2022/03/25 更新

写真a

アライダイ マサアキ
洗平 昌晃
ARAIDAI Masaaki
所属
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター マルチフィジックスシミュレーション部 助教
大学院担当
大学院工学研究科
学部担当
工学部
職名
助教

学位 1

  1. 博士(理学) ( 2007年9月   東京理科大学 ) 

研究キーワード 2

  1. 計算物質科学

  2. 表面・界面電子物性

研究分野 2

  1. ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性  / 表面・界面電子物性

  2. ナノテク・材料 / ナノ材料科学  / 計算物質科学

経歴 5

  1. 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター   助教

    2015年10月 - 現在

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    国名:日本国

  2. 名古屋大学 大学院工学研究科 量子工学専攻   助教

    2013年8月 - 2015年9月

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    国名:日本国

  3. 筑波大学 計算科学研究センター 研究員

    2012年8月 - 2013年7月

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    国名:日本国

  4. 東北大学 原子分子材料科学高等研究機構 産学官連携研究員

    2009年4月 - 2012年7月

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    国名:日本国

  5. 早稲田大学 ナノ理工学研究機構 客員講師(専任扱い)

    2007年11月 - 2009年3月

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    国名:日本国

学歴 3

  1. 東京理科大学   理学研究科   物理学専攻

    2004年4月 - 2007年9月

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    国名: 日本国

  2. 東京理科大学   理学研究科   物理学専攻

    2002年4月 - 2004年3月

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    国名: 日本国

  3. 東京理科大学   理学部   物理学科

    1998年4月 - 2002年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 4

  1. 日本物理学会

  2. 応用物理学会

  3. 日本表面科学会

  4. 日本磁気学会

受賞 7

  1. MNC 2017 Award for Outstanding Paper

    2018年11月   31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference Organizing Committee   Growth of Two-Dimensional Ge Crystal by Annealing of Heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N<sub>2</sub> Ambient

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

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    受賞区分:国内外の国際的学術賞  受賞国:日本国

  2. 日本磁気学会論文賞

    2016年9月   公益社団法人 日本磁気学会  

    高橋秀和,洗平昌晃,岡田晋,白石賢二

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    受賞区分:学会誌・学術雑誌による顕彰  受賞国:日本国

  3. 日本磁気学会論文賞

    2016年9月   公益社団法人 日本磁気学会   Theoretical Investigation on Electronic and Magnetic Structures of FeRh

    高橋秀和, 洗平昌晃, 岡田晋, 白石賢二

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  4. IWDTF Young Paper Award

    2015年11月   Organizing Committee of 2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-   Evaluation of Energy Band Structure of Si1-xSnx by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy

    Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  5. IWDTF Young Paper Award

    2015年11月   Organizing Committee of 2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-   Evaluation of Energy Band Structure of Si<sub>1-x</sub>Sn<sub>x</sub> by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy

    Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, S. Zaima

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    受賞区分:国内外の国際的学術賞  受賞国:日本国

  6. 2015年応用物理学会春季学術講演会Poster Award

    2015年3月   公益社団法人 応用物理学会  

    白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  7. 2015年応用物理学会春季学術講演会Poster Award

    2015年3月   公益社団法人 応用物理学会   First principles stucy on atomic defects in insulators of MONOS memory

    白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

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論文 84

  1. Crystal structure change in multilayer GeH flakes by hydrogen desorption under ultrahigh vacuum environments 査読有り

    M. Itoh, M. Araidai, A. Ohta, O. Nakatsuka, M. Kurosawa

    Japanese Journal of Applied Physics   61 巻   頁: SC1048   2022年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac4140

  2. Single germanene phase formed by segregation through Al(111) thin films on Ge(111) 査読有り 国際共著

    J. Yuhara, H. Muto, M. Araidai, M. Kobayashi, A. Ohta, S. Miyazaki, S. Takakura, M. Nakatake, G. Le Lay

    2D Materials   8 巻 ( 4 ) 頁: 045039   2021年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:{IOP} Publishing  

    DOI: 10.1088/2053-1583/ac2bef

    Web of Science

  3. Accurate meso-scale dynamics by kinetic Monte Carlo simulation via free energy multicanonical sampling: oxygen vacancy diffusion in BaTiO3 査読有り

    H. Nakata, M. Araidai, S. Bai, H. Hirano, T. Tada

    Science and Technology of Advanced Materials: Methods   1 巻 ( 1 ) 頁: 109 - 122   2021年8月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Informa {UK} Limited  

    DOI: 10.1080/27660400.2021.1930915

  4. カリウムイオンエレクトレットにおける負電荷蓄積機構の第一原理計算による検討 査読有り

    中西徹,宮島岳史,長川健太,洗平昌晃,杉山達彦,橋口原,白石賢二

    電気学会論文誌E   141 巻 ( 8 ) 頁: 292 - 298   2021年8月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1541/ieejsmas.141.292

  5. In-plane strain-free stanene on a Pd2Sn(111) surface alloy 査読有り 国際共著

    J. Yuhara, T. Ogikubo, M. Araidai, S. Takakura, M. Nakatake, G. Le Lay

    Physical Review Materials   5 巻 ( 5 ) 頁: 053403   2021年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.5.053403

    Web of Science

  6. Theoretical study on the effect of H2 and NH3 on trimethylgallium decomposition process in GaN MOVPE 査読有り

    S. Sakakibara, K. Chokawa, M. Araidai, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Shiraishi

    Japanese Journal of Applied Physics   60 巻 ( 4 ) 頁: 045507   2021年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abf089

    Web of Science

  7. First-Principles Calculation of Copper Oxide Superconductors That Supports the Kamimura-Suwa Model 査読有り

    H. Kamimura, M. Araidai, K. Ishida, S. Matsuno, H. Sakata, K. Shiraishi, O. Sugino, J.-S. Tsai

    Condensed Matter   5 巻 ( 4 ) 頁: 69   2020年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/condmat5040069

    Web of Science

  8. Negative-charge-storing mechanism of potassium-ion SiO2-based electrets for vibration-powered generators 査読有り

    T. Nakanishi, T. Miyajima, K. Chokawa, M. Araidai, H. Toshiyoshi, T. Sugiyama, G. Hashiguchi, K. Shiraishi

    Applied Physics Letters   117 巻 ( 19 ) 頁: 193902   2020年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0029012

    Web of Science

  9. Hydrogen desorption from silicane and germanane crystals: Toward creation of free-standing monolayer silicene and germanene 招待有り 査読有り

    M. Araidai, M. Itoh, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

    Journal of Applied Physics   128 巻 ( 12 ) 頁: 125301   2020年9月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0018855

    Web of Science

  10. Thermodynamic analysis of the gas phase reaction of Mg-doped GaN growth by HVPE using MgO 査読有り

    T. Kimura, K. Ohnishi, Y. Amano, N. Fujimoto, M. Araidai, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, Y. Kangawa, K. Shiraishi

    Japanese Journal of Applied Physics   59 巻 ( 8 ) 頁: 088001   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  11. Epitaxial growth of honeycomb-like stanene on Au(111) 査読有り 国際共著

    W. Pang, K. Nishino, T. Ogikubo, M. Araidai, M. Nakatake, G. Le Lay, J. Yuhara

    Applied Surface Science   517 巻   頁: 146224   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.146224

    Web of Science

    Scopus

  12. Continuous Growth of Germanene and Stanene Lateral Heterostructures 査読有り 国際共著

    T. Ogikubo, H. Shimazu, Y. Fujii, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, G. Le Lay, J. Yuhara

    Advanced Materials Interfaces   7 巻 ( 10 ) 頁: 1902132   2020年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/admi.201902132

    Web of Science

    Scopus

  13. Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface 査読有り

    M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, N. Taoka, T. Simizu, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   59 巻   頁: SGGK15   2020年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab69de

    Web of Science

    Scopus

  14. Morphology and Electronic Structure of Sn-Intercalated TiS2(0001) Layers 査読有り 国際共著

    J. Yuhara, N. Isobe, K. Nishino, Y. Fujii, L.H. Chan, M. Araidai, M. Nakatake

    Journal of Physical Chemistry C   123 巻 ( 36 ) 頁: 22293 - 22298   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    © 2019 American Chemical Society. The surface morphology and electronic structure of layered semiconductor 1-trigonal phase titanium disulfide, i.e., 1T-TiS2(0001), with Sn intercalation, have been studied by scanning tunneling microscopy (STM), low-energy electron diffraction, synchrotron radiation photoemission spectroscopy, and first-principles calculations based on density functional theory (DFT). From the STM images, we show that Sn atoms are intercalated into TiS2 layers. The electronic structure exhibits electron Fermi pockets around M points and characteristic band dispersions around the M and K points after Sn intercalation. The DFT calculations reveal the geometrical site of intercalated Sn atom, which is surrounded by six sulfur atoms with D3d symmetry. The calculated electronic band structures are in good agreement with the experimental band structure.

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.9b05492

    Web of Science

    Scopus

  15. Theoretical studies on the switching mechanism of VMCO memories 査読有り

    T. Nakanishi, K. Chokawa, M. Araidai, T. Nakayama, K. Shiraishi

    Microelectronic Engineering   215 巻   頁: 110997   2019年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    © 2019 Elsevier B.V. In this work, we propose a new switching model for Vacancy Modulated Conductive Oxide (VMCO) memories which are non-filamentary resistive switching memories. In recent years, attention has been drawn to VMCO memories because the current through them depends on the area of the device. Since the switching mechanism in VMCO memories has not yet been clarified, we carried out first principles calculations to study this phenomenon. Previous studies have shown that a current path is created by the oxygen vacancies (Vo) in TiO2. We discovered that the formation and disappearance of Vo near the TiO2/a-Si interface in TiO2 can be controlled by applying a voltage, and that this could be used to control the current. From this, we proposed a new switching model for VMCO memories.

    DOI: 10.1016/j.mee.2019.110997

    Web of Science

    Scopus

  16. Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN 査読有り

    T. Nakano, K. Chokawa, M. Araidai, K. Shiraishi, A. Oshiyama, A. Kusaba, Y. Kangawa, A. Tanaka, Y. Honda, H. Amano

    2019 Compound Semiconductor Week, CSW 2019 - Proceedings     2019年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    © 2019 IEEE. It is known that threading dislocations degrade the performance of GaN-based electronic devices. Electronic structure of threading dislocations in GaN is not fully understood. Accordingly, we examine the electronic structures of threading dislocations in GaN using first principles calculations based on density functional theory (DFT) and to clarify the origin of the leakage current. We have comprehensively studied the relation between threading core structures and electronic property in GaN thin films. Our calculation models of threading dislocations are the edge dislocations with Burgers vectors of 1/3 [11-20] and the screw dislocations with Burgers vectors of [0001]. We examined various core types of the threading dislocations. We found that both edge dislocations and screw dislocations do not cause the leakage currents in n-type GaN based devices because no defect level appears near the conduction band bottom.

    DOI: 10.1109/ICIPRM.2019.8819270

    Scopus

  17. Influence of edge magnetization and electric fields on zigzag silicene, germanene and stanene nanoribbons 査読有り 国際誌

    A. Hattori, K. Yada, M. Araidai, M. Sato, K. Shiraishi, Y. Tanaka

    Journal of Physics Condensed Matter   31 巻 ( 10 ) 頁: 105302 - 105302   2019年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Using a multi-orbital tight-binding model, we have studied the edge states of
    zigzag silicene, germanene, and stanene nanoribbons (ZSiNRs, ZGeNRs and ZSnNRs,
    respectively) in the presence of the Coulomb interaction and a vertical
    electric field. The resulting edge states have non-linear energy dispersions
    due to multi-orbital effects, and the nanoribbons show induced magnetization at
    the edges. Owing to this non-linear dispersion, ZSiNRs, ZGeNRs and ZSnNRs may
    not provide superior performance in field effect transistors, as has been
    proposed from single-orbital tight-binding model calculations. We propose an
    effective low-energy model that describes the edge states of ZSiNRs, ZGeNRs,
    and ZSnNRs. We demonstrate that the edge states of ZGeNR and ZSnNR show
    anti-crossing of bands with opposite spins, even if only out-of-plane edge
    magnetization is present. The ability to tune the spin polarizations of the
    edge states by applying an electric field points to future opportunities to
    fabricate silicene, germanene and stanene nanoribbons as spintronics devices.

    DOI: 10.1088/1361-648X/aaf8ce

    Web of Science

    Scopus

    PubMed

    arXiv

  18. Physical origin of excellent data retention over 10years at sub-μA operation in AgW-alloy ionic memory 査読有り

    M. Yamaguchi, S. Fujii, Y. Yoshimura, R. Nagasawa, Y. Asayama, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi, T. Nakayama, M. Saitoh

    2019 IEEE 11th International Memory Workshop, IMW 2019     頁: 1 - 3   2019年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    © 2019 IEEE. We clarify the physical origin of excellent performance and reliability in AgW-alloy ionic memory. AgW-alloy ionic memory shows low operation current in sub-μA range, good data retention and low operation voltage, which are desirable characteristics for high-density cross-point applications. Mechanisms of the improvements in AgW alloy devices compared to pure Ag and AgTi alloy devices are discussed based on first-principles calculations. We find that large cohesive energy of W is a key for improving data retention while keeping low operation voltage in AgW-alloy ionic memory.

    DOI: 10.1109/IMW.2019.8739678

    Web of Science

    Scopus

  19. Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN

    T. Nakano, K. Chokawa, M. Araidai, K. Shiraishi, A. Oshiyama, A. Kusaba, Y. Kangawa, A. Tanaka, Y. Honda, A. Hiroshi

    2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)     2019年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    Web of Science

  20. Germanene Epitaxial Growth by Segregation through Ag(111) Thin Films on Ge(111) 査読有り 国際共著 国際誌

    J. Yuhara, H. Shimazu, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, M. Nakatake, G. Le Lay

    ACS Nano   12 巻 ( 11 ) 頁: 11632 - 11637   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    © 2018 American Chemical Society. Large-scale two-dimensional sheets of graphene-like germanium, namely, germanene, have been epitaxially prepared on Ag(111) thin films grown on Ge(111), using a segregation method, differing from molecular beam epitaxy used in previous reports. From the scanning tunneling microscopy (STM) images, the surface is completely covered with an atom-thin layer showing a highly ordered long-range superstructure in wide scale. Two types of protrusions, named hexagon and line, form a (7âš7 × 7âš7)R19.1° supercell with respect to Ag(111), with a very large periodicity of 5.35 nm. Auger electron spectroscopy and high-resolution synchrotron radiation photoemission spectroscopy demonstrate that Ge atoms are segregated on the Ag(111) surface as an overlayer. Low-energy electron diffraction clearly shows incommensurate "(1.35 × 1.35)"R30° spots, corresponding to a lattice constant of 0.39 nm, in perfect accord with close-up STM images, which clearly reveal an internal honeycomb arrangement with corresponding parameter and low buckling within 0.01 nm. As this 0.39 nm value is in good agreement with the theoretical lattice constant of free-standing germanene, conclusively, the segregated Ge atoms with trivalent bonding in honeycomb configuration form a characteristic two-dimensional germanene-like structure.

