とSDGs 1

  1. ワイドギャップ材料を用いた低消費電力デバイスの実現

経歴 1

  1. 名古屋大学   大学院工学研究科 共通   准教授

    2020年5月 - 現在

所属学協会 3

  1. 応用物理学会 先進パワー半導体分科会

    2014年10月 - 現在

  2. 応用物理学会 結晶工学分科会

    2014年6月 - 現在

  3. 応用物理学会

    2008年1月 - 現在

受賞 1

  1. 研究奨励賞

    2018年10月   日本結晶成長学会  

 

論文 59

  1. Effect of beam current on defect formation by high-temperature implantation of Mg ions into GaN 査読有り

    Itoh Yuta, Watanabe Hirotaka, Ando Yuto, Kano Emi, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Tanaka Atsushi, Ikarashi Nobuyuki, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 2 )   2022年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac481b

    Web of Science

  2. Ohmic contact on low-doping-density p-type GaN with nitrogen-annealed Mg 査読有り

    Lu Shun, Deki Manato, Wang Jia, Ohnishi Kazuki, Ando Yuto, Kumabe Takeru, Watanabe Hirotaka, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   119 巻 ( 24 )   2021年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0076764

    Web of Science

  3. Modified Small Signal Circuit of AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Rational Functions 査読有り

    Jadhav Aakash, Ozawa Takashi, Baratov Ali, Asubar Joel T., Kuzuhara Masaaki, Wakejima Akio, Yamashita Shunpei, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Roy Sourajeet, Sarkar Biplab

      68 巻 ( 12 ) 頁: 6059 - 6064   2021年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TED.2021.3119528

    Web of Science

  4. Impact of gate electrode formation process on Al2O3/GaN interface properties and channel mobility 査読有り

    Ando Yuto, Deki Manato, Watanabe Hirotaka, Taoka Noriyuki, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Nakamura Tohru, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 8 )   2021年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac0ffa

    Web of Science

  5. Generalized Frequency Dependent Small Signal Model for High Frequency Analysis of AlGaN/GaN MOS-HEMTs 査読有り

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   9 巻   頁: 570 - 581   2021年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/JEDS.2021.3081463

    Web of Science

  6. Experimental demonstration of GaN IMPATT diode at X-band 査読有り

    Kawasaki Seiya, Ando Yuto, Deki Manato, Watanabe Hirotaka, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Arai Manabu, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 4 )   2021年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1882-0786/abe3dc

    Web of Science

  7. Improving light output power of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes by optimizing the optical thickness of p-layers 査読有り

    Matsukura Yusuke, Inazu Tetsuhiko, Pernot Cyril, Shibata Naoki, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 8 )   2021年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac154c

    Web of Science

  8. Etching-induced damage in heavily Mg-doped p-type GaN and its suppression by low-bias-power inductively coupled plasma-reactive ion etching 査読有り

    Kumabe Takeru, Ando Yuto, Watanabe Hirotaka, Deki Manato, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SB )   2021年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abd538

    Web of Science

  9. Fabrication of GaN cantilever on GaN substrate by photo-electrochemical etching 査読有り

    Yamada Takehiro, Ando Yuto, Watanabe Hirotaka, Furusawa Yuta, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Suda Jun, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 3 )   2021年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1882-0786/abe657

    Web of Science

  10. Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride (vol 10, pg 2614, 2020)

    Sato Shin-Ichiro, Deki Manato, Watanabe Hirotaka, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Nishimura Tomoaki, Gibson Brant C., Greentree Andrew D., Amano Hiroshi, Ohshima Takeshi

    OPTICAL MATERIALS EXPRESS   11 巻 ( 2 ) 頁: 524 - 524   2021年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1364/OME.420328

    Web of Science

  11. Electrical properties of GaN metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with Al2O3/GaN interfaces formed on vicinal Ga-polar and nonpolar surfaces

    Ando Yuto, Nagamatsu Kentaro, Deki Manato, Taoka Noriyuki, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Nakamura Tohru, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 24 )   2020年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0028516

    Web of Science

  12. Modeling the degradation mechanisms of AlGaN-based UV-C LEDs: from injection efficiency to mid-gap state generation

    Piva F., De Santi C., Deki M., Kushimoto M., Amano H., Tomozawa H., Shibata N., Meneghesso G., Zanoni E., Meneghini M.

    PHOTONICS RESEARCH   8 巻 ( 11 ) 頁: 1786 - 1791   2020年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1364/PRJ.401785

    Web of Science

  13. Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride

    Sato Shin-Ichiro, Deki Manato, Watanabe Hirotaka, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Nishimura Tomoaki, Gibson Brant C., Greentree Andrew D., Amano Hiroshi, Ohshima Takeshi

    OPTICAL MATERIALS EXPRESS   10 巻 ( 10 ) 頁: 2614 - 2623   2020年10月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1364/OME.401765

    Web of Science

  14. Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures

    Sato Shin-ichiro, Deki Manato, Nishimura Tomoaki, Okada Hiroshi, Watanabe Hirotaka, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Ohshima Takeshi

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   479 巻   頁: 7 - 12   2020年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2020.06.007

    Web of Science

  15. Low interface state densities at Al2O3/GaN interfaces formed on vicinal polar and non-polar surfaces

    Ando Yuto, Nagamatsu Kentaro, Deki Manato, Taoka Noriyuki, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Nakamura Tohru, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 10 )   2020年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0010774

    Web of Science

  16. Change of high-voltage conduction mechanism in vertical GaN-on-GaN Schottky diodes at elevated temperatures

    Sandupatla Abhinay, Arulkumaran Subramaniam, Ng Geok Ing, Ranjan Kumud, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 7 ) 頁: .   2020年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  17. Effect of Annealing on the Electrical and Optical Properties of MgZnO Films Deposited by Radio Frequency Magnetron Sputtering

    Kushimoto Maki, Sakai Tadayoshi, Ueoka Yoshihiro, Tomai Shigekazu, Katsumata Satoshi, Deki Manato, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   217 巻 ( 14 )   2020年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201900955

    Web of Science

  18. Impact of high-temperature implantation of Mg ions into GaN

    Takahashi Masahiro, Tanaka Atsushi, Ando Yuto, Watanabe Hirotaka, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Shima Kohei, Kojima Kazunobu, Chichibu Shigefusa F., Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 5 ) 頁: .   2020年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  19. Suppression of Green Luminescence of Mg-Ion-Implanted GaN by Subsequent Implantation of Fluorine Ions at High Temperature

    Takahashi Masahiro, Tanaka Atsushi, Ando Yuto, Watanabe Hirotaka, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Shima Kohei, Kojima Kazunobu, Chichibu Shigefusa F., Chen Kevin J., Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2020年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.201900554

    Web of Science

  20. Improved breakdown voltage in vertical GaN Schottky barrier diodes on free-standing GaN with Mg-compensated drift layer

    Abhinay S., Arulkumaran S., Ng G. I., Ranjan K., Deki M., Nitta S., Honda Y., Amano H.

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 1 )   2020年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab65cd

    Web of Science

  21. Role of defects in the mid-term degradation of UV-B LEDs investigated by optical and DLTS measurements

    Piva F., De Santi C., Deki M., Kushimoto M., Amano H., Tomozawa H., Shibata N., Meneghesso G., Zanoni E., Meneghini M.

    GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XV   11280 巻   2020年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1117/12.2544704

    Web of Science

  22. Low leakage Mg-compensated GaN Schottky diodes on free-standing GaN substrate for high energy alpha-particle detection

    Sandupatia A., Arulkurnaran S., Ranjan K., Ng G. I, Murumu P. P., Kennedy J., Deki M., Nitta S., Honda Y., Amano H.

    2020 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM 2020)     2020年

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  23. Dielectric Ruduced Surface Field Effect on Vertical GaN-on-GaN Nanowire Schottky Barrier Diodes

    Liao Yaqiang, Chen Tao, Wang Jia, Ando Yuto, Yang Xu, Watanabe Hirotaka, Hirotani Jun, Kushimoto Maki, Deki Manato, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Chen Kevin J., Amano Hiroshi

    PROCEEDINGS OF THE 2020 32ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD 2020)     頁: 349 - 352   2020年

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  24. Low Voltage High-Energy alpha-Particle Detectors by GaN-on-GaN Schottky Diodes with Record-High Charge Collection Efficiency

    Sandupatla Abhinay, Arulkumaran Subramaniam, Ranjan Kumud, Ng Geok Ing, Murmu Peter P., Kennedy John, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Deki Manato, Amano Hiroshi

    SENSORS   19 巻 ( 23 )   2019年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/s19235107

    Web of Science

  25. Stability and degradation of AlGaN-based UV-B LEDs: Role of doping and semiconductor defects

    Piva F., De Santi C., Deki M., Kushimoto M., Amano H., Tomozawa H., Shibata N., Meneghesso G., Zanoni E., Meneghini M.

    MICROELECTRONICS RELIABILITY   100 巻   2019年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.microrel.2019.113418

    Web of Science

  26. V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate

    Tanaka Atsushi, Nagamatsu Kentaro, Usami Shigeyoshi, Kushimoto Maki, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Bockowski Michal, Amano Hiroshi

    AIP ADVANCES   9 巻 ( 9 )   2019年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5114866

    Web of Science

  27. Ammonia decomposition and reaction by high-resolution mass spectrometry for group III - Nitride epitaxial growth

    Ye Zheng, Nitta Shugo, Nagamatsu Kentaro, Fujimoto Naoki, Kushimoto Maki, Deki Manato, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   516 巻   頁: 63 - 66   2019年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.03.025

    Web of Science

  28. Direct evidence of Mg diffusion through threading mixed dislocations in GaN p-n diodes and its effect on reverse leakage current

    Usami Shigeyoshi, Mayama Norihito, Toda Kazuya, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   114 巻 ( 23 )   2019年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5097767

    Web of Science

  29. Correlation between nanopipes formed from screw dislocations during homoepitaxial growth by metal-organic vapor-phase epitaxy and reverse leakage current in vertical p-n diodes on a free-standing GaN substrates

    Usami Shigeyoshi, Tanaka Atsushi, Fukushima Hayata, Ando Yuto, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab1250

    Web of Science

  30. Deeply and vertically etched butte structure of vertical GaN p-n diode with avalanche capability

    Fukushima Hayata, Usami Shigeyoshi, Ogura Masaya, Ando Yuto, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab106c

    Web of Science

  31. Effect of photoelectrochemical etching and post-metallization annealing on gate controllability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

    Uemura Keisuke, Deki Manato, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Sato Taketomo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab06b9

    Web of Science

  32. Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation (vol 508, pg 58, 2019)

    Liu Zhibin, Nitta Shugo, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Sitar Zlatko, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   514 巻   頁: 13 - 13   2019年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.058

    Web of Science

  33. Photoluminescence properties of praseodymium ions implanted into submicron regions in gallium nitride

    Sato Shin-ichiro, Deki Manato, Nakamura Tohru, Nishimura Tomoaki, Stavrevski Daniel, Greentree Andrew D., Gibson Brant C., Ohshima Takeshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 5 )   2019年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab142b

    Web of Science

  34. GaN drift-layer thickness effects in vertical Schottky barrier diodes on free-standing HVPE GaN substrates

    Sandupatla A., Arulkumaran S., Ng G. I., Ranjan K., Deki M., Nitta S., Honda Y., Amano H.