    DOI: 10.1021/acsnano.8b07006

    Web of Science

    Scopus

    PubMed

  21. Effects of annealing with CO and CO2 molecules on oxygen vacancy defect density in amorphous SiO2 formed by thermal oxidation of SiC 査読有り

    K. Chokawa, M. Araidai, K. Shiraishi

    Journal of Applied Physics   124 巻 ( 13 ) 頁: 135701   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    © 2018 Author(s). SiO2 formed by the thermal oxidation of SiC has numerous defects, and the stoichiometry of the SiO2 near the SiC/SiO2 interface differs from that of SiO2 near the Si/SiO2 interface. We assume that, during the oxidation of SiC, CO and CO2 molecules are released, and that these molecules interact with the SiO2 and form defects. Considering the Gibbs free energy of these molecules, we found that CO molecules reduce part of the amorphous SiO2 at high temperatures, resulting in the formation of oxygen vacancy defects concomitant with the formation of CO2 molecules. In particular, when the partial pressure of the CO molecules is higher than that of the CO2 molecules, the number of oxygen vacancy defects increases. This means that post-oxidation annealing with CO molecules induces defects and degrades the breakdown field of SiO2. On the other hand, when the partial pressure of the CO2 molecules is larger than that of the CO molecules, reduction by the CO molecules does not occur, and the CO2 molecules can oxidize oxygen vacancy defects in SiO2. This means that post-oxidation annealing with CO2 molecules enables recovery of the oxygen vacancy defects and improves the breakdown field and flatband shift of SiO2 gate dielectrics. Accordingly, it is possible to reduce the formation of oxygen vacancies in amorphous SiO2 by performing post-oxidation annealing in a CO2 gas ambient.

    DOI: 10.1063/1.5041794

    Web of Science

    Scopus

  22. Theoretical study of the atomistic behavior of O vacancy complexes with N and H atoms in the SiO<inf>2</inf> layer of a metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor memory: Physical origin of the irreversible threshold voltage shift observed in metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor memories 査読有り

    H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, K. Shiraishi

    Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 8 ) 頁: 81101 - 81101   2018年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    © 2018 The Japan Society of Applied Physics. Metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor (MONOS) memories are attracting considerable interest for use as next-generation three-dimensional (3D) NAND flash memories; however, these memories have a serious reliability issue, that is, the irreversible threshold voltage shift arising from the generation of interface states at the Si/SiO2 interface due to program/erase (P/E) cycling. The clarification of the origin of this shift is essential in order to enable us to design high-reliability MONOS devices in the future. We clarified from first-principles calculations that defects consisting of an O vacancy and two substituent N atoms, (NO)2VO, are generated in SiO2, and that these turn into positively charged NSi2H2+ defects by trapping protons when a negative gate bias is applied. Furthermore, we found that thermal treatment in H2 atmosphere prevents (NO)2VO defects from turning into NSi2H2+ defects. This work clearly shows that proton trapping by (NO)2VO defects in SiO2 is the cause of interface state generation, leading to irreversible threshold voltage shifts during P/E cycling.

    DOI: 10.7567/JJAP.57.081101

    Web of Science

    Scopus

  23. Effect of incorporation of nitrogen atoms in Al2O3 gate dielectric of wide-bandgap-semiconductor MOSFET on gate leakage current and negative fixed charge 査読有り

    E. Kojima, K. Chokawa, H. Shirakawa, M. Araidai, T. Hosoi, H. Watanabe, K. Shiraishi

    Applied Physics Express   11 巻 ( 6 ) 頁: 61501 - 61501   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    © 2018 The Japan Society of Applied Physics. We performed first-principle calculations to investigate the effect of incorporation of N atoms into Al2O3 gate dielectrics. Our calculations show that the defect levels generated by VO in Al2O3 are the origin of the stress-induced gate leakage current and that VOVAl complexes in Al2O3 cause negative fixed charge. We revealed that the incorporation of N atoms into Al2O3 eliminates the VO defect levels, reducing the stress-induced gate leakage current. Moreover, this suppresses the formation of negatively charged VOVAl complexes. Therefore, AlON can reduce both stress-induced gate leakage current and negative fixed charge in wide-bandgap-semiconductor MOSFETs.

    DOI: 10.7567/APEX.11.061501

    Web of Science

    Scopus

  24. Growth of two-dimensional Ge crystal by annealing of heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N2 ambient 査読有り

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 6 ) 頁: 06HD08 - 06HD08   2018年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    © 2018 The Japan Society of Applied Physics. The growth of a two-dimensional crystal of Ge atoms on an atomically flat Ag(111) surface has been demonstrated by the thermal annealing of a heteroepitaxial Ag/Ge structure in N2 ambient at atmospheric pressure. The surface morphology and chemical bonding features of heteroepitaxial Ag(111) grown on wet-cleaned Ge(111) after annealing at different temperatures and for various times have been systematically investigated to control the surface segregation of Ge atoms and the planarization of the heteroepitaxial Ag(111) surface.

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06HD08

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  25. First principles investigation of the unipolar resistive switching mechanism in an interfacial phase change memory based on a GeTe/Sb2Te3 superlattice 査読有り

    H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

    Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 4 ) 頁: 04FE08 - 04FE08   2018年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    © 2018 The Japan Society of Applied Physics. The interfacial phase change memory (iPCM) based on a GeTe/Sb2Te 3 superlattice is one of the candidates for future storage class memories. However, the atomic structures of the high and low resistance states (HRS/LRS) remain unclear and the resistive switching mechanism is still under debate. Clarifying the switching mechanism is essential for developing further high-reliability and low-power-consumption iPCM. We propose, on the basis of the results of first-principles molecular dynamics simulations, a mechanism for resistive switching, and describe the atomic structures of the high and low resistance states of iPCM for unipolar switching. Our simulations indicated that switching from HRS to LRS occurs with Joule heating only, while that from LRS to HRS occurs with both hole injection and Joule heating.

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FE08

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  26. First-principles calculations of orientation dependence of Si thermal oxidation based on Si emission model 査読有り

    T. Nagura, S. Kawachi, K. Chokawa, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, K. Shiraishi

    Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 4 ) 頁: 04FB06 - 04FB06   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    © 2018 The Japan Society of Applied Physics. It is expected that the off-state leakage current of MOSFETs can be reduced by employing vertical body channel MOSFETs (V-MOSFETs). However, in fabricating these devices, the structure of the Si pillars sometimes cannot be maintained during oxidation, since Si atoms sometimes disappear from the Si/oxide interface (Si missing). Thus, in this study, we used first-principles calculations based on the density functional theory, and investigated the Si emission behavior at the various interfaces on the basis of the Si emission model including its atomistic structure and dependence on Si crystal orientation. The results show that the order in which Si atoms are more likely to be emitted during thermal oxidation is (111) > (110) > (310) > (100). Moreover, the emission of Si atoms is enhanced as the compressive strain increases. Therefore, the emission of Si atoms occurs more easily in V-MOSFETs than in planar MOSFETs. To reduce Si missing in V-MOSFETs, oxidation processes that induce less strain, such as wet or pyrogenic oxidation, are necessary.

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FB06

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  27. Segregated SiGe ultrathin layer formation and surface planarization on epitaxial Ag(111) by annealing of Ag/SiGe(111) with different Ge/(Si + Ge) compositions 査読有り

    K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

    Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 4 ) 頁: 04FJ05 - 04FJ05   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    © 2018 The Japan Society of Applied Physics. Two-dimensional (2D) crystals of Si and Ge atoms such as silicene and germanene are currently receiving much attention because of their exceptional electronic properties. We have studied the growth of ultrathin Si and Ge layers by the segregation of Si and Ge atoms on the Ag surface from the substrate by annealing the Ag/Si(111), Ag/Ge(111), and Ag/Si0.5Ge0.5(111) structures. After the epitaxial growth of the Ag(111) layer on the substrate by thermal evaporation, the stability of the Ag surface was also investigated for use as the template of ultrathin Si and Ge crystals. After annealing a ∼90-nm-thick Ag(111)/Ge(111) structure at 450°C in N2 ambience for 2h, the surface segregation of Ge and a flat Ag surface were demonstrated.

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FJ05

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  28. Investigation of the GaN/Al2O3 Interface by First Principles Calculations 査読有り

    K. Chokawa, E. Kojima, M. Araidai, K. Shiraishi

    Physica Status Solidi (B) Basic Research   255 巻 ( 4 ) 頁: 1700323   2018年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    © 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim Metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) based on GaN have been studied for high-power performance because of the wide bandgap of GaN. Although Al2O3 is a promising dielectric film for GaN power devices, the interface structure of GaN/Al2O3 has not been revealed microscopically. We prepared two interface models with Ga–O bonds and Ga–Al bonds at the interface. Because the Ga–O bond is stronger than the Ga–Al bond, the Ga–O bonds are preferentially formed at the interface. When the Ga–Al bonds appear at the interface, they introduce defect levels in the bandgap of GaN. On the other hand, when the interface consists of Ga–O bonds, some defect structures can appear depending on the oxygen density. In oxygen-rich conditions, dangling bonds appear at the N atoms and their states appear around the valence band maximum.

    DOI: 10.1002/pssb.201700323

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  29. Thermodynamic analysis of trimethylgallium decomposition during GaN metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

    K. Sekiguchi, H. Shirakawa, K. Chokawa, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi

    Japanese Journal of Applied Physics   57 巻 ( 4 ) 頁: 04FJ03 - 04FJ03   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    © 2018 The Japan Society of Applied Physics. We analyzed the decomposition of Ga(CH3)3 (TMG) during the metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaN on the basis of first-principles calculations and thermodynamic analysis. We performed activation energy calculations of TMG decomposition and determined the main reaction processes of TMG during GaN MOVPE. We found that TMG reacts with the H2 carrier gas and that (CH3)2GaH is generated after the desorption of the methyl group. Next, (CH3)2GaH decomposes into (CH3)GaH2 and this decomposes into GaH3. Finally, GaH3 becomes GaH. In the MOVPE growth of GaN, TMG decomposes into GaH by the successive desorption of its methyl groups. The results presented here concur with recent highresolution mass spectroscopy results.

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FJ03

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  30. Theoretical study of the electronic structure of threading edge dislocations in GaN 査読有り

    T. Nakano, M. Araidai, K. Shiraishi, A. Tanaka, Y. Honda, H. Amano

    ECS Transactions   86 巻 ( 12 ) 頁: 41 - 49   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    ©The Electrochemical Society. It is very important to fabricate high-quality GaN especially used for power devices. However, threading dislocations degrade the performance of GaN-based electronic devices. It is necessary to examine the electronic behavior at threading dislocations in GaN and to clarify the origin of the leakage current. As for theoretical studies, the electronic structure of threading dislocations in GaN is not fully understood. We investigated whether threading edge dislocations contribute to the leakage current or not. To do this, we used first principles calculations based on density functional theory (DFT) to examine the electronic structure at threading edge dislocations with Burgers vectors of 1/3[11-20]. We examined four core types of atomic structure at threading edge dislocations which contains about 200 atoms. Compared with dislocation line energies of each core configurations, it was found that the 5/7-atoms ring core and 8-atoms ring core are energetically stable. Then, we analyzed the electronic densities of states of each core configurations, and it was found that all types of core configurations at threading edge dislocations do not contribute to leakage current in n-type GaN-based devices.

    DOI: 10.1149/08612.0041ecst

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  31. First-principles study on adsorption structure and electronic state of stanene on alpha-alumina surface 査読有り

    M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

    Japanese Journal of Applied Physics   56 巻 ( 9 ) 頁: 95701 - 95701   2017年9月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    © 2017 The Japan Society of Applied Physics. The adsorption structure and electronic state of stanene on an a-Al2O3(0001) 1'1 surface were investigated by first-principles calculations. The variation in the electronic state of the adsorbed stanene from that of the free-standing one increased with the stanene-alumina distance, because the strength of the stanene-alumina interaction increased with the distance. The band splitting induced by the Rashba effect was observed in the electronic band structures. It was observed from the band structures with spin-orbit interactions that the degrees of band-gap opening due to the spin-orbit interactions were much lower than that due to the interaction between stanene and the a-alumina surface. By population analyses for chemical bonds, we revealed that the electronic state of stanene on the a-alumina surface was affected by Sn-O bonds with antibonding nature.

    DOI: 10.7567/JJAP.56.095701

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  32. First principles investigation of SiC/AlGaN(0001) band offset 査読有り

    Kojima E., Endo K., Shirakawa H., Chokawa K., Araidai M., Ebihara Y., Kanemura T., Onda S., Shiraishi K.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻 ( 15 ) 頁: 758 - 760   2017年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.066

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  33. First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN 査読有り

    Sekiguchi K., Shirakawa H., Yamamoto Y., Araidai M., Kangawa Y., Kakimoto K., Shiraishi K.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻 ( 15 ) 頁: 950 - 953   2017年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.044

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  34. Defect formation in SiO<inf>2</inf> formed by thermal oxidation of SiC 査読有り

    Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi

    2017 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2017 - Proceedings     頁: 242 - 243   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    © 2017 IEEE. In general, an insulating film of SiC MOSFET is SiO2 formed by thermal oxidation of SiC. This SiO2 film has many defect structures which induce much larger threshold voltage shift. In this paper, we investigated the defect formation of an oxygen vacancy in SiO2 by SiC thermal oxidation, using the first-principles calculations, and we found that the oxygen vacancy defect can be generated in the amorphous SiO2 at high temperature.

    DOI: 10.1109/EDTM.2017.7947582

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  35. エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成

    伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

    電子情報通信学会 信学技報     頁: Vol. 117, No. 101, pp. 43-48   2017年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  36. Evaluation of energy band offset of Si1-xSnx semiconductors by numerical calculation using density functional theory 査読有り

    Nagae Yuki, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Nakatsuka Osamu, Shiraishi Kenji, Zaima Shigeaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 4 ) 頁: 04CR10 - 04CR10   2017年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.04CR10

    Web of Science

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  37. Thermodynamic considerations of the vapor phase reactions in III-nitride metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Sekiguchi Kazuki, Shirakawa Hiroki, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Kangawa Yoshihiro, Kakimoto Koichi, Shiraishi Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 4 ) 頁: 04CJ04 - 04CJ04   2017年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.04CJ04

    Web of Science

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  38. Edge states of hydrogen terminated monolayer materials: silicene, germanene and stanene ribbons 査読有り 国際誌

    Hattori Ayami, Tanaya Sho, Yada Keiji, Araidai Masaaki, Sato Masatoshi, Hatsugai Yasuhiro, Shiraishi Kenji, Tanaka Yukio

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   29 巻 ( 11 ) 頁: 115302 - 115302   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-648X/aa57e0

    Web of Science

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    PubMed

    arXiv

  39. First Principles and Themodynamical Studies on Matel Organic Vaper Phase Epitaxy of GaN 査読有り

    Shiraishi Kenji, Sekiguchi Kazuki, Shirakawa Hiroki, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Kangawa Yoshihiro, Kakimoto Koichi

    SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR   80 巻 ( 1 ) 頁: 295 - 301   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1149/08001.0295ecst

    Web of Science

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  40. Defect Formation in SiO2 Formed by Thermal Oxidation of SiC

    Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Shiraishi Kenji

    2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)     頁: 242-243   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  41. Possibility of Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Memories for Long Lifespan Archive Memories 査読有り

    Shirakawa Hiroki, Yamaguchi Keita, Araidai Masaaki, Kamiya Katsumasa, Shiraishi Kenji

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   100-C 巻 ( 10 ) 頁: 928 - 933   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1587/transele.E100.C.928

    Web of Science

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  42. 金属誘起層交換法によるAg上Si,Ge極薄膜の形成-シリセン,ゲルマネンの創製を目指して- 査読有り

    黒澤昌志,大田晃生,洗平昌晃,財満鎭明

    表面科学   37 巻 ( 8 ) 頁: 374-379   2016年8月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  43. Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys 査読有り

    Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, S. Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 8 ) 頁: 08PE04   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.08PE04

  44. Surface-segregated Si and Ge ultrathin films formed by Ag-induced layer exchange process 査読有り

    Masashi Kurosawa, Akio Ohta, Masaaki Araidai, Shigeaki Zaima

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻 ( 8 ) 頁: 08NB07   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.08PE04

  45. Origin of the unidentified positive mobile ions causing the bias temperature instability in SiC MOSFETs and their diffusion process 査読有り

    Shirakawa Hiroki, Kamiya Katsumasa, Araidai Masaaki, Watanabe Heiji, Shiraishi Kenji

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   9 巻 ( 6 ) 頁: 64301 - 64301   2016年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.9.064301

    Web of Science

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  46. Si1–xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析

    長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回)     頁: pp. 17-20   2016年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  47. Theoretical Investigation on Electronic and Magnetic Structures of FeRh 査読有り

    Takahashi Hidekazu, Araidai Masaaki, Okada Susumu, Shiraishi Kenji

    日本応用磁気学会誌   40 巻 ( 4 ) 頁: 77 - 80   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本磁気学会  

    In order to clarify the mechanism behind antiferromagnetic (AFM)-ferromagnetic (FM) phase transition, we investigate the electronic and magnetic structures of FeRh by using first principles calculations with the GGA + <i>U</i> method. By choosing the appropriate values of the on-site Coulomb interaction (<i>U</i>) of Fe<sub>3d</sub> and Rh<sub>4d</sub> electrons, we succeed in explaining the reported AFM-FM phase transition experiments for the first time by obtaining the total energy difference between the AFM and FM states (Δ<i>E</i>). Other physical quantities such as the density of states (DOS) are also consistent with experimental reports.

    DOI: 10.3379/msjmag.1605L011

    CiNii Books

  48. First principles study on the strain dependence of thermal oxidation and hydrogen annealing effect at Si/SiO2 interface in V-MOSFET 査読有り

    Kawachi Shingo, Shirakawa Hiroki, Araidai Masaaki, Kageshima Hiroyuki, Endoh Tetsuo, Shiraishi Kenji

    SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 14   75 巻 ( 5 ) 頁: 293 - 299   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1149/07505.0293ecst

    Web of Science

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  49. First-Principles Study on Hydrogen Annealing Effect in Si/SiO2 Interface by Thermal Oxidation 査読有り

    S. Kawachi, H. Hiroki, M. Araidai, H. Kageshima, T.Endoh, K.Shiraishi

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)   PS-1-17 巻   頁: 40 - 41   2015年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  50. A 50-nm 1.2-V Ge<inf>x</inf>Te<inf>1-x</inf>/Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> superlattice topological-switching random-access memory (TRAM) 査読有り

    M. Tai, T. Ohyanagi, M. Kinoshita, T. Morikawa, K. Akita, M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi, N. Takaura

    Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology   2015-August 巻   頁: T96 - T97   2015年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    © 2015 JSAP. A 50nm topological-switching random-access memory (TRAM) was fabricated for the first time. A high-quality GexTe1-x/Sb2Te3 superlattice film enabled set and reset voltages of TRAM to be less than 40% of those of PRAM. Statistical analysis of 16kb data showed the reset voltage to be less than 1.2 V, the lowest as a TRAM test chip.

    DOI: 10.1109/VLSIT.2015.7223707

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  51. First principles study of SiC/SiO<inf>2</inf> interfaces towards future power devices 査読有り

    K. Shiraishi, K. Chokawa, H. Shirakawa, K. Endo, M. Araidai, K. Kamiya, H. Watanabe

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM   2015-February 巻 ( February ) 頁: 21.3.1 - 21.3.4   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    © 2014 IEEE. We clarify the intrinsic problems of SiC/SiO2 interfaces by the first principles calculations. The unique nearly free electron like characteristics of SiC conduction band bottom causes unexpected formation of interface states near the conduction band bottoms by process induced strain. These results indicate that strain free process is necessary for fabricating high quality NMOSFET. Another proposal is developing PMOSFET instead of presently popular NMOSFET. Moreover, we also discuss the Vth instability caused by proton diffusion.

    DOI: 10.1109/IEDM.2014.7047095

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  52. 55-μA Ge<inf>x</inf>Te<inf>1-x</inf>/Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> superlattice topological-switching random access memory (TRAM) and study of atomic arrangement in Ge-Te and Sb-Te structures 査読有り

    N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Tai, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi, Y. Saito, J. Tominaga

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM   2015-February 巻 ( February ) 頁: 29.2.1 - 29.2.4   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    © 2014 IEEE. GexTe1-x/Sb2Te3 superlattice topological-switching random access memory (TRAM) was developed. Set and reset currents of 55 μA, the lowest for an ULSI-grade device, were obtained. TEM analyses of the Ge-Te structures and novel superlattice fabrication enabled us to reveal the retention, endurance, and electrical characteristics of TRAM for the first time.

    DOI: 10.1109/IEDM.2014.7047132

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  53. A 50-nm 1.2-V GexTe1-x/Sb2Te3 superlattice topological-switching random-access memory (TRAM)

    Tai M., Ohyanagi T., Kinoshita M., Morikawa T., Akita K., Takato M., Shirakawa H., Araidai M., Shiraishi K., Takaura N.

    2015 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY (VLSI TECHNOLOGY)     頁: .   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  54. XRD analysis of TRAM composed from [Sb<inf>2</inf>Te3/GeTe] superlattice film and its switching characteristics 査読有り

    T. Ohyanagi, M. Kitamura, S. Kato, M. Araidai, N. Takaura, K. Shiraishi

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1729 巻   頁: 41 - 45   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    © 2015 Materials Research Society. We studied GeTe structures in topological switching random access memories (TRAMs) with a [GeTe/Sb2Te3] superlattice by using X-ray diffraction (XRD) analysis. We examined the electrical characteristics of the TRAMs deposited at different temperatures. We found that XRD spectra differed between the films deposited at 200 and 240°C and that the differences corresponded to the differences in the GeTe sequences in the films.

    DOI: 10.1557/opl.2015.170

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  55. 1T-1R pillar-type topological-switching random access memory (TRAM) and data retention of GeTe/Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> super-lattice films 査読有り

    M. Tai, T. Ohyanagi, M. Kinoshita, T. Morikawa, K. Akita, S. Kato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi, N. Takaura

    Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology     頁: 1-2   2014年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    © 2014 IEEE. A 1T-1R pillar-type 'topological-switching RAM' (TRAM) and the data retention of GeTe/Sb2Te3 super-lattice were investigated. Reset voltage of TRAM, 2 V, was 40 % of that of the conventional PCM with Ge2Sb2Te5. From data retention evaluation, the TRAM was found to endure the retention at 260 °C for 18 hours.

    DOI: 10.1109/VLSIT.2014.6894436

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  56. GeTe sequences in superlattice phase change memories and their electrical characteristics 査読有り

    Ohyanagi T., Kitamura M., Araidai M., Kato S., Takaura N., Shiraishi K.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   104 巻 ( 25 ) 頁: 252106(1)-(3)   2014年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4886119

    Web of Science

    Scopus

  57. Asymmetric behavior of current-induced magnetization switching in a magnetic tunnel junction: Non-equilibrium first-principles calculations 査読有り

    Araidai Masaaki, Yamamoto Takahiro, Shiraishi Kenji

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   7 巻 ( 4 ) 頁: 45202 - 45202   2014年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.7.045202

    Web of Science

    Scopus

  58. Understanding the switching mechanism of charge-injection GeTe/Sb <inf>2</inf>Te<inf>3</inf> phase change memory through electrical measurement and analysis of 1R test structure 査読有り

    N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures     頁: 32 - 37   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    We describe the switching mechanism of GeTe/Sb2Te3 phase change memory called "topological-switching Random Access Memory" (TRAM). DC sweep and AC transient analysis of the TRAM TEGs provided evidence of enhancement of atomic movement in TRAM by charge injection. A hysteresis loop of resistance that was characteristic to TRAM, fast threshold switching of 4 ns by electron injection, and MLC capabilities by hole generation were revealed for the first time. © 2014 IEEE.

    DOI: 10.1109/ICMTS.2014.6841464

    Scopus

  59. 55-mu A GexTe1-x/Sb2Te3 superlattice topological-switching random access memory ( TRAM) and study of atomic arrangement in Ge-Te and Sb-Te structures

    Takaura N., Ohyanagi T., Tai M., Kinoshita M., Akita K., Morikawa T., Shirakawa H., Araidai M., Shiraishi K., Saito Y., Tominaga J.

    2014 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     頁: .   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  60. First Principles Study of SiC/SiO2 Interfaces towards Future Power Devices

    Shiraishi K., Chokawa K., Shirakawa H., Endo K., Araidai M., Kamiya K., Watanabe H.

    2014 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     頁: .   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  61. 1T-1R Pillar-Type Topological-switching Random Access Memory (TRAM) and Data Retention of GeTe/Sb2Te3 Super-Lattice Films

    Tai M., Ohyanagi T., Kinoshita M., Morikawa T., Akita K., Kato S., Shirakawa H., Araidai M., Shiraishi K., Takaura N.

    2014 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY (VLSI-TECHNOLOGY): DIGEST OF TECHNICAL PAPERS     2014年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  62. 55-mu A GexTe1-x/Sb2Te3 superlattice topological-switching random access memory ( TRAM) and study of atomic arrangement in Ge-Te and Sb-Te structures

    Takaura N, Ohyanagi T, Tai M, Kinoshita M, Akita K, Morikawa T, Shirakawa H, Araidai M, Shiraishi K, Saito Y, Tominaga J

    2014 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     頁: .   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  63. Understanding the Switching Mechanism of Charge-Injection GeTe/Sb2Te3 Phase Change Memory through Electrical Measurement and Analysis of 1R Test Structure

    Takaura N., Ohyanagi T., Tai M., Kitamura M., Kinoshita M., Akita K., Morikawa T., Kato S., Araidai M., Kamiya K., Yamamoto T., Shiraishi K.

    2014 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES (ICMTS)     頁: 32 - 37   2014年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  64. Charge-injection phase change memory with high-quality GeTe/Sb <inf>2</inf>Te<inf>3</inf> superlattice featuring 70-μA RESET, 10-ns SET and 100M endurance cycles operations 査読有り

    T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM     頁: 30.5.1-30.5.4   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    We developed a high quality charge-injection GeTe/Sb2Te 3 superlattice phase change memory. A RESET-current of 70 μA and a SET-speed of 10 ns, the fastest ever reported, were obtained. Transmission electron microscopy analysis showed that the superlattice structure was maintained after 1 million (M) endurance. Even 100 M cycle endurance was possible, and these results conclusively proved non-melting resistive switching. © 2013 IEEE.

    DOI: 10.1109/IEDM.2013.6724725

    Scopus

  65. Charge-Injection Phase Change Memory with High-Quality GeTe/Sb2Te3 Super lattice Featuring 70-mu A RESET, 10-ns SET and 100M Endurance Cycles Operations

    Ohyanagi T., Takaura N., Tai M., Kitamura M., Kinoshita M., Akita K., Morikawa T., Kato S., Araidai M., Kamiya K., Yamamoto T., Shiraishi K.

    2013 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  66. Single-atom electromigration in atomic-scale conductors 査読有り

    Araidai, M., Tsukada, M.

    Fundamentals of Picoscience     頁: 529 - 540   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    © 2014 by Taylor & Francis Group, LLC. Electromigration is the directed migration of atoms caused by electric currents, and it is well known as a major failure mechanism in the operation of electronic devices. So far, many researches have been done both experimentally and theoretically [1,2]. Traditionally, the origin of electromigration has been discussed in terms of electrostatic forces and momentum transfers by electrons to atoms in current flow. The latter is often called as “electron wind force,” which is a characteristic force in electromigration. Joule heating around the migrating atoms is also one of the most important factors because it facilitates the atomic diffusions.

    DOI: 10.1201/b15523

    Scopus

  67. Charge injection Super-lattice Phase Change Memory for low power and high density storage device applications 査読有り

    N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Kitamura, M. Tai, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology     2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    A new charge injection Super-lattice Phase Change Memory was developed with optimized GeTe/Sb2Te3 deposition and state-of-the-art analytical techniques. First principle calculations showed the charge injection enhanced Ge atom movement for the first time. We achieved 0.46 V and 3.3 MA/cm2 reset and MLC programming. The stability of Super-lattice after 1E6 cycles was verified by thermal analysis characteristic to Ge 4-fold to Ge 6-fold transition. © 2013 JSAP.

    Scopus

  68. Origin of nanomechanical motion in a single-C-60 transistor 査読有り

    Hamada Ikutaro, Araidai Masaaki, Tsukada Masaru

    PHYSICAL REVIEW B   85 巻 ( 12 ) 頁: 121401(1)-121401(4)   2012年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.85.121401

    Web of Science

    Scopus

  69. Nonadiabatic electromigration along a one-dimensional gold chain 査読有り

    Araidai Masaaki, Tsukada Masaru

    PHYSICAL REVIEW B   84 巻 ( 19 ) 頁: 195461(1)-195461(5)   2011年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.84.195461

    Web of Science

    Scopus

  70. Composition dependence of magnetoresistance effect and its annealing endurance in tunnel junctions having Mn-Ga electrode with high perpendicular magnetic anisotropy 査読有り

    Kubota Takahide, Araidai Masaaki, Mizukami Shigemi, Zhang Xianmin, Ma Qinli, Naganuma Hiroshi, Oogane Mikihiko, Ando Yasuo, Tsukada Masaru, Miyazaki Terunobu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   99 巻 ( 19 ) 頁: 192509(1)-192509(3)   2011年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3659484

    Web of Science

    Scopus

  71. Theoretical calculations of electron transport in molecular junctions: Inflection behavior in Fowler-Nordheim plot and its origin 査読有り

    Araidai Masaaki, Tsukada Masaru

    PHYSICAL REVIEW B   81 巻 ( 23 ) 頁: 235114(1)-235114(7)   2010年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.81.235114

    Web of Science

    Scopus

  72. Field Emission from Graphitic Nanostructures 査読有り

    Watanabe, K., Araidai, M.

    Carbon Nanotube and Related Field Emitters: Fundamentals and Applications     頁: 55 - 66   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/9783527630615.ch5

    Scopus

  73. Diffusion processes in single-atom electromigration along a gold chain: First-principles calculations 査読有り

    Araidai Masaaki, Tsukada Masaru

    PHYSICAL REVIEW B   80 巻 ( 4 ) 頁: 045417(1)-045417(5)   2009年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.80.045417

    Web of Science

    Scopus

  74. Ab initio calculation of surface atom evaporation in electron field emission 査読有り

    Araidai, M., Watanabe, K.

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   5 巻 ( 5 ) 頁: 106 - 109   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Surface Science Society of Japan  

    Surface atom evaporation under electron field emission was investigated by scattering-state calculations based on the density-functional theory. We found that surface atom evaporation assisted by electron field emission occurs for a certain electric-field strength that is lower than that of usual field evaporation without electron field emission. The present ab-initio study elucidates the surface atom process under field emission, which has been frequently observed in experiments, for the first time. © 2007 The Surface Science Society of Japan.

    DOI: 10.1380/ejssnt.2007.106

    Scopus

  75. Comparative study of time-dependent and scattering-state ab initio calculations for field emission 査読有り

    Araidai, M., Souma, S., Watanabe, K.

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   3 巻 ( 3 ) 頁: 457 - 460   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Surface Science Society of Japan  

    We perform time-dependent (TD) and scattering-state (SS) ab-inito calculations for simulating the field emission (FE) of Na surfaces to explore the applicability of the two schemes. The amplitude of emission current is evaluated more reliably by SS than TD methods, because the former treats the steady-state electron tunneling faithfully but the latter utilizes transient electron dynamics. In contrast with the evaluation of current amplitude, the TD method is more suitable than the SS one for revealing the electronic-state origin of FE, because the TD method can directly determine the time evolution of all wave functions caused by an electric field. Thus, the TD and SS methods are found to play a complementary role in the FE study. © 2005 The Surface Science Society of Japan.