    AIP ADVANCES   9 巻 ( 4 )   2019年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5087491

    Web of Science

  35. Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Liu Zhibin, Nitta Shugo, Usami Shigeyoshi, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   509 巻   頁: 50-53   2019年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.12.007

    Web of Science

  36. Fully Ion Implanted Normally-Off GaN DMOSFETs with ALD-Al2O3 Gate Dielectrics

    Yoshino Michitaka, Ando Yuto, Deki Manato, Toyabe Toru, Kuriyama Kazuo, Honda Yoshio, Nishimura Tomoaki, Amano Hiroshi, Kachi Tetsu, Nakamura Tohru

    MATERIALS   12 巻 ( 5 )   2019年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/ma12050689

    Web of Science

  37. Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation

    Liu Zhibin, Nitta Shugo, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   508 巻   頁: 58-65   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.12.028

    Web of Science

  38. Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown

    Fukushima Hayata, Usami Shigeyoshi, Ogura Masaya, Ando Yuto, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 2 )   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1882-0786/aafdb9

    Web of Science

  39. Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy

    Nagamatsu Kentaro, Ando Yuto, Ye Zheng, Barry Ousmane, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 10 )   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.105501

    Web of Science

  40. Improvement of breakdown voltage of vertical GaN p-n junction diode with Ga2O3 passivated by sputtering

    Ueoka Yoshihiro, Deki Meneto, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 7 )   2018年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.070302

    Web of Science

  41. m-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle m-Plane GaN Substrates 査読有り

    Tanaka Atsushi, Ando Yuto, Nagamatsu Kentaro, Deki Manato, Cheong Heajeong, Ousmane Barry, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   215 巻 ( 9 ) 頁: 1700645   2018年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201700645

    Web of Science

  42. Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate

    Usami Shigeyoshi, Ando Yuto, Tanaka Atsushi, Nagamatsu Kentaro, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Sugawara Yoshihiro, Yao Yong-Zhao, Ishikawa Yukari

    APPLIED PHYSICS LETTERS   112 巻 ( 18 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5024704

    Web of Science

  43. Femtosecond-Laser-Induced Defects on Silicon Carbide Probed by Electrical Conductivity 査読有り

    Tomita Takuro, Deki Manato, Yanagita Eizo, Bando Yota, Naoi Yoshiki, Makino Takahiro, Ohshima Takeshi

    JOURNAL OF LASER MICRO NANOENGINEERING   12 巻 ( 2 ) 頁: 72 - 75   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2961/jlmn.2017.02.0004

    Web of Science

  44. Effect of dislocations on the growth of p-type GaN and on the characteristics of p-n diodes

    Usami Shigeyoshi, Miyagoshi Ryosuke, Tanaka Atsushi, Nagamatsu Kentaro, Kushimoto Maki, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201600837

    Web of Science

  45. Facet dependence of leakage current and carrier concentration in m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE

    Tanaka Atsushi, Barry Ousmane, Nagamatsu Kentaro, Matsushita Junya, Deki Manato, Ando Yuto, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201600829

    Web of Science

  46. Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (10(1)over-bar0) GaN homoepitaxial layers

    Barry Ousmane I., Tanaka Atsushi, Nagamatsu Kentaro, Bae Si-Young, Lekhal Kaddour, Matsushita Junya, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁: 552-556   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.012

    Web of Science

  47. Development of Sustainable Smart Society based on Transformative Electronics

    Ogura M., Ando Y., Usami S., Nagamatsu K., Kushimoto M., Deki M., Tanaka A., Nitta S., Honda Y., Pristovsek M., Kawai H., Yagi S., Amano H.

    2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     頁: .   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  48. Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane(10-10) GaN homoepitaxial layers 査読有り

    Ousmane I Barry, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Si-Young Bae, Kaddour Lekhal, Junya Matsushita, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano

    Journal of Crystal Growth     頁: 10.1016   2016年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  49. Structural and optical study of core-shell InGaN layers of nanorod arrays with multiple stacks of InGaN/GaN superlattices for absorption of longer solar spectrum 査読有り

    Byung Oh Jung, Kaddour Lekhal, Dong-Seon Lee, Manto Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    Japanese Journal of Applied Physics     頁: 05FG03   2016年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  50. Highly elongated vertical GaN nanorod arrays on Si substrates with an AlN seed layer by pulsed-mode metal-organic vapor deposition 査読有り

    Byung Oh Jung, Kaddour Lekhal, Sang-Yun Kim, Jung-Yong Lee, Dong-Seon Lee, Manto Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    CrystEngComm   ( 18 ) 頁: 1505   2016年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  51. Linear energy transfer dependence of single event gate rupture in SiC MOS capacitors 査読有り

    Deki Manato, Makino Takahiro, Iwamoto Naoya, Onoda Shinobu, Kojima Kazutoshi, Tomita Takuro, Ohshima Takeshi

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   319 巻   頁: 75-78   2014年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2013.09.014

    Web of Science

  52. Ternperature Dependence of Electric Conductivities in Femtosecond Laser Modified Areas in Silicon Carbide 査読有り

    Deki Manato, Oka Tomoki, Takayoshi Shodai, Naoi Yoshiki, Makino Takahiro, Ohshima Takeshi, Tomita Takuro

    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2   778-780 巻   頁: 661-664   2014年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.661

    Web of Science

  53. Single Event Gate Rupture in SiC MOS Capacitors with Different Gate Oxide Thicknesses 査読有り

    Deki Manato, Makino T., Kojima K., Tomita T., Ohshima T.

    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2   778-780 巻   頁: 440-443   2014年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.440

    Web of Science

  54. Heavy-Ion Induced Anomalous Charge Collection From 4H-SiC Schottky Barrier Diodes 査読有り

    Makino Takahiro, Deki Manato, Iwamoto Naoya, Onoda Shinobu, Hoshino Norihiro, Tsuchida Hidekazu, Hirao Toshio, Ohshima Takeshi

    IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE   60 巻 ( 4 ) 頁: 2647-2650   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TNS.2013.2243469

    Web of Science

  55. Electrical Conduction Properties of SiC Modified by Femtosecond Laser 査読有り

    Ito Takuto, Deki Manato, Tomita Takuro, Matsuo Shigeki, Hashimoto Shuichi, Kitada Takahiro, Isu Toshiro, Onoda Shinobu, Ohshima Takeshi

    JOURNAL OF LASER MICRO NANOENGINEERING   7 巻 ( 1 ) 頁: 16-20   2012年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2961/jlmn.2012.01.0003

    Web of Science

  56. Enhancement of local electrical conductivities in SiC by femtosecond laser modification 査読有り

    Deki Manato, Ito Takuto, Yamamoto Minoru, Tomita Takuro, Matsuo Shigeki, Hashimoto Shuichi, Kitada Takahiro, Isu Toshiro, Onoda Shinobu, Ohshima Takeshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   98 巻 ( 13 )   2011年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3573786

    Web of Science

  57. Femtosecond laser modification aiming at the enhancement of local electric conductivities in SiC 査読有り

    Deki Manato, Yamamoto Minoru, Ito Takuto, Tomita Takuro, Matsuo Shigeki, Hashimoto Shuichi, Kitada Takahiro, Isu Toshiro, Onoda Shinobu, Ohshima Takeshi

    PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS   1399 巻   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3666285

    Web of Science

  58. Single-shot picosecond interferometry with one-nanometer resolution for dynamical surface morphology using a soft X-ray laser 査読有り

    Suemoto Tohru, Terakawa Kota, Ochi Yoshihiro, Tomita Takuro, Yamamoto Minoru, Hasegawa Noboru, Deki Manato, Minami Yasuo, Kawachi Tetsuya

    OPTICS EXPRESS   18 巻 ( 13 ) 頁: 14114-14122   2010年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1364/OE.18.014114

    Web of Science

  59. Raman Spectroscopic Stress Evaluation of Femtosecond-Laser-Modified Region Inside 4H-SiC 査読有り

    Yamamoto Minoru, Deki Manato, Takahashi Tomonori, Tomita Takuro, Okada Tatsuya, Matsuo Shigeki, Hashimoto Shuichi, Yamaguchi Makoto, Nakagawa Kei, Uehara Nobutomo, Kamano Masaru

    Applied physics express   3 巻 ( 1 ) 頁: 16603-016603-3   2010年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    A femtosecond (fs)-laser-modified region inside single-crystal silicon carbide was studied by micro-Raman spectroscopy. Higher and lower peak energy shifts of the transverse optical (TO) phonon mode, which correspond to compressive and tensile stresses, were observed. Mappings of peak energies and spectral widths of the TO phonon mode showed a clear correspondence with the distributions of strained layers observed by transmission electron microscopy. The maximum compressive and tensile stresses were estimated to be 1.4 and 0.4 GPa, respectively. This result indicates that the periodic strained layers contain many nano-voids which are formed by nano-explosions induced by fs laser irradiation.

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書籍等出版物 1

  1. GaN基板上GaNデバイスの現状と課題

    本田善央、出来真斗( 担当: 共著)

    KEC関西電子工業振興センター  2021年10月 

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    総ページ数:56   担当ページ:7   記述言語:日本語 著書種別:調査報告書

講演・口頭発表等 30

  1. 縦型p-n接合ダイオードにおける貫通転位による耐圧近傍での微小電流増加

    權 熊, 川崎 晟也, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 池田 宏隆, 磯 憲司, 天野 浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

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    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  2. 空孔誘導Mg熱拡散法を用いたGaNのMg濃度制御

    伊藤佑太, 島村健矢, 渡邉浩崇, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 田中敦之, 天野浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

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    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  3. Mg熱拡散を用いたGaNのp型化プロセス

    伊藤佑太, 陸順, 渡邉浩崇, 出来真斗, 新田州吾, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

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    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  4. 多光子励起OBICを用いたGaN縦型p-nダイオード駆動中におけるキャリア濃度分布測定手法の提案

    八木誠,川崎晟也,隈部岳瑠,安藤悠人,田中敦之,出来真斗,久志本真希,新田州吾,本田善央,天野浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

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    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  5. 超⾼圧アニールによるMg拡散を⽤いたp型ゲートAlGaN/GaNHEMTの閾値電圧制御

    ⼭下 隼平, 渡邉 浩崇, 安藤 悠⼈, ⽥中 敦之, 出来 真⽃, 新⽥ 州吾, 本⽥ 善央, Michal Bockowski, 加地徹, 天野 浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

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    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  6. アニールしたMg層による低濃度p型GaNへの接触抵抗低減

    陸 順, 出来 真斗, 王 嘉, 大西 一生, 安藤 悠人, 渡邉 浩崇, 隈部 岳瑠, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

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    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  7. GaN IMPATTダイオードにおける発振特性の接合直径依存性

    川崎晟也, 隈部岳瑠, 安藤悠人, 出来真斗, 渡邉 浩崇, 田中敦之, 新田州吾, 本田善央, 新井学, 天野浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

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    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  8. 多光子励起を用いた光化学エッチングによるGaN3次元加工の検討

    丹羽 ののか,川崎 晟也, 隈部 岳瑠, 田中 敦之, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田善央, 天野 浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

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    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  9. III族窒化物半導体検出器の⾼温耐性評価

    林 幸佑, 中川 央也, 川崎 晟也, 出来 真⽃, 本⽥ 善央, 天野 浩, 井上 翼, ⻘⽊ 徹, 中野 貴之

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

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    開催年月日: 2022年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  10. Reduction of Specific Contact Resistance on p-type GaN by Thermal Annealed Mg Layer 国際会議

    Shun Lu, Manato Deki, Jia Wang, Kazuki Ohnishi, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano

    ICMaSS2021  2021年11月5日 

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    開催年月日: 2021年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  11. GaNへのMgイオン高温注入時におけるビーム電流量が欠陥導入に与える影響

    伊藤佑太, 渡邉浩崇, 安藤悠人, 出来真斗, 狩野絵美, 新田州吾, 本田 善央, 五十嵐信行, 田中敦之, 天野浩

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

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    開催年月日: 2021年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  12. 窒化ガリウム中プラセオジムの発光を利⽤したナノスケール領域温度計測

    佐藤 真⼀郎, 出来 真⽃, ⻄村 智朗, 渡邉 浩崇, 新⽥ 州吾, 本⽥ 善央, 天野 浩, Greentree Andrew, Gibson Brant, ⼤島 武

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月10日 

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    開催年月日: 2021年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  13. “Regrowth-free” Fabrication of AlGaN/GaN HBT with N-p-n Configuration 国際会議

    Takeru Kumabe, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano

    SSDM2021  2021年9月7日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

  14. Influence of Annealing on Sputtered Boron Nitride Film

    H. S. Wang, T. Sakai, X. Yang, M. Deki, M. Kushimoto, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

    ISPlasma2019  2019年3月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

  15. Effects of Drift Layer Thicknesses in Reverse Conduction Mechanism on Vertical GaN-on-GaN SBDs grown by MOCVD 国際共著 国際会議

    S. Abhinay, S. Arulkumaran, G.I. Ng, K. Ranjan, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda and H. Amano

    EDTM 2019  2019年3月14日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Bayfront Ave   国名:シンガポール共和国  

  16. Screw dislocations and nanopipe generation in a MOVPE-grown homoepitaxial layer on freestanding GaN substrates and the electrical influence on vertical p−n diodes 国際会議

    Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Hayata Fukushima, Yuto Ando, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Aman

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018  2018年11月15日 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Ishikawa   国名:日本国  

  17. Vertical GaN pn diode with Avalanche capability structure 国際会議

    Hayata Fukushima, Shigeyoshi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018  2018年11月12日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Ishikawa   国名:日本国  

  18. Effect of the misorientation angle of GaN substrate on high-indium-content InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議

    Zhibin Liu, Shugo Nitta, Yoann Robin, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, and Hiroshi Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, Ishikawa, Japan 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Ishikawa   国名:日本国  

  19. O2プラズマ処理およびO3酸化処理を行ったAl2O3/GaN構造の界面準位密度評価

    曾根 和詩、 松下 淳矢、 安藤 悠人、 永松 謙太郎、 田中 敦之、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  20. GaN自立基板上PNダイオードの逆方向リークと転位の関係

    宇佐美 茂佳、 安藤 悠人、 田中 敦之、 永松 謙太郎、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  21. 絶対吸収率と光電流測定とを組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量

    宇佐美 茂佳、 小島 一信、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 秩父 重英、 天野 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  22. Morphology control of InGaN layer on GaN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy

    Zhibin Liu, Ryosuke Miyagoshi, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  23. Si基板上半極性(1101)GaNストライプレーザー端面への反射膜作製

    鈴木 崇文、 伊藤 大貴、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  24. 2次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型 GaNHBT の作製

    安藤 悠人、 小倉 昌也、 松下 淳矢、 宇佐美 茂佳、 田中 敦之、 永松 謙太郎、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  25. m面GaN SBDの漏れ電流のファセット依存性

    バリー 1オースマネー、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  26. 窒化ホウ素を用いたGaN-MISキャパシタの作製と電気特性評価

    松下 淳矢、永松 謙太郎、Xu Yang、田中 敦之、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

    先進パワー半導体分科会第3回講演会 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  27. 自立基板上のn--GaN へのMg イオン注入によるp 型層の形成

    HE Shang、曾根和詩、田中敦之、宇佐美茂佳、永松謙太郎、宮本直樹、永山勉、出来真斗、本田善央、天野浩

    先進パワー半導体分科会第3回講演会 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  28. 2次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型GaN-HBTの作製

    安藤 悠人、小倉 昌也、松下 淳矢、宇佐美 茂佳、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

    先進パワー半導体分科会第三回講演会 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  29. Facet distribution of leakage current and carrier concentration in m-plane

    Atsushi Tanaka, Ousmane 1 Barry, Kentaro Nagamatsu, Junya Matsushita, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    IWN2016 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  30. Effect of dislocation on the growth of p-type GaN and device characteristics

    Shigeyoshi Usami, Ryosuke Miyagoshi, Kentaro Nagamatsu, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Manato Deki, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    IWN2016 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 4

  1. 高効率ユニバーサルパワーコンディショナーを用いた直流グリッドシステムの開発・検証

    2020年4月 - 2024年3月

    革新的な省CO2実現のための部材や素材の社会実装・普及展開加速化事業 

    上村俊也

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

  2. 高効率かつ高出力電動推進システム

    2019年4月 - 2022年3月

    航空機用先進システム実用化プロジェクト 

    岩熊 成卓

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

  3. 優れた空間遮断力とウイルス不活化機能をもつ卓上型エアカーテンの生成装置の開発

    2021年4月 - 2022年3月

    A-step 

    内山知実

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

  4. GaN基板上GaN系パワーデバイス開発

    2014年11月 - 2016年3月

    JSTスーパークラスタープログラム 

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者 

科研費 2

  1. 量子センサーの電気的制御を室温で実現するランタノイド注入GaNダイオード

    研究課題/研究課題番号:18H01483  2018年4月 - 2022年3月

    科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    佐藤 真一郎, 西村 智朗, 出来 真斗

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者 

    配分額:17030000円 ( 直接経費:13100000円 、 間接経費:3930000円 )