    DOI: 10.1380/ejssnt.2005.457

    Scopus

  76. Field emission mechanisms of graphitic nanostructures 査読有り

    Araidai M, Nakamura Y, Watanabe K

    PHYSICAL REVIEW B   70 巻 ( 24 ) 頁: 245410(1)-245410(5)   2004年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.70.245410

    Web of Science

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    arXiv

  77. Ab initio study of field emission from hydrogen defects in diamond subsurfaces 査読有り

    Araidai M, Watanabe K

    APPLIED SURFACE SCIENCE   237 巻 ( 1-4 ) 頁: 482 - 487   2004年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.07.029

    Web of Science

    Scopus

  78. Field emission and electronic structures of carbon allotropes 査読有り

    Watanabe K, Araidai M, Tada K

    THIN SOLID FILMS   464 巻   頁: 354 - 359   2004年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2004.06.048

    Web of Science

    Scopus

  79. Time-Dependent Density-Functional Calculations of Field Emissions from Carbon Allotropes 招待有り 査読有り

    Kazuyuki Watanabe, Masaaki Araidai, Kazuhiro Tada, Akihiro Yamauchi

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   29 巻 ( 6 ) 頁: 3681-3685   2004年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  80. Time-Dependent Density-Functional Calculations of Field Emissions from Carbon Allotropes 招待有り 査読有り

    Kazuyuki Watanabe, Masaaki Araidai, Kazuhiro Tada, Akihiro Yamauchi

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   29 巻 ( 6 ) 頁: 3681-3685   2004年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  81. Electronic states origin of field emission of silicon clusters 査読有り

    Araidai M, Yamauchi A, Watanabe K

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   42 巻 ( 10 ) 頁: 6502 - 6503   2003年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.42.6502

    Web of Science

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    CiNii Books

  82. Field emission of diamond surfaces by time-dependent density-functional calculations 査読有り

    Araidai M, Watanabe K

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   42 巻 ( 6B ) 頁: L666 - L668   2003年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.42.L666

    Web of Science

    Scopus

    CiNii Books

  83. Ab initio study of field emission from atomic-scale surfaces

    Watanabe K, Watanabe S, Araidai M, Gohda Y

    TECHNICAL DIGEST OF THE 16TH INTERNATIONAL VACUUM MICROELECTRONICS CONFERENCE     頁: 1 - 2   2003年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

  84. Ab initio study of field emission from atomic-scale surfaces 査読有り

    K. Watanabe, S. Watanabe, M. Araidai, Y. Gohda

    Proceedings of the IEEE International Vacuum Microelectronics Conference, IVMC   2003-January 巻   頁: 1 - 2   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/IVMC.2003.1222940

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書籍等出版物 1

  1. ポストグラフェン材料の創製と用途開発最前線 ~二次元ナノシートの物性評価、構造解析、合成、成膜プロセス技術、応用展開~

    洗平昌晃( 担当: 分担執筆 ,  範囲: 計算科学によるIV族二次元物質の研究)

    (株)エヌ・ティー・エス  2020年4月  ( ISBN:978-4-86043-657-5

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    総ページ数:448   担当ページ:51-58   記述言語:日本語 著書種別:学術書

講演・口頭発表等 171

  1. カリウムイオンエレクトレットの高性能化の指針と水素の影響の理論検討

    大畑慶記,中西徹,長川健太,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,芝田泰,橋口原,白石賢二

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月26日  応用物理学会

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス+オンライン   国名:日本国  

  2. First Principles Studies on the Effect of Grain Boundaries in MgO on Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy Energy at Fe/MgO Interface in STT-MRAM

    森下佳祐,原嶋庸介,洗平昌晃,遠藤哲郎,白石賢二

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月24日  応用物理学会

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス+オンライン   国名:日本国  

  3. 強誘電HfO2薄膜の安定性と誘電特性:第一原理計算による検討

    牧芳和,新井千慧,洗平昌晃,白石賢二,中山隆史

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月24日  応用物理学会

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス+オンライン   国名:日本国  

  4. 熱力学的解析によるp型GaNのHVPE法におけるキャリアガスの特定

    長嶋佑哉,木村友哉,洗平昌晃,長川健太,草場彰,寒川義裕,白石賢二

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月25日  応用物理学会

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学相模原キャンパス+オンライン   国名:日本国  

  5. AlN MOVPEにおけるトリメチルアルミニウム分解反応の理論的考察

    赤石大地,洗平昌晃,白石賢二

    第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会  2022年1月29日  応用物理学会・薄膜表面物理分科会

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    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  6. MgO中の粒界がSTT-MRAMのFe/MgOの界面垂直磁気異方性に与える影響の理論的研究

    森下佳祐,原嶋庸介,洗平昌晃,遠藤哲郎,白石賢二

    第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会  2022年1月28日  応用物理学会・薄膜表面物理分科会

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  7. First-principles study of two-dimensional materials of group IV elements 招待有り 国際会議

    M. Araidai, M. Itoh, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

    The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022)  2022年1月12日  Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity, Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas, MEXT

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    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Nagoya Congress Center + Online   国名:日本国  

  8. First principles studies of the effects of carbon atoms on the potassium-ion electret used in vibration-powered generators 国際会議

    Y. Ohata, M. Araidai, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi

    The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022)  2022年1月12日  Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity, Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas, MEXT

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya Congress Center + Online   国名:日本国  

  9. Effects of carbon atoms on the reliability of the potassium-ion electret used in vibration-powered generators 国際会議

    Y. Ohata, M. Araidai, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi

    International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – (2021 IWDTF)  2021年11月15日  The Japan Society of Applied Physics

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:online  

  10. Development of Physically Informed Neural Network Potential 国際会議

    S. Ito, M. Araidai, K. Shiraishi

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021)  2021年11月5日  Institute of Materials and Systems for Sustainability

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:online  

  11. First-principles studies on the effects of O atoms in the substrate on the oxidation of a vertical Si nanopillar 国際会議

    F. Nanataki, M. Araidai, H. Kageshima, K. Shiraishi

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021)  2021年11月5日  Institute of Materials and Systems for Sustainability

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:online  

  12. ニューラルネットワークを用いた新規ペアポテンシャルの開発

    伊藤匠哉,洗平昌晃,白石賢二

    日本物理学会 2021年秋季大会  2021年9月21日  日本物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン  

  13. Kイオンエレクトレットの負電荷蓄積機構及び作製指針の理論的検討 招待有り

    中西徹,長川健太,洗平昌晃,年吉洋,杉山達彦,橋口原,白石賢二

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日  応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン  

  14. 透過型粉末X線回折による多層ゲルマナンの結晶構造評価

    伊藤麻維,洗平昌晃,大田晃生,中塚理,黒澤昌志

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月10日  応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン  

  15. Fe/MgO界面への窒素不純物が磁気異方性とTMRに与える影響について 招待有り

    小川湧太郎,洗平昌晃,遠藤哲郎,白石賢二

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日  応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン  

  16. Hydrogen desorption from multilayer germanane flakes under an ultrahigh vacuum environment 国際会議

    M. Itoh, M. Araidai, A. Ohta, O. Nakatsuka, M. Kurosawa

    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)  2021年9月6日  The Japan Society of Applied Physics

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:online  

  17. Multicanonical simulations with physically informed neural network potentials on chemical reactions in gas phase 国際会議

    Masaaki Araidai

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  2021年3月2日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  18. ab initio計算を用いたGaN MOVPEにおけるTMG分解過程へのH2とNH3による効果の理論的考察

    榊原聡真,長川健太,洗平昌晃,草場 彰,寒川 義裕,白石賢二

    第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会  2021年1月23日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  19. K イオンエレクトレットの負電荷蓄積機構及び作製指針の理論的検討

    中西徹, 長川健太, 洗平昌晃, 年吉洋, 杉山達彦, 橋口原, 白石賢二

    第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会  2021年1月23日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  20. Fe/MgO 界面への窒素不純物が磁気異方性と TMR に与える影響について

    小川湧太郎, 洗平昌晃, 遠藤哲郎, 白石賢二

    第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会  2021年1月22日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  21. Theoretical study of the effects of H2 and NH3 on the TMG decomposition process in GaN crystal growth 国際会議

    S. Sakakibara, K. Chokawa, M. Araidai, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Shiraishi

    The International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021  2021年1月20日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  22. Effect of Nitrogen Impurity Atoms at Fe/MgO Interface on Perpendicular Magnetic Anisotropy Energy 国際会議

    Y. Ogawa, M. Araidai, T. Endoh, and K. Shiraishi

    51st IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference  2020年12月18日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  23. GaN MOVPEにおけるTMG分解過程へのH2とNH3による効果の理論的考察

    榊原聡真, 長川健太, 洗平昌晃, 草場 彰, 寒川義裕, 白石賢二

    第49回日本結晶成長国内学会  2020年11月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  24. カリウムイオンエレクトレットにおける負電荷蓄積機構の第一原理計算による検討

    中⻄徹, 宮島岳史, ⻑川健太, 洗平昌晃, 杉山達彦, 橋口原, 白石賢二

    第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  2020年10月27日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  25. 帯電が誘起する強誘電直方晶HfO2薄膜の安定性:第一原理計算による検討

    新井千慧, 白石悠人, 洗平昌晃, 白石賢二, 中山隆史

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月10日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  26. 多層ゲルマナンフレークからの水素脱離

    伊藤麻維, 洗平昌晃, 大田晃生, 中塚理, 黒澤昌志

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  27. ab initio計算を用いたGaN MOVPE成長におけるTMGa分解反応の探索

    榊原聡真, 洗平昌晃, 叶正, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 白石賢二

    第81回 応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月8日 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  28. MgOを用いたMgドープGaNのHVPE成長における気相反応の熱力学的解析

    木村友哉, 大西一生, 天野裕己, 藤元直樹, 洗平昌晃, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 寒川義裕, 白石賢二

    日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」  2020年7月31日 

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    開催年月日: 2020年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  29. 超格子GeTe/Sb₂Te₃メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション

    小川 湧太郎, 野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二

    電子情報通信学会 

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    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  30. 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成

    小林 征登, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 田岡 紀之, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮﨑 誠一

    電子情報通信学会 

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    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  31. Si/SiO2界面のニューラルネットワークポテンシャルの開発

    又賀誠, 洗平昌晃, 名倉拓哉, 白石賢二

    日本物理学会 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  32. IV族単原子層ナノリボンへの電解効果とリボン幅依存性

    服部 綾実, 矢田 圭司, 洗平 昌晃, 田仲 由喜夫

    日本物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  33. Ag(111)表面上に偏析したGe原子が形成する二次元構造

    志満津 宏樹, 柚原 淳司, 仲武 昌史, 伊藤 公一, 大田 晃生, 洗平 昌晃, 黒澤 昌志

    日本物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  34. 第一原理計算による超格子GeTe/Sb₂Te₃相変化メモリの理論的検討

    野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二

    電子情報通信学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  35. ゲルマネンの水素吸脱着に関する第一原理計算

    洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二

    日本物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  36. IV族単原子層ナノリボンのエッジ磁性と電界効果

    服部 綾実, 洗平 昌晃, 田仲 由喜夫

    日本物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  37. GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション

    白石 賢二, 関口 一樹, 長川 健大, 白川 裕規, 川上 賢人, 山本 芳裕, 洗平 昌晃, 岡本 直也, 芳松 克則, 寒川 義裕, 柿本 浩一

    電子情報通信学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:日本国  

  38. エピタキシャルAg(111)上の極薄Ⅳ族結晶形成

    伊藤 公一, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一

    電子情報通信学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  39. アモルファス絶縁膜上におけるIV族二次元結晶の電子状態

    洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二

    日本物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  40. IV族半導体上に蒸着したAg薄膜の化学構造評価と反応制御

    伊藤 公一, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一

    日本表面科学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  41. 層状化合物を前駆体に用いたIV族ナノシートの合成

    淺枝 駿冴, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 洗平 昌晃, 財満 鎭明

    日本表面科学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

    シリセン、ゲルマネン、スタネンは、バンドギャップの形成、高キャリア移動度やトポロジカル絶縁性の発現が理論予測されている究極のIV族薄膜材料である。本講演では、層状IV族化合物(CaSi<sub>2</sub>、CaGe<sub>2</sub>等)を前駆体に用い、IV族ナノシートの合成を試みた結果について報告する。

  42. アルミナ表面上のゲルマネンおよびスタネンの電子状態

    洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二

    日本物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  43. エッジ水素終端IV族単原子層ナノリボンの電気伝導特性

    服部 綾実, 洗平 昌晃, 田仲 由喜夫

    日本物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  44. Theoretical Studies on Electronic Structures of Silicene Ribbon and Silicene on Insulator 国際会議

    K. Shiraishi, A. Hattori, S. Tanaya, M. Araidai, A. Ohta, M. Kurosawa, Y. Hatsugai, M. Sato, and Y. Tanaka

    International Symposium on 2D Layered Materials and Art: Two Worlds Meet 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:フランス共和国  

  45. 水素終端シリセン、ゲルマネン、スタネンリボンにおけるエッジ状態

    服部 綾実, 洗平 昌晃, 初谷 安弘, 矢田 圭司, 白石 賢二, 佐藤 昌利, 田仲 由喜夫

    日本物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  46. 水素終端シリセン、ゲルマネン、スタネンリボンにおけるエッジ状態

    服部綾実, 洗平昌晃, 初貝安弘, 矢田圭司, 白石賢二, 佐藤昌利, 田仲由喜夫

    日本物理学会 第71回年次大会(2016年) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北学院大学 泉キャンパス   国名:日本国  

  47. SiC/GaNの界面構造とバンドオフセットとの関係の理論的検討

    小嶋英嗣, 遠藤賢太郎, 白川裕規, 洗平昌晃, 海老原康裕, 金村高司, 恩田正一, 白石賢二

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  48. V-MOSFETにおけるSi/SiO2(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察

    川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  49. GaN結晶成長メカニズムの熱力学解析

    関口一樹, 白川裕規, 山本芳裕, 洗平昌晃, 白石賢二

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東工大 大岡山キャンパス   国名:日本国  

  50. 絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析

    洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

    日本物理学会 第71回年次大会(2016年) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学 泉キャンパス   国名:日本国  

  51. 絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析

    洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二

    日本物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  52. Characterization of Chemical Bonding Features of Ultrathin Ge Layer Grown by Ag-Induced Layer-Exchange Method 国際会議

    A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, S. Miyazaki

    8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016/IC-PLANTS2016) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  53. Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析

    長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東レ研修センター(静岡県三島市)   国名:日本国  

  54. Si/SiO2(100)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の 歪み依存性に関する理論的研究

    川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島愽之, 遠藤哲郎, 白石賢二

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ研修センター(静岡県三島市)   国名:日本国  

  55. MONOSメモリにおけるSiO2膜中の窒素原子に起因する原子欠陥の理論的考察

    白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東レ研修センター(静岡県三島市)   国名:日本国  

  56. Si and Ge Ultrathin Films by Ag-Induced Layer-Exchange Growth 国際会議

    M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Zaima

    23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  57. First-principles study on two-dimensional crystals of group IV element on insulating film 国際会議

    M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

    23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  58. First principles examination of the switching mechanism of the phase change memory (TRAM) using superlattice GeTe/Sb2Te3 国際会議

    M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

    46th Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2015) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  59. Ag 誘起層交換成長法によるSi 極薄膜の形成

    黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明

    日本表面科学会第35回表面科学学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  60. 絶縁膜上のIV 族系二次元結晶に関する第一原理計算

    洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

    日本表面科学会第35回表面科学学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場   国名:日本国  

  61. Theoretical Calculations of Electron Transport in Molecular Junction: Inflection Behavior in Fowler-Nordheim Plot and Its Origin 国際会議

    Masaaki Araidai

    International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN2015) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  62. Evaluation of Energy Band Structure of Si1-xSnx by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy 国際会議

    Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, S. Zaima

    2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY- (IWDTF) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  63. Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in Magnetic Tunnel Junction 国際会議

    M. Araidai, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  64. First principles study on switching mechanism of superlattice(GeTe)2/Sb2Te3 phase change memory 国際会議

    M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

    AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  65. Ab initio study on the atomic behavior of N, H atoms and O vacancy related defects in SiO2 layer of MONOS memories 国際会議

    H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, K. Shiraishi

    AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:アメリカ合衆国  

  66. First principal calculation of electronic properties on 4H-AlN/4H-SiC(11-20) and 4H-SiC-4H-AlN(0001) interfaces 国際会議

    K. Endo, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

    16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:イタリア共和国  

  67. Theoretical study on the identity of positive mobile ions in SiC-MOSFET and their diffusion process 国際会議

    H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, H. Watanabe, K. Shiraishi

    16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:イタリア共和国  

  68. First-Principles Study on Hydrogen Annealing Effect in Si/SiO2 Interface by Thermal Oxidation 国際会議

    S. Kawachi, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, K. Shiraishi

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  69. シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算

    川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二

    シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  70. 超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリのスイッチングメカニズムに関する第一原理計算

    高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二

    日本物理学会 第70回年次大会(2015年) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  71. 電流誘起磁化反転における電子散乱過程に関する非平衡第一原理計算

    洗平昌晃,山本貴博,白石賢二

    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  72. MONOS型メモリにおける絶縁膜中の原子欠陥に関する第一原理計算

    白川裕規,洗平昌晃,神谷克政,白石賢二

    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  73. SiC-MOSFETにおけるSiO2絶縁膜中のプロトン拡散についての第一原理計算による検討

    白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 渡部平司, 白石賢二

    ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第20回) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東レ研修センター   国名:日本国  

  74. 第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリ(TRAM)のスイッチングメカニズムの検討

    高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二

    ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第20回) 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ研修センター   国名:日本国  

  75. 電流誘起磁化反転における電子散乱過程の非平衡第一原理計算

    洗平昌晃,山本貴博,白石賢二

    第19回 半導体スピン工学の基礎と応用 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京大学   国名:日本国  

  76. Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in MTJ 国際会議

    Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi

    2014 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS) 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月 - 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    国名:アメリカ合衆国  

  77. Sb2Te3/GeTe超格子膜からなるTRAMにおけるGeTe配列とスイッチング動作

    大柳孝純, 北村匡史, 加藤重徳, 洗平昌晃, 高浦則克, 白石賢二, 田井光春, 木下勝治, 森川貴博, 秋田憲二

    2014年電気化学秋季大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  78. 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション

    洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

    電子情報通信学会 ED/CPM/SDM研究会 

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    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  79. GeSbTe相変化メモリ素子の電気伝導特性におけるスピン軌道相互作用の効果

    洗平昌晃, 加藤重徳, 山本貴博, 白石賢二

    日本物理学会 第69回年次大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  80. Understanding the switching mechanism of charge-injection GeTe/Sb2Te3 phase change memory through electrical measurement and analysis of 1R test structure 国際会議

    N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    27th International Conference on Microelectronic Test Structures  

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:イタリア共和国  

  81. Charge-injection phase change memory with high-quality GeTe/Sb2Te3 superlattice featuring 70-μA RESET, 10-ns SET and 100M endurance cycles operations 国際会議

    T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    2013 IEEE International Electron Devices Meeting 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  82. SiC酸化により引き起こされるSi欠陥への第一原理計算からの考察

    長川健太, 神谷克政, 洗平昌晃, 白石賢二

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  83. 磁気抵抗メモリの電流誘起磁化スイッチングに関する第一原理計算

    洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

    日本物理学会 2013年秋季大会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  84. First-Principles Study on Current-Induced Magnetization Switching in Magnetic Tunnel Junctions 国際会議

    Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi

    IVC-19/ICSS-15 and ICN+T 2013 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  85. Charge injection Super-lattice Phase Change Memory for low power and high density storage device applications 国際会議

    N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Kitamura, M. Tai, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  86. 第一原理計算による相変化メモリデバイスの構造同定と電気伝導特性

    洗平 昌晃, 加藤 重徳, 山本 貴博, 白石 賢二

    日本物理学会 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  87. Franck-Condon Blockade現象に関する理論解析

    洗平 昌晃, 塚田 捷

    日本物理学会 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  88. 分子架橋系の電子トンネル機構に関する理論研究 : I-V特性のFowler-Nordheimプロットにおける屈曲の起源

    洗平 昌晃, 塚田 捷

    日本物理学会 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  89. 金接合系の構造と表面原子拡散

    洗平 昌晃, 塚田 捷

    日本物理学会 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  90. 金原子のエレクトロマイグレーションに関する第一原理計算

    洗平 昌晃, 塚田 捷

    日本物理学会 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    国名:日本国  

  91. 20aPS-9 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)

    洗平 昌晃, 渡辺 一之

    一般社団法人 日本物理学会 

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    開催年月日: 2007年

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  92. 25pPSB-7 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    洗平 昌晃, 渡辺 一之

    一般社団法人 日本物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  93. 30aPS-15 炭素ナノ構造からの電界電子放出に関する第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))

    洗平 昌晃, 相馬 聡文, 渡辺 一之

    一般社団法人 日本物理学会 

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    開催年月日: 2006年

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  94. 21aPS-28 時間依存密度汎関数法とリカージョン伝達行列法による電界電子放射現象の解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    洗平 昌晃, 相馬 聡文, 渡辺 一之

    一般社団法人 日本物理学会 

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    開催年月日: 2005年

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  95. 時間依存密度汎関数法による有機分子の光学吸収スペクトル

    野口 智之, 中岡 紀行, 洗平 昌晃, 渡辺 一之

    公益社団法人 日本表面科学会 

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    開催年月日: 2004年

    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

    近年ナノスケールにおける様々な物性が調べられているが、その中で光学的な応答も興味ある性質の一つである。特にナノスケールでの光学応答は物質の構造やサイズに敏感であり、多くの研究がなされている。本研究では擬ポテンシャルを用いた時間依存密度汎関数法により、平面構造を持った有機分子の光学応答の第一原理計算を行い、分子サイズと光吸収スペクトルとの相関を明らかにする。

  96. 15aPS-5 時間依存密度汎関数法による炭素ナノ構造の光学吸収スペクトル(領域 9)

    野口 智之, 中岡 紀行, 洗平 昌晃, 渡辺 一之

    一般社団法人 日本物理学会 

     詳細を見る

    開催年月日: 2004年

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  97. 27pPSA-4 ナノ構造からの電界電子放射機構(領域9ポスターセッション)(領域9)

    洗平 昌晃, 中村 泰弘, 渡辺 一之

    一般社団法人 日本物理学会 

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    開催年月日: 2004年

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  98. 22aYD-9 ダイヤモンド表面の電界電子放出に及ぼす水素欠陥の効果

    洗平 昌晃, 渡辺 一之

    一般社団法人 日本物理学会 

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    開催年月日: 2003年

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  99. 炭素ナノ構造の電界放出機構 : 原子からダイヤモンドまで

    洗平 昌晃, 金井 千里, 多田 和広, 山内 明弘, 渡辺 一之

    一般社団法人電子情報通信学会 

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    開催年月日: 2002年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

    電界放出機構を電子源の原子構造と電子状態を第一原理計算によって詳細に調べることで明らかにする.炭素原子からなる炭素同質異形体(カーボンアロトロープ:原子、クラスター、グラファイト、ダイヤモンド)を系に選び、時間依存密度汎関数法(TD-DFT)を用いて放出電流、電流のエネルギー分布、仕事関数を決定する。放出電流は仕事関数にのみ影響されるのではなく、電子構造、特に炭素系ナノ構造が電子源の場合は共有結合の特長(σとπ状態)が本質的な役割を果たすことが明らかになった.

  100. V-MOSFETにおけるSi/SiO<sub>2</sub>(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察 国際会議

    川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月19日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大 大岡山キャンパス  

  101. 15aPS-5 時間依存密度汎関数法による炭素ナノ構造の光学吸収スペクトル(領域 9) 国際会議

    野口 智之, 中岡 紀行, 洗平 昌晃, 渡辺 一之

    一般社団法人 日本物理学会  2004年  日本物理学会講演概要集

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  102. エッジ水素終端IV族単原子層ナノリボンの電気伝導特性 国際会議

    服部 綾実, 洗平 昌晃, 田仲 由喜夫

    日本物理学会  2016年9月14日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  103. アルミナ表面上のゲルマネンおよびスタネンの電子状態 国際会議

    洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二

    日本物理学会  2016年9月14日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  104. アモルファス絶縁膜上におけるIV族二次元結晶の電子状態 国際会議

    洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二

    日本物理学会  2017年3月17日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  105. Understanding the switching mechanism of charge-injection GeTe/Sb2Te3 phase change memory through electrical measurement and analysis of 1R test structure

    N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    27th International Conference on Microelectronic Test Structures  2014年3月25日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  106. Theoretical study on the identity of positive mobile ions in SiC-MOSFET and their diffusion process

    H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, H. Watanabe, K. Shiraishi

    16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials  2015年10月4日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Atahotel Nexos Beach, Giardini Naxos  

  107. Theoretical Studies on Electronic Structures of Silicene Ribbon and Silicene on Insulator

    K. Shiraishi, A. Hattori, S. Tanaya, M. Araidai, A. Ohta, M. Kurosawa, Y. Hatsugai, M. Sato, Y. Tanaka

    International Symposium on 2D Layered Materials and Art: Two Worlds Meet  2016年3月23日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:IMéRA, Marseille  

  108. Theoretical Calculations of Electron Transport in Molecular Junction: Inflection Behavior in Fowler-Nordheim Plot and Its Origin

    Masaaki Araidai

    International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN2015)  2015年11月7日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ES Hall, Nagoya University  

  109. SiC酸化により引き起こされるSi欠陥への第一原理計算からの考察 国際会議

    長川健太, 神谷克政, 洗平昌晃, 白石賢二

    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会  2013年12月9日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  110. SiC/GaNの界面構造とバンドオフセットとの関係の理論的検討 国際会議

    小嶋英嗣, 遠藤賢太郎, 白川裕規, 洗平昌晃, 海老原康裕, 金村高司, 恩田正一, 白石賢二

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月19日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東工大 大岡山キャンパス  

  111. SiC-MOSFETにおけるSiO2絶縁膜中のプロトン拡散についての第一原理計算による検討 国際会議

    白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 渡部平司, 白石賢二

    ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第20回)  2015年1月24日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東レ研修センター  

  112. Si<sub>1-x</sub>Sn<sub>x</sub>半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析 国際会議

    長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回)  2016年1月22日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東レ研修センター(静岡県三島市)  

  113. Si/SiO<sub>2</sub>界面のニューラルネットワークポテンシャルの開発 国際会議

    又賀 誠, 洗平 昌晃, 名倉 拓哉, 白石 賢二

    日本物理学会  2018年9月10日  日本物理学会講演概要集

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  114. Si/SiO<sub>2</sub>(100)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の 歪み依存性に関する理論的研究 国際会議

    川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島愽之, 遠藤哲郎, 白石賢二

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回)  2016年1月22日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ研修センター(静岡県三島市)  

  115. Si and Ge Ultrathin Films by Ag-Induced Layer-Exchange Growth

    M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Zaima

    23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)  2015年12月10日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hilton Niseko Village  

  116. Sb2Te3/GeTe超格子膜からなるTRAMにおけるGeTe配列とスイッチング動作 国際会議

    大柳孝純, 北村匡史, 加藤重徳, 洗平昌晃, 高浦則克, 白石賢二, 田井光春, 木下勝治, 森川貴博, 秋田憲二

    2014年電気化学秋季大会  2014年9月27日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  117. Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in MTJ

    Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi

    2014 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS)  2014年11月30日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Hapuna Beach Prince Hotel, Kohala Coast, Hawaii  

  118. Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in Magnetic Tunnel Junction

    M. Araidai, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)  2015年10月18日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:San Jose Convention Center  

  119. MONOS型メモリにおける絶縁膜中の原子欠陥に関する第一原理計算 国際会議

    白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二

    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月11日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東海大学  

  120. MONOSメモリにおけるSiO<sub>2</sub>膜中の窒素原子に起因する原子欠陥の理論的考察 国際会議

    白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二

    電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回)  2016年1月22日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東レ研修センター(静岡県三島市)  

  121. IV族単原子層ナノリボンへの電解効果とリボン幅依存性 国際会議

    服部 綾実, 矢田 圭司, 洗平 昌晃, 田仲 由喜夫

    日本物理学会  2018年9月9日  日本

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  122. IV族単原子層ナノリボンのエッジ磁性と電界効果 国際会議

    服部 綾実, 洗平 昌晃, 田仲 由喜夫

    日本物理学会  2018年3月22日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  123. IV族半導体上に蒸着したAg薄膜の化学構造評価と反応制御 国際会議

    伊藤 公一, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一

    日本表面科学会  2016年11月29日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  124. GeSbTe相変化メモリ素子の電気伝導特性におけるスピン軌道相互作用の効果 国際会議

    洗平昌晃, 加藤重徳, 山本貴博, 白石賢二

    日本物理学会 第69回年次大会  2014年3月27日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  125. GaN結晶成長メカニズムの熱力学解析 国際会議

    関口一樹, 白川裕規, 山本芳裕, 洗平昌晃, 白石賢二

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月19日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東工大 大岡山キャンパス  

  126. GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション 国際会議

    白石 賢二, 関口 一樹, 長川 健大, 白川 裕規, 川上 賢人, 山本 芳裕, 洗平 昌晃, 岡本 直也, 芳松 克則, 寒川 義裕, 柿本 浩一

    電子情報通信学会  2017年11月9日  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  127. Franck-Condon Blockade現象に関する理論解析 国際会議

    洗平 昌晃, 塚田 捷

    日本物理学会  2012年9月26日 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  128. First-principles study on two-dimensional crystals of group IV element on insulating film

    M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

    23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)  2015年12月10日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hilton Niseko Village  

  129. First-Principles Study on Hydrogen Annealing Effect in Si/SiO<sub>2</sub> Interface by Thermal Oxidation

    S. Kawachi, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, K. Shiraishi

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials  2015年9月27日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sapporo Convention Center  

  130. First-Principles Study on Current-Induced Magnetization Switching in Magnetic Tunnel Junctions

    Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi

    IVC-19/ICSS-15 and ICN+T 2013  2013年9月9日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  131. First principles study on switching mechanism of superlattice(GeTe)<sub>2</sub>/Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> phase change memory

    M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

    AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)  2015年10月18日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:San Jose Convention Center  

  132. First principles examination of the switching mechanism of the phase change memory (TRAM) using superlattice GeTe/Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>

    M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

    46th Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2015)  2015年12月2日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Key Bridge Marriott, Arlington, VA  

  133. First principal calculation of electronic properties on 4H-AlN/4H-SiC(11-20) and 4H-SiC-4H-AlN(0001) interfaces

    K. Endo, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

    16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials  2015年10月4日 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Atahotel Nexos Beach, Giardini Naxos  

  134. Evaluation of Energy Band Structure of Si<sub>1-x</sub>Sn<sub>x</sub> by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy

    Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, S. Zaima

    2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY- (IWDTF)  2015年11月2日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Miraikan, National Museum of Emerging Science and Innovation, Tokyo  

  135. Charge-injection phase change memory with high-quality GeTe/Sb2Te3 superlattice featuring 70-μA RESET, 10-ns SET and 100M endurance cycles operations

    T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    2013 IEEE International Electron Devices Meeting  2013年12月9日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  136. Charge injection Super-lattice Phase Change Memory for low power and high density storage device applications

    N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Kitamura, M. Tai, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

    2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits  2013年6月11日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  137. Characterization of Chemical Bonding Features of Ultrathin Ge Layer Grown by Ag-Induced Layer-Exchange Method

    A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, S. Miyazaki

    8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016/IC-PLANTS2016)  2016年3月6日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya University  