    今年度は、ナノスケール領域にPrイオン注入したGaNエピ膜にダイオード構造を作製し、自作した共焦点顕微鏡を用いてエレクトロルミネセンス(EL)発光の観測に挑戦したが、EL発光の観測には至らなかった。これは、ダイオードが縦型構造であり、Prイオン注入領域に発光に十分な電流が流れなかったこと、電極・GaN界面にバリア層が形成されており、良好なダイオード特性が得られていなかったことなどが要因として挙げられる。
    一方、イオン注入したPr3+のフォトルミネセンススペクトルの変化からナノスケール領域の温度が計測できることを見出し、詳細なデータ蓄積と具体的な応用例等の検討を加えて、2件の特許出願を行った。励起光源としては共鳴励起光が適しているが、GaNのバンドギャップを超える紫外光励起でも同様にスペクトル変化による温度センシングが可能である。このことは、電流注入発光(EL発光)でも同様に温度センシングが可能であることを示唆しており、量子センサの電気的制御が実現しうると考えられる。
    また、イオン注入したPr3+やNd3+からの発光の検出感度向上を目指して、ナノ構造やフォトニック結晶構造の導入による発光収集効率や発光レートの向上を検討し、実験的な試行を進めた。ナノピラー構造に導入したPr3+の発光は最大で20倍以上の発光収集効率の向上が実験的に得られ、光学シミュレーションの結果からは、最適構造に近づけることにより更なる向上が期待できることが判明した。また、フォトニック結晶構造については、具体的な微細加工プロセスについての条件を決定し、実際に高精度のフォトニック結晶構造を作製することに成功した。
    2020年度では、GaNのナノスケール領域にイオン注入したPr3+のエレクトロルミネセンス(EL)発光の観測には至らなかったが、Pr3+のフォトルミネセンススペクトル変化を利用したナノスケール領域の温度センシング、すなわち量子センシングの具体的な手法を考案したため、おおむね順調な進展が得られていると考えている。引き続き、EL発光の検出およびそれを用いた量子センシングについて研究を進めるとともに、電界や磁界の検出方法についても検討する。
    今後は、引き続きナノスケール領域にPrイオン注入したGaNエピ膜にダイオード構造を作製し、自作した共焦点顕微鏡でエレクトロルミネセンス(EL)発光を観測するとともに、温度変化に伴うELスペクトルの変化を観測することで、レーザー光励起を必要としない量子センシングを実証する。また、HEMTエピ(AlGaN/GaNエピ)にイオン注入し、HEMTによるPr電流注入発光にも挑戦する。これらの実現にあたっては、イオン注入したPrに十分な電流注入が可能なクオリティのデバイス(ダイオード・HEMT)を作製する必要があるため、デバイス構造に加え、イオン注入条件(エネルギー・照射量・注入面積)や熱処理条件(キャップ材料・温度・時間)を再度検討する。さらに、電界や磁界の検出方法についても検討を行う。
    また、発光強度の向上、すなわち、量子センサとしての感度向上を目的として、Prイオン注入したGaNエピ膜上にナノピラー構造を形成し、より少ないアンサンブル数のPr3+からの発光の検出を行い、究極的には1個のPr3+の発光検出を行う。Prイオン注入したGaNエピ膜に、電子ビーム描画・金属蒸着・ドライエッチング等の処理を施すことで、光学シミュレーションから推定される最適な構造のナノピラーを作製する。ナノピラー中Prからの発光観測およびナノピラー構造による発光収集効率の増加率について検討する。また、2台の光子検出器を用いた光子相関測定により、単一Pr3+の発光検出を確認する。
    さらに、フォトニック結晶構造との光学カップリングによるNd3+の発光レート向上にも挑戦する。電子ビーム描画やドライエッチング処理を用いて、Nd3+をインプラしたSi基板上GaNエピ膜にフォトニック結晶L3共振器構造を作製し、発光レートの向上(発光遷移寿命の減少)を調べる。

  2. 光容量法を用いたⅢ-V族系半導体結晶における深い欠陥準位の解明

    研究課題/研究課題番号:16K18077  2016年4月 - 2019年3月

    出来 真斗

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    担当区分:研究代表者 

    配分額:4290000円 ( 直接経費:3300000円 、 間接経費:990000円 )

    光容量法およびDLTS法を用いて窒化物半導体における深い準位の測定および絶縁膜/GaN界面における界面準位測定を行った。光容量測定装置およびDLTS測定装置を構築し、GaN-SBDにおける深い準位測定を行った結果、光容量測定に置いて、DLTS法では確認できなかった1~2eVの深い準位の測定に成功した。また、絶縁膜/GaN界面における深い準位に関しては、CV法を用いてALD-GaNMOSキャパシタの界面準位を測定した。界面準位を評価した結果、オゾン曝露試料において、ヒステリシスが改善され、VFBも理想値に近づき、DMOSFETにおけるチャネル移動度向上を達成した。
    これまでの光容量法に関する報告では、欠陥密度の光子エネルギー依存性を測定する際に、1つの光子エネルギーあたり5分程度の測定時間を要していたが、本測定では0.5sec程度の時間スケールで静電容量の過渡応答を測定するため、測定時間を短縮可能であり、研究の加速化が図れる。今回申請者が提案した装置を用いることで、DLOS、DLTS、およびMCTSから得られた欠陥準位とデバイス特性との対応が取れると予想される。一方で、これらの測定手法を統合的に用いて GaNデバイス中の結晶欠陥分布と起源を明らかにする報告は無く、世界に先駆けてGaNパワーデバイス実現に向けた意義ある研究と言える。

産業財産権 3

  1. 窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法

    出来 真斗、陸順、天野浩、本田善央

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    出願番号:特願2021-121826 

    公開日:2021年9月

  2. 温度センサ、温度検出装置、温度検出方法、温度検出プログラム、および 温度センサの製造方法

    佐藤 真一郎、出来 真斗、西村 智朗

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    出願番号:特願2021-032895  

    公開日:2021年3月

  3. 温度検出装置、温度センサ、温度検出方法、および温度検出プログラム

    佐藤 真一郎、出来 真斗、西村 智朗

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    出願番号:特願2021-032894 

    公開日:2021年3月

 