  138. Ag(111)表面上に偏析したGe原子が形成する二次元構造 国際会議

    志満津 宏樹, 柚原 淳司, 仲武 昌史, 伊藤 公一, 大田 晃生, 洗平 昌晃, 黒澤 昌志

    日本物理学会  2018年9月9日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  139. Ag 誘起層交換成長法によるSi 極薄膜の形成 国際会議

    黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明

    日本表面科学会第35回表面科学学術講演会  2015年12月1日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場  

  140. Ab initio study on the atomic behavior of N, H atoms and O vacancy related defects in SiO<sub>2</sub> layer of MONOS memories

    H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, K. Shiraishi

    AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)  2015年10月18日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:San Jose Convention Center  

  141. 30aPS-15 炭素ナノ構造からの電界電子放出に関する第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長)) 国際会議

    洗平 昌晃, 相馬 聡文, 渡辺 一之

    一般社団法人 日本物理学会  2006年  日本物理学会講演概要集

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  142. 27pPSA-4 ナノ構造からの電界電子放射機構(領域9ポスターセッション)(領域9) 国際会議

    洗平 昌晃, 中村 泰弘, 渡辺 一之

    一般社団法人 日本物理学会  2004年  日本物理学会講演概要集

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  143. 25pPSB-7 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)) 国際会議

    洗平 昌晃, 渡辺 一之

    一般社団法人 日本物理学会  2006年  日本物理学会講演概要集

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  144. 22aYD-9 ダイヤモンド表面の電界電子放出に及ぼす水素欠陥の効果 国際会議

    洗平 昌晃, 渡辺 一之

    一般社団法人 日本物理学会  2003年  日本物理学会講演概要集

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  145. 21aPS-28 時間依存密度汎関数法とリカージョン伝達行列法による電界電子放射現象の解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)) 国際会議

    洗平 昌晃, 相馬 聡文, 渡辺 一之

    一般社団法人 日本物理学会  2005年  日本物理学会講演概要集

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  146. 20aPS-9 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長) 国際会議

    洗平 昌晃, 渡辺 一之

    一般社団法人 日本物理学会  2007年  日本物理学会講演概要集

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  147. エピタキシャルAg(111)上の極薄Ⅳ族結晶形成 国際会議

    伊藤 公一, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一

    電子情報通信学会  2017年6月20日  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  148. 電流誘起磁化反転における電子散乱過程の非平衡第一原理計算 国際会議

    洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

    第19回 半導体スピン工学の基礎と応用  2014年12月15日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京大学  

  149. 電流誘起磁化反転における電子散乱過程に関する非平衡第一原理計算 国際会議

    洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月11日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東海大学  

  150. 金接合系の構造と表面原子拡散 国際会議

    洗平 昌晃, 塚田 捷

    日本物理学会  2009年3月29日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  151. 金原子のエレクトロマイグレーションに関する第一原理計算 国際会議

    洗平 昌晃, 塚田 捷

    日本物理学会  2008年9月22日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  152. 超格子GeTe/Sb₂Te₃メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション 国際会議

    小川 湧太郎, 野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二

    電子情報通信学会  2019年6月21日  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  153. 超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリのスイッチングメカニズムに関する第一原理計算 国際会議

    高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二

    日本物理学会 第70回年次大会(2015年)  2015年3月21日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:早稲田大学  

  154. 絶縁膜上のIV 族系二次元結晶に関する第一原理計算 国際会議

    洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

    日本表面科学会第35回表面科学学術講演会  2015年12月1日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:つくば国際会議場  

  155. 絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析 国際会議

    洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二

    日本物理学会  2016年3月19日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  156. 絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析 国際会議

    洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

    日本物理学会 第71回年次大会(2016年)  2016年3月19日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学 泉キャンパス  

  157. 第一原理計算による超格子GeTe/Sb₂Te₃相変化メモリの理論的検討 国際会議

    野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二

    電子情報通信学会  2018年6月25日  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  158. 第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリ(TRAM)のスイッチングメカニズムの検討 国際会議

    高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二

    ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第20回)  2015年1月24日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東レ研修センター  

  159. 第一原理計算による相変化メモリデバイスの構造同定と電気伝導特性 国際会議

    洗平 昌晃, 加藤 重徳, 山本 貴博, 白石 賢二

    日本物理学会  2013年3月26日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  160. 磁気抵抗メモリの電流誘起磁化スイッチングに関する第一原理計算 国際会議

    洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

    日本物理学会 2013年秋季大会  2013年9月25日 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  161. 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション 国際会議

    洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

    電子情報通信学会 ED/CPM/SDM研究会  2014年5月28日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学  

  162. 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 国際会議

    小林 征登, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 田岡 紀之, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮﨑 誠一

    電子情報通信学会  2019年6月21日  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  163. 炭素ナノ構造の電界放出機構 : 原子からダイヤモンドまで 国際会議

    洗平 昌晃, 金井 千里, 多田 和広, 山内 明弘, 渡辺 一之

    一般社団法人電子情報通信学会  2002年12月6日  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    電界放出機構を電子源の原子構造と電子状態を第一原理計算によって詳細に調べることで明らかにする.炭素原子からなる炭素同質異形体(カーボンアロトロープ:原子、クラスター、グラファイト、ダイヤモンド)を系に選び、時間依存密度汎関数法(TD-DFT)を用いて放出電流、電流のエネルギー分布、仕事関数を決定する。放出電流は仕事関数にのみ影響されるのではなく、電子構造、特に炭素系ナノ構造が電子源の場合は共有結合の特長(σとπ状態)が本質的な役割を果たすことが明らかになった.

  164. 水素終端シリセン、ゲルマネン、スタネンリボンにおけるエッジ状態 国際会議

    服部 綾実, 洗平 昌晃, 初谷 安弘, 矢田 圭司, 白石 賢二, 佐藤 昌利, 田仲 由喜夫

    日本物理学会  2016年3月21日  日本物理学会講演概要集

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  165. 水素終端シリセン、ゲルマネン、スタネンリボンにおけるエッジ状態 国際会議

    服部綾実, 洗平昌晃, 初貝安弘, 矢田圭司, 白石賢二, 佐藤昌利, 田仲由喜夫

    日本物理学会 第71回年次大会(2016年)  2016年3月19日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北学院大学 泉キャンパス  

  166. 時間依存密度汎関数法による有機分子の光学吸収スペクトル 国際会議

    野口 智之, 中岡 紀行, 洗平 昌晃, 渡辺 一之

    公益社団法人 日本表面科学会  2004年  表面科学講演大会講演要旨集

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    近年ナノスケールにおける様々な物性が調べられているが、その中で光学的な応答も興味ある性質の一つである。特にナノスケールでの光学応答は物質の構造やサイズに敏感であり、多くの研究がなされている。本研究では擬ポテンシャルを用いた時間依存密度汎関数法により、平面構造を持った有機分子の光学応答の第一原理計算を行い、分子サイズと光吸収スペクトルとの相関を明らかにする。

  167. 層状化合物を前駆体に用いたIV族ナノシートの合成 国際会議

    淺枝 駿冴, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 洗平 昌晃, 財満 鎭明

    日本表面科学会  2016年11月29日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    シリセン、ゲルマネン、スタネンは、バンドギャップの形成、高キャリア移動度やトポロジカル絶縁性の発現が理論予測されている究極のIV族薄膜材料である。本講演では、層状IV族化合物(CaSi<sub>2</sub>、CaGe<sub>2</sub>等)を前駆体に用い、IV族ナノシートの合成を試みた結果について報告する。

  168. 分子架橋系の電子トンネル機構に関する理論研究 : I-V特性のFowler-Nordheimプロットにおける屈曲の起源 国際会議

    洗平 昌晃, 塚田 捷

    日本物理学会  2010年3月21日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  169. シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 国際会議

    川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二

    シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)  2015年6月19日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学  

  170. ゲルマネンの水素吸脱着に関する第一原理計算 国際会議

    洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二

    日本物理学会  2018年3月24日 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  171. 0.37Vで動作する超低電圧デバイスを開発 -IT機器の消費電力1/10などの実現に道-

    2013年6月 

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    会議種別:メディア報道等  

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Works(作品等) 3

  1. プレスリリース「振動発電素子の帯電機構の微視的解明」

    2020年11月

  2. プレスリリース「新型相変化デバイスのTRAMの熱安定化指針を世界ではじめて確立 -データセンター省電力化・低炭素化に期待-」

    2014年6月

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    発表場所:名古屋大学  

  3. プレスリリース「0.37Vで動作する超低電圧デバイスを開発 -IT機器の消費電力1/10などの実現に道-」

    2013年6月

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    発表場所:大同生命霞が関ビル  

共同研究・競争的資金等の研究課題 2

  1. ナノスケール次世代電子デバイスの第一原理電子状態計算に基づく理論研究

    2015年10月

    第31回海外派遣助成金 

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    資金種別:競争的資金

  2. カルコゲン化合物・超格子のトポロジカル相転移を利用した二次元マルチフェロイック機能デバイスの創製

    2014年10月 - 2020年3月

    戦略的創造研究推進事業 

    富永淳二

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

科研費 12

  1. シリコン酸化膜に覆われたゲルマネンを用いた超高速エレクトロニクスの開発

    研究課題/研究課題番号:20K21142  2020年7月 - 2022年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  挑戦的研究(萌芽)

    大田 晃生, 牧原 克典, 田岡 紀之, 洗平 昌晃

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    配分額:650000円 ( 直接経費:650000円 )

    ゲルマニウム原子の二次元結晶であるゲルマネンは、グラフェンと同様のハニカム格子を取ることから非常に特殊な電子状態を有し、グラフェンと同等の高いキャリア移動度に加えて、強いスピン軌道相互作用を持つという特徴が理論的に明らかにされている。しかしながら、現在、その特殊な電子状態をデバイスに展開するには至っていない。そこで、本申請では、ゲルマネンをはじめとするゲルマニウム原子の二次元結晶の電子状態を引き出すと伴に化学的安定性を高めるために、シリコン酸化膜で覆われた状態で形成する方法を確立することを目指す。その後、ゲルマニウム二次元結晶のキャリア輸送特性を実験及び理論の両面から精査する。

  2. 第一原理計算からの気液固複合相ヘテロ界面の実在系非平衡シミュレーション

    研究課題/研究課題番号:19K22044  2019年6月 - 2021年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  挑戦的研究(萌芽)

    多田 朋史, 洗平 昌晃

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    配分額:2300000円 ( 直接経費:2300000円 )

    デバイス性能を議論する際、バルク材料と他相とのヘテロ接合界面の微視的情報の把握が重要であるが、これは大変困難な課題である。それは、原子、分子、イオンが各相に流れ込むことによる不定比組成状態の出現と、反応・拡散速度の違いによる非平衡性のため、ヘテロ界面の実態を微視的に決定することが極めて困難なためである。よって、本研究は第一原理計算を利用した網羅的素過程探索と、気液固複合相の非平衡状態を記述できる長時間ダイナミクス手法とを融合することで気液固複合相ヘテロ界面の実在系非平衡シミュレーションを達成し、新しい計算技術の潮流を生み出すことを目的としたものである。
    第一原理電子状態計算の進歩によりバルク材料物性の高精度予測が可能となったが、デバイスとしての性能を議論する際に重要であるバルク材料と他相(気相、液相、固相)との接合界面(ヘテロ界面)に関しては計算技術の飛躍的進展が必要とされている 。これは、原子、分子、イオンが各相に流れ込むことによる不定比組成状態がヘテロ界面に出現することに加え、各素過程に依存した反応・拡散速度の違いによる非平衡性のため 、ヘテロ界面の実態を微視的に決定することが極めて困難なためである。既存の第一原理分子動力学計算では到達不可能な時空間スケールの現象である。よって、ヘテロ界面の正確な微視的モデリングからデバイス設計への道筋を確立するためには、第一原理電子状態計算を利用した網羅的素過程探索と、気液固複合相の非平衡状態を記述できる長時間ダイナミクス手法との融合が必須である。本研究は、代表者開発の大規模開放系動的モンテカルロ法と分担者開発のマルチカノニカル法を発展的に融合することで気液固複合相ヘテロ界面の実在系非平衡シミュレーションを実現し、新しい計算技術の潮流を生み出すことを目的とした研究である。
    上記の目標を達成すべく、H31年度(令和元年度)は代表者による動的モンテカルロ用の液体状態の記述法確立と大規模開放系動的モンテカルロ法の更なる高速化、分担者による第一原理計算を用いた網羅的素過程探索と第一原理計算の高速化、を実行した。
    H31年度(令和元年度)は代表者による動的モンテカルロ用の液体状態の記述法確立と大規模開放系動的モンテカルロ法の更なる高速化、分担者による第一原理計算を用いた網羅的素過程探索と第一原理計算の高速化、を実行した。動的モンテカルロ用の液体状態の記述法としては、2つの手法について検討を行った。1:固体用動的モンテカルロ法のグリッド手法を採用、2:ニューラルネットワークポテンシャル分子動力学と動的モンテカルロ法との融合。いずれの手法も十分に実行性の高い手法であることを確認した。大規模開放系動的モンテカルロ法の更なる高速化としては、現状のプログラムにおけるホットスポットであるポアソンソルバー部分の高速化に成功した。第一原理計算を用いた網羅的素過程探索では、欠陥を含む酸化物を対象として、その系における網羅的素過程探索を実行し同手法の有効性を確認した。第一原理計算の高速化ではニューラルネットワークポテンシャルを導入することで、第一原理計算の精度をおとすことなく1000倍程度の高速化を達成した。以上の通り、H31年度(令和元年度)の計画を順調に達成し、最終目標に向けて研究は進展している。
    令和2年度(最終年度)は、高速化された液体用動的モンテカルロを用いて、複雑系をターゲットとした網羅的素過程探索実行後、巨視的な時間スケールにわたる動力学計算を実行する計画である。また、同目標を達成する上で、電子ダイナミクスを取り入れることの重要性も明らかとなり、当初の計画では含めていなかった動的モンテカルロ法による電子ダイナミクス記述法の構築も含めることとした。研究推進としては、本来であれば代表者と分担者それぞれの活動拠点で定期的な打ち合わせを行うことが望ましいが、昨年12月ごろから世界的に蔓延しだしたコロナウイルスの影響により、個々の拠点からは移動せず、電子メールやWeb会議等を用いて継続的に打ち合わせを行う予定である。代表者と分担者が開発している個々の技術の有機的な融合が望ましいが、目標達成においてはそれぞれの技術とそこで得られた情報をカスケード的に用いることで達成できるため、研究推進としては上記のもので十分であると考えている。

  3. Si-Ge系スーパーアトムの内部ポテンシャル変調による量子機能材料創成

    研究課題/研究課題番号:19H00762  2019年4月 - 2023年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業   基盤研究(A)

    牧原 克典, 大田 晃生, 洗平 昌晃

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    配分額:3600000円 ( 直接経費:3600000円 )