担当経験のある科目 (本学) 22

  1. ベンチャービジネス特論Ⅰ

    2021

  2. 最先端理工学実験

    2021

  3. 最先端理工学特論

    2021

  4. ベンチャービジネス特論Ⅱ

    2021

  5. ナノ情報デバイスセミナー2E

    2021

  6. ナノ情報デバイスセミナー2C

    2021

  7. ナノ情報デバイスセミナー2A

    2021

  8. ナノ情報デバイスセミナー1A

    2021

  9. ナノ情報デバイスセミナー2D

    2021

  10. ナノ情報デバイスセミナー1D

    2021

  11. ナノ情報デバイスセミナー1B

    2021

  12. 電気電子情報工学実験第1

    2017

     詳細を見る

    電気電子情報工学に関する以下のテーマについて実験・レポートの作成を行う

  13. 電気・電子工学実験第2

    2017

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    •本講座の目的およびねらい
    以下のテーマのうち1つについて、実験の計画案、実行、検討、結果の報告発表を行う。それぞれの自主性・独創性を期待する。

    •バックグラウンドとなる科目
    電気・電子工学実験第1

    •授業内容
    H1 モーションコントロール
    H2 超電導線を用いた電力系統保護システム
    H3 LSI設計演習
    H4 高温超伝導材料の作製
    H5 FETの作製
    H6 超音波センサを用いた移動体コントロール
    H7 音声送受信システム
    H10 ロボットビジョン
    H11 デジタル画像処理による情報再生
    H12 RFプラズマ生成とプラズマ応用
    H13 太陽光発電システム用簡易型MPPTの製作
    H14 Webシステム構築
    H15 エネルギーハーベスティング回路の構築

    •教科書

    •参考書
    電気・電子工学実験指導書

    •評価方法と基準
    プレゼンテーションとレポートの評価により、100点満点で合計点が60点以上を合格とする。

    •履修条件・注意事項

    •質問への対応
    担当者が対応する

  14. 固体電子工学及び演習

    2017

     詳細を見る

    •本講座の目的およびねらい
    電気電子材料の基礎である固体における化学結合、結晶構造、固体中の電子の挙動、ならびに固体の電子物性の理解を目的とする。演習を通じて学んだ事項の定着を図りつつ、電子デバイスの動作原理を説明できる力を培う。

    •バックグラウンドとなる科目
    量子力学及び演習

    •授業内容
    1.概要 
    2.原子軌道と分子軌道 
    3.固体における化学結合 
    4.結晶構造 
    5.結晶構造と対称性 
    6.逆格子と回析 
    7.自由電子モデル 
    8.格子振動 
    9.固体中の電子 
    10.半導体 
    11.電子の運動と輸送現象 
    12.pn接合 
    13.磁場の中の電子 

    •教科書
    [1]チャールズ キッテル著 「キッテル 固体物理学入門 第8版〈上〉」丸善 ISBN 978-4-621-07653-8
    [2]講義録 http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/nakazatolab/nakazato/Lssee.htm

    •参考書
    [1]若原 昭浩編著 新インターユニバーシティ「固体電子物性」オーム社 ISBN978-4-274-20781-5 [2]溝口 正著「物質化学の基礎 物性物理学」裳華房、ISBN4-7853-2034-6 [3]Neil W. Ashcroft, N.David Mermin, Solid State Physics, Thomson Learning (1976), ISBN-10:0030839939, ISBN-13:978-0030839931 (邦訳) アシュクロフト, マーミン 著, 松原 武生, 町田 一成 訳「固体物理の基礎 上・1 固体電子論概論、上・2 固体のバンド理論、下・1 固体フォノンの諸問題、下・2 固体の物性各論」 (物理学叢書) 吉岡書店、ISBN-10:4842701986, ISBN-13:978-4842701981; ISBN-10:4842701994, ISBN-13:978-4842701998; ISBN-10:4842702028, ISBN-13:978-4842702025; ISBN-10:4842703474, ISBN-13:978-4842703473

    •評価方法と基準
    レポート、期末試験により目標達成度を評価する。総合的に100点満点で60点以上を合格とし、100~90点:S,89~80点:A,79~70点:B,69~60点:C,59点以下:Fとする。演習(50%)、期末試験(50%)

    •履修条件・注意事項

    •質問への対応
    講義終了時に対応する

  15. 卒業研究A

    2017

     詳細を見る

    •本講座の目的およびねらい
    研究室において与えられた課題に関する研究を行うことにより、研究の進め方やデータの整理方法、発表方法を学ぶ。

    •バックグラウンドとなる科目

    •授業内容

    •教科書

    •参考書

    •評価方法と基準

    •履修条件・注意事項

    •質問への対応

  16. 卒業研究A

    2016

     詳細を見る

    •本講座の目的およびねらい
    研究室において与えられた課題に関する研究を行うことにより、研究の進め方やデータの整理方法、発表方法を学ぶ。

    •バックグラウンドとなる科目

    •授業内容

    •教科書

    •参考書

    •評価方法と基準

    •履修条件・注意事項

    •質問への対応

  17. 電気電子情報工学実験第1

    2016

     詳細を見る

    電気電子情報工学に関する以下のテーマについて実験・レポートの作成を行う

  18. 電気・電子工学実験第2

    2016

     詳細を見る


    •本講座の目的およびねらい
    以下のテーマのうち1つについて、実験の計画案、実行、検討、結果の報告発表を行う。それぞれの自主性・独創性を期待する。

    •バックグラウンドとなる科目
    電気・電子工学実験第1

    •授業内容
    H1 モーションコントロール
    H2 超電導線を用いた電力系統保護システム
    H3 LSI設計演習
    H4 高温超伝導材料の作製
    H5 FETの作製
    H6 超音波センサを用いた移動体コントロール
    H7 音声送受信システム
    H10 ロボットビジョン
    H11 デジタル画像処理による情報再生
    H12 RFプラズマ生成とプラズマ応用
    H13 太陽光発電システム用簡易型MPPTの製作
    H14 Webシステム構築
    H15 エネルギーハーベスティング回路の構築