    本研究では、Si-Ge系スーパーアトム(コア/シェル量子ドット)において、電子および正孔の波動関数制御技術を確立し、均質ナノドットにない固有の物性・機能を実現する。具体的には、GeコアSi量子ドットにおいて、計算科学、半導体プロセスおよび物性評価の各研究者が、それぞれの分野の専門性を生かした相互・有機的連携による新しい視点からナノ構造界面を有する量子井戸に閉じ込めた電子・正孔の波動関数を深考し、スーパーアトム内での電子・正孔の結合・分離状態制御を実現する。これにより、真の量子力学に基づいた波動関数カップリングを実現し、高効率キャリア再結合を実現するSi系エレクトロルミネッセンス材料を創成する。
    初年度は、Si/Geスーパーアトム構造において、Geの選択成長温度が室温発光へ及ぼす影響を調べるとともに、Geコア内へのBデルタドーピングがPL特性に及ぼす影響を評価した。
    具体的には、n-Si(100)基板上に膜厚~3nmの酸化膜を形成し、pure-SiH4を用いたLPCVDによりSi量子ドットを高密度・一括形成した。続いて、H2希釈5%GeH4のLPCVDによりSi量子ドット上にGeを選択的に成長した。このとき、基板温度は450℃および500℃とし、ドット平均高さが~6-7nmとなるように成長時間を制御した。その後、H2希釈5%SiH4のLPCVDを用いた選択成長により、580℃でGeをSiで被覆することでGeコアSi量子ドットを形成した。形成した試料の室温PLを測定した結果、Geコアの成長温度に依らず、波長1700nm付近にGeコア中の量子化準位を介したブロード発光が認められるが、450℃でGeを選択成長した場合の発光強度は、500℃で成長したGeコアSi量子ドットに比べ、約1桁高いことが分かった。各々の試料のラマン散乱スペクトルを測定した結果、500℃でGeコアを形成した場合には、僅かながらSi-Geに起因するピークが認められるものの、450℃のGeコアでは殆ど認められなかった。これらの結果は、Geを低温で選択成長することで、下地Si量子ドットとGeコア界面のミキシングが抑制され、極めて組成急峻且つ低欠陥密度な界面が得られたことで、Geコア中での発光再結合レートが増大したとして解釈できる。また、Geコア形成時に1%He希釈B2H6ガスをパルス導入することでB添加を行った場合、PL強度が真正ドットに比べ1.4倍に増大することが分かった。これは、Geコアの深いポテンシャル井戸に閉じ込められた正孔数の増加により、発光再結合レートが増大した結果として解釈できる。
    本研究では、Si-Ge系スーパーアトム(コア/シェル量子ドット)において、電子および正孔の波動関数制御技術を確立し、均質ナノドットにない固有の物性・機能の実現による高効率キャリア再結合を実現するSi系エレクトロルミネッセンス材料の創成を目的としている。初年度では、高効率キャリア再結合を実現可能とする不純物添加や各プロセスを精査することで、発光強度の増大を実現しており、当初の予定通り進展していると言える。
    今後は、Geコア/Siシェル量子ドットの高密度形成と高効率発光素子の開発とともに、キャリアダイナミックスと光学特性に対する電界効果評価を実施する。具体的には、Geコアサイズ、Siシェル厚みを変化させた試料を作成し、コア/シェル界面のミキシング、歪、電子状態を評価し、発光特性に及ぼす影響を明らかにする。また、Geコア/Siシェル量子ドットを活性層とするダイオード構造を設計・作製し、電界印加が発光特性に与える効果を明らかにする。ダイオード構造においては、GeコアSi量子ドットの上部に厚い酸化膜層を形成して、その上部に形成した電極層とドット間でのキャリアの注入・放出を抑制した試料において、正負バイアスの連続パルス印加によって基板側からドットへ電子・正孔を交互に注入したときの発光特性を評価する。さらには、これらの実験と並行して「第一原理計算によるナノ構造界面の物性予測」の観点からGeコアSi量子ドットを探求し、得られる知見を体系的に整理・統合することで新たな概念に基づくSi系エレクトロルミネッセンス材料を創成する。

  4. 実環境下の損傷敏感試料に微細領域の動態観測技術をもたらす半導体電子ビーム源

    研究課題/研究課題番号:19H00666  2019年4月 - 2022年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    西谷 智博, 目黒 多加志, 洗平 昌晃, 成田 哲博, 本田 善央, 石川 史太郎, 田渕 雅夫, 市川 修平, 保田 英洋, 七井 靖

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    配分額:2500000円 ( 直接経費:2500000円 )

    次世代の電子顕微鏡技術には、電子線損傷に敏感な試料だけでなく、液中など実環境下でその動態や反応へ観測機能を拡張させることが求められている。このような要求に応えるには、従来を遥かに超える電流密度と単色性だけでなく、既存技術にはない高密度電子パルス特性が電子源に必要不可欠である。本課題では、既存とは異なる電子放出原理の光電効果を利用し半導体から電子ビームを取り出す半導体フォトカソードに着目し、半導体の材料・構造・表面の追求と半導体フォトカソードに適した電子銃装置の研究開発により、電子顕微鏡の観測機能の拡張に適した低単色・高密度のパルス電子ビーム生成の実現を目指す。
    本研究では、電子線による損傷が制御され、ドリフトやブラウン運動が原因の像ブレを解消するだけでなく、ナノ秒領域までの試料の動態や反応の時間分解能までの観測を実現するため、2019年度の実施研究は設定した目標に対して、半導体材料とその表面処理方法の追究、および電子銃・電子顕微鏡の整備と共に液中試料セルの開発と試料・溶液の条件追究を次の通り行った。
    半導体材料の追及:InGaN半導体では、量子効率の電子を生成する半導体層の膜厚との相関から最適化を行い、これまでの開発で最高となる量子効率20%を達成した。AlGaAs半導体では、量子効率を損なわず小さな電子エネルギー分散の実現が可能な超格子構造をエネルギーバンド計算から見積もり、超格子半導体を作成し、量子効率の励起エネルギー依存性の結果から量子閉じ込め効果を確認し、尚且つ生成した電子ビームをソレノイドスキャン法によるエミッタンス測定から最小で電子のエネルギー分散50meVの達成を確認した。表面処理方法の追究:あいちSR、理科大での表面観測を通して得た表面アニール・NEA処理過程に対する量子効率・仕事関数の相関の結果から表面機能がより長時間維持する高耐久化手法を見出した。電子銃・電子顕微鏡整備・液中試料ホルダー:要件を満たすために電子銃と電子顕微鏡との間に縮小ビームオプティクス・ビームシフト・真空作動排気を兼ねた取り合いを設計・作成を行った。かつ独自に考案した液中試料セルを用い、溶液条件最適化により水溶液中の金コロイドの観測に成功した。
    本年度は、半導体、表面、電子銃・電子顕微鏡の何も設計や整備、条件だし・最適化を計画し、次に詳細を示す通り“最終目標に対する達成度“が70%と概ね予定をクリアした。
    半導体材料(達成度70%):(1) AlGaAs系、GaN系半導体の結晶成長作成条件である成長層の膜厚、組成およびp型濃度をパラメータとした半導体構造の結晶成長した-達成度100%-。(2) 作成した半導体の表面にセシウムを蒸着することで負電子親和力表面処理を施し、量子効率とその寿命測定を評価した-達成度100%-。(3) (2)で得られた実験結果を半導体構造設計へフィードバックし、①②を行程として、高い量子効率と速い応答性、高耐久を兼ねる半導体フォトカソードを実現する-達成度50%-。(4) (3)までの行程で有望と判定した半導体フォトカソード素子を名古屋大学所有の半導体フォトカソード電子銃を搭載した透過型電子顕微鏡による像観測により、可干渉性を評価する-達成度50%-。(5) (4)で得られた評価結果を、更に各半導体構造の設計へとフィードバックし、より可干渉性の良い電子ビーム発生に優れた半導体を作成する-達成度50%-。
    表面処理方法(達成度70%): (1) NEA表面処理過程、表面劣化状態について表面観測を行い-達成度100%-、(2) 高量子効率かつ高耐久な表面処理方法を見出し-達成度60%-、また(3) 第一原理計算を用いた表面構造・ポテンシャルモデル追求を開始-達成度60%-した。
    電子銃・電子顕微鏡整備・液中試料セル(達成度70%):電子銃は電子ビームの縮小・シフトを行うビームオプティクスを設計・製作を行い-達成度80%-、名古屋大学および大阪大学所有の電子顕微鏡の設置およびカメラの整備-達成度80%-、独自考案した液中試料セルを製作し水溶液中の金ナノコロイドの観測まで至った-達成度50%-。
    本研究の最終目的である“電子線による損傷が制御され、ドリフトやブラウン運動が原因の像ブレを解消し、ナノ秒領域までの試料の動態や反応の時間分解能までの観測の実現“に向けた効率的推進策として、2019年度に得られた研究成果と進捗を利用して、従前のマイルストーン目標から次の通り焦点を更に絞り実施する。
    A)電界放出型電子源と同等の単色性と1000倍以上の高い電流引出し(>1mA)。
    B)凍結試料のドリフト(~10nm/s)に対しては1ミリ秒、液中試料のブラウン運動(~10μm/s)に対しては100ナノ秒以下の速い撮像が必要のため、パルス幅は100ナノ~1ミリ秒の範囲で調整可能であること。
    C)パルス繰返し周波数は最小1パルス生成から100マイクロ秒以下の間隔で生成し、かつ検出器やカメラと同期が可能であること。
    今後の実施研究は、A)~C)を満たす半導体とその表面処理の追究、A)~C)に対応した実験が可能な電子銃と電子顕微鏡の開発・整備を進め、最終目的に不可欠な試料セルと試料溶媒条件の追究を遂行していく。

  5. 一般化アンサンブル法を用いたGaN結晶成長の解析

    研究課題/研究課題番号:19H04541  2019年4月 - 2021年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  新学術領域研究(研究領域提案型)

    洗平 昌晃

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:3770000円 ( 直接経費:2900000円 、 間接経費:870000円 )

    本研究は申請者が開発している自由エネルギー解析手法(一般化アンサンブル法)を用いて,GaNの結晶成長の全貌を明らかにしようとする萌芽的研究である.GaNは次世代の電力用半導体素子(パワーデバイス)として盛んに研究されており,これが実現されると著しい省エネルギー社会が到来すると期待されている.本研究で用いる手法は,従来の電子状態計算手法が苦手とする熱力学的・統計力学的観点を表に出したものである.したがって,本研究終了の暁には,実験と理論の橋渡し役として確立してきた計算物質科学の分野により強固な一面をもたらすことが期待される.
    窒化ガリウム(GaN)の結晶成長における気相反応に対して,申請者が開発した自由エネルギー計算を適用した.第一原理電子状態計算手法をエネルギー計算器として計算を実行し,Ga(CH3)3がH2やNH3分子と反応する際の自由エネルギーランドスケープを得ることができた.しかしながら,得られた自由エネルギーランドスケープから速度論パラメータを得るためには,その精度がまだ不十分であった.その上,計算に要した時間は想像以上であり,この計算を複数回実行するのが厳しいことが分かった.この問題を解決するために,ニューラルネットワークによる古典ポテンシャルを作成し,それをエネルギー計算器として採用し自由エネルギー計算を実行したところ,その計算速度は今後研究を推進していくうえで非常に現実的なものであった.しかしながら,学習していない領域(外挿領域)の構造がたびたび出現したため、分子構造が不自然に分解してしまった.一般的に,非線形回帰に基づく機械学習のアルゴリズムは,外挿領域に対して予測精度が著しく低下することが知られている.従来のニューラルネットワークポテンシャルの作成方法では学習データの重複を排除することができず,これが学習データの収集に大きな制限をかけることになり、ひいてはニューラルネットワークポテンシャルの精度の悪化(外挿問題)と学習の非効率化をもたらしている.今後は原子ごとにニューラルネットワークポテンシャルを学習する方針に転換する.これにより,ニューラルネットワークの入力値の分布が均等となるように学習データを収集することができ効率の良い学習が可能となる.さらに,特徴的な環境にいる原子を漏らさず抽出することができるためニューラルネットワークの外挿問題に対しても改善が期待される.今後は,この方針でロバストなニューラルネットワークポテンシャルを作成し研究を推進する.
    窒化ガリウム(GaN)の結晶成長における気相反応では,様々なプロセスを経てGa(CH3)3からGaHに分解すると考えられている.これらのプロセスに対して申請者が開発した自由エネルギー計算を適用した.第一原理電子状態計算手法をエネルギー計算器として計算を実行し,Ga(CH3)3がH2やNH3分子と反応する際の自由エネルギーランドスケープを得ることができた.しかしながら,得られた自由エネルギーランドスケープから速度論パラメータ(活性化障壁高さや試行頻度)を得るためには,その精度がまだ不十分であった.その上,計算に要した時間は想像以上であり,この計算を複数回実行するのが厳しいことが分かった.この問題を解決するために,機械学習手法の一つであるニューラルネットワークによる古典ポテンシャルを作成し,それをエネルギー計算器として採用し自由エネルギー計算を実行した.第一原理電子状態計算手法をエネルギー計算器とした場合に比べて2000倍も速い計算速度が得られた.今後研究を推進していくうえで非常に現実的な計算速度である.しかしながら,学習していない領域(外挿領域)の構造がたびたび出現し、不自然な力が原子に加わったため分子構造が不自然に分解してしまった.今後はこの問題を解決し,ニューラルネットワークポテンシャルをエネルギー計算器とした自由エネルギー計算を実施していく.二年目には気相反応で生成されたGaH分子がGaN基板に吸着されるプロセス,ならびに吸着した分子にNH3分子が反応するプロセスに対して自由エネルギー計算を実施する予定であったが,気相反応の解析に今しばらく時間が必要である.
    計算手法である第一原理マルチカノニカルモンテカルロ法は,並列化効率は非常に高いものの,想像以上に計算時間を要することが判明した.この計算を実行しつつ,非常に高速なニューラルネットワークポテンシャルによる計算も実行していく.しかしながら,特に今回の様に非常に自由度の高い気体分子(気相)の反応に対して,ニューラルネットワークポテンシャルによる計算を安定に実行するためには解決すべき問題がある.実際にニューラルネットワークポテンシャルで計算を実行すると,学習していない領域(外挿領域)の構造がたびたび出現し、不自然な力が原子に加わったため分子構造が不自然に分解してしまう.一般的に,非線形回帰に基づく機械学習のアルゴリズムは,外挿領域に対して予測精度が著しく低下することが知られている.従来のニューラルネットワークポテンシャルの作成方法では学習データの重複を排除することができず,これが学習データの収集に大きな制限をかけることになり、ひいてはニューラルネットワークポテンシャルの精度の悪化(外挿問題)と学習の非効率化をもたらしている.今後は原子ごとにニューラルネットワークポテンシャルを学習する方針に転換する.これにより,ニューラルネットワークの入力値の分布が均等となるように学習データを収集することができ効率の良い学習が可能となる.さらに,特徴的な環境にいる原子を漏らさず抽出することができるためニューラルネットワークの外挿問題に対しても改善が期待される.今後は,この方針でロバストなニューラルネットワークポテンシャルを作成し研究を推進する.