    •教科書

    •参考書
    電気・電子工学実験指導書

    •評価方法と基準
    プレゼンテーションとレポートの評価により、100点満点で合計点が60点以上を合格とする。

    •履修条件・注意事項

    •質問への対応
    担当者が対応する

  19. 固体電子工学及び演習

    2016

     詳細を見る

    •本講座の目的およびねらい
    電気電子材料の基礎である固体における化学結合、結晶構造、固体中の電子の挙動、ならびに固体の電子物性の理解を目的とする。演習を通じて学んだ事項の定着を図りつつ、電子デバイスの動作原理を説明できる力を培う。

    •バックグラウンドとなる科目
    量子力学及び演習

    •授業内容
    1.概要 
    2.原子軌道と分子軌道 
    3.固体における化学結合 
    4.結晶構造 
    5.結晶構造と対称性 
    6.逆格子と回析 
    7.自由電子モデル 
    8.格子振動 
    9.固体中の電子 
    10.半導体 
    11.電子の運動と輸送現象 
    12.pn接合 
    13.磁場の中の電子 

    •教科書
    [1]チャールズ キッテル著 「キッテル 固体物理学入門 第8版〈上〉」丸善 ISBN 978-4-621-07653-8
    [2]講義録 http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/nakazatolab/nakazato/Lssee.htm

    •参考書
    [1]若原 昭浩編著 新インターユニバーシティ「固体電子物性」オーム社 ISBN978-4-274-20781-5 [2]溝口 正著「物質化学の基礎 物性物理学」裳華房、ISBN4-7853-2034-6 [3]Neil W. Ashcroft, N.David Mermin, Solid State Physics, Thomson Learning (1976), ISBN-10:0030839939, ISBN-13:978-0030839931 (邦訳) アシュクロフト, マーミン 著, 松原 武生, 町田 一成 訳「固体物理の基礎 上・1 固体電子論概論、上・2 固体のバンド理論、下・1 固体フォノンの諸問題、下・2 固体の物性各論」 (物理学叢書) 吉岡書店、ISBN-10:4842701986, ISBN-13:978-4842701981; ISBN-10:4842701994, ISBN-13:978-4842701998; ISBN-10:4842702028, ISBN-13:978-4842702025; ISBN-10:4842703474, ISBN-13:978-4842703473

    •評価方法と基準
    レポート、期末試験により目標達成度を評価する。総合的に100点満点で60点以上を合格とし、100~90点:S,89~80点:A,79~70点:B,69~60点:C,59点以下:Fとする。演習(50%)、期末試験(50%)

    •履修条件・注意事項

    •質問への対応
    講義終了時に対応する

  20. 卒業研究A

    2015

     詳細を見る

    •本講座の目的およびねらい
    研究室において与えられた課題に関する研究を行うことにより、研究の進め方やデータの整理方法、発表方法を学ぶ。

    •バックグラウンドとなる科目

    •授業内容

    •教科書

    •参考書

    •評価方法と基準

    •履修条件・注意事項

    •質問への対応

  21. 電気電子情報工学実験第1

    2015

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    電気電子情報工学に関する以下のテーマについて実験・レポートの作成を行う

  22. 固体電子工学及び演習

    2015

     詳細を見る

    •本講座の目的およびねらい
    電気電子材料の基礎である固体における化学結合、結晶構造、固体中の電子の挙動、ならびに固体の電子物性の理解を目的とする。演習を通じて学んだ事項の定着を図りつつ、電子デバイスの動作原理を説明できる力を培う。

    •バックグラウンドとなる科目
    量子力学及び演習

    •授業内容
    1.概要 
    2.原子軌道と分子軌道 
    3.固体における化学結合 
    4.結晶構造 
    5.結晶構造と対称性 
    6.逆格子と回析 
    7.自由電子モデル 
    8.格子振動 
    9.固体中の電子 
    10.半導体 
    11.電子の運動と輸送現象 
    12.pn接合 
    13.磁場の中の電子 

    •教科書
    [1]チャールズ キッテル著 「キッテル 固体物理学入門 第8版〈上〉」丸善 ISBN 978-4-621-07653-8
    [2]講義録 http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/nakazatolab/nakazato/Lssee.htm

    •参考書
    [1]若原 昭浩編著 新インターユニバーシティ「固体電子物性」オーム社 ISBN978-4-274-20781-5 [2]溝口 正著「物質化学の基礎 物性物理学」裳華房、ISBN4-7853-2034-6 [3]Neil W. Ashcroft, N.David Mermin, Solid State Physics, Thomson Learning (1976), ISBN-10:0030839939, ISBN-13:978-0030839931 (邦訳) アシュクロフト, マーミン 著, 松原 武生, 町田 一成 訳「固体物理の基礎 上・1 固体電子論概論、上・2 固体のバンド理論、下・1 固体フォノンの諸問題、下・2 固体の物性各論」 (物理学叢書) 吉岡書店、ISBN-10:4842701986, ISBN-13:978-4842701981; ISBN-10:4842701994, ISBN-13:978-4842701998; ISBN-10:4842702028, ISBN-13:978-4842702025; ISBN-10:4842703474, ISBN-13:978-4842703473

    •評価方法と基準
    レポート、期末試験により目標達成度を評価する。総合的に100点満点で60点以上を合格とし、100~90点:S,89~80点:A,79~70点:B,69~60点:C,59点以下:Fとする。演習(50%)、期末試験(50%)

    •履修条件・注意事項

    •質問への対応
    講義終了時に対応する

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