  6. ゲルマニウム系二次元ハニカム結晶の自己組織化形成と結晶構造・電子状態制御

    研究課題/研究課題番号:18K19020  2018年6月 - 2020年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  挑戦的研究(萌芽)

    大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    配分額:1400000円 ( 直接経費:1400000円 )

    金属薄膜へのゲルマニウム(Ge)の固溶と偏析を制御することで、Ge原子の二次元結晶を形成することを目指して研究を推進した。Geと共晶反応を示すAlを二次元結晶成長のテンプレートとし、Al蒸着時の堆積速度や膜厚を制御することによりGe(111)ウェハ上にAlをヘテロエピタキシャル成長できることが分かった。さらに、Al蒸着時の基板温度やAl蒸着後の真空中熱処理における処理温度や時間が試料表面の平坦化とGe原子の表面偏析に与える影響を系統的に調べ、サブナノメートルの極薄Ge結晶層を成長できることを明らかにした。
    ポストグラフェン材料として注目されているGe原子の二次元結晶の形成は、これまでに清浄化した単結晶金属表面上へのGe原子の蒸着により行われてきた。これに対して、本研究では、Geと共晶反応を示すAl薄膜をGeウェハ上にヘテロエピタキシャル成長し、基板加熱や熱処理に伴うGe原子のAl薄層中への固溶と表面偏析を制御することで、サブナノメートルのGe結晶を成長できることを明らかにすることができた。

  7. 量子論コンピューティクスによるパワー半導体界面形成機構と電子物性の解明

    研究課題/研究課題番号:18H03873  2018年4月 - 2022年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    押山 淳, 洗平 昌晃, 松下 雄一郎

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    配分額:1320000円 ( 直接経費:1320000円 )

    本課題においては、大規模長時間シミュレーションを可能にする計算方法論の開発と、それを用いたパワー半導体界面形成機構と電子物性の解明、を目的としている。
    本年度における、方法論開発の成果としては以下の二点があげられる。第一は、Real-Space Car-Parrinello Molecular Dynamics (RS-CPMD)コードの、マルチコア・超並列アーキテクチャのコンピュータ上での高速化であり、第二は、深層学習(ニューラルネットワーク)を用いた、密度汎関数理論(Density-Functional Theory: DFT)の運動エネルギー汎関数T[n]の開発である。
    RS-CPMDコードのチューニングは京コンピュータ上で行われた。基本プロファイラーを用いた計算時間の解析により、力の計算に関わる一連のサブルーチンにおいて、並列化効率が低いことが判明した。そこで空間並列とバンド並列をハイブリッッドした新たなコードを開発し、高速化が達成された。T[n]の開発においては、過去の深層学習を用いない汎関数のいずれよりも、高精度な汎関数が開発された。Siおよびダイヤモンド半導体のデータから学習し、SiCの物性を記述できる汎関数となっている。
    これらの計算手法を応用し、SiC/SiO2界面での炭素原子関連欠陥の同定が行われた。酸化のし残りである炭素がC2の形態を維持して界面に残存し、これが電子トラップの原因となることが判明した。またGaNのエピタキシャル成長の機構を解明する目的で、窒素のガスソースであるアンモニア分子の成長表面上での分解反応を調べた。その結果、成長中のGaリッチなGaN表面では、比較的に弱いGa-Gaボンドがユビキタスに存在し、それが反応のスポットとなって、NH3の分解が生じ、その後NHユニットがGaNネットワークに取り込まれることがわかった。
    RS-CPMDコードのチューニングでは、基本プロファイラーを用いた解析により、力の計算に関わる一連のサブルーチンにおいて、並列化効率が低いことが判明した。そこで、この部分がバンド並列に対して極めて並列化効率が高いことに着目し、空間並列とバンド並列を併用するハイブリッド並列コードを新たに開発した。この結果、京コンピュータ1000ノード規模のリソースを用いて、1000 - 2000原子系のサブナノ秒MDシミュレーションが可能となった。T[n]の開発においては、深層学習を用いた汎関数により、過去に開発されたT[n]のいずれよりも、高精度な汎関数が開発された。これを用いたオーダーN計算法確立の側面では、第一原理局所擬ポテンシャルの開発と、T[n]を含むオイラー方程式解法が不可欠であるが、そのいずれにも成功している。
    パワー半導体界面計算においては、SiC/SiO2界面での炭素原子関連欠陥の同定が行われた。酸化のし残りである炭素に起因する欠陥の形態、生成エネルギーを網羅的に調べ、またそれぞれの欠陥が引き起こすギャップ中の電子準位を、異なる荷電状態に対する全エネルギー計算から導き出し、電子トラップと成り得る候補を絞り込んだ。またGaNのエピタキシャル成長機構解明では、窒素のガスソースであるアンモニア分子の成長表面上での分解反応を調べ、成長中のGaリッチなGaN表面では、比較的に弱いGa-Gaボンドがユビキタスに存在し、それが反応のスポットとなって、NH3の分解が生じ、その後NHユニットがGaNネットワークに取り込まれることがわかった。また成長温度では、Gaリッチ表面では、Gaアド原子が高い拡散係数を示し、いわば2次元Ga液体が形成されていることが初めてわかった。
    RS-CPMDの高速化が達成されたので、これにより乱れた系の動的性質を調べる。具体的にはパワーデバイス界面(MOS界面)の絶縁体として、なくてはならないアモルファスSiO2の構造的、電子的性質を第一のターゲットとする。アモルファスをコンピュータ上で作成するために、未だかって行われたことのない大規模長時間melt-quenchシミュレーションを実行する。具体的には1500原子系、600原子系、200原子系を取り上げ、100K/ps、50K/ps、10K/psというゆっくりとしたクエンチ速度でアモルファスを作成し、得られた構造的・電子的性質の、シミュレーションサイズ、クエンチ速度依存性を明らかにし、シミュレーションの精度を担保する技術開発を行う。このアモルファス(いわばハウス・アモルファス)を用いて、現実のMOSデバイスにおける半導体/絶縁体界面を調べる。
    運動エネルギー汎関数T[n]については、まだ改善の余地がある。第一はtarnsferrabilityの確保である。現在は深層学習を行った物質群に対してはその物性値を再現できる、また学んだSi、ダイヤモンドに類似の炭化ケイ素については物性値を予測できる、というレベルである。これを学習方法を改善し、より広範な物質群に対する有効性を高める手法を編み出すことを目指す。
    物質計算ターゲットとしては、GaNエピタキシャル成長の素過程を実際の成長温度でシミュレートし、解明することに傾注する。

  8. 第一原理電子状態計算に基づく自由エネルギー解析手法の開発とその応用

    研究課題/研究課題番号:16K17551  2016年4月 - 2019年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  若手研究(B)

    洗平 昌晃

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:4420000円 ( 直接経費:3400000円 、 間接経費:1020000円 )

    次世代素子材料や省エネルギー素子,電池などの動作機構は,多数の原子・分子の多様な電子状態を介した複雑な現象がその本質にある.その解析のために,計算物質科学の分野で用いられている精密な電子状態計算手法と,系の熱力学的・統計力学的性質を記述する自由エネルギー解析手法を組み合わせたハイブリッドな計算手法を開発した.開発した解析手法は予想以上に計算時間を要することが判明したため,ニューラルネットワークを利用した高精度原子間ポテンシャルを利用する枠組みも開発した.この手法を,強誘電体チタン酸バリウムの酸素空孔拡散や電解液の分解によるガス発生の解析に適用し,これらの現象の理解に役立つ結果を得た.
    本研究課題で開発した計算手法は,従来の電子状態計算手法に熱力学的・統計力学的観点を新たに付加するものであり,実験と理論の橋渡し役として確立してきた計算物質科学の分野により強固な一面をもたらすことが期待される.本手法を適用した系,強誘電体チタン酸バリウムの酸素空孔拡散や電解液の分解によるガス発生は,その性能劣化に関連しており応用上大変重要な現象である.また,本研究課題にて開発している手法に興味を持った企業との共同研究が始まっている.したがって,「実験と理論の橋渡し役」や「産業技術に対する貢献」を目指した本研究課題は学術的にも社会的にも大変意義深いものである.

  9. 新規IV族系二次元物質の創製

    研究課題/研究課題番号:15H03564  2015年4月 - 2018年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    白石 賢二, 財満 鎭明, 宮崎 誠一, 中山 隆史, 牧原 克則, 初貝 安弘, 洗平 昌晃, 中塚 理

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    担当区分:連携研究者 

    シリセン、ゲルマネンの電子構造と原子構造を第一原理計算で行った。まず、絶縁体であるAl2O3上のシリセンとゲルマネンの電子構造を計算した。その結果、バンド構造はK点でディラックコーンを持つフリースタンディングのシリセン、ゲルマネンのバンド構造を保存することがわかった。しかし、細かく見ると表面への吸着構造に依存してシリセン、ゲルマネンのバンド構造が微妙に変わることを明らかにした。

  10. シリコン系二次元ハニカム結晶の創製と電子物性の解明

    研究課題/研究課題番号:15K13943  2015年4月 - 2017年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  挑戦的萌芽研究

    大田 晃生, 洗平 昌晃, 黒澤 昌志

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

    配分額:1000000円 ( 直接経費:1000000円 )

    SiおよびGeで構成される二次元結晶を主たる対象として、その成長メカニズムを深耕し、新しい二次元結晶成長方法を確立することを目的とした。SiやGeと共晶反応を示すAgを、SiおよびGe基板上にヘテロエピタキシャル成長し、共晶点以下の温度で熱処理することでAg表面にSiやGeを析出できることを明らかにした。また、熱処理温度や時間を調整することで、その析出量を制御可能であることが分かった。その中でも、450度で熱処理したAg/Ge構造では、高分解能の断面TEM分析により、原子レベルで平坦なAg表面上に、二次元結晶に相当する2原子層の周期的なGe原子の配列が認められ、本手法の有効性を示した。

  11. ナノ空間における溶液物性と電気化学過程の理論的解明

    研究課題/研究課題番号:21244045  2009年 - 2012年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    塚田 捷, 赤木 和人, 田村 宏之, 濱田 幾太郎, 真砂 啓, 洗平 昌晃

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    担当区分:連携研究者 

    種々の分子シミュレーションの手法を用いて、固液界面での電解質水溶液の構造とダイナミクスを調べ、特徴的な空間スケールと時間スケール、水素結合ネットワーク中での各イオン種のふるまい、電気二重層構造の起源にミクロな視点からの理解を与えた。電極電位の効果を考慮して酸性溶液と白金電極との界面における水素発生の機構を定量的に評価した。また、界面系への適用を視野に光励起や電場の印加に始まる電子移動を扱うための理論的枠組みを構築した。

  12. 時間依存密度汎関数法による炭素系ナノ構造の非平衡電子状態の研究

    研究課題/研究課題番号:04J02793  2004年 - 2006年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  特別研究員奨励費

    洗平 昌晃

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:2800000円 ( 直接経費:2800000円 )

    電界電子放射現象はナノスケールの電子源として期待されており,理論・実験ともに精力的に研究されている物理現象である.この現象は強電界・強電流下での量子トンネル現象であり、そのような状況下では放出先端構造が著しい損傷を受けることが実験的に観測されている。このことはナノスケール電子源の寿命と密接な関連を持ち,電界電子放射現象を利用した次世代デバイスの実現に関して非常に重要な問題である.そこで,電界電子放射現象下でのNa原子に働く力をリカージョン伝達行列法(RTM)を用いて研究した.RTM法は電界電子放射現象のみならず,原子架橋系での定常電気伝導の研究にも使われる第一原理計算手法である.
    この研究において,電界電子放射による原子蒸発の閾値電界強度を見積もることができた.その際,蒸発原子は有効的に負に帯電していることを明らかにした.蒸発原子が負に帯電することは,電界電子放射現象を起こす際に印加される電界の向きとは矛盾せず,過去に成された理論研究とも合致している.しかしながら,実際に電流が流れている状況下でこのことを示したのは本研究が初めてである.また,この研究で得られた興味深い知見は,"ポテンシャル曲線から理解される電界電子放射現象下での原子の蒸発メカニズムは,蒸発原子の有効電荷の符号と電界の方向を除けば,通常の電界蒸発現象と同じである",ということである.このことに関しては詳細な研究が行われる必要があるが,この研究は電界電子放射現象下での表面原子過程を理解するための足がかりになるものと考えられる.

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担当経験のある科目 (本学) 36

  1. 物理工学演習2b

    2021

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    学部2年生の演習
    旧名称:応用物理学演習第1

  2. 応用物理学演習 2a/2b

    2021

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    G30学部3年生の演習(理学部と共同開講)
    理学部の名称:物理学演習3a/3b
    (旧名称:物理学演習3)

  3. 物質科学特別輪講(フロンティア計算物理)A

    2021

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    前期課程1年春学期

  4. 物質科学特別輪講(フロンティア計算物理)B

    2021

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    前期課程1年秋学期

  5. フロンティア計算物理セミナー1A

    2021

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    前期課程1年春学期

  6. フロンティア計算物理セミナー1B

    2021

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    前期課程1年秋学期

  7. フロンティア計算物理セミナー1C

    2021

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    前期課程2年春学期

  8. フロンティア計算物理セミナー1D

    2021

     詳細を見る

    前期課程2年秋学期

  9. フロンティア計算物理特別実験・演習A

    2021

     詳細を見る

    前期課程1年春学期

  10. フロンティア計算物理特別実験・演習B

    2021

     詳細を見る

    前期課程1年秋学期

  11. フロンティア計算物理セミナー2A

    2021

     詳細を見る

    後期課程1年春学期

  12. フロンティア計算物理セミナー2B

    2021

     詳細を見る

    後期課程1年秋学期

  13. フロンティア計算物理セミナー2C

    2021

     詳細を見る

    後期課程2年春学期

  14. フロンティア計算物理セミナー2D

    2021

     詳細を見る

    後期課程2年秋学期

  15. フロンティア計算物理セミナー2E

    2021

     詳細を見る

    後期課程3年春学期

  16. 物理工学演習2b

    2020

     詳細を見る

    学部2年生の演習
    旧名称:応用物理学演習第1

  17. 応用物理学演習2a/2b

    2020

     詳細を見る

    G30学部3年生の演習(理学部と共同開講)
    理学部の名称:物理学演習3a/3b
    (旧名称:物理学演習3)

  18. フロンティア計算物理セミナー1A

    2020

     詳細を見る

    1年・春学期

  19. フロンティア計算物理セミナー1B

    2020

     詳細を見る

    1年・秋学期

  20. フロンティア計算物理セミナー1C

    2020

     詳細を見る

    2年・春学期

  21. フロンティア計算物理セミナー1D

    2020

     詳細を見る

    2年・秋学期

  22. フロンティア計算物理特別実験及び演習A

    2020

     詳細を見る

    2年・秋学期

  23. フロンティア計算物理特別実験及び演習B

    2020

  24. 物理工学演習2b

    2019

     詳細を見る

    学部2年生の演習
    旧名称:応用物理学演習第1

  25. 応用物理学演習2a/2b

    2019

     詳細を見る

    G30学部3年生の演習(理学部と共同開講)
    理学部の名称:物理学演習3a/3b
    (旧名称:物理学演習3)

  26. 応用物理学演習2

    2018

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    G30学部3年生の演習(量子力学)

  27. 物理工学演習2b

    2018

     詳細を見る

    学部2年生の演習(電磁気学)

  28. 応用物理学演習第1

    2017

     詳細を見る

    学部2年生の演習(電磁気学)

  29. 応用物理学演習2

    2017

     詳細を見る

    G30学部3年生の演習(量子力学)

  30. 応用物理学演習2

    2016

     詳細を見る

    G30学部3年生の演習(量子力学)

  31. 応用物理学演習第1

    2016

     詳細を見る

    学部2年生の演習(電磁気学)

  32. 応用物理学演習2

    2015

     詳細を見る

    G30学部3年生の演習(量子力学)

  33. 応用物理学演習第1

    2015

     詳細を見る

    学部2年生の演習(電磁気学)

  34. 応用物理学演習第1

    2014

     詳細を見る

    学部2年生の演習(電磁気学)

  35. 応用物理学演習2

    2014

     詳細を見る

    G30学部3年生の演習(量子力学)

  36. 応用物理学演習第2

    2013

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    学部2年生の演習(熱力学)

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学術貢献活動 5

  1. Program Committee of IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022

    役割:企画立案・運営等

    2021年10月 - 2022年1月

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    種別:学会・研究会等 

  2. EXECUTIVE COMMITTEE of ICMaSS2021

    役割:企画立案・運営等

    Institute of Materials and Systems for Sustainability  2020年12月 - 2021年12月

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    種別:学会・研究会等 

  3. 日本物理学会第75回年次大会実行委員会

    役割:企画立案・運営等

    日本物理学会  2018年12月 - 2020年3月

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    種別:学会・研究会等 

  4. EXECUTIVE COMMITTEE of ICMaSS2019

    役割:企画立案・運営等

    Institute of Materials and Systems for Sustainability  2018年11月 - 2019年12月

     詳細を見る

    種別:学会・研究会等 

  5. EXECUTIVE COMMITTEE of ICMaSS2017

    役割:企画立案・運営等

    Institute of Materials and Systems for Sustainability  2016年6月 - 2017年12月

     詳細を見る

    種別:学会・研究会